説明

Fターム[4K063BA12]の内容

炉の細部、予熱、排出物処理 (8,737) | 炉内被加熱物(装入物、被処理物) (1,717) | 材質以外 (522) | 電気、電子材料(半導体装置等) (248)

Fターム[4K063BA12]に分類される特許

21 - 40 / 248


【解決手段】半導体基板の熱処理工程に用いる熱処理炉であって、両側端面に半導体基板の挿入及び取り出し可能な大きさの開口部を有する円筒状の炉心管を具備することを特徴とする熱処理炉。
【効果】本発明によれば、半導体の連続熱処理時の各バッチ間の待機時間を減少させ、生産性を向上することが可能となった。また、炉芯管の構造を単純な円筒状形状としたことで、ガス導入管部分の破損頻度が低下し、熱処理工程のランニングコストを削減することができた。 (もっと読む)


【課題】 加熱装置全体としての断熱性を維持しながら、昇温時、温度安定時間の短縮と急冷時間の短縮を図る加熱装置を提供すること。
【解決手段】筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に基板を加熱する発熱体20を備えた加熱装置である。側壁内層50、側壁中層60及び側壁外層70で区切られた二つの空間が形成される。発熱体20を取り付ける側壁内層50と側壁中層60との間の第一の空間S1には冷却媒体流通通路14が形成される。側壁中層60と側壁外層70との間の第二の空間S2には断熱材63が封入されている。 (もっと読む)


【課題】保持用ピースの破損、ピースホルダからの乖離、天井部付近での断熱不良を防止し、温度特性の均一化や寿命の向上を図る半導体製造装置用ヒータ支持装置を提供する。
【解決手段】被加熱体の周りにコイル状に形成された発熱体31が配設され、鉛直方向に保持用ピース32が多数連設され、該保持用ピース間に径方向に長い長円形状の空洞部38が形成され、前記発熱体が前記空洞部を挿通し、前記保持用ピースを介して支持され、該保持用ピースの上面と下面のいずれか一方に、前記発熱体と交わる方向に嵌合凹部が形成されると共に、他方に前記嵌合凹部と嵌合可能な嵌合凸部が形成され、前記保持用ピースは前記嵌合凹部と前記嵌合凸部との嵌合を介して連設された。 (もっと読む)


【課題】簡素な構造で、取り扱いも容易であり、被加熱物全体をムラなく均等に加熱することができ、加熱効率も良好である加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置10は、断熱材11aで形成されたケーシング11内に、被加熱物Wを収容する円筒状の収容部材12と、収容部材12の外周面12aから隙間Vを隔てて配置された円筒状発熱体13と、収容部材12内にその軸心12c方向に沿った一定方向の気体流Rを発生させる送風ファン14と、を備えている。収容部材12はステンレス鋼管で形成されている。円筒状発熱体13は収容部材12の外周面12aを囲繞するような状態で、且つ、収容部材12の軸心12cと、円筒状発熱体13との軸心13cとが同軸をなすように配置されている。収容部材12の後方開口部12rに臨む領域に配置された送風ファン14の回転軸14aも軸心12c,13cと同軸をなしている。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成によって、換気システムの換気量を最適に制御することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置10は、ヒータ20、参照負荷率演算部(CPU50)、換気量調整部16、および換気量制御部(CPU50)を備える。ヒータ20は、炉体12の内部に配置され、ワーク18を加熱するように構成される。参照負荷率演算部(CPU50)は、ヒータ20の参照負荷率を演算する。換気量調整部16は、換気システム11の換気量を調整する。換気量制御部(CPU50)は、参照負荷率演算部(CPU50)の演算結果に基づいて、換気量調整部16を制御する。換気量制御部(CPU50)は、ヒータ20の参照負荷率の増加に応じて換気システム11の換気量を増加させる一方で、参照負荷率の減少に応じて換気システム11の換気量を減少させる。 (もっと読む)


【課題】加熱容器内の温度分布を均一化した加熱処理装置を提供する。
【解決手段】加熱対象物が収容される加熱容器10と、雰囲気温度よりも高温である加熱気体を発生させる加熱気体発生装置と、加熱容器の内部に加熱気体を噴出させる気体噴出手段20とを備える加熱処理装置1を、気体噴出手段は、加熱気体を噴出して加熱容器の内部に旋回流Tを形成する複数の噴出孔Hを有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】発熱体の断線等を抑制し、発熱体の自重等による保持体の変形を抑制できる形状を提供する。
【解決手段】加熱室内に設けられ、基板を処理する処理室と、加熱室内を加熱する加熱装置と、を有し、加熱装置は、上下端のそれぞれに山部42aと谷部42bとが複数連なるように形成され、両端が固定される発熱体42と、加熱室の一部を構成し、前記発熱体42の外周に設けられる断熱体33と、該断熱体33に固定され、前記発熱体42を保持する保持体41と、を備え、前記発熱体42の山部42aの少なくとも一部が前記断熱体33側に折り曲げられ、前記断熱体33は、前記発熱体42の谷部42aに相対する部分が前記発熱体42側に向って突き出され、前記保持体41を支持する突出部51を備える。 (もっと読む)


