【課題】新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板または半導体膜の表面をエッチングして反射防止構造を形成するのではなく、半導体表面に同種または異種の半導体を成長させて凹凸構造とする。例えば、光電変換装置の光入射面側に、表面に複数の突起部を有する半導体層を設けることで、表面反射を大幅に低減する。かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させる薄膜太陽電池製造システムおよび薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を一括処理する第１成膜装置２２，２３と、複数の基板を一括処理する第２成膜装置７９，８０と、第１成膜装置２２，２３および第２成膜装置７９，８０に、複数の基板を収容して搬送可能であるカセットとを備えている。カセットの基板収容枚数は、第１成膜装置２２，２３の基板処理枚数と第２成膜装置７９，８０の基板処理枚数との公倍数である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛透明導電膜中の酸素欠損を制御することで耐湿性を改善した透明導電膜付基板を提供する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも透光性基板と、酸化亜鉛層とを備える透明導電膜付基板であって、酸化亜鉛層のラマンスペクトルピーク強度比をＥ_２（ｈｉｇｈ）／Ａ_１（ＬＯ）＞２．０としたことを特徴とする、透明導電膜付基板。本発明によれば、酸化亜鉛層を備える透明導電膜付基板の耐湿性を著しく改善することができるため、当該基板を備えた薄膜光電変換装置は、例えばシート抵抗変化率が小さいなど、優れた耐環境信頼性を発現できる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電極間に一様な電界分布を発生させることのできる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】反応容器（１０）と、反応容器内に設けられた接地電極（１２）と、反応容器の開口部に絶縁体を介して設けられ、接地電極と一対の平行平板電極を形成する非接地電極（２１）と、非接地電極に設けられた複数の給電点を介して非接地電極に高周波電力を供給する電力供給手段（４０）とを備え、非接地電極は、方形形状を有し、複数の給電点は、接地電極と対向しない面における対向する２辺に沿った端部に設けられており、絶縁体は、非接地電極の長辺に沿った側面と反応容器が向かい合う領域に設けられた第１の誘電体（１ｂ）と、非接地電極の短辺に沿った側面と反応容器が向かい合う領域に設けられた第２の誘電体（１ｃ）とを含み、第１の誘電体の誘電率と第２の誘電体の誘電率が互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】加熱板１の中にシースヒータ３を収納した場合に、加熱−冷却時の温度変化に伴う熱応力、熱歪みが生じにくく、しかもシースヒータ３から加熱板１へと効率的な熱の移動が出来るプレートヒータを得る。
【解決手段】プレートヒータは、加熱板１とこの加熱板１のヒータ用溝１１に埋め込まれたシースヒータ３のシース１３とがアルミニウムからなり、このシース１３の加熱板１側の接触面積が、前記ヒータ用溝１１を閉じた蓋板７側の接触面積より大きくなるようにシースヒータ３が加熱板１に埋め込まれているものである。より具体的には、シース１３の加熱板１側の接触面が凸形状になっており、且つ同シース１３の前記蓋板７側の接触面が平坦となっている。 （もっと読む）

【課題】大型基板上においても光による均一な処理を行うことの可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板３２を載置する基板載置部３３を備える処理室１３と、処理室の外に設けられ処理室内に光を照射する発光部１１と、処理室内外を隔てる隔壁に設けられ、光を透過させるための複数の透過窓１５と、前記透過窓と透過窓の間の透過窓境界部に設けられ、透過窓を支持する透過窓支持部１６と、処理用ガスを処理室内へ導入するための、複数のガス導入口２３を有するガス配管２１と、処理室内のガスを処理室外へ排気するガス排気部とを備え、前記複数のガス導入口が、前記透過窓境界部に設けられるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池などの薄型の平板状半導体基板を公知の炉で処理するための改良された方法を提供する。
