【課題】本発明は、潤滑剤に対する濡れ性が高く、平滑な表面を有し、高硬度で緻密な水素を含む炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法、並びに、該炭素膜の形成方法により形成された水素を含む炭素膜を有する磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することを課題とする。
【解決手段】水素を含む炭素膜の形成後に、成膜室１０１内に不活性ガスを導入し、不活性ガスをイオン化して水素を含む炭素膜の表面に加速照射し、水素を含む炭素膜の少なくとも表層部を脱水素化する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を処理容器内に導入して基板上に第１段階の成膜を行う工程（工程２）と、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入して第１段階の成膜で得られた膜の上に第２段階の成膜を行う工程（工程３）とを有し、工程２により得られた膜と、工程３により得られた膜により、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得る。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤによりＣｕ膜を成膜するにあたり、表面性状を良好にすることができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー内に基板であるウエハを収容し、チャンバー内に１価のＣｕ錯体を含む成膜原料を気相状態で導入してＣＶＤ法によりウエハＷ上にＣｕ膜を成膜するにあたり、１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を気相状態で前記処理容器内に導入する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で処理空間内のガス圧力（濃度）分布を制御できる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気を維持可能であり、減圧雰囲気中で被処理体３に対しての処理が行われる処理空間１０を内部に有する真空槽１と、真空槽１の壁部１ａを貫通して処理空間１０に通じるガス導入路４と、を備えた真空処理装置であって、ガス導入路４から処理空間１０内へのガス吹き出し方向が、ガス導入路４が設けられた部分近傍の真空槽１内壁面に対して平行もしくは傾いている。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスは、第１の放電部分を含む第１の電極および第２の放電部分を含む第２の電極と、第１および第２の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、第１の電極を基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、位置決め手段は、第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を助長するのに十分に小さい第１の位置、および第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第２の位置に、第１の電極を第２の電極に対して選択的に位置決めするように構成される。
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【課題】金属カルコゲナイド材料を製造するための新規なセットの化学物質を提供すること。
【解決手段】基板上に金属カルコゲナイド合金膜を作製する一実施態様として（ａ）上記基板をシリルテルリウム及びシリルセレニウムからなる群から選択されるシリル−カルコゲンに接触させるステップ；並びに（ｂ）上記基板を、一般式ＭＸ_n（式中、ＭはＧｅ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａ，Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｚｎ、及び貴金属からなる群から選択される；ＸはＯＲ（アルコキシ）、Ｆ（フッ素）、Ｃｌ（塩素）、Ｂｒ（臭素）、ＮＲ₂（アミノ）、ＣＮ（シアノ）、ＯＣＮ（シアネート）、ＳＣＮ（チオシアネート）、ジケトネート、カルボン酸基、及びそれらの混合物からなる群から選択される求核基である；そしてｎ＝１〜５である）を有する少なくとも一種の金属化合物に接触させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】研磨装置用キャリアの基材へのＤＬＣ膜の密着性を良好にして、研磨装置用キャリア自身の寿命を長くすると同時に、被研磨物の表面に傷を付けないようにする研磨装置用キャリアを提供する。
【解決手段】樹脂を母材とする研磨装置用キャリア１の基材２のすべり面をプラズマに暴露した後、前記基材のすべり面にＤＬＣ膜３を形成することを特徴とする研磨装置用キャリア１の製造方法。前記樹脂が、ガラス繊維、アラミド繊維およびカーボン繊維から選択された１種以上の強化繊維を含有する繊維強化樹脂である研磨装置用キャリア１の製造方法。研磨布を貼り付けた上下研磨プレート間に前記製造方法により製造された研磨装置用キャリア１を配置し、研磨装置用キャリア１の開口部４に被研磨物を挟み込んで被研磨物を両面研磨する両面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制することができるとともに、設備の稼動ロスを低減できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ディスク２に載置された基板３の被成膜面と対向する位置に、ディスク２の中心部を中心とする同心円状に配置された複数の冷却タンク７ａ〜７ｃを備える。複数の冷却タンク７ａ〜７ｃと、ディスク２との間には、対向板８が設けられる。また、ディスク２に載置された基板３を、冷却タンク７ａ〜７ｃと対向する側から加熱するヒータ１を備える。各冷却タンク７ａ〜７ｃと対向板８との間の距離を、それぞれ独立に変更する冷却タンク駆動手段１１ａ〜１１ｃを備える。本構成により、対向板８に温度分布の温度勾配を容易に小さくすることができ、対向板８に付着した膜の剥離を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラスチック製品について、被膜で表面を被覆することで、優れたガスバリア性、耐摩耗性、耐衝撃性及び耐傷性に加えて、優れた耐変形性を付与することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る被覆プラスチック製品は、プラスチック成形体の表面上に炭素原子と水素原子とを主構成原子として含む被膜が形成された被覆プラスチック製品である。被膜は、例えば、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法の陰イオン解析において、単原子炭素のピークに対する３原子炭素のピークの強度比率（Ｃ３／Ｃ１）が０．０７以上であり、かつ、ＤＳＣ法の解析において、１４０〜１５０℃の間に発熱ピークの頂点が出現し、７０〜８０℃の間に吸熱ピークの頂点が出現する。 （もっと読む）

