【課題】強制循環式の加熱炉で板材を均一に加熱できる板材保持装置および均一な板材の加熱方法を提供する。
【解決手段】熱風を強制循環させる加熱炉内に複数の板材１を平行に保持し、板材の間に熱風を挿通させて板材１を加熱するための板材保持装置は、板材の熱風の流れ方向上流側の端面をそれぞれ隙間を空けて覆う複数の防風部材７と、防風部材から延伸し、板材の片面の上流側を隙間を空けて覆う遮蔽板１０とを有する。また、防風部材は板材を保持するための保持具を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】安定した特性の焼結物を得るのに適した焼成炉制御方法及び焼成装置を提供すること。
【解決手段】焼成炉１は、搬入準備室１０と取出準備室１８との間に、第１炉室１１〜第７炉室１７を有している。炉圧制御に当たり、第１炉室１１〜第7炉室１７の内圧P１〜P7を大気圧Paよりも高く保つ。また、搬入準備室１０に隣接する第１炉室１１の内圧P1を、第２炉室１２の内圧P2よりも高く保つ。更に、取出準備室１８に隣接する第７炉室１７の内圧P7を、第６炉室１６の内圧P6よりも高く保つ。 （もっと読む）

【課題】耐熱及び冷却に関し望ましい効果を有し、電極に純水を供給する必要がなく、費用節約や安全上の課題を解決しうる結晶成長炉の電極構造体を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのグラファイト電極柱２と、少なくとも１つの金属電極柱と、少なくとも１つの固着基部４と、少なくとも１つのロックナットとを含み、グラファイト電極柱は、金属電極柱のナット基部に係合し、少なくとも１つの金属電極柱は、固着基部を通って炉壁に固締される。従って、少なくとも１つのグラファイト電極柱は、重量支持体としても導電性の電極としても働く。炉壁に溶接されたフランジ４１は、大気に晒される面積が大きくなることから、望ましい冷却効果を達成することができ、散水が実施されれば温度降下を促進することができる。固着基部には弾性座金が設けられているので、弾性力を用いてグラファイト各電極柱の荷重を軸方向に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】大型の平板状部材であっても、熱処理することができる平板状部材の熱処理炉を提供する。
【解決手段】平板状部材５０を、トンネル状の炉体１の炉長方向に移送しつつ熱処理を行う平板状部材の熱処理炉であって、炉体１の両側壁１ｂから炉内に延出するローラ２を、互いに対向させて、炉内１側が側壁１ｂ側よりも低くなるように傾けて、炉長方向に複数、回転自在に配設し、ローラ２上に平板状部材５０を載せ、ローラ２を一定方向に回転させて、平板状部材５０を、炉体１の炉長方向に移送するように構成する。なお、対向するローラ２の少なくとも一方の下方に、ローラ２を転支する受けコロ４を設けることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大型の平板状部材であっても、熱処理することができる平板状部材の熱処理炉を提供する。
【解決手段】平板状部材を、トンネル状の炉体１の炉長方向に移送しつつ熱処理を行う平板状部材５０の熱処理炉であって、炉体１の両側壁１ｂから炉内に延出するローラ２を、互いに対向させて、炉長方向に複数、回転自在に配設し、対向するローラ２の先端２ａ間に、平板状部材５０を転支する受けコロ４を配設し、ローラ２及び受けコロ４上に平板状部材５０を載せ、ローラ２を一定方向に回転させて、平板状部材５０を、炉体１の炉長方向に移送するように構成する。 （もっと読む）

