本発明は、平面状の基板（１０）を熱加工するための処理チャンバ（２０，２１，２１′）に関する。この処理チャンバ（２０，２１，２１′）は、熱加工中に基板（１０）を運搬及び支承するための搬送装置（２５，２５′）と、基板（１０）を対流加熱又は対流冷却するためのガス案内装置（３０，３０′）とを有している。このガス案内装置（３０，３０′）は、温度調節されたガスを基板（１０）に案内する出口開口（３２，３２′）を有している。さらに処理チャンバ（２０，２１，２１′）に、ガス案内装置（３０，３０′）を介して処理チャンバ（２０，２１，２１′）内に導入されたガスを適切に排出することができる排出装置（３３，３３′）が設けられている。処理チャンバは加熱処理チャンバ（２１）又は冷却チャンバ（２１′）として構成されていてよい。
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【課題】真空加熱処理作用が終了した被処理物へ対して加圧又は冷却用の気体を供給するとき、当該気体中に水分が含有されていると、その水分が被処理物に水分が付着することになり、被処理物に不良が発生するので、不良品の発生しない加圧冷却処理方法を提供する。
【解決手段】処理室２４内を加圧又は冷却する際に気体供給源より送給される気体の温度及び蒸気圧を露点調整手段１４によって調整し、気体を室２４内に導入する時、当該処理室２４内の露点が少なくともドライ・クリーンルーム内における気体の露点と同じか少なくともそれより僅かに低い露点になるように調整する。 （もっと読む）

【目的】焼成中に焼成雰囲気を短時間で切り替えることができ、高精度のガス雰囲気制御が可能で、処理品の搬送を連続的に行うことができるプッシャー式連続焼成炉を提供する。
【構成】処理品を焼成するための炉本体内に、処理品を載せた台板がプッシャーにより搬送されるよう構成されたプッシャー炉において、炉本体には台板が滑動できる床面が設けられ、各台板はさやで覆われてそれぞれ独立した焼成さやを構成し、炉本体内の各焼成さやの位置には、その位置にある焼成さや内の雰囲気を調整するためのガスを導入するガス導入管とガスを排出するガス排出管がそれぞれ配置されるとともに、前記炉本体内の各焼成さやの位置の床面にはそれぞれ貫通穴が設けられ、該貫通穴に前記ガス導入管とガス排出管が接続され、各台板にも貫通穴が設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の熱膨張における体積変化を行う通路を確保し、蒸着容器割れや破損を防止することにより、蒸着容器交換頻度を減らし、蒸着コストを低減する薄膜の製造装置および薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜の製造装置は、基板４の表面に、真空蒸着を用いて成膜を行う薄膜製造装置１００であって、蒸着原料と、前記蒸着原料を収容する容器１６と、前記容器に１６収容された前記蒸着原料を加熱する加熱手段１７と、前記加熱手段１７が前記蒸着原料を加熱して溶解時に、前記蒸着原料の溶解面より下方と前記溶解面の上方とを連通する管５０と、を有する薄膜製造装置である。 （もっと読む）

【課題】低温域での昇温リカバリーにおける収束時間を短縮し、ＴＡＴの短縮及びスループットの向上を図る。
【解決手段】制御装置は、処理容器内を初期温度から該初期温度よりも高く且つ１００〜５００℃の範囲内の目標温度にする温度制御を行うため、１つの制御量によりヒータ及び送風機への給電を制御し、正方向の絶対値の増加によりヒータへの給電を増加させ、負方向への絶対値の増加により送風機への給電を増加させるように制御量を準備する工程と、制御量に従って送風機への給電を停止すると共に、ヒータに所定供給量で給電することにより目標温度下の所定温度まで処理容器内を加熱する工程と、所定温度になった時点から、制御量に従って、送風機に所定供給量で給電して冷却空気を送風すると共に、ヒータへの給電を停止することにより処理容器内を目標温度に収束させる工程と、次に制御量に従って、送風機への給電を停止すると共に、ヒータに所定供給量よりも小さい値で給電することにより処理容器内を目標温度に維持する工程とを実行する。 （もっと読む）

