【課題】焼成炉内への空気の流入による、内部の温度分布の変動による、焼成物の焼成品質の低下を防止する。
【解決手段】本発明の焼成炉は、入口部３１に開閉手段を有する前室２４１と、前記前室２４１と開口部３３を介して接続されかつ出口部３２を有する加熱室と、前記加熱室の近傍に配置された加熱手段とを備え、前記入口部３１は第１の空間に配置するとともに、前記出口部３２は前記第１の空間より気圧の低い常圧の部屋２に配置し、かつ前記前室２４１内に被加熱物を高速と低速とに切り替えて搬送する第１の搬送手段を設置するとともに、前記加熱室内に低速にて前記被加熱物を搬送する第２の搬送手段を設置したことを特徴とする。 （もっと読む）

マテリアルズを熱処理するシステムにおいて、少なくとも一つのスロットつきエダクタがファーネスチャンバの壁又はルーフに配置され、前記ファーネスチャンバ内にガスを循環させるようになっている。 （もっと読む）

【目的】インライン型の真空パネル製造装置の熱容量を小さくして基板の急速な加熱・昇温を可能とし、量産時に効率的な処理を行えるようにする。
【構成】真空パネル製造装置１０は、ロードロック１５を介して直列に接続された焼成室１１と真空焼成室１２と封止室１３と冷却室１４を有する。基板を載置したカーボントレイ２０は、ガイド手段５０に案内されてラックピニオンの駆動機構３３で各室間を搬送されて各工程の処理を受ける。焼成室１１のカーボントレイ１７により急速な加熱が可能である。カーボン製であるヒータとトレイの熱容量が小さく、特に加熱初期における基板の昇温を速めることができ、処理時間が従来よりも短くて済む。 （もっと読む）

【課題】 被加熱物の熱処理に伴って発生する生成ガスや、生成ガスが冷却されて発生するいわゆる昇華物の漏出を抑制可能な熱処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】 熱処理装置は、熱処理室１２に基板を出し入れするための換装部６を有する。換装部６と熱処理室１２との境界部分を構成する遮蔽板４４の挿通孔４４ｃの上下には、清浄な空気を噴出可能なエアノズル６５，６６が配されている。エアノズル６５，６６から空気が噴出されると、換装部６と熱処理室１２との境界部分にエアカーテンＣが形成される。そのため、熱処理室１２内において発生した生成ガスや昇華物は、換装部６を開閉しても熱処理装置１の外部に漏出しない。 （もっと読む）

多重域対流型加熱炉が提供され、特定の温度分布を得る目的で炉の冷却室からのガスは炉の加熱ゾーンの一つまたはそれ以上へ向けらる。冷却室から加熱ゾーンの一つまたはそれ以上へ導入されるガスは加熱ゾーンに存在するものと同じ種類のガスであり、典型的には窒素である。好ましい態様では、対流型加熱炉は、複数の隣接する加熱ゾーンにより構成される加熱室と加熱室出口の冷却室とからなる。コンベヤは製品が加熱ゾーンと炉の冷却室を通って移動するのに伴い炉を通って延びる。冷却室は加熱ゾーンの一つまたはそれ以上と接続されて冷却室からの冷却ガスが選択された加熱ゾーンへ導入され得る。一つの態様では、冷却ガス流路は、全ての加熱ゾーンに設けられ、冷却ガスは関連バルブを開放することにより意図するゾーンへ導入される。代りに、冷却ガス流路には冷却ガスの導入が望ましい際には所定のゾーンへのみ設置され得る。
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本発明は、附室アセンブリと連通している流路を有するハウジングを有する熱処理プロセスチャンバを提供する。この附室アセンブリは、第１の溝を持つ外側リングと、第２の溝を持つ内側リングとを含む。この第１の溝は外側リングの軸線方向に内向きの表面内に形成されている。第１の溝は半径方向に外向きの方向と軸線方向に内向きの方向とに開いている一部分を有する。第２の溝は軸線方向に内向きの方向に開き、および、内側リングの軸線方向に外向きの表面内に形成されている。第１の溝と第２の溝は、これらが軸線方向に互いに重ね合わされた関係にある時に通路を形成する。第１の溝は半径方向に外側に開いた端部を形成し、および、第２の溝はその通路の軸線方向に内向きの端部を形成する。通路は流路と連通し、これによって温度調整媒質の通過を可能にする。
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【課題】 良好なセラミック焼成が可能なセラミックの焼成方法、トンネル式焼成炉、セラミック電子部品の製造方法及び装置、セラミック電子部品の焼成用収納体を提供する。
【解決手段】 セラミック原料を含む未焼成の処理品をトンネル式焼成炉で焼成する際に、トンネル３を通過する処理品の進行方向に対して側方から炉内に雰囲気ガスを供給パイプ５を介して供給するとともに、炉の底部から炉内のガスを排出パイプ６を介して排出する。これにより、処理品から炉の底部に向かって気流が安定的に生じるので、常に新鮮な雰囲気ガスを処理品に供給できる （もっと読む）

アンドープト・セラミック材のマトリックス内に部分的または完全に埋め込まれたドープト・セラミック加熱素子を備えている抵抗ヒーター。セラミックは、炭化珪素でありうるし、かつドーパントは、窒素でありうる。本発明のヒーターの効果の多くは、加熱素子およびそれらの素子を取り囲んでいるマトリックス材を備えている材料が実質的に同じ熱膨張係数を有しているという事実から生じる。一実施形態では、ヒーターは、コンパクト、強力、強靭、および熱式質量が低く、それを電力入力変化に迅速に応答させる、モノリシック・プレートである。抵抗ヒーターは、エピタキシャル薄膜を成膜し、かつ高速熱処理を実行するもののような、集積回路を製作するために用いられる反応器および処理チャンバの多くで用いられうる。 （もっと読む）