【課題】抵抗発熱体の熱膨張収縮に伴う径方向の移動を許容しつつ抵抗発熱体が重力で下方に移動するのを防止し、抵抗発熱体の耐久性の向上を図る。
【解決手段】被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を囲繞する筒状の断熱材４と、該断熱材４の内周面に沿って配置される螺旋状の抵抗発熱体５と、断熱材４の内周面に軸方向に所定のピッチで設けられ、抵抗発熱体５を径方向に熱膨張収縮可能に支持する支持体１３と、抵抗発熱体５の外側に軸方向に適宜間隔で配置され断熱材４を径方向に貫通して外部に延出された複数の端子板１４と、抵抗発熱体５に所定のターンごとに設けられ、上記支持体１３の一側面に当接して抵抗発熱体５の下方への移動を阻止する移動阻止部材１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱処理された板状体をスムーズに冷却可能な板状体冷却装置、並びに、当該板状体冷却装置を備えた熱処理システムの提供を目的とした。
【解決手段】板状体配置手段２０は、基板Ｗに向けて送風可能な送風手段４０が所定の間隔毎に設けられた送風手段配置部３０を複数有する。冷却対象である基板Ｗを出し入れする際は、送風手段配置部３０の側方に形成された作動領域２５に移載装置１１のフォーク爪１３を差し込んで作動させることができる。そのため、基板Ｗの支持用の支持ピン２３は、送風手段４０の高さ分だけ低くし、その分だけ基板Ｗと送風手段４０との間隔を小さくすることができる。また、これにより基板Ｗに沿って流れる空気の流速を高め、基板Ｗの冷却効率を上げることができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で搬入口／搬出口からの炉内への外気流入を抑制し、少ないガスで炉内環境を一定に保つことが可能な処理炉、特に、少ない不活性ガスで炉内酸素濃度を一定値以下に保つことが可能な加熱炉の提供。
【解決手段】被加熱物搬入口５及び被加熱物搬出口６の各々に、被加熱物３が載置された搬送ジグ４が近づくと開口するように制御されるシャッター１２、１３を設けると共に、被加熱物搬入口５から被加熱物搬出口６までの搬送経路長Ｌを、搬送ジグ４の設置間隔Ｗの整数倍とならないようにして、必然的に、被加熱物搬入口５のシャッター１２と被加熱物搬出口６のシャッター１３とが同時に開口しないようにする。また、炉内の被加熱物搬入口５の近傍及び被加熱物搬出口６の近傍に、被加熱物３を載置した搬送ジグ４が通過可能な最小面積の開口部を有する敷居板１１を設け、外気の流入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュランプを用いて基板を急速加熱し、最表面にイオン注入や活性化等を行うに際し、基板の変形や割れを抑制しながら基板を活性化できるようにすること。
【解決手段】フラッシュランプからの光を照射して、基板を加熱する基板加熱装置において、フラッシュランプ５に直列に半導体スイッチ２５を接続する。そして、フラッシュランプ５のトリガ電極５２にトリガ信号を入力したのち、ゲート回路２８から第１の駆動信号、第２の駆動信号を出力し、第２の駆動信号が半導体スイッチ２５をオンにする期間を、第１の駆動信号の内の一つの駆動信号により半導体スイッチ２５がオンになる期間より長くなるようにする。そして、第１の駆動信号により上記半導体スイッチをオン、オフして基板温度を目標となる所望の温度より低い温度まで上昇させ短時間その状態に保ち、その後、基板の表面温度を目標となる所望の温度まで上昇させる。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板及びこのプリント基板に実装される実装部品からなるワークを均一な熱風の対流によって、ムラなく且つ効率よく加熱することで、鉛フリーハンダに対応した実装が可能なリフロー加熱装置を提供することである。
【解決手段】 加熱空間２６を有する加熱炉１５と、外気を導入して圧縮空気を発生させる加圧ユニット５０及び加熱ユニット４０とを備えたリフロー加熱装置であって、前記加熱炉１５には、載置したワーク２０を挟んで対向する一対の側壁部４７，４８に設けられ、前記加圧ユニット５０及び加熱ユニット４０を経た圧縮空気による熱風を前記加熱空間２６内に噴出する噴出部３２，３３と、加熱空間２６内で循環させた熱風を排出する排出部３４とが設けられ、前記噴出部３２，３３から噴出される熱風による対流によって、プリント基板からなるワーク２０の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 ろう付け処理又は焼鈍処理において、熱処理時間を短縮する。
【解決手段】 真空に保持された第１加熱室２０にて高周波誘導加熱装置２１を用いて予備加熱を行った後、真空に保持された第２加熱室３０にて電気ヒータ４１の輻射熱を用いて本加熱を行う。これにより、短時間でワークＷを熱処理温度まで昇温することができるので、熱処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】被加熱物収容スペースに被加熱物を出し入れするときの不活性ガスの漏れを最小限に止め、熱処理時間の短縮と、不活性ガスの浪費を抑えることのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１を構成する加熱炉の正面に、被加熱物収容スペースの数と同数の被加熱物出入用穴を形成した複数枚のシャッター板２１〜２４を、それぞれ所定高さ上下動可能に、厚み方向に密着させて設置し、各シャッター板２１〜２４にそれぞれ形成される被加熱物出入用穴は、初期位置では被加熱物収納スペースが全閉となるように、また、各シャッター板２１〜２４のいずれか１つまたは複数が順次、所定高さ上下動したときには、被加熱物収容スペースのいずれか１つのみが順次開くように、ｎ個の均等配列に対してずらした配置で形成する。 （もっと読む）

