電気伝導性金属材料を融解するための装置は、真空室と、該真空室に配設された炉床と、を含む。少なくとも１つのワイヤ放電イオンプラズマ電子エミッタが、該真空室内、またはその近傍に配置され、広域電子場が該真空室に向くように配設され、該広域電子場は、該電気伝導性金属材料をその融解温度まで加熱するのに十分なエネルギーを有する。該装置は、さらに、型および噴霧装置のうち少なくとも１つを含み、それは該真空室と連通し、該炉床から融解した材料を受け取るように配設される。該炉室内の圧力は、揮発性元素の蒸発を減少させるように、５．３Ｐａを超えて維持されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】温度制御に対して良好な応答性を有し、また、熱処理装置の立上げや立下げ時間の短縮が可能であり、しかも、装置重量の軽量化を可能とした熱処理装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板用熱処理装置Ａは、炉体内部に通電により発熱可能としたヒータ装置３２を所定間隔を空けながら多段に配設している。前記ヒータは、0.01〜１mmの厚みを有する薄膜状のシート体で、発熱体をサンドイッチ状に挟持して形成していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の処理対象物の全面を効率よく冷却できるようにし、処理対象物に部分的な反りや変形を生じることなく冷却処理の短時間化を実現できる連続式焼成炉を提供する。
【解決手段】連続式焼成炉の冷却室１５に導入ダクト１及び排気ダクト２を設けた。導入ダクト及び排気ダクトは、冷却室の上側の内壁面で、炉幅方向Ｙの略全域にわたって開口している。導入ダクトは、搬送方向の上流側に向けて空気を吹き出す。排気ダクトは、搬送方向における導入ダクトの上流側で、冷却室内の空気を排気する。ローラ１６上を搬送される処理対象物１００の上方に、冷却された外気の流路が炉幅方向Ｙの略全域にわたって均一に形成される。処理対象物は、上面全体に渡って均一に空気に接触する。 （もっと読む）

【課題】被加熱物の熱処理に伴って発生する生成ガスや、生成ガスが冷却されて発生するいわゆる昇華物の漏出を抑制可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】被加熱物が配される熱処理室１２と、当該熱処理室１２の室温を上昇させる熱源１４と、前記熱処理室１２に被加熱物を出し入れ可能な換装部６とを有し、前記換装部６は、熱処理室１２の外部と内部とを繋ぐ空間であり、当該換装部６に、熱処理室１２の内部から外部へ流れる気流を遮ることが可能な遮断手段が熱処理室１２の内部から外部に向かう方向に複数配置されている。 （もっと読む）

【課題】透明石英ガラスからなる部材が失透するのを抑制することが可能な焼成炉を提供すること。
【解決手段】焼成炉１は、被焼成物を輻射加熱するための赤外線ランプ５と、被焼成物が配置される台９と、赤外線ランプ５と台９との間に配置されて焼成空間Ｓを画成し、透明石英ガラスからなる赤外線透過部材７と、を備えている。焼成空間Ｓには、ガス供給部１７からのガス供給通路１９が接続されている。ガス供給通路１９から焼成空間Ｓ内にガスが供給されると、当該ガスにより、赤外線透過部材７の内周面、すなわち台９側の表面に沿ってガス流Ｆが形成されることとなる。 （もっと読む）

【課題】基板とこの基板に取り付けられた部材との温度が所定の温度差以内となるように加熱冷却して、基板、取付け部材の損傷を防止することのできる基板の加熱冷却方法を提供する。
【解決手段】板状の第１部材１２、および第１部材の一方の表面上に設けられ第１部材よりも熱容量の小さい複数の第２部材１４を少なくとも有する第１基板と、第１基板に所定間隔離して対向配置された第２基板１１とを、それぞれ異なる温度となるように加熱冷却する基板の加熱冷却方法であって、第２部材と対向した状態で、第１基板と第２基板との間に所定間隔を置いて第３基板３０を対向配置し、第１部材と第２部材とが所定の温度差以内となるように、第１基板および第２基板を加熱、冷却する。 （もっと読む）

本発明は、一方では、外部（４）と内部（３）を有する絶縁シェル（１）であって、内部（３）は、例えば、円筒形状の回転対称形状を有する絶縁シェル（１）と；他方では、シェルの内部に配置されるヒーター要素（２）であって、シェルの回転対称形状に対応する全体形状を有する連続ループ状に複数回巻の状態で延伸するヒーター要素（２）と；を備えるタイプの電気炉用インサートに関する。本発明に従い、ワイヤループは、間隔を置いて離れている複数の湾曲部（７）を備え、湾曲部はループを、制限された長さの複数の個々の部分に分割し、発生した熱膨張は、個々の部分に局部的に隔離される。好適な実施の形態において、湾曲部（７）は、Ｕ字形状であり、雷文形状をワイヤループに与える。追加的な形態において本発明はまた、その様なヒーター要素に関する。
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【課題】ベーキング時間を短くし効率的に基板の加熱冷却を行い、基板に吸着している不所望なガス分子の除去が十分に行うことが可能な基板の加熱冷却方法を提供する。
【解決手段】板状の第１部材１２、および第１部材の一方の表面上に設けられ第１部材よりも熱容量の小さい複数の第２部材１４を有する第１基板を加熱冷却する方法であって、第２部材と対向した状態で第２基板３０を第１基板と所定間隔を置いて対向配置する。対向配置された第１、第２基板を、複数の加熱室１０２ａと、複数の冷却室と、に順に通して搬送し、各加熱室において、第１、第２基板を第１加熱源１２１および第２加熱源１２２とそれぞれ所定の間隔を置いて対向させ、第１、第２加熱源をそれぞれ加熱室固有の温度で一定に動作させて、第１、第２基板を加熱する。各冷却室において、温度を変えて同様な方法で冷却する。 （もっと読む）

