【課題】熱膨張・収縮に対処した真空処理チャンバを提供する。特定の実施形態では、チャンバ・ボディに構造的応力を与えたり、真空シールを破壊したりすることなく熱膨張・収縮することができるシャワーヘッドを備えるプラズマ処理チャンバを提供する。
【解決手段】シャワーヘッド・アセンブリは、チャンバ・ボディに堅固に取り付けられたバック・プレート１２５と、シャワーヘッド・プレート１２０をＯリング１４０，スペーサ１４５を介してバック・プレート１２５に摺動可能に取り付け、それにより、シャワーヘッド・プレート１２０とバック・プレート１２５との間にガスシールが維持されているときにシャワーヘッド・プレート１２０をバック・プレート１２５に対して摺動可能にする締結アセンブリ１５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマＣＶＤ装置の真空容器内の部品表面に付着する膜状物質の剥離を低減する。
【解決手段】太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する平行平板型プラズマＣＶＤ装置であって、真空容器内に設けられ、この太陽電池基板を戴置する基板電極と、これに対向する高周波電極とを備え、この高周波電極の基板電極に対向する面に、溶射によってＡｌより融点の高い金属膜を形成している。 （もっと読む）

【課題】シャワー電極におけるシャワープレートが本体部から分離可能な場合に、プラズマを均一に効率よく生成できるプラズマＣＶＤ装置を得ること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、被成膜基板に向けて成膜ガスを供給するとともにステージ部との間に高周波電界を形成して前記成膜ガスにプラズマを発生させるシャワー電極とを備え、前記シャワー電極は、内部空間と、前記内部空間へ前記成膜ガスを供給する本体部と、表面における前記成膜室に面した第１の領域に複数の孔を有しており、前記内部空間から前記複数の孔を介して前記成膜室に前記成膜ガスを供給するように前記第１の領域が前記ステージ部と対向しているシャワープレートとを有し、前記シャワープレートは、前記本体部から分離可能であり、前記シャワープレートの前記表面は、前記第１の領域の外側に配された第２の領域に給電点を有する。 （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、微結晶シリコン膜を高品質で高速製膜可能なプラズマＣＶＤ技術が強く求められている。
【解決手段】
一対の平行平板電極を備えたプラズマＣＶＤ装置において、ガス噴出孔を有する電極に、多数の穴または溝を設け、該穴または溝の底面に希釈ガスのみを噴出する希釈ガス噴出孔を配置し、該穴または溝の開口部の縁の近傍に原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔を配置するという構成を有することを特徴とする。本装置を用いることにより、高品質の微結晶シリコン膜を高速で製膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に下地層、透明導電膜がこの順に形成された透明導電膜付き基板および、変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により形成された複数の透明電極層により構成され、その複数の層を形成する場合において、減圧雰囲気下で連続的に形成する場合には各層の製膜後に製膜室内を真空排気し製膜を停止した後に次の層を形成する。或いは大気圧下に基板を取り出して製膜を一旦停止した後、再度製膜室に投入し減圧雰囲気下で次の層を製膜する。これらの手法により、結晶成長が一旦停止し形成されたテクスチャの上に新たな結晶核が発生し、そこから新たなテクスチャが形成することで薄膜光電変換装置に最適な表面凹凸形状が形成されるため、短絡電流密度を保持したまま電圧および曲線因子の低下を抑制することができ、結果として高い発電効率を有する薄膜光電変換装置が得られる。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウムドープされた酸化亜鉛で基板をコーティングする方法であって、固体ターゲットのアトマイゼーションによって、酸化亜鉛、またはドープされた、特にアルミニウムドープされた酸化亜鉛を含有する５ｎｍ〜４００ｎｍ厚の核形成層を基板表面上に形成するステップと、アルミニウムドープされた酸化亜鉛を含有し、核形成層上に準エピタキシャルで継続成長するトップ層を形成するステップと、トップ層を湿式化学エッチングするステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板を一定温度に保つことができ、バッチ処理の回数が増えても基板に形成される膜の品質を安定させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室内に基板Ｗを配し、基板Ｗの被成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜装置１０において、電圧が印加される平板状のシャワープレート７５と、シャワープレート７５に離間して対向配置されるアノード６７とを有する電極ユニット３１を成膜室に対して着脱自在に設け、アノード６７に、基板Ｗを加熱するためのヒータＨを内蔵すると共に、アノード６７のシャワープレート７５とは反対側の面に、アノード６７を冷却するための冷却板９１を設け、冷却板９１に、冷却用水を循環させるための冷水配管を設けた。 （もっと読む）

