【課題】薄膜除去後の基板のダメージが少なく、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを低減できる基板の再生方法を提供する。
【解決手段】ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、マスクブランクまたは転写用マスクの薄膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することにより、基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】汚染物に対する仕上げ処理等を必要とすることなく、さらには高精度かつ高効率で材料表面に凹部（くぼみ）を形成することが可能な、多孔形成方法を提供する。
【解決手段】母材の少なくとも表面部分にこの母材よりも平衡蒸気圧が高い物質が分散された被加工材１１に対して、その表面に電子ビーム１３を照射して前記物質を蒸発させ、前記被加工材の表面に凹部１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に係わる耐久性の向上と、噴孔へのデポジット付着抑制の保証とが両立する撥水層を形成する撥水層の形成方法および撥水層を備えた燃料噴射弁を提供。
【解決手段】金属基材２３１の表面２３２に形成する撥水層２３の形成方法において、前記金属素地にプラズマイオン９２を照射することにより金属素地の表面２３２に凹凸を形成する方法であって、上記金属の原子９３とプラズマイオン９２により合金９４を形成し、金属素地のうち、合金９４によりエッチングされない部位と、合金化されていない金属素地部分がエッチングされる部位とで、凹凸を形成し、前記凹凸を形成することで撥水層２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】高精度・高性能・高額な処理装置を用いないで、また精細で複雑な処理工程を必要としないで、簡素な手法で再現性良く微細な凹凸構造を形成する方法、及び前記方法によって形成された基板を提供する。
【解決手段】エッチング処理によって基板表面に凹凸構造を形成する方法であって、前記基板上に膜を成膜する工程、前記膜をエッチング処理することにより前記膜に微細な凹凸構造を形成する工程、及び前記膜に生じた微細な凹凸構造をエッチングマスクとして前記基板のエッチング処理を行う工程からなることを特徴とする基板表面に凹凸構造を形成する方法、並びに前記方法によって得られた凹凸構造を有する基板。 （もっと読む）

【課題】貴金属薄膜を作製するため、ダメージを抑える金属膜（特に高融点金属）を基板の、特に微細な穴の底面だけに、均一にしかも高速に作製することができる金属膜作製装置とする。
【解決手段】タンタル（Ｔａ）製の被エッチング部材１１が備えられたチャンバ１内にハロゲンを含有する原料ガスとしてのＣｌ₂ガスを供給し、被エッチング部材１１に対してプラズマを発生させＣｌ₂ガスで被エッチング部材１１をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＴａ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体ＴａＣｌを生成し、表面に微細穴（トレンチ）が形成された基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くし、トレンチの（底面の金属被覆厚／壁面の金属被覆厚）である被覆率を１より大きくするような状態にＣｌ₂ガス成分量を調整してトレンチの底面だけにＴａ成分を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた光学シート又はその原版として好適な凹凸パターンシート、及びその製造方法、光学シートの製造方法、並びに光学装置を提供する。
【解決手段】一方の面が、下記条件を満たす凹凸構造Ｘと凹凸構造Ｙが重畳した凹凸構造Ｚとされていることを特徴とする凹凸パターンシート。
凹凸構造Ｘ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｘが２〜２００μｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｘに対する最頻高さＨ_ｘの比Ｒ_ｘが０．３５０〜０．７１４である１次元又は２次元の凹凸構造。
凹凸構造Ｙ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｙが３〜３８０ｎｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｙに対する最頻高さＨ_ｙの比Ｒ_ｙが０．５〜１０である２次元凹凸構造。 （もっと読む）

【課題】
接点材料の表面全面を洗浄することができ、しかも、多数個の接点材料を連続的に効率よく洗浄することができる接点材料の表面洗浄装置を提供する。
【解決手段】
絶縁材料で形成された複数の反応容器１の片側を吹き出し口２として開放する。希ガスと反応性ガスをプラズマ生成用ガスとして各反応容器１に導入すると共に大気圧近傍の圧力下で各反応容器１内にグロー放電を発生させる。これらのグロー放電により生成されるプラズマ５をプラズマジェットとして各反応容器１の吹き出し口２からそれぞれ吹き出して接点材料６の表面に供給することによって接点材料６の表面の汚染物を除去する。 （もっと読む）

【課題】切削加工された被加工物の加工面に発生した虹目等の凹凸を、切削加工で創成した形状の悪化や損傷を生じることなく、一様に除去できる固体除去技術を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム１０の照射経路上に、被加工物１１が載置される回転ステージ１２、この回転ステージ１２が載置されたＸ軸ステージ１３およびＹ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１４が載置されるブラケット１５、ブラケット１５が載置される揺動ステージ１６、揺動ステージ１６を支持するベース１７を備える加工ステージ３０を設け、被加工物１１の加工面の加工後の表面荒さを加工前の表面粗さよりも悪化させない範囲に、被加工物１１の加工面に対するガスクラスターイオンビーム１０の照射角度が保たれるように被加工物１１の姿勢を制御しつつ、被加工物１１の加工面に存在する条痕による虹目を除去する。 （もっと読む）