【課題】焼成炉の炉壁を構成する耐熱基壁と耐熱性結晶化ガラス壁との位置関係を適切化することにより、耐熱性結晶化ガラス壁のヒータからの熱による悪影響を回避して、その耐久性の向上を図る。
【解決手段】隣り合うヒータ９の中心軸Ｚの相互間の距離をＤ、内外方向（縦方向）に平行に延びて開口部１１の両側部にそれぞれ接する直線ｅ、ｆの相互間の距離をｄ、ヒータ９の中心軸Ｚを始点としてその中心軸Ｚから拡開しつつ内側に向かってそれぞれ傾斜して延びる直線ａ、ｂが開口部１１の両側部に接する終点ｇ、ｉに至るまでの内外方向の距離をｈとした場合に、ヒータ９の中心軸Ｚから耐熱性結晶化ガラス壁５の外面に至るまでの内外方向の距離Ｈを、Ｄ×ｈ／３ｄ≦Ｈ（好ましくは更に、Ｈ≦１．５Ｄ×ｈ／ｄ）の関係を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】 筒状部材は、上部より下部の方が析出したシリコンが堆積しやすく、下部の損傷が進むと全体を交換しなければならなかった。また、交換作業が容易ではなく、捕集効率が低下しシリコンを安価に製造することが困難であった。
【解決手段】 その内面でシラン系ガスを接触させてシリコン５を析出させる複数の反応部材６ａ〜６ｄが上下に積み重なって構成されているとともに、その内面が下方に拡がって傾斜している筒状部材６である。上側の反応部材に析出したシリコン５は下側の反応部材に接触しながら落下することがほとんどなくなり、そのまま鉛直方向に落下するため、下側の反応部材の損傷が抑制され長寿命化が図れる。また、反応部材６ａ〜６ｄの交換は損傷が進んだもののみを取り替えればよいため、部品コストが低減でき、短時間で容易に交換することができるので稼働率を低下させることなくシリコン５を安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】容器内におけるスカルの発生を抑え、効率良く金属を溶解可能な溶解用容器及びこれを用いた溶解装置を提供する。
【解決手段】本発明は、真空中で電子ビームを照射して精製原料を溶解するための溶解用容器であって、水冷可能な銅からなり所定形状の収容部を有する容器本体５を備え、容器本体５の収容部の隅部分に曲面部が形成されている。本発明では、容器本体５の平面図における隅部分の曲面部の曲率半径Ｒ_fと、容器本体５の断面図における隅部分の曲面部の曲率半径Ｒ_sが、共に同一の範囲内となるように構成することもできる。容器本体５の平面図における隅部分の曲面部の曲率半径Ｒ_fと、容器本体５の断面図における隅部分の曲面部の曲率半径Ｒ_sが、共に１０ｍｍ以上４０ｍｍ以下となるように構成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単で設備コストを低く抑えることができ、クリーンエアーではなくて、通常エアーを使用することができ、ランニングコストを低く抑えることができる徐冷炉を提供する。
【解決手段】徐冷炉は、頂壁２３および底壁２４を有する炉本体１２と、頂壁２３に設置されているヒータ３１と、底壁２４に設置されている冷却ユニット３２と、冷却ユニット３２内にエアーを供給する手段とを備えており、冷却ユニット３２は、ボトムヒータと互換可能な寸法に形成されて炉本体１２の底壁２４上面に炉本１２体幅方向に並ぶように敷設された複数の扁平箱形状冷却モジュール４１を有しており、各冷却モジュール４１内にエアー通路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】炉の気密性を高めた加熱装置を提供する。
【解決手段】炉１本体が上側筐体１Ａと下側筐体１Ｂで形成され、被加熱物を搬送手段で搬送しながら炉１内で加熱処理を行う加熱装置において、搬送手段の搬送方向に間隔を置いて位置する上側筐体１Ａ上面の二点を互いの方向に引っ張るテンション装置２０を上側筐体１Ａの上面に設けてある。テンション装置２０は上側筐体１Ａ上面の両端部に固定された一対の固定ブロック２１，２２と、上側筐体１Ａの上面に摺動可能に設置された可動ブロック２３と、可動ブロック２３ともう一方の固定ブロック２２を連結するテンションバー２４と、固定ブロック２１の貫通孔を挿通して可動ブロック２３のねじ孔にねじ部が螺合しているテンション調節ねじ部材２５とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】リフロー炉の搬送部内における雰囲気を乱流化させた状態で基板へふきつけ、基板への熱交換効率を向上させると共に、搬送部内における雰囲気温度を所定の温度条件に制御する。
【解決手段】フード４０と仕切板５０により、ヒータ６２とファン６４が配設された熱風発生部６０と基板２２を搬送する搬送部３０とが区画され、仕切板５０に多数設けられた熱風噴出部から加熱された雰囲気を搬送部内３０に送り込み、仕切板５０に多数設けた吸引部５６から搬送部３０内の雰囲気を熱風発生部６０内に吸引して循環するリフロー炉１０であって、熱風噴出部と吸引部５６とが対をなして設けられ、各対の熱風噴出部と吸引部５６とにおいて、熱風噴出部が吸引部５６の外側に隣接した状態に配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炉の気密性を高めた加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置は炉本体が上側筐体と下側筐体１Ｂで形成され、被加熱物を搬送手段で搬送しながら炉内で加熱処理を行う。下側筐体１Ｂが支持フレーム１７に対して搬送手段の搬送方向において非拘束とされている。すなわち、下側筐体１Ｂの側面に固定された固定ボルト１９が挿入する支持フレーム１７の支持孔２０、並びに下側筐体１Ｂの側面から側方に突出する支持片２４が挿入する支持フレーム１７の貫通孔２３は搬送手段の搬送方向に細長い長孔とされている。上側筐体１Ａも同様に、支持フレームに対して搬送手段の搬送方向において非拘束とされる。 （もっと読む）