【課題】作動温度においても均一に放熱し、応力のないヒーターエレメントを提供する。
【解決手段】本発明のヒーターエレメントは、連続的な平面状の帯状体と、複数の取り付け要素と、を備える。連続的な帯状体の第１の端部から第２の端部までの経路は、曲がりくねっており、複数の繰り返しのサイクルを備え、各繰り返しのサイクルは、複数の第１の直線状の部分と、複数の第２の直線状の部分と、複数の丸みをつけた部分と、を備える。第１の直線状の部分の長さは、第２の直線状の部分の長さよりも長く、曲がりくねった経路のうちの１つのサイクルの角度の合計は、３６０度よりも大きい。このヒーターエレメントは、例えば半導体処理装置用のヒーター組立体に組み込むことができる。 （もっと読む）

【課題】 熱風の吹き出し温度を被加熱物の設定温度に短時間で到達させることができる加熱炉を得る。
【解決手段】 ダクト３を通して炉体２内に熱風を送り込み炉体２から吹き出させた熱風により被加熱物を加熱処理する加熱炉において、ダクト３及び／又は炉体２に、ダクト３及び／又は炉体２を昇温或いは降温させるための加熱及び又は冷却手段１３を備えることにより、被加熱物を加熱する設定温度の変更時に、加熱及び／又は冷却手段１３によりダクト３や炉体２を加熱或いは冷却して昇温或いは降温させ、ダクト３や炉体２を急速に被加熱物を加熱する設定温度とほぼ同程度の温度とさせ、ダクト３や炉体２内を通る熱風の熱に対するダクト３及び／又は炉体２の熱的影響を抑えるようにした。 （もっと読む）

【課題】炉内全体を均質な雰囲気とすることができ、被焼成物の上下の温度差が生じにくい雰囲気焼成用ローラハースキルンを提供する。
【解決手段】電子部品などの被焼成物が搬送されるローラ２の上部空間を、水平な穴明き天井板６により上部の天井室８と下部の炉室９とに区画する。炉体１の天井壁を貫通する雰囲気ガス供給管１０から供給される雰囲気ガスをこの天井室８に滞留させて予熱したうえで穴明き天井板１０を介して炉室９内に供給する。またローラ２の下部空間１２にはヒータ１３を設置し、下面から加熱する。温度分布および雰囲気の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】開放型（常圧型）の焼成炉において、被焼成物の上面と下面とを酸素濃度と窒素濃度を変えた異なる雰囲気ガスにて表面処理すること。
【解決手段】搬送装置４と、上下にそれぞれ内部を常圧に保つ上側処理室１２及び下側処理室１３を形成し、内部にそれぞれ異なる第１の雰囲気ガス及び第２の雰囲気ガスを充満させる炉本体６と、炉本体６に設けられたヒータ３と、セル７の表裏の表面に第１の雰囲気ガス或いは第２の雰囲気ガスを吹き付けることにより、セル７の表裏を異なる雰囲気ガスにて表面処理する上側ガス供給噴流ノズル８及び下側ガス供給噴流ノズル１０と、吹き付けた雰囲気ガスを炉本体６の外部に排出する上側ガス排気口９及び下側ガス排気口１１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ワークが大型の平板状のワークである場合にも、従来よりも急速かつ均一な冷却が可能であり、また天井から凝結した溶剤がワーク上に滴下するおそれのない乾燥炉の空冷部を提供する。
【解決手段】連続乾燥炉の空冷部におけるワーク搬送用のローラ４の間に、平板状のワークＷの下面に向かって冷却用空気を噴出する多数の冷却ノズル６を上向きに配置する。また炉室３の上部に排気用ダクト８を配置し、また炉室３の天井部には結露防止用ヒータ９を固定して溶媒蒸気の凝結を防止した。 （もっと読む）