【解決課題】従来以上の配向性を有し、かつ、高強度のエピタキシャル薄膜形成用の配向基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、金属層と、前記金属層の少なくとも一方の面に接合されたニッケル層とからなるエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板であって、前記ニッケル層は、結晶軸のずれ角Δφが、Δφ≦７°である｛１００｝〈００１〉立方体集合組織を有し、かつ、前記ニッケル層のニッケル純度が９９．９％以上であるエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板である。この配向金属基板は、純度９９．９％以上のニッケル板を冷間加工、熱処理して配向化熱処理を行った後、金属板と配向化処理したニッケル板とを表面活性化接合で接合することにより製造される。 （もっと読む）

基板を用いて電気化学セルを形成するための電極、およびその電極の製造方法。電極は、前側にパターニングされた絶縁層（７）を有するキャリア（１）を備える。電極層（４）の導電性材料がパターニングされた絶縁層の空洞にキャリアに接触して成膜される。接続層（５）が、キャリアの裏側にキャリアに接触して形成される。電極の周辺部は絶縁材料により被覆される。 （もっと読む）

銅またはニッケルあるいはそれらの合金もしくは真鍮等その他の金属との合金によって形成あるいはメッキされた電子構成部品の処理方法であり：構成部品を処理室内に配置し；この処理室を減圧し；処理室内に酸素を導入し；反応室内の圧力を１０^−１ないし５０ｍｂａｒに保持するとともに約１ＭＨｚ超の周波数を有する高周波発生器によって反応室内にプラズマを励起し；酸素イオン基を構成部品に作用させ、この際構成部品表面に対するイオン基の流れはｍ^２当たりおよび１秒当たり約１０^２１超のイオン基とし；反応室の排出を行い；処理室内に水素を導入し；反応室内の圧力を１０^−１ないし５０ｍｂａｒに保持するとともに約１ＭＨｚ超の周波数を有する高周波発生器によって反応室内にプラズマを励起し；水素イオン基を構成部品に作用させ、この際構成部品表面に対するイオン基の流れはｍ^２当たりおよび１秒当たり約１０^２１超のイオン基とする、各ステップからなる。
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【課題】 半導体基板の配線若しくはバンプ、又は、磁気ヘッド基板の磁極部等の金属膜パターンを所望のパターンどおりに得ることができる金属膜パターンの形成方法をを提供する。
【解決手段】 基板上に所定のパターンでレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、この基板の少なくともレジストパターンが形成されている面を、水に対しオゾンが１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下含有されたオゾン水に接触させるオゾン水処理工程と、この基板のレジストが形成された面側に金属をめっきするめっき工程と、この基板からレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程とを有する金属膜パターンの形成方法により、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク作製において、改良されたクロム層のプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理方法は、クロム層上に配置されたレジスト層をパターニングする（２０４）ことにより部分的にクロム層が露出した基板に対し、場合によりレジスト層上に保護層を堆積する（２０６）。次に、少なくとも１つのハロゲン含有プロセスガスを処理チャンバに提供しつつ、さらに６００ワット未満の複数の電力パルスによって基板にバイアスをかける（２０８）ことにより、パターニンググされたクロム層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク記録装置の記録密度向上に伴い、ヘッド浮上量及び加工損傷深さの低減が求められている。しかしながら、従来から用いられている研磨加工やモノマーイオンビームの斜め照射等では、加工損傷深さを１ｎｍ程度まで低減するのは困難である。
【解決手段】ワークの加工面の法線に対する角度（照射角）を５０°以上９０°以下に調整するための照射角調整機構と、イオンの運動エネルギーを所望の値に調整するためのイオン加速機構と、ワークの加工面の法線方向を回転軸としてワークを回転させるためのワーク回転機構を有するガスクラスターイオンビーム照射装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】配線パターンとなる金属材料中にＣＮＴを均一に分散させると共に、配線パターンの電気導電率を向上させる。また、スパッタリングによって金属薄膜中にＣＮＴを均一に分散混入するためのターゲット材を提供する。
【解決手段】絶縁性材料からなる基材８の表面にＣＮＴ入り金属層１３を形成し、金属層１３をパターンエッチングして配線パターンを形成する配線材の製造方法において、ＣＮＴ入り金属層１３をスパッタリング法により形成する。ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。スパッタリング用ターゲット材１０としては、ＣｕにＣＮＴが含まれたターゲット材を用いる。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、上側磁性層のプラズマ・オーバーエッチング中トンネル接合層が停止層として機能するストップ−オン−アルミナプロセスによって作製することができる。結果として得られたＭＴＪデバイスの側壁は、上側磁性層を下側磁性層から電気絶縁するように機能するトンネル接合層の近傍で非垂直である。プラズマ・オーバーエッチング中に使用されるガスは、ハロゲン含有化学種を含まず、これによりアルミナ・トンネル障壁層に比べて、高度に選択性のある磁性層のエッチングを提供する。ガス内に酸素を導入することで、オーバーエッチングの再現性を高めることができる。最後に、作製プロセス中のフォトレジストの除去に続いて、Ｈｅ及びＨ₂を用いてプラズマ処理した後に洗浄及び焼成することにより収率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット３３が設けられた面２３を有する環状導波路１３を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路１３の中心Ｃ１に対してスロット３の中心Ｃ２、Ｃ５が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）