【解決手段】太陽電池の処理方法は、互いに離隔された集積回路処理用の円形半導体ウェーハ６の配列を受容するために縦型炉１を用意するステップと、太陽電池用基板用６のプロセスチャンバ装填構成１４を構成するステップであって、互いに離隔された複数の太陽電池用基板６から成る配列１６をプロセスチャンバ１０内に収容できるように、処理対象の第１の表面に沿って延在する太陽電池用基板６のサイズが円形半導体ウェーハの対応サイズより小さい、ステップと、上記太陽電池用基板６を上記プロセスチャンバ１０内に装填するステップと、上記太陽電池用基板６を上記プロセスチャンバ１０内で処理にかけるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置用サセプタの設計を改良し、安定的なプラズマの維持及び均一な膜の堆積を可能にするサセプタを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置用真空処理チャンバは、本体１００と、本体の天井に設けられたシャワーヘッド１２５と、チャンバボディの内部に設けられた台１４０と、台に結合されたサセプタ１３５とを備えている。サセプタは、グラファイト本体を有し、グラファイト本体は少なくとも１つの基板を支持するための上面を有している。該上面は、例えばプラズマ噴霧された酸化アルミニウムコーティングなどの誘電体のコーティングを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、より大型な基板に膜厚均一性に優れた高品質薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反応容器内に、直線形状又は中央で折り返した形状の誘導結合型電極を配置したプラズマＣＶＤ装置であって、前記誘導結合型電極の両端部にそれぞれ高周波電力の給電部と接地部とを設け、前記給電部と接地部の間又は前記給電部及び接地部と折り返し部との間に半波長若しくはその自然数倍の定在波が立つように高周波電力を供給する構成とし、かつ、前記誘導結合型電極の電極径を変化させるか、給電部から接地部までの少なくとも一部の電極径を１０ｍｍ以下とするか、又は電極を誘電体で被覆したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】帯状可撓性基板を縦姿勢で横方向に往復搬送させつつ成膜を行う薄膜積層体製造装置において、各搬送方向に対応した搬送高さ制御を低コストかつ簡単な操作で実施可能な基板位置制御装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１の縁部を挟持する一対の挟持ローラ（３１，３２）と、前記一対の挟持ローラを回転可能かつ相互に接離可能に支持する支持機構（３３〜３６）と、前記支持機構を介して前記一対の挟持ローラに挟圧力を付与するスプリング４２と、を備え、前記基板の縁部に、前記一対の挟持ローラの挟圧力に応じた展張力を作用させるものにおいて、前記スプリングの付勢力を前記支持機構にトルクとして伝達する伝達部材（３７〜３９）と、前記一対の挟持ローラの挟圧力を調整すべく、前記スプリングの支持点（４１ｂ）を前記伝達部材との連結点（３９ａ）の周りで角変位させる操作部材（４１）と、前記操作部材を所定の角変位に保持可能な保持手段（４４〜４６）とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ステップ搬送の停止期間中に非成膜ゾーンで発生する張力上昇とそれに伴う応力集中を防止できるステッピングロール方式の薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１に機能性薄膜を積層形成するための薄膜形成装置で、成膜ユニット５，６，７，８を含む成膜ゾーンＺ１，Ｚ２と、成膜ゾーンの上流側および下流側に配設された第１および第２搬送制御ロール１６，２６と、搬送の停止期間中に各成膜ユニットに密閉空間を画成すべく各成膜ユニットに併設された遮蔽手段５３，５４，６３，６４，７３，７４，８３，８４と、搬送中に基板の張力を制御する第１張力制御手段１６，１７，１８，１９と、成膜ゾーンの下流側に隣接した非成膜ゾーンＺ３，Ｚ４とを備え、搬送の停止期間中に、遮蔽手段が基板を挟んで閉じた状態で、非成膜ゾーンにおける基板の張力を制御する第２張力制御手段３，４を備えた。 （もっと読む）

【課題】 低コストで、優れた性能をもつシリコン系薄膜を提供するために、タクトタイムが短くて、高速の成膜速度で特性のすぐれたシリコン系薄膜と、それを含む半導体素子。さらにこのシリコン系薄膜を用いた密着性、耐環境性などに優れた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｉ型半導体層と前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面領域であって前記ｉ型半導体層と前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面から１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の界面領域の微結晶が（１００）面に優先配向しており、前記ｉ型半導体層の層厚方向における前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合である（２２０）面の配向性が前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層又は前記ｎ型半導体層側では小さく、前記下地層から離れるに伴って大きくなるように変化する。 （もっと読む）