【課題】単位枚数あたりのワークを処理するのに要する熱処理空間を拡張させることなく、また、炉体内部のクリーン度を維持しつつ、簡易な構成によって大型の平板状ワークを均一に加熱することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置は、炉体１２、循環ファン２２、加熱ヒータ２０、耐熱フィルタ１４、および熱風整流板１６を備える。熱風整流板１６は、耐熱フィルタ１４とワーク１８との間に配置される。熱風整流板１６は、ワーク１８の上面においては、第１の側面側からワークに供給される熱風の風量を、第２の側面側からワークに供給される熱風の風量よりも多くする一方で、同じワーク１８の下面においては、第２の側面側からワーク１８に供給される熱風の風量を、第１の側面側からワーク１８に供給される熱風の風量よりも多くするようにする。 （もっと読む）

【課題】高温で熱処理が可能な熱処理炉を提供すべく、熱処理炉内の圧力変化があっても所定の熱処理雰囲気を維持可能となるエンドキャップ、及びそれを用いた熱処理炉を提供する。
【解決手段】シール面２０４を備えるシャッター部材により密閉可能な、熱処理炉の収容部の搬入口１０２に装着可能なエンドキャップであって、前記搬入口１０２の内周面に挿入される第１の挿入管部１２と、連接し一周する溝１５と、前記搬入口１０２にフランジ面１８で当接可能な第１のフランジ２０と、前記シール面２０４と当接してシール可能なフランジ面２５を備える第２のフランジ２４と、前記第１のフランジ及び前記第２のフランジの間の連結部に接続された炉内に連通する開口を備える排気管と、前記溝内に開口し、前記連結部から半径方向に突出するシールガス導入管と、を備えるエンドキャップ。 （もっと読む）

【課題】加熱効率に優れるとともに、製造コストが比較的低く、さらに大型に作製しても不都合がない加熱装置。
【解決手段】加熱装置Ｄ１は、上下一対の基板半体からなるアルミニウム合金製基板１を備えてなる。すなわち、基板１は、一対の基板半体の一方としての上部基板２と、基板半体の他方としての下部基板３とからなる。加熱装置Ｄ１はさらに、基板１を加熱することで、上部基板２に載置された被処理物を加熱するための加熱管（ヒーター）５０と、基板１を冷却することで、上記被処理物を冷却するための冷却管（冷却用ガス流通管）６０とを備えている。ヒーター５０を嵌め込むための溝２ａ，３ａとヒーター５０との間隙およびガス流通管６０を嵌め込むための溝２ｂ，３ｂとガス流通管６０との間隙は、熱伝導性部材としてのシリコーンゴム製シート５をこれらの間隙に配設することで塞がれている。 （もっと読む）

【課題】真空容器中において被加熱物を加熱するのに要する時間を短くすることができる加熱装置および加熱方法を提供する。
【解決手段】真空容器３０と、第１のガス経路２１ａとを有する。真空容器３０は被加熱物１１を収納するためのものである。第１のガス経路２１ａは、加熱されたガスを被加熱物１１に直接吹き付けるための噴出部２２を有する。 （もっと読む）

【課題】炉内の清掃作業等の煩雑な後処理の追加やランニングコストの増加を招くことなく、開口部の開放時に低温の雰囲気の流入によるシャッタの内側面への昇華物の付着を抑制でき、処理基板の汚損を未然に防止できるようにする。
【解決手段】複数のシャッタ部材２のそれぞれの背面に、ヒータ４を装着した。ヒータ４は、ヒータ素線４１が埋設又は取り付けられた絶縁板４２の両面をマイカ等の耐熱性を有する絶縁材料４３，４４で被覆して構成されている。ヒータ４は、シャッタ部材２の背面に、例えばネジ止めされる。ヒータ４は、例えば１５０℃程度の温度以上に発熱する容量があればよい。 （もっと読む）