【課題】常温分離法により製造される窒素ガスを原料として安定した組成の窒素と水素と水との混合ガスを安価に製造することができる熱処理雰囲気ガス発生方法を提供する。
【解決手段】圧力変動吸着分離式窒素発生手段又は分離膜式窒素発生手段で発生させた原料窒素ガスに酸素含有ガスを混合して所定酸素濃度の酸素混合窒素ガスを発生させる工程と、該酸素混合窒素ガスに所定量の水素ガスを添加して原料混合ガスとする工程と、該原料混合ガス中の酸素と水素とを触媒反応させて水を生成させ、熱処理炉に導入する熱処理雰囲気ガスとする工程とを有している。 (もっと読む)


【課題】高精度なプロセス処理および高い安全性を実現することができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置10は、基板を処理する反応管42と、反応管42を支持するマニホールド44と、反応管42の周囲に設けられ反応管42内を加熱するヒータ46と、ヒータ46より下方の反応管42の側方を囲うように設けられる囲い部500と、囲い部500と反応管42との間の間隙506を強制排気する排気装置301と、反応管42とマニホールド44との間の当接部に設けられる密閉部材150と、を有し、囲い部500には、排気装置が囲い部500の外側の雰囲気を間隙506へ吸気する吸気口501が設けられる。 (もっと読む)


【課題】今まで固定されていた第三ゾーンの発熱体の位置を外部から可変できる可変温度勾配式マルチゾーン型電気炉を提供する。
【解決手段】本発明は、上記課題を解決するため、発熱体を有する加熱部を有する所謂内熱型の単結晶を合成する電気炉において発熱体が2個以上で構成される電気炉で、加熱源である発熱体の位置を外部から変えることにより、温度分布を変えることができる電気炉の構成とした。 (もっと読む)


【課題】匣鉢に収納した粉体を表層部と内部との間で焼成品質のバラツキが生じないように均一に、しかも経済的に固相反応焼成することができる量産化技術を提供する。
【解決手段】本発明の粉体の固相反応焼成方法は、匣鉢3に収納した粉体を連続炉により加熱して固相反応焼成を行なう方法であって、炉体に設置された抵抗加熱ヒータ8によって粉体を最高温度の直前温度まで加熱したうえ、マイクロ波加熱装置11によりマイクロ波を照射して粉体を発熱させることにより表層部と内部とを均熱化し、その後は再び抵抗加熱ヒータ8によって最高温度に保持する。 (もっと読む)


【課題】減圧水素アニール処理を安全に行える様にする。
【解決手段】反応室2と、該反応室に水素ガスを導入する水素ガス導入ライン18と、前記反応室に接続された減圧排気ライン5と該減圧排気ラインに設けられ前記反応室を減圧にするための排気装置と、該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ライン48とを具備し、減圧状態の前記反応室内に前記水素ガス導入ラインから水素ガスを導入しつつ被処理基板を減圧アニール処理し、該減圧アニール処理後の該反応室内の残存ガスを前記排気装置が減圧排気ラインを介して前記排気装置の下流側へ吸引排気する工程と、前記排気装置の下流側に前記排気希釈ライン48から前記不活性ガスを供給し前記残存ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する工程とを有することで安全な減圧水素アニール処理を実現する。 (もっと読む)


【課題】真空熱処理装置のシーリング用Oリングの劣化を防止する。
【解決手段】加熱容器(3)を排気ポンプへ結合し且つ真空処理チャンバ内に収容する接合チャンバの開口周囲フランジ(13)と加熱容器(3)の開口周囲フランジ(15)との接合面はOリング(21)でシーリングされる。接合チャンバの開口フランジ(13)の開口縁にひさし状の突起部(24)を設け、約1μ程の接合面の隙間から輻射熱が入りOリングを加熱しないような構成によって、Oリングの劣化を防止している。 (もっと読む)