シリコン系薄膜太陽電池のための可動堆積ボックス（０２）は、可動チャンバに設けられた少なくとも１群のカソード板（２０３）および１枚のアノード板（２０８）からなる電極アレイを含み、給電ソケット（２０３−１）がカソード板（２０３）の裏側の中心領域の円または半円凹部表面に位置付けられ、平坦な中間部分を有する給電要素（２０１）の円または半円端面（２０１−１）が信号給電ソケット（２０３−１）に接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電し、アノード板（２０８）が接地され、カソード板のシールドカバー（２０４）がスルーホール（２０４−１）を有し、カソード板（２０３）から絶縁される。
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シリコン系薄膜太陽電池のための可動治具は、平行電極板（２０３、２０８）、支持フレームおよび信号給電アセンブリ（２０１）を含む。支持フレームが可動フレームであり、その側部フレーム（２１６）が接地される。擾乱を防ぐため、治具上または治具アレイ間にシールド装置が設けられる。信号給電アセンブリが導体であり、その中間部分およびヘッド部分がラダー円筒を形成し、信号給電アセンブリの一つの端部表面（２０１−１）が三角であり、電極板のカソード板（２０３）の背面表面の中心領域でくぼんだ三角給電ポート（２０３−１）と表面接触および接続することができ、高周波／超短波電源信号を給電することができる。電極板の中心における表面給電の方式により、一点給電または多点給電方式のフィーダ距離によって生じる消費を低減することができ、均一な電界の大面積の安定した放電を得ることができ、生産効率を増大し、コストを減少させることができる。
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【課題】経時安定性の高い導電性酸化亜鉛膜を得る。
【解決手段】Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる１つ以上の元素をドーパントとして含む導電性酸化亜鉛膜において、膜中に水素を含むものとし、その水素の含有量を３×１０²¹ atoms/cm³以下とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤ法やＣＶＤ法では、膜厚の増加に対しガスバリア性が飽和しやすい問題に対して、更に高いガスバリア性を持った透明、もしくは半透明なガスバリア性積層体の製造方法とガスバリア性積層体を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】装置コストを抑制しつつ、電力印加部に付着する反応副生成物の量を大幅に減らし、優れた品質の薄膜を形成する薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜室５内で高周波電力を印加して基板１上に薄膜を形成する薄膜製造装置１００において、基板１と対面する位置に電力印加部２０が配置され、電力印加部２０の成膜室５側に電力印加電極２１が設けられ、電力印加部２０に電力を供給する給電線が接続され、電力印加部２０は、真空室１３の壁体１５と接続された支持体５７に固定された枠体５４に絶縁されて固定され、電力印加部２０と枠体５４との間に絶縁性及びシール性の間隔材５３が配設され、電力印加部２０に加熱手段のヒーター３１〜３３が設けられ、これらヒーターと電力供給手段３４との間に、給電線より供給される電力をカットする高周波カットフィルター３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】真性微結晶シリコン層のための方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、真性微結晶シリコン層を形成する方法は、加工チャンバ内に配置された基板の表面へガス混合物中で供給されるシランガスを動的に増加させるステップと、加工チャンバへ供給されるガス混合物中で印加されるＲＦ電力を動的に減少させて、ガス混合物中でプラズマを形成するステップと、基板上に真性微結晶シリコン層を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】簡素で安価な構成により、放電電極に繋がる高周波給電伝送路を流れる高周波電力の反射波発生を防止または抑制して信頼性および耐久性を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】製膜装置（真空処理装置）は、製膜室（真空処理室）と、製膜室の内部に配設された放電電極６と、製膜室の外部に配設された高周波電源および整合器１０ａと、放電電極６の端部から直線状に延び、製膜室の壁体２ｂを貫通して整合器１０ａに直線的に繋がる高周波給電伝送路９ａとを備えてなることを特徴とする。高周波給電伝送路９ａは、放電電極６の端部から、放電電極６の熱膨張方向に沿って直線的に延設され、この高周波給電伝送路９ａが製膜室の壁体２ｂを貫通する部分には、該壁体２ｂと高周波給電伝送路９ａとの間の気密性を保ちつつ、高周波給電伝送路９ａの伝送軸方向への動きを許容する貫通保持構造５３を設けた。 （もっと読む）