【課題】ナノチューブと量子ドットの製造方法を提供する。
【解決手段】主に以下のステップを含む。すなわちシリコン基板を提供し、誘導結合プラズマ設備を提供し、該シリコン基板を該誘導結合プラズマ設備の反応室中に置き、気体水素を該反応室内に入れ、予め設定する操作プラズマ周波数を使用し、同時に該シリコン基板に対して適当なバイアス電圧(bias pressure)を加え、200〜400℃で該シリコン基板に対して乾蝕刻（ｄｒｙ etching）を行う。 （もっと読む）

本発明は、反応チャンバの内側部分（２８）を画定する、底壁と、頂壁と、底壁と頂壁との間に延在する側壁とを備えるＡＬＤ反応容器の反応チャンバに関する。この反応容器は、反応チャンバの中へガスを供給する１つまたは複数の供給開口部（３０）と、反応チャンバから反応容器の中へ供給されたガスを排出する１つまたは複数の排出開口部（４０、５０）とをさらに備える。この反応チャンバは、反応チャンバの各側壁が、１つまたは複数の供給開口部（３０）を備え、この場合、反応チャンバの全側壁がガス交換に関与することを特徴とする。 （もっと読む）

電気および光学カルコゲニド材料を生成するための化学蒸着法（ＣＶＤ）工程である。好ましい実施形態では、本発明のＣＶＤにより蒸着した材料は次の特性のうち１つまたは１つ以上の特性を実現する：電気スイッチング、累積機能、セッティング機能、可逆的多重状態作動、リセッティング機能、認識機能、可逆性の非結晶‐結晶転移。一実施形態では、カルコゲン元素を含有した少なくとも１層を含んだ多層構造がＣＶＤによって蒸着され、蒸着後のエネルギー付加を施されて、本発明の性質を有するカルコゲニド材料を生成する。別の実施形態では、本発明による性質を備えた単層のカルコゲニド材料が、少なくとも１つがカルコゲン元素前駆物質である３つまたは３つ以上の蒸着前駆物質を含んだＣＶＤ蒸着工程から形成される。好ましい材料は、カルコゲンＴｅならびにＧｅおよび／またはＳｂを含有しているものである。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたＧＳＴ薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム、窒素及びシリコンを含有した低温蒸着用のゲルマニウム前駆体、これを利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたＧＳＴ薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子である。これにより、低温蒸着用のゲルマニウム前駆体は、窒素及びシリコンを含有しているところ、薄膜、より具体的には、窒素及びシリコンでドーピングされたＧＳＴ薄膜形成時に低温蒸着が可能である。特に、低温蒸着時、水素プラズマを利用できる。低温蒸着用のゲルマニウム前駆体を利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたＧＳＴ相変化膜は、減少したリセット電流を有するところ、これを備えたメモリ素子は、集積化が可能になり、高容量及び高速作動が可能である。 （もっと読む）

磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された陽極酸化アルミナ膜（１３）と、陽極酸化アルミナ膜（１３）の上部表面及び細孔（１４）の内壁に形成された炭素層（１５）と、細孔（１４）の炭素層（１５）を介して内部に形成された磁性粒子（１６）と、炭素層（１５）及び磁性粒子（１６）の表面に形成された潤滑層などから構成される。炭素層（１５）により陽極酸化アルミナ膜（１３）の表面及び細孔（１４）の内壁を覆うことにより、陽極酸化アルミナ膜（１３）を保護して、耐蝕性及び耐久性に優れた磁気記録媒体を実現する。
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酸化膜形成装置（１０）の導入管（１８）には、オゾン（３２）を生成するオゾナイザ（３１）と、脱イオン水（３５）が貯留されオゾナイザ（３１）のオゾン（３２）を供給するオゾン供給管（３３）が脱イオン水（３５）の中に浸漬されてバブリングされるバブラ（３４）と、オゾン（３２）のバブリングで生成したＯＨ＊を含む酸化剤（３７）を供給する供給管（３６）とを備えた酸化剤供給装置（３０）が、接続されている。オゾンを水中でバブリングして生成したＯＨ＊を含む酸化剤は強力な酸化力を有するので、ウエハに酸化膜を比較的に低温下で短時間に形成できる。プラズマを使用せずに済むので、ウエハに先に形成された半導体素子や回路パターン等にプラズマダメージを与えるのを未然に回避できる。酸化膜形成装置のスループットや性能および信頼性を向上できる。
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機能層を作成する方法において、基材がプロセスチャンバー内に導入される工程と、少なくとも１つのプラズマが、例えばプラズマカスケード発生源のような、少なくとも１つのプラズマ発生源（３）により発生される工程と、前記プラズマ（Ｐ）の影響下で、少なくとも１つの第１蒸着材料を前記基材（１）上に蒸着させる工程と、同時に、少なくとも１つの第２材料（６）が、第２の蒸着工程により前記基材に適用される工程と、を備えた方法である。本発明はまた、少なくとも１つのプラズマを発生させる、例えばプラズマカスケード発生源のような少なくとも１つのプラズマ発生源と、蒸着材料を各プラズマ内へ導入する手段と、前記プラズマ発生源と同時に、前記基材上に少なくとも１つの第２蒸着材料を蒸着するように配置された第２蒸着発生源（６）と、を備えた装置である。
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