【課題】従来に比べて短時間で効率的に残留応力の改善と疲労強度の向上を行うことのできるレーザピーニング方法を提供する。
【解決手段】被施工対象物の表面に液体を通してパルス状のレーザビームを、走査方向（ｘ方向）に移動させながら一定の走査間隔毎に照射し、一定の走査長さを走査した後、走査方向（ｘ方向）と直交するピッチ方向（ｙ方向）に一定のピッチ移動させ、走査方向（ｘ方向）に移動させながら一定の走査間隔毎に前記レーザビームを照射する工程を繰り返して、被施工対象物の表面に圧縮残留応力を付与するレーザピーニング方法であって、被施工対象物の部位にかかる負荷の方向及び大きさに応じて、走査方向（ｘ方向）とピッチ方向（ｙ方向）及びこれらの方向における夫々の単位面積当たりの照射密度を変更することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明による鋼板通板装置は、進行する鋼板の厚さ変化に対応しながら鋼板を通板させる上下部シールロールと、前記鋼板の幅変化に対応しながら前記シールロールと協働してチャンバ壁を通過する鋼板を包囲状態でシールするように提供される鋼板シールユニットと、を含む。
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【課題】既存のコーティングを除去する領域の幅を場合毎に望ましい寸法に調整できるようにする方法と装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば、基板（４）のコーティングした面に向けられたプラズマの助けによって、コーティング、特に金属含有コーティングを備える基板（４）の一部の範囲、特に周辺ゾーン（１１）で層を除去する。プラズマヘッド（１０）を基板（４）に対してしかるべく位置合わせすること、及び／または対応する必要な数のプラズマヘッド（１０）を動作させて、１列の互いに隣接して配置したいくつかのプラズマヘッド（１０）または修正可能な断面を有する１つのプラズマヘッドから、望ましい層除去幅でプラズマを基板に向けることによって、層を除去するゾーン（１１）の幅を調整すればよい。層の厚さ全体にわたるコーティングを部分的にだけ除去することも可能である。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、プラズマの発生を安定的に維持して、活性種の生成を速やかに行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、制御手段１７０とを備え、制御手段１７０により、ガス供給手段８を、プラズマ生成空間３０にキャリアガスを供給した状態で、処理ガスの供給を停止することにより、プラズマを生成し、このプラズマを維持する非処理モードと、プラズマ生成空間３０にキャリアガスと処理ガスとの混合ガスを供給することにより、処理ガスを活性化して活性種を生成し、この活性種をプラズマ噴射口５から噴出してワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】搬送ミスが少なくイオンビームによるエッチング処理時に被加工物の冷却を充分に行うことができるミリング装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ２０の外部にはロードロック扉４１が設けられており、ロードロック扉４１の開口部を、真空チャンバ２０を画成する壁部２０Ａに密着当接させて密閉することで、当該壁部２０Ａの部分とロードロック扉４１とでロードロック室４０を画成する。当該壁部２０Ａの部分には開口２０ａが形成されている。開口２０ａは真空チャンバ２０とロードロック室４０とを連通するように壁部２０Ａを貫通して形成されている。開口２０ａに基板保持端部６０Ａを挿入し、鍔部６５が開口２０ａを画成する壁部２０Ａの部分に密着当接することにより、真空チャンバ２０内とロードロック室４０内との連通が遮断される。 （もっと読む）

【課題】高密度のプラズマをワークに供給し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下側開口１０１と下側開口１０１に連通するプラズマＰを生成するプラズマ生成空間１０２とを備え、プラズマ生成空間１０２においてプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰを下側開口１０１からワークＷの被処理面に向けて放出するヘッド１０と、ヘッド１０のプラズマ生成空間１０２内にプラズマＰを生成するためのガスＧを供給するガス供給手段５と、プラズマ生成空間１０２内に供給されたガスＧに対してプラズマＰを生成させるための電圧を印加する電圧印加手段３とを有し、ヘッド１０は、下側開口１０１に向かって収斂する収斂形状をなす凹部を有する第１の電極１１と、この凹部の内周面１１１に対応する形状の外周面１２１を備え、内周面１１１と外周面１２１との間にプラズマ生成空間１０２を画成する第２の電極１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板２１の厚みの分布から、升目状に区分された基板２１の各領域の被エッチング総量を算出し、この被エッチング総量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。