【課題】簡易な構成で電極の給電点からの反射電力を小さくできる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】第２インピーダンス整合器１４ａ−１４ｄは、可変移相器１１ａ−１１ｄで設定される位相が給電点７ａ−７ｄですべて同じになるような同相状態では、増幅器１２ａ−１２ｄ側へ反射される電力が最小となるように各インピーダンスが整合され、第１インピーダンス整合器１３Ａ、１３Ｂは、可変移相器１１ａ−１１ｄで設定される位相が給電点７ａ、７ｂと７ｃ、７ｄで１８０度異なるような逆相状態では、第２インピーダンス整合器１４ａ−１４ｄの各インピーダンスの整合は同相状態の整合と同じままで、増幅器１２ａ−１２ｄ側へ反射される電力が最小となるようにインピーダンスが整合され、第１及び第２高周波給電回路は、電極間の電界強度の平均が一様になるように、同相状態と逆相状態を高速に交互に切り替えて高周波を給電点７ａ−７ｄに供給する。 （もっと読む）

【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】ＣＶＤ法を用いて、１０ｋＰａ以下の圧力下で、基体温度が５００℃以下、かつ、形成される膜におけるキャリア電子の移動度が極大値となる成膜温度にて、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、圧力１０ｋＰａ以下の非酸化性雰囲気下にて、該成膜温度よりも２０〜３０℃高い温度で１分以上保持し、その後、圧力１０ｋＰａ以下の非酸化性雰囲気下にて、少なくとも基体温度が３００℃以下となるまで、平均冷却速度１０℃／ｍｉｎ以下で徐冷することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、これら一対の支柱７５ａ、７５ｂ間に懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。移動制限部７８ｂは、延在部７８ａの長手方向に交差する方向にスライドして、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により微結晶シリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理する方法の提供。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、真空ポンプ内へ潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで真空ポンプを分解し、ポリシラン分散有機溶媒が付着している分解された構成部品を洗浄油で洗浄することからなる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の厚み及び膜質の均一性を十分に図りつつ、アンテナ素子２１の洗浄メンテナンスの煩雑化を抑えて、アンテナ素子２１の洗浄メンテナンスの作業時間を大幅に短縮することができる。
【解決手段】
導電材料により構成された断面円形状の電極棒３７と、電極棒３７の外側に囲むように設けられかつ誘電材料により構成された断面環状の外筒３９と、を備え、電極棒３７の外周面及び外筒３９の内周面のうちの少なくともいずれかに溝４５又は４７が形成され、溝４５又は４７が電極棒３７の基端側から先端側にかけて連続して延びていること。 （もっと読む）

【課題】複数本の誘導結合型電極４５の着脱作業を含む一連の誘導結合型電極４５のメンテナンス作業を簡略化する。
【解決手段】一対の可動支持部材３１に梁部材６３の両端部が着脱可能に支持され、梁部材６３に複数の分割サポート部材６９Ｓが左右方向に沿って設けられ、分割サポート部材６９Ｓに複数の第１支持孔７５及び複数の第２支持孔７７が左右方向に沿って形成され、一対の可動支持部材３１にアレイアンテナユニット３５をセットした状態で、一対の可動支持部材３１を上方向へ移動させると、各第１アンテナ側コネクタ４７が第１天井側コネクタ１７に接続しかつ各第２アンテナ側コネクタ５１が第２天井側コネクタ１９に接続するようになっていること。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有し光電変換効率の高いシリコン系薄膜光電変換装置を簡易な製造装置を用いて低コストでかつ高効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、第１のｐ型半導体層１１、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層１２、および第１のｎ型半導体層１３を含む非晶質ｐｉｎ構造積層体１０を備え、非晶質ｐｉｎ構造積層体１０が第１のｐ型半導体層１１または第１のｎ型半導体層１３に結晶質シリコン系半導体を含む積層型シリコン系薄膜光電変換装置１００の非晶質ｐｉｎ構造積層体を、同一のプラズマＣＶＤ成膜室内で、プラズマＣＶＤ成膜室のカソードとアノードの距離が３ｍｍ以上２０ｍｍ以下、成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ²以上０．３Ｗ／ｃｍ²以下の条件で形成する。 （もっと読む）