【課題】粉末シリコンなどの粉末材料をプラズマトーチによって溶融しようとすると、粉状原料を投入した際の飛散ロスが大きいために歩留りが低くなり、また、直流アーク法においては、アーク火点での高温の影響でシリコンが蒸発してしまう。
【解決手段】上部に開口を有し内部に溶融対象を収容する有底筒状の坩堝と、電極と電極を囲むノズルからなるプラズマトーチとを具備し、前記開口は、少なくともその周縁領域が導電材料からなり、プラズマトーチの電極と前記開口の周縁領域との間に電圧を印加するとき前記電極と前記領域との間に通電状態のプラズマが生成され、非通電状態のプラズマと非通電状態のプラズマが消失した後のガスとの少なくとも一方が坩堝内に吹き込まれるようにプラズマトーチと坩堝が配置されたプラズマ溶融装置。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ系原料を１０３０℃以上の高温で熱処理した場合にも、低融点化合物の流れ落ち現象を生ずることがないＬｉ系原料熱処理用のローラハースキルンを提供する。
【解決手段】Ｌｉ系原料をローラ搬送しながらＳｉＣヒータにより加熱し、１０３０℃以上で熱処理するローラハースキルンであり、ＳｉＣヒータ８をローラ２よりも下側のみに配置する。またＳｉＣヒータ８の下部にＳｉＣ系反射板９を配置し、ローラ間の開口率を５０％以上とすることが好ましい。さらに炉室７の底部に空気供給口１０を設け、また各炉室の上部に排気孔１１を設け、焼成ゾーンを含む各炉室７の内部に、上向きの空気流を形成してＬｉ上記がローラよりも下側に流れることを防止する。 （もっと読む）

【課題】被熱処理物を複数の異なるヒートカーブにて熱処理するために適した熱処理炉を提供する。
【解決手段】熱処理炉１は、複数の熱処理室２６を有する炉本体２１と、熱処理室２６の各室を独立に温度制御可能な温度制御手段と、入口外または出口外にて片持ち支持され、搬送方向の複数の熱処理室２６を貫通し、被熱処理物２を搬送するための片持ちビーム１１と、片持ちビーム１１を搬送方向に駆動可能なビーム駆動機構とを備える。片持ちビーム１１の先端部１１ｔに被熱処理物２を保持させ、片持ちビーム１１を搬送方向に駆動することにより、入口２２から被熱処理物２を導入して複数の熱処理室２６にて熱処理し、出口２３から排出する。 （もっと読む）