【課題】 基板を熱処理する方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 本装置は、磁気駆動により直線移動及び／又は回転移動するように構成された基板支持体を含む。基板支持体は、また、チャンバの部分に加熱領域を与える放射熱源を受け入れるように構成される。冷却プレートを備える能動冷却領域が、加熱領域に対向して配設される。基板は、それら２つの領域の間に移動され、基板の制御された急速加熱及び冷却を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】タール状の付着物による不良発生をなくしたフラットパネル熱処理炉を提供する。
【解決手段】熱処理炉本体１の入口にパネル送り込み手段４を設けたフラットパネル熱処理炉に関するもので、パネル送り込み手段４の上部に所定長さにわたって天井構造体７を設け、その下面とパネル送り込み手段との間隙を例えば１０〜１００ｍｍ程度に狭くすることにより、熱処理炉本体１の入口からの炉内ガスの逆流を防止する。また天井構造体の下面に向かって空気を吹き込むノズル９を設けたり、天井構造体の下面にヒーターを設けたりすれば、より確実な効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】透光性を有する被処理部材を急速昇降温させる場合であっても、加熱・冷却効率が高く、被処理部材の温度分布に生ずるバラツキを抑えることができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】誘導加熱を利用してウェハ２４を加熱し、誘導加熱コイル１６の配置経路に沿って流す冷媒によりウェハ２４を冷却する熱処理方法において、前記誘導加熱コイル１６により誘導加熱されるグラファイト２０とウェハ２４とを近接させると共にこれらの間に気体層２６を介在させて、誘導加熱により加熱されたグラファイト２０から放射される輻射熱と気体層２６を介した熱伝達によりウェハ２４を加熱し、前記冷媒により冷却されたグラファイト２０による輻射熱の吸収と気体層２６を介した熱伝達によりウェハ２４を冷却することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直焼成炉において、落下中の焼成完了後も被焼成材料を一旦冷却することなく焼成を継続し被焼成物の熱処理時間が長くなり効率的に焼成がなされる垂直焼成炉を提供する。
【解決手段】垂直に設置された炉チューブ３６及び該炉チューブの周囲に配置された加熱源５２からなる第１加熱炉１２と、前記炉チューブの上方に配置されて粉末状の被焼成材料を前記チューブ内に落下させる被焼成材料投入装置１４と、前記炉チューブの上端部３８から雰囲気ガスを投入する雰囲気ガス投入装置と、前記炉チューブの下端部から雰囲気ガスを含む排気ガスを引出し、冷却して排気する排気装置１０４と、前記炉チューブの下端部に少なくとも一部焼成され落下した被焼成物を一定時間加熱保持する第２加熱炉１６とを有することを特徴とする垂直焼成炉１０。 （もっと読む）

【課題】効率よく熱処理できる熱処理方法を提供する。
【解決手段】それぞれ独立して温度制御可能な連続して配置する複数の区画室を備えた連続加熱炉を、一連の区画室を通してステップ状に設定した温度プロファイルに基づいて温度設定した状態で温度制御する。連続加熱炉へ搬送手段により基板を連続する区画室を通して５００ｍｍ／分以上の等速で、１つの温度領域に５分以上滞在する状態に搬送させる。搬送する基板の間隔を短く設定でき、熱処理効率を向上でき、連続加熱炉のスペース効率も向上でき、小型化できる。基板の温度追従性を向上でき、高精度な温度制御ができ、より良好な熱処理を実施できる。 （もっと読む）