【課題】相対的に高い変換効率を持つ新規なカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えたカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法。（１）カルコゲナイト系化合物半導体は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、元素Ｘ₃（＝Ｓ及び／又はＳｅ）、及び、Ｏを必須元素として含む。（２）カルコゲナイト系化合物半導体は、（ａ）Ｃｕ、Ｚｎ及びＳｎを含み、（ｂ）Ｃｕ、Ｚｎ及びＳｎから選ばれるいずれか１以上の元素を含む、１種又は２種以上の非結晶の酸化物及び／又は水酸化物を含む前駆体を硫化及び／又はセレン化することにより得られる。前駆体は、大気開放型ＣＶＤ装置にＣｕ源、Ｚｎ源及びＳｎ源を含むＣＶＤ原料を供給し、ＣＶＤ原料を同時に気化させることにより形成するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数本の誘導結合型電極５３の着脱作業を含む一連の誘導結合型電極５３のメンテナンス作業を簡略化すること。
【解決手段】真空チャンバー３の天井壁１５の内壁面に可動ガイドレール２９が上下方向へ移動可能に設けられ、可動ガイドレール２９に複数の分割ホルダ４１Ｓが左右方向に移動可能に支持され、各分割ホルダ４１Ｓにおける各一対の第１保持孔４５及び第２保持孔４７に誘導結合型電極５３が挿通した状態で保持され、可動ガイドレール２９に複数の分割ホルダ４１Ｓをセットした状態で、可動ガイドレール２９を基準のレール高さ位置まで上方向へ移動させると、各第１アンテナ側コネクタ５７が第１天井側コネクタ１７に接続しかつ各第２アンテナ側コネクタ６１が第２天井側コネクタ１９に接続すること。 （もっと読む）

【課題】サファイア、ＧａＡｓ、シリコンまたは炭化ケイ素といった異種基板上で第３族窒化物の半導体材料の層を１層以上成長させる上で遭遇する、少なくともいくつかの問題に対処する。
【解決手段】ラミネート基板システムは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（５）と支持基板材料（４）（または当該材料と一般化学組成が同一である材料）とが交互に積層された多数の層からなる変成遷移領域（２）を含む。転位密度が低い第３族窒化物半導体素子（２）がラミネート基板システム上に形成される。変成遷移領域（２）の多数の層（４、５）は、格子定数が支持基板（１）（支持基板付近）の格子定数から素子（３）（素子付近）の格子定数へと成長方向に沿って変化する超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の幅方向及び長手方向の皺の発生を防止して、大面積の可撓性基板でも、全面に亘って平坦性が向上し、均一な膜厚分布の安定化した薄膜が得られる薄膜光電変換素子の製造方法及び製造装置、並びに成膜装置を提供することにある。
【解決手段】成膜装置１００を用いた薄膜光電変換素子の製造方法において、可撓性基板１の幅方向に張力を与えながら搬送を停止し、加熱ヒータ８を内蔵した接地電極４を可撓性基板１の裏面の非成膜面に接触させて加熱し、第１保持及び引張機構部１２Ａにより可撓性基板１の上端部近傍を挟持し、第１保持及び引張機構部１２Ａと対向した第３保持及び引張機構部１２Ｂにより可撓性基板１の上端部近傍を挟持し、第２保持及び引張機構部１２Ｃと第４保持及び引張機構部１２Ｄにより可撓性基板１の下端部近傍を挟持し、互いの対向間の距離を広げる方向に移動させて可撓性基板１を引っ張り、引っ張りながら可撓性基板１を押さえ込んで成膜を行っている。 （もっと読む）