【課題】良好な冷却効率が得られ、しかも冷却中の円形基板の面内温度分布均一性を維持することができる基板冷却装置を提供する。
【解決手段】コールドプレート１０は、基台１１の上面に載置台１２を形成して構成される。基台１１の内部には、供給側流路１３ｂ、排出側流路１４ｂおよびそれらを連通接続する複数の連絡流路１５からなる中空部が形成されている。当該中空部には冷媒の飽和液のみが充盈されるため、沸騰熱伝達を十分に利用した良好な冷却効率が得られる。また、載置台１２に載置される円形基板の中央部に対応する領域において互いに隣接する連絡流路１５の間隔を、当該円形基板の周辺部に対応する領域において互いに隣接する連絡流路１５の間隔よりも密としているため、熱負荷の大きな円形基板の中央部をも十分に冷却することができ、冷却中の円形基板の面内温度分布均一性を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】リフロー炉に排気ガスの浄化冷却装置を付設することによって、屋内であっても作業環境に影響を与えない機構とし、さらに浄化冷却後のクリーン排気を炉内に循環させることによって、安定した半田付け処理と装置の効率的な稼働を実現したリフロー炉を提供する。
【解決手段】半田ペーストを塗布した基板を搬送する搬送手段、搬送手段によって通過する基板に熱を付加する加熱炉３、加熱炉３に生じる熱ガスを吸入する吸入口１８、吸入された熱ガスを浄化冷却する冷却装置５を備えたリフロー炉１であって、基板の搬送ラインの加熱炉３の下流側に冷却ゾーン９を配置し、冷却装置５によって冷却されたクリーン１１排気を冷却ゾーン８へ循環させる構成とした。 （もっと読む）

【課題】加熱処理によって排出される熱風に含まれる有機物を高い効率にて分解することができる基板熱処理炉を提供する。
【解決手段】炉体本体部１０の内部に熱風を吹き出すことによりガラス基板Ｗの加熱処理が進行する。炉体本体部１０から排出された熱風は循環経路２０を経由して再び炉体本体部１０に帰還する。その経路途中において、熱風の一部は排気ライン２３に排出される。排気ライン２３には、メタルフィルタに触媒を担持して構成される触媒フィルタ部７１が設けられている。これにより、排気される熱風と触媒との接触効率が高くなり、有機物の分解効率を高めることができる。また、パーティクル状の有機物をも捕集することが可能となり、トータルとしての有機物の分解効率を高いものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】「棚吊り現象」を抑制しながら溶融対象物を急速に溶融できる高周波誘導炉およびそれを用いた溶融物製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融対象物４を収容する収容凹部を有する円筒状の坩堝１と、該坩堝１の周囲に配置された高周波コイル２と、前記高周波コイル２からの高周波により誘導加熱を起こして坩堝１内の前記溶融対象物４を溶融する被加熱体３Ａとを備え、前記被加熱体３Ａは、坩堝１の前記収容凹部内または坩堝１を構成する周囲壁内において、溶融対象物４の溶融開始位置を規定する形状に形成されている、または前記溶融開始位置を規定する位置に設けられていることを特徴とする高周波誘導炉。 （もっと読む）

【課題】熱損失が少なく、しかも安定した焼成温度が得られる循環式の基板焼成炉を提供する。
【解決手段】炉体本体部１０の内部に熱風を吹き出すことによりガラス基板Ｗの焼成処理が進行する。炉体本体部１０から排出された熱排気は循環経路２０を経由して合体モジュール５０に送給される。合体モジュール５０は、同一のハウジング５１内にヒータ５２、触媒フィルタ部５３およびフィルタ部５４をこの順番で連続に配置して構成されている。ヒータ５２によって再加熱された熱風は直ちに触媒フィルタ部５３に流入するため、触媒フィルタ部５３の分解効率を最大限高めることができる。触媒用の無駄なヒータが不要となって熱損失の低減が可能なだけでなく、１つのヒータ５２を温調するだけで所定温度の熱風を得ることができ、炉体本体部１０内の焼成温度を安定させることができる。 （もっと読む）