【課題】 フランジの熱変形による垂れを防止することが可能な加熱装置を提供すること。
【解決手段】筒状のシェル50と、このシェル50の内周に吊り下げ支持されると共に基板を加熱するヒーターと、このヒーターをシェル50に支持する支持金具と、支持金具にヒーターを取り付ける碍子とを備える。この支持金具は固定部34xを介してこのシェル50の内周側にフランジ34fを突出させるように固定される。フランジ34fは、各支持金具間及び各碍子取付部34b間にスリット34a,34wを有しているので熱膨張長は吸収される。また、各碍子取付部34bに固定部34xを有しているので、過熱による熱変形は抑制される。 (もっと読む)


【課題】気化したフラックスが予備加熱ゾーンと本加熱ゾーンと冷却ゾーンに配置されたファンを回転させるためのモータ回転軸に付着して固化することを防止するため、気化したフラックスが固化する前の流動性を有する液化の状態で効率的、かつ、確実に回収する。
【解決手段】フラックス回収装置10Aを構成するドレン部20は、モータベース16のファンとの対向側であって、かつ、回転軸14の周辺部に形成されている。ドレン部20のファンとの対向面は、モータベース16の平面位置からモータベース16の背面側に設けられた排出口46に向かって傾斜した傾斜面20aとなっている。ファンの回転駆動によりモータベース16の中心部に集まってくるフラックスは、モータベース16の中心部に形成されたドレン部20に流入されて傾斜面20aに沿って流動され、ドレン部20から排出口46、ドレン管およびパイプ管48を経由して回収用容器34に収容される。 (もっと読む)


【課題】 発熱体の両側端を支持しながら熱変形を合理的に吸収し発熱体を安定させることの可能な電気ヒーター及び電気ヒーターを備えた炉を提供すること。
【解決手段】 スリットを形成することにより電流路を形成した板状の発熱体10と、この発熱体10を支持する支持体20とを備える。スリットに沿う幅方向Wに位置する一対の幅方向端部13,13の中間に位置する電流路には貫通孔を設けてある。発熱体10は、この貫通孔を貫通する支持体30により少なくとも厚み方向Y及び幅方向Wに対する移動を規制されて支持される。一対の幅方向端部13,13は端部貫通孔又はスリットを貫通する支持体40により各々発熱体10の厚み方向Yに対する移動が規制されると共に幅方向Wに対する移動が許容されている。 (もっと読む)


【課題】エネルギーロスを抑制しつつ、被処理物の上方における蒸発ガスの結露と被処理物への滴下の防止が実現できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物11が搬入口13を通過直後に通る予備ゾーン26内部の、被処理物11の搬送路の下方に、ガス吸込口27と、水冷管29と、排水ユニット30とを備え、予備ゾーン26と炉外との差圧、および予備ゾーン26と隣接する熱処理ゾーン19との差圧がそれぞれ所定の条件を満たすようにガス吸込口27の配置や個数、またガス吸込口27から吸込むガス流量を設定し、蒸発ガスを含んだ炉内雰囲気を被処理物11の搬送路の下方で蒸発ガスの露点温度以下まで冷却して結露させ、液体として炉外へ排出する。 (もっと読む)


【課題】導入したガスが領域間で混ざることを防止することが可能となる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ワークWの周囲の雰囲気が領域毎で異なるように炉内が複数の領域に区画され、区画された各領域を順にワークWが進行し当該ワークWを熱処理する熱処理装置である。区画された複数の前記領域それぞれに処理ガスを供給するガス導入部2と、区画された複数の前記領域それぞれの雰囲気ガスを排気する排気部3と、パージガス供給部7とを備えている。パージガス供給部7は、隣り合う領域間に設けられワークWの上方から下方に向けてパージガスを噴出する噴出口17a,17bを有している。 (もっと読む)


【課題】均一に被処理物を加熱または冷却することが可能な装置を提供する。
【解決手段】本装置は被処理物を加熱または冷却する装置である。被処理物を収容する収容空間を画成する処理容器と、該収容空間の気体の温度を調温する調温手段と、を少なくとも備え、前記処理容器は、断熱性を有する外層と、熱伝導率が100W/m・K以上であり該外層よりも内側に配設され前記収容空間の温度分布を均熱化する均熱層と、を有する。 (もっと読む)


【課題】
スパッタリング装置のバッキングプレート等、冷却水の導入が必要な箇所におけるリークチェックの作業性を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】
カソードを構成する処理室隔壁に設けられた導入菅の開口部と、バッキングプレート内の導入菅を接続する場合、導入菅と空隙である中間層(大気)とを封止(シール)する第1のOリングと、中間層(大気)と真空である処理室内を封止(シール)する第2のOリングが配置され、第1のOリングと第2のOリングの間の空隙である中間層(大気)に、処理室外の大気と連通しているリークテストポートが設けられている。 (もっと読む)


21 - 40 / 248