【課題】製膜に寄与しなかったガスが基板周辺へ向かう排気ガス流れを低減して放電電極間スリットから排気する排気ガス流量を増加させることにより、製膜条件の分布による基板周辺の膜質低下を抑制した真空処理装置を提供する。
【解決手段】放電電極６から製膜ガスを噴出し、放電電極６のプラズマ雰囲気で製膜ガスの分解及びラジカル生成を行って基板に真空プラズマ処理を行う真空処理装置１Ａが、基板テーブルと放電電極６との面間距離を狭めるガスブロックバリア材３０を基板から所定の距離が離れた前記基板テーブルの周縁部に取り付け、プラズマ雰囲気から基板の端部を経て防着板７の背面へ、または真空排気部へ流出するガス流れの流路面間幅を狭めて、ガス流れ流路の圧力損失を増加させるガスブロックバリア構造部を備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜装置内の圧力を常時適性に保持しながら、成膜装置内で発生したパーティクルを除去し、且つ除去したパーティクルの成膜室内への流入を防止することが可能なＣＶＤ成膜装置を提供することにある。
【解決手段】送りロール８を設置した搬送室３と巻き取りロール９を設置した搬送室４との間に成膜室２を配置し、成膜室２に搬送されてくる可撓性基板５の表面に薄膜を形成するＣＶＤ成膜装置６０において、成膜室２と搬送室４の間の少なくとも１箇所に洗浄室１７ａ，１７ｂが設けられ、成膜室２と洗浄室１７ａ，１７ｂとの間、及び搬送室４と洗浄室１７ａ，１７ｂとの間に、ガスゲート１９が配設され、洗浄室１７ａ，１７ｂは、可撓性基板５に付着したパーティクルを除去するクリーニングロール２０と、クリーニングロール２０と可撓性基板５の接触部近傍にガスを供給する機構と、洗浄室１７ａ，１７ｂ内のガス給気量及びガス排気量を調整する機構と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】突発故障時においてＣＶＤ装置を停止させることなく運用可能であって、基体を運搬する移動装置が休むことなく効率的に稼働する生産効率のよいＣＶＤ装置及びＣＶＤ方法を提供することである。
【解決手段】ＣＶＤ法によって基体に成膜する成膜室を備えた成膜チャンバーと、基体を仮置きする基体仮置き装置とをそれぞれ複数台備えて一群の成膜グループを構成し、当該成膜グループに属する成膜チャンバーと基体仮置き装置との間で基体の受渡しを行うグループ付移動装置を有し、前記成膜グループとグループ付移動装置の組み合わせを複数組備え、それぞれのグループ付移動装置が他の成膜グループに属する成膜チャンバー又は基体仮置き装置と相互に基体の受渡しを行うことのできるＣＶＤ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い可視光透過率、低い抵抗率、高いヘイズを同時に満足する透明電極膜を製膜可能な透明電極膜の製膜方法を提供することを目的とする。また、高い可視光透過率、低い抵抗率、高いヘイズを同時に満足する透明電極膜を用いた高効率な太陽電池を製造可能な太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）ＳｉＨ_４とＯ_２とをＯ／Ｓｉ第１比で含む第４原料ガスを供給し、基板上にアルカリバリア膜を形成する工程を具備し、Ｏ／Ｓｉ第１比は、４０以上２００以下であり、アルカリバリア膜の膜厚は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である透明導電膜及びアルカリバリア膜から構成される透明電極膜の製膜方法である。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にテクスチャが形成される場合でも、透明導電膜など、当該表面に形成される膜厚をより均一にすることができる成膜方法、及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】幾何学的な凹凸が形成された基板２００に蒸着源２０から供給される蒸着材料２５を蒸着させ、基板２００の表面に透明導導電膜を形成する。蒸着源２０の直上寄りに位置する基板２００の端部２００ａと蒸着材料供給部２１との距離ｄ１、及び基板２００の端部２００ｂと蒸着材料供給部２１との距離ｄ２が略同一となるように、基板２００を傾斜させた状態に位置させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法による膜成長初期段階においては結晶性の良いシリコン層を形成させることが困難である。