【課題】成膜種を効率よく生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができるプラズマ処理方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を収納して被処理体３上に薄膜を成膜する反応チャンバー１と、反応チャンバー１内に配置され、被処理体３を保持するステージ４と、反応チャンバー１内に第１のガスを供給する第１のガス供給部１０と、反応チャンバー１内に第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２のガス供給部１４と、反応チャンバー１内に高周波放電を発生させる高周波プラズマ源７とを備えるプラズマ処理装置を用い、反応チャンバー１内において、高周波放電によってプラズマ化された第１のガスと、プラズマ化が抑制された第２のガスとを接触させて分解反応を起こさせ、該分解反応に基づいて、ステージ４に保持された被処理体３上に薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置及び方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板を支持するための長手方向軸を持つコンベヤと、少なくとも１つの基板上に反応生成物の層を堆積するためのそれぞれ少なくとも１つのプラズマトーチを持つ少なくとも２つのモジュールと、前記コンベヤと前記少なくとも２つのモジュールとを含むチャンバと、排気システムとを備え、前記少なくとも１つのプラズマトーチは、少なくとも１つの基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。他の実施形態では、基板を支持する手段と、反応物を供給する手段と、前記基板上に生成物を堆積するためのプラズマトーチと、前記基板に対して前記プラズマトーチを振動させる手段とを備え、前記プラズマトーチは、前記基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止する。
【解決手段】収納筐体２９０と包囲部材２８０との間の間隙ＳＰ３と、包囲部材２８０と処理炉２０２との間の間隙ＳＰ４とに不活性ガスを供給し、間隙ＳＰ４の不活性ガスは直接的に接続孔２８４を介して不活性ガス排出管２９１に到達し、間隙ＳＰ３の不活性ガスは包囲部材２８０の開口部２８３を介して包囲部材２８０の内側に回り込んで接続孔２８４から不活性ガス排出管２９１に到達する。これにより、不活性ガスを収納筐体２９０の隅々まで行き渡らせて、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈して外部に排出させることができる。よって、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶質半導体薄膜を大面積基板上に均一に高速で形成すること。
【解決手段】真空容器１０と、基板１００に対向して設けられる電極１２と、真空容器１０に水素を主成分に含むガスを一定量で連続的に供給するガス供給手段２２ａ、２２ｂ、２２ｃと、基板１００と電極１２との間を基板１００の面内において複数に分割した分割領域に対して半導体材料ガスを分割領域毎に個別に且つ周期的に供給するガス供給手段２２ｄ、２２ｅ、２２ｆと、半導体材料ガスの供給と同期して電極１２における半導体材料ガスが供給された分割領域に対応する領域に個別に高周波電圧を印加する高周波電源４０ａ、４０ｂ、４０ｃと、分割領域への半導体材料ガスの供給のオン／オフを制御するとともに半導体材料ガスの供給に同期させて電極１２に印加する高周波電圧に振幅変調を加える制御手段６０と、真空容器１０内のガスを排気する排気手段２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】１台の表面波プラズマＣＤＶ装置を用いて、組成および厚さの異なる薄膜を基板に連続成膜し、高スループットで超構造膜を形成する。
【解決手段】本発明は、共通の真空室内において基板に複数の薄膜を成膜する表面波プラズマＣＶＤ装置であって、この基板に成膜を行う複数のプラズマ生成ユニットと、各々のプラズマ生成ユニットに設けられた、プラズマ生成ガスを放出するプラズマ生成ガス放出口と成膜ガスを放出する成膜ガス放出口と、これら複数のプラズマ生成ユニットで成膜を行う成膜領域を真空室内で互いに隔てる隔壁と、各々のプラズマ生成ユニットの成膜領域の間で基板を移動可能に戴置可能とする移動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質及び膜厚が均一となる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法では、ガス供給口を有する導電性基板からなるシャワープレートと、第２の電極に対向する前記シャワープレートの面上にガス供給口を覆うように設けられた導電性多孔質材料からなる凸部を有する第１の電極を備え、この凸部より原料ガスを供給するプラズマ処理装置を用いる。そして、基板上に基板側電極を形成する工程と、基板側電極上にこのプラズマ処理装置を用いて光電変換ユニットを形成する工程と、光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する工程と、を用いて太陽電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板のダングリングボンドの終端処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置１を用いて、処理用ガス供給装置３から第１処理用ガスを供給するとともに高周波電力源２から高周波電極６に第１周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と基板電極５との間に水素イオンを含むプラズマを発生させ、この水素イオンによって太陽電池基板８のダングリングボンドを終端させる終端工程と、次いで、前記処理用ガス供給装置から第２処理用ガスを供給するとともに前記高周波電力源から前記高周波電極に前記第１周波数よりも高い第２周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と前記基板電極との間に前記太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させる成膜工程と、を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】
プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、プラズマ励起周波数のＶＨＦ化、プラズマ励起電力の増大化及び使用電源の複数化等に伴う問題として、インピーダンス整合の調整不適合及び電力電送線路の破損等が注目されている。これは製品の歩留まり及び生産設備の稼働率を左右する問題であり、早期の解決が求められている。
【解決手段】
インピーダンスの整合器と放電電極の給電点の間に３端子サーキュレータを配置し、この３端子サーキュレータを介して前記給電点に電力を供給するとともに、前記放電電極からの反射波を前記３端子サーキュレータに接続された無反射終端器で消費させるようにしたことを特徴とするプラズマ表面処理方法及びその装置。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚、膜質の膜を形成できるプラズマ処理装置、及び均一な膜厚、膜質を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極３と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口４ａが形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極４とを備え、第２電極は、複数のガス供給口が同心円に沿って設けられると共に、隣接する同心円間の距離が内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置１を用いて、透明導電膜上に非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成する。 （もっと読む）