基板上に材料層を低温で堆積するための方法及び装置を記載する。材料層は、その下の材料の熱安定性の悪さから様々なディスプレイ応用例で必要とされる低温処理用のカプセル化層として使用することができる。カプセル化層は、多くのタイプやサイズの基板について表面粗さを低下させ、遮水性を改善し、熱応力を低下させ、高いステップカバレージを付与するために、１つ以上のバリア層材料と１つ以上の低誘電率材料を有する１つ以上の材料層（多層）を含む。従って、このようにして堆積されたカプセル化層は、ＯＬＥＤデバイス等の様々なディスプレイ装置に関して、優れたデバイス寿命を付与する。加えて、基板上に非晶質炭素材料を低温で堆積するための方法を提供する。非晶質炭素材料を用いて熱応力を低減し、堆積された薄膜が基板から剥落するのを防ぐことができる。

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【課題】基板サイズが大型化された場合においても、加熱手段と基板との間に設置される赤外線透過窓の厚みを大気圧に対して強度保持のために厚くすることを防止し、コストアップを抑えることができる熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー２内を赤外線透過窓としての石英ガラス３によって基板５を設置する側と基板５を加熱する複数の赤外線ランプ８を設置する側とに分離し、成膜プロセス工程中において、基板５側のチャンバー下部室２ａに原料ガスとしての一酸化炭素ガスと水素ガスの混合ガスを導入するとともに、赤外線ランプ８側のチャンバー上部室２ａに不活性ガスとしてのアルゴンガスを導入し、かつ仕切りバルブ１５、及び１９を開放し真空ポンプ１６を稼動して、チャンバー下部室２ａとチャンバー上部室２ａの圧力が略同じになるように制御する。 （もっと読む）

【課題】高湿度環境下であっても抵抗値の経時的変化を十分に防止できる透明導電材料、透明導電ペースト、透明導電膜及び透明電極を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを含有する透明導電材料であって、（１）この透明導電材料を１ｗｔ％含む混合液のｐＨを３以上、好ましくはｐＨを４〜９とするものであるか、（２）この透明導電材料を１ｗｔ％含む混合液のｐＨを３未満とするものであり且つハロゲン元素濃度が０．２質量％以下であるか、（３）この透明導電材料を１ｗｔ％含む混合液のｐＨを１以上とするものであり且つハロゲン元素濃度が１．５質量％以下である透明導電材料である。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成する結晶を良好に安定して形成でき、特性の優れた半導体レーザ素子を高い生産効率で得ることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー（３７）内に、基板（２２）を支持する基板支持手段（２１）及び基板を加熱する第１の加熱手段（２３）を備え、さらに、高周波加熱をする第２の加熱手段（２８）と、これを収容するためにチャンバーの側壁の外側に連接して設けた収容室（３０）と、第２の加熱手段を、チャンバーの内部と収容室（３０）との間で移動させる移動手段（３５Ａ）とを備え、収容室内部の圧力をチャンバーとは独立して制御可能なように構成した。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ成膜法により薄膜を形成する際に、容易に均一に成膜することができる成膜方法等を提供する。
【解決手段】 任意のパターンを有するマスク１３０を基板１０上に配置し、プラズマ化学気相成長法により基板１０上にフルオロカーボンを付着させて、薄膜４０を形成する成膜方法において、弱磁性体により形成されたマスク１３０を用いる。
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【課題】無機ハロゲン化ガリウムと、有機エステルと、任意で酸素分子とを含む混合ガスを用いて、高温のガラス基板に酸化ガリウム被膜を形成する化学蒸着方法を提供する。
【解決手段】有機エステルと無機ハロゲン化ガリウムとを用いた化学蒸着法により、ガラス基板に酸化ガリウム膜を形成する。蒸着速度を早くするために、有機エステルは３から６個の炭素原子からなるもの使用することが好ましい。また酸化ガリウム膜を形成する化学蒸着は、大気圧下で行う。本発明によれば、蒸着速度が速いため、十分な厚みを持った酸化ガリウム膜を形成することができる。本発明における方法により得られる蒸着速度は、１秒当たり７５Å以上である。 （もっと読む）

少なくとも２つの層の誘電体を有する層システムを含むディスプレイ装置用拡散バリアシステムであって、その層システムのうち少なくとも２つの隣接する層は同一の材料を含む。そのような拡散バリアシステムの製造方法であって、プラズマ蒸着システムの単一のプロセスチャンバにおいて、該プロセスチャンバに処理対象の基板を投入し、蒸着中に、制御された態様で、プロセスチャンバにおける少なくとも１つのプロセスパラメータを、そのプロセスパラメータを全く妨害することなく個別に変化させて、各々の変化によって異なる特性を備えた層を生じさせ、最後に該基板を該プロセスチャンバから取出すという工程を有する。
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安価な希釈ガスを用いて、高透過、低抵抗、かつ優れた表面形状を有する酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を均一性良く簡便に製造する製造方法、及びその製造方法を含むタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の透明導電膜の製造方法は、製膜室中に有機亜鉛、希釈ガス、および酸化剤を導入し、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を前記製膜室内に配置された基板上に形成する方法であって、前記希釈ガスが水素であることを特徴とする透明導電膜の製造方法であって、水素は熱伝導率が大きく安価であるので特性が優れかつ低コストな透明導電膜を提供することが出来る。 （もっと読む）