制御部１３は、このＰＣ１５によって判別されたエッチング時間に基づき、ＸＹステージ１２及びイオンガン１１を制御する。イオンガン１１とＸＹステージ１２との間にはマスク等の遮蔽物が設けられていないためエッチング可能領域を遮ることがなく、良好に任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

本発明は、真空室２内で金属帯４を真空エッチングするマグネトロンスパッタリング方法に関し、前記帯は、対極５に対向する支持体ローラ３上で搬送される。本発明の方法は、金属帯４に近い気体中に、前記帯４に作用するラジカルおよび／またはイオンを発生するようにプラズマを生成することと、様々な固定幅を有する一連の少なくとも２つの閉じた磁気回路７から、金属帯４のそれと基本的に等しい幅を有する少なくとも１つの閉じた磁気回路７を選択することと、その後に、選択された磁気回路７を磁気帯４に対向して配置するために、それを搬送することと、移動する金属帯４をエッチングすることとに存する。本発明は、前記方法を実現するエッチング装置１にも関する。
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【課題】 各種の微細構造物の必須の機能を保証する空間を容易且つ迅速に形成するとともに、製造コストの飛躍的な低減を実現し得る微細構造物の作製方法を提供する。
【解決手段】 貴金属成分（Ｉｒ）とハロゲンとからなる前駆体を、微細孔５３の底部に吸着させるとともに、吸着させた前駆体にハロゲンラジカルを作用させて還元することにより前記貴金属の薄膜５７を形成した後、ハロゲンラジカルによるエッチングモードとして前記薄膜５７を触媒とする基板３のエッチングを急激に進行させることで基板３内における前記各微細孔５３の下方にキャビティ５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板へのスパッタ処理の際のバイアス電圧の印加や、スパッタ法によるエッチング処理の際の給電を良好に行える表面処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の表面処理装置は、表面処理が施される被処理基板を基板ホルダにより一体的に保持した後に表面処理を行う表面処理装置において、上記基板ホルダに給電可能な突出部が設けられていることを特徴とする。かかる構成とすることによって、基板ホルダを介して被処理基板から外方に離間した位置で給電することが可能となる。それにより、プラズマ生成領域の外で給電出来る。また、被処理基板に給電痕を残さずに該基板の両面をプラズマ処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク製作に適したモリブデンエッチングプロセスの改良を行う。
【解決手段】フォトマスクを製作するための方法は、モリブデン層と光遮断層とを有するフィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップと、該光遮断層上に第１のレジスト層をパターニングするステップと、該第１のレジスト層をエッチングマスクとして使用して該光遮断層をエッチングするステップと、該パターニングされた光遮断層および該パターニングされた第１のレジスト層を複合マスクとして使用して該モリブデン層をエッチングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 大面積の被処理物用のプラズマ処理装置において、電極のクーロン力による撓み量を低減するとともに表面処理の均一性を確保する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の電極構造３０は、左右にそれぞれ延びるとともに前後に互いに対峙する一対の電極列３１，３２からなる。各電極列は、左右に並べられた複数の電極部材にて構成され、左右方向の実質的に同じ位置に配置された一方の電極列と他方の電極列の電極部材どうしが、互いに逆の極性を有して互いの対向面の間に列間部分隙間３３ａを形成している。導入口２１における隣り合う列間部分３３ａ，３３ａどうしの境に対応する部位２１ｂには、処理ガス流を渦流にする渦形成部材５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット等の被加工物を切断するための、破断しにくいプラズマ電極