【課題】複数の基板搬送機構を有するリフロー装置において、省エネルギ化を大きく促進でき、しかも基板列毎に異なる温度プロファイルを設定することが可能なものを提供する。
【解決手段】基板Ｐを通過させる内部空間が複数の加熱ゾーンＺに分けられた加熱炉１と、前記内部空間に配置されて基板Ｐを搬送する互いに平行な複数の基板搬送機構６と、前記各加熱ゾーンＺにそれぞれ設けられた加熱ガス供給機構２とを設け、前記加熱ガス供給機構２を、前記各基板搬送機構６による基板通過領域ＡＲにそれぞれ対応して設けられた加熱ガス吹出口２ａを具備したものにした。そして、各加熱ガス吹出口２ａから、基板通過領域ＡＲ毎に異なる温度の加熱ガスを吹き付け可能であるとともに、いずれかの基板通過領域ＡＲに選択的に加熱ガスを吹き付け可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の外周部の冷却性能を維持しつつ、被処理物の中央部の冷却性能を高めることができる冷却装置を提供する。
【解決手段】 排気管４の下端に排気フード５を接続し、この排気フード５の下端に開口した取込口５ｄ１から、ガラス基板２が放熱する熱気Ａとともにガラス基板２の外周部より外側の外気Ｂ１を取り込んで、ガラス基板２の外周部を冷却する。また、排気フード５にガラス基板２の中央部へ外気Ｂ２を供給するための給気管６を取り付け、この給気管６の下端に開口した給気口６ｃ１から供給される外気Ｂ２によりガラス基板２の中央部を冷却する。 （もっと読む）

【課題】一時的に基板が供給されない場合において、その間の消費電力量やガス消費量を大幅に低減させることが可能であるとともに、稼働状態に迅速に復帰できるリフロー装置を提供する。
【解決手段】休止モードにおいて、加熱ガス循環機構２によるガス循環速度を低下させるとともに冷却ガス循環機構３の動作を停止させる一方、前記搬送機構１１の動作を停止させ、かつ、前記基板搬出口及び基板搬入口にそれぞれ設置されたシャッタ５を閉塞する。 （もっと読む）

【課題】熱損失が少なく、しかも安定した焼成温度が得られる循環式の基板焼成炉を提供する。
【解決手段】炉体本体部１０の内部に熱風を吹き出すことによりガラス基板Ｗの焼成処理が進行する。炉体本体部１０から排出された熱風は循環ファン４０によって循環経路２０内を循環され、有機物を分解する触媒フィルタ部７０から分解生成物を吸着する吸着塔３０を経てメインヒータ５２にて再加熱される。炉体本体部１０から排出された熱風がそのまま触媒フィルタ部７０に流入して熱風中に含まれる有機物が分解されため、触媒を加熱するための別途のヒータが不要となり、熱損失を少なくすることができる。また、炉体本体部１０の内部の焼成温度はメインヒータ５２のみの制御によって調整することができるため、温度制御が容易となり、安定した焼成温度を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】真空室内に配置された被加熱物の接触状態を検出して効率良く加熱する真空加熱装置および方法を提供する。
【解決手段】前記被加熱物に、ヒータ加熱面と温度検知部を接触させ、前記温度検知部から得られた情報に基づいて、加熱初期の被加熱物の温度上昇度を算出し、該温度上昇度が、所定規定値（Ｂ）以上のときは、前記被加熱物とヒータ加熱面との接触状態が良好であると判別し、所定規定値（Ｂ）未満のときは、前記被加熱物とヒータ加熱面との接触状態が不良であると、前記被加熱物とヒータ加熱面との接触状態を判別し、前記被加熱物とヒータ加熱面との接触状態が不良であると判別した場合には、前記ヒータ加熱面を前記被加熱物から離したのち、再度、前記ヒータ加熱面を前記被加熱物に接触させてから、前記温度検知部から得られた加熱初期の被加熱物の温度上昇度に基づいて、前記被加熱物とヒータ加熱面との接触状態を判別する。 （もっと読む）