大気圧または大気圧近傍の圧力下、対向する電極間にフッ素化合物と有機マグネシウム化合物を含有する反応性ガスを供給し、高周波電圧をかけて、前記反応性ガスを励起状態とし、励起状態の反応性ガスに基材を晒すフッ化マグネシウム薄膜の製造方法。および、前記フッ化マグネシウム薄膜が第１のフッ化マグネシウム薄膜上に、第２のフッ化マグネシウム薄膜を有し、前記第１のフッ化マグネシウム薄膜は炭素と酸素の混入比の少なくともいずれかが１０原子％以上であり、前記第２のフッ化マグネシウム薄膜の炭素と酸素の混入比の少なくともいずれかが１０原子％以下であることを特徴とするフッ化マグネシウム積層膜。 （もっと読む）

高いガスバリア性能を持ち、環境耐久性に優れ、かつ曲げてもそのバリア性能が劣化しない透明ハイバリアフィルムが生産性良く提供される。基材の製造方法として、支持体上に少なくとも有機層および無機層を有する基材の製造方法において、前記無機層が、大気圧又はその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し前記放電空間に高周波電界を印加し前記ガスを励起し基材を励起した前記ガスに晒すことで形成され、前記高周波電界は、第１の高周波電界および第２の高周波電界を重畳したものであり、前記第１の高周波電界の周波数ω１より前記第２の高周波電界の周波数ω２が高く、前記第１の高周波電界の強さＶ_１、前記第２の高周波電界の強さＶ_２と放電開始電界の強さＩＶとがＶ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２またはＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上であることを特徴とする基材の製造方法である。 （もっと読む）

湿式スクラバー又は他の装置との入口パイプ（１４）のためのアタチメント（１０）は、入口パイプのフランジ付端（１２）に着脱自在に連結されるようになった開口端（１８）を有するスリーブ（１６）を含む。シャフト（３０）がスリーブ（１６）内で移動でき、スクレーパ（３４）がシャフト（３０）の一端に取り付けられる。シャフト（３０）は、該シャフト（３０）の他端に取り付けられた空気シリンダ（４０）の一部を成す。使用中、シャフト（３０）を往復移動させてスクレーパ（３４）がパイプ（１４）内に付着した粒状物を取り除く。窒素又は乾燥空気のような加熱ガスをスリーブ（１６）に注入して洗浄液体がスリーブ（１６）内で凝縮するのを防止し、かくして、スリーブ内での粒状物の付着を抑制する。
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本発明は、プラズマ処理装置の処理ガス供給部の冷却効率を向上させ、当該処理ガス供給部の温度上昇を抑制することを課題としている。
そのため、本発明では、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器上に、被処理基板に対面するように設けられたマイクロ波アンテナと、前記保持台上の被処理基板と前記マイクロ波アンテナとの間に、前記被処理基板に対面するように設けられた処理ガス供給部とを備えたプラズマ処理装置であって、前記処理ガス供給部は、前記処理容器内に形成されたプラズマを通過させる複数の第１の開口部と、処理ガス源に接続可能な処理ガス通路と、前記処理ガス通路に連通した複数の第２の開口部と、当該処理ガス供給部を冷却する冷却媒体が流れる冷却媒体通路を備え、前記冷却媒体はミストを含むことを特徴とするプラズマ処理装置を用いている。 （もっと読む）

大面積および／または高周波プラズマ反応器内の電圧および電界不均一性に対する真空処理装置および補償方法が示される。本方法は、例えば、ＬＣＤ、プラズマディスプレイおよび太陽電池の製造で用いられる長方形（または正方形）で大面積のプラズマ処理機器、または処理に電磁波（ＲＦ、ＶＨＦ）を用いる他のあらゆる反応器に対して広く適用可能である。本装置は、真空容器と、内部プロセス空間を画定する少なくとも２つの電極と、前記電極と接続可能な少なくとも１つの電源と、内部プロセス空間内で処理されることになる基板のための基板ホルダーと、ガス入力手段とを備え、前記電極のうちの少なくとも１つは第１断面に沿って凹状プロファイルを持ち、第２断面に沿って凸状プロファイルを持ち、第１断面は第２断面に平行である。
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気体透過バリアを原子層蒸着（ＡＬＤ）によってプラスチックまたはガラス基板上に蒸着することができる。ＡＬＤコーティングの使用によって、コーティング欠陥を減らすと共に数十ナノメートルの厚さにおいて桁違いに透過を低減させることができる。これらの薄いコーティングが、プラスチック基板の可撓性および透過性を保持する。かかる物品が、容器、電気および電子用途において有用である。

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【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）カクテルを原料としてＣＶＤ法でＣｕ膜を形成するとき、熱安定性を良くし、核発生が良好に誘起され、低温であっても低抵抗でマイクロボイドが発生しにくくする。
【解決手段】Ｃｕ−ＣＶＤプロセス用原料はＣｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）に対してｔｍｖｓとＨｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏを添加して作られる液体原料であり、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）に対するｔｍｖｓの添加割合が１〜１０ｗｔ％の範囲に含まれ、触媒であるＨｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏの添加割合が０．１〜０．０１ｗｔ％の範囲に含まれる。好ましくはｔｍｖｓの添加割合が５ｗｔ％であり、Ｈｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏの添加割合が０．０４ｗｔ％である。 （もっと読む）

【課題】 ３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの低ＵＨＦ帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。
【解決手段】 ガス供給系５からガスを供給しながら、排気系６で排気して、処理容器３内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器１で低ＵＨＦ帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器２内でＴＭ₀₁₀モードで共振させる。隔壁板２０に形成された長孔２５を通してマイクロ波を放電室４内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板３０の表面に、エッチングやＣＶＤなどの処理を行なう。隔壁板２０の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板２０と基板載置台３１との間のギャップは、基板３０の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。 （もっと読む）

プラスチック基板と選択不飽和を有するプラズマ重合したシクロシロキサンの結合層とからなる物品及びその形成方法。 （もっと読む）