【解決手段】プラズマ加工装置１００の反応室１０１内で、ＳＦ₆存在下でリボン状電極１０と被加工物であるシリコンインゴット２０との間に高周波を印加してフッ素ラジカルを発生させる。シリコンインゴット２０は厚さ２０μｍ以下のリボン状電極１０の側辺１０ａ付近に発生したフッ素ラジカルにより徐々にエッチングされる。昇降台４０によりシリコンインゴット２０を徐々に上方向に移動させることでシリコンインゴット２０は５０μｍ以下のカーフロスで切断され、ウエハを得る。リボン状電極１０を、ロール３１及び３２で把持し、当該ロール３１及び３２を同方向に回転させて、リボン状電極１０を図面左から右へ走行させて、リボン状電極１０の損耗を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 被処理材である基板が大型化及び薄型化したとしても、処理時における基板の撓み及び搬送時における基板のバタツキを防止することで基板表面をムラ無く均一に表面処理することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 電圧印加電極４１と該電圧印加電極４１と対向する接地電極４２との間にプラズマを発生させて被処理材１０の表面処理を行うプラズマ処理装置１であって、接地電極４２は、電圧印加電極４１との対向面４２ａが平坦であり、該対向面４２ａに沿って接触し被処理材１０を電極間に搬送するベルト６２を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 搬送動作が単純であり、短時間で搬送態勢に入ることができる基板搬送装置を提供すること。
【解決手段】 真空処理装置１００は、真空予備加熱室１０とプラズマ処理室２０とが連結されており、真空予備加熱室１０内には、基板搬送装置１１，１３が上下２段に配置され、プラズマ処理室２０内には、基板搬送装置２１が配置されている。基板搬送装置１１，１３，２１は、それぞれ揺動軸Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３廻りに揺動し、水平位置と傾斜位置をとる。被処理基板を基板搬送装置１１から基板搬送装置２１へ移送するときは、基板搬送装置１１，２１のそれぞれの搬送面を搬送ラインＬ２に一致させて搬送する。また、被処理基板を基板搬送装置２１から基板搬送装置１３へ移送するときは、基板搬送装置１３，２１のそれぞれの搬送面を搬送ラインＬ３に一致させて搬送する。 （もっと読む）

【課題】 チャンバー内でワーク保持台をＸＹ軸方向へ長いストロークで移動させることが可能であり、チャンバー内にパーティクルを発生させることなく且つ位置決め精度が高いＸＹ軸駆動機構を備え、小面積から大面積までの加工（プラズマＣＶＭ又は高圧力ノズルヘッド型ＥＥＭ）若しくは成膜（プラズマＣＶＤ）を行うことが可能な超精密処理装置を提供する。
【解決手段】 ベース体１の上に気密チャンバー２を設置し、チャンバー内に配したワーク保持台７をＸ軸駆動機構４とＹ軸駆動機構５とでＸＹ軸方向に駆動し、ワーク保持台に対面して配した処理ヘッドをＺ軸駆動機構６でワーク保持台の移動面に直交したＺ軸方向に駆動し、ワーク保持台に固定したワークを処理ヘッドで処理してなる超精密処理装置であって、Ｘ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構及びＺ軸駆動機構における摺動部及び駆動部を全て金属製ベローズ２１で外覆してチャンバー内の処理空間と隔離し、ベローズ内の空間を大気開放する。 （もっと読む）

【課題】 例えばプリヒ−トを行ってから成膜する場合に、プリヒ−ト時間を短縮すること。
【解決手段】 プリヒ−ト時と成膜時との間で主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７の電流値を変えることにより、得られる磁界の形状を変化させ、成膜時は均一性が大きいが磁束密度が小さい磁界、プリヒ−ト時は均一性は小さいが磁束密度が大きい磁界とする。この結果成膜時はウエハＷの面内においてほぼ均一なプラズマが発生するので均一な成膜処理を行うことができる。一方プリヒ−ト時は均一性は悪いもののプラズマ密度が成膜時よりも大きいプラズマが発生するのでウエハＷへの入熱量が成膜時よりも多くなり、プリヒ−ト時間を短縮することができる。 （もっと読む）