【解決手段】基板上に、基板側から順に、酸化チタンを主成分とする酸化チタン層と、結晶性シリコン層と、を有し、酸化チタン層と結晶性シリコン層が接していることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】構成の簡素化および小型化するとともに、駆動精度を高めることができ、かつ、軸の芯ずれ調整を容易にすることができる真空用アクチュエータを提供する。
【解決手段】真空容器１１を貫通して配置され、磁性を有する材料からなる出力軸３と、真空容器１１の外部から出力軸３を回転駆動させる動力発生部２と、真空容器１１の外側面に取り付けられるとともに動力発生部２を支持し、非磁性材料からなる取付部４と、出力軸３および取付部４の間に配置されるとともに、真空容器１１の内部および動力発生部２の間を仕切る磁性流体シール５と、磁性流体シール５の近傍に配置され、出力軸３を回転可能に支持するベアリング部６と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】成膜室１１と、仕込・取出室と、基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対して窒素ガスを噴射可能な複数の窒素ガス噴射機構１７０を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８と、が設けられ、窒素ガス噴射機構には、供給管に対して回転しながら窒素ガスを噴射する噴射口が形成されている。 （もっと読む）

【課題】排気配管の温度変化によりクリーニング完了時を判断することにより、より適切なクリーニングを行なうことができる、プラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法およびプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】成膜室２の内部に、エッチングガスを導入した状態においてプラズマを発生させる第１工程を備える。また、排気配管の温度が、クリーニング開始前における排気配管の温度から所定の温度以上上昇した後に、プラズマの発生を停止する第２工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の成長温度を高くすることなく、低い酸素原子濃度を有し、表面欠陥の小突起が発生しにくいＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の製造方法、およびそれにより得られるＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】筐体の内部に配置された反応炉の内部で化合物半導体基板を製造する方法であって、前記筐体の内部を酸素濃度が４５ｐｐｍ以下の雰囲気に保ったまま、ベース基板を筐体の内部であって反応炉の外部から、反応炉の内部に移動し、前記ベース基板を前記反応炉の内部に配置する段階（１）と、前記反応炉の内部に配置されたベース基板の上に化合物半導体を７００℃以下でエピタキシャル成長させる段階（２）とを含む化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマの副生成物生成がなく、電極周辺部材のなどの形状やガスの流れに起因した処理ムラが生じることがない大気開放型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２電極と、ガス供給路と、ガス供給路に設けられガスの流れを均一化する多孔質誘導体３とを備え、第１および第２電極により電界を形成すると共にガス供給路から均一化したガスを供給してプラズマ生成領域にプラズマ９を生成し、被処理基材１０を処理する。 （もっと読む）

【課題】製膜初期におけるプラズマの放電状態を安定させることにより、膜質の低下を抑えることができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に発生させたプラズマにより原料ガスを分解し、基板上にアモルファスシリコン膜を製膜するＣＶＤ装置であって、チャンバと、基板が載置される基板載置部と、載置された基板の温度が製膜に適した温度になるように温度調節可能な基板ヒーター部とを有するアノード電極と、前記基板載置部に載置された基板に対向する位置に設けられるカソード電極と、前記カソード電極と基板載置部との間に設けられ、開状態で基板載置部に載置された基板とカソード電極との対面を許容し、閉状態で基板とカソード電極との対面を遮断するシャッター部と、を備えており、前記シャッター部には、基板の温度に応じた温度に調整可能なヒーター部が設けられている。 （もっと読む）