【課題】連続焼成炉において、焼成により発生し、収容容器（１４）の内側に淀んで対流する反応生成ガスを、速やかに効率よく回収する。
【解決手段】収容容器（１４）の上方において、収容容器（１４）の搬送方向に対して略直角に伸長し、その中心軸の回りに回転可能に配置され、かつ、炉外と連通する、管状の回収元管（２２）と、回収元管（２２）から下方に向けて突出し、回収元管（２２）に連通して固定され、かつ、その先端が開口する管状の回収細管（２３）とからなるガス回収手段を備え、該ガス回収手段が、回収細管（２３）の先端が、収容容器（１４）の内側において、被焼成物（１３）の直上位置において開口するように配置されている、 （もっと読む）

【課題】ガラスハーメチックを行うハーメチックシール用連続式熱処理炉のマッフル内に水分が侵入することを阻止するようにしたハーメチックシール用連続式熱処理炉を提供する。
【解決手段】一体形状のマッフル２を外部から加熱する加熱部３と冷却する冷却部４及びマッフル２内を通って加熱部３から冷却部４へと所定速度で移動して被焼成体１０を搬送する搬送手段５を有し、被焼成体１０のガラスハーメチックシールを行うハーメチックシール用連続式熱処理炉１において、マッフル２の少なくとも入口側２ａにマッフル２内への水分の侵入を阻止する手段７を設けた。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を熱処理する熱処理装置を改良するものであり、メンテナンスを容易に行うことができる熱処理装置を開発する。
【解決手段】熱処理室１２の略中央部には、基板換装システム１８が配されて、基板換装システム１８に載置棚１６が設けられている。載置棚１６の全部の段部２３には、中央部分の小梁３１が欠落した欠落部３７を有し、当該欠落部３７によって吹き抜け部３８が設けられている。吹き抜け部３８に作業者が入ることができる。 （もっと読む）

【目的】処理品を１０００℃以上の高温に急速加熱し且つ均一に焼成するためのバッチ式焼成炉の焼成方法およびそのためのバッチ式焼成炉を提供する。
【構成】炉内に、棒状またはパイプ状のヒーターを並設してなる棚構造を上下方向に複数段配置し、該棚構造上に処理品の積載板を載置して処理品を加熱するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板等の被加熱物を熱風によって熱処理する熱処理装置を改良するものであり、開閉扉の開閉に伴う加熱室内の温度変動を抑制することができる熱処理装置の開発を課題とする。
【解決手段】熱処理室には排気ダクト３０が設けられており、当該排気ダクト３０の中途に送風機８が設けられており、基板を加熱する際に生じるガスを外部に排気するために、送風機８が常時運転されており、熱処理装置１内部の圧力が負圧傾向となるが、通気装置６１を設けることで熱処理装置１の内外における圧力差が殆どない状態にすることができる。即ち熱処理装置１では、内部の圧力を検知する圧力センサーを有し、当該圧力センサーの信号をアクチュエータ７３にフィードバックし、シート６６を上方向に移動させて通気装置６１の有効開度を調節し通気量を調整する。 （もっと読む）

【課題】ソルダボールの誘導加熱に使用可能なコイルとこれを備えた加熱部材及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップをパッケージする装置が提供され、パッケージ装置は、誘導加熱によって半導体チップのソルダボールをリフローするコイルを有する。本発明のコイル１０３０１は、第１本体１０３２０と、これと並べて提供される第２本体１０３４０と、第１本体１０３２０から第２本体１０３４０まで延長された第３本体１０３６０と、を有する。第１本体１０３２０と第２本体１０３４０とは、これらの間を横切る垂直平面に対して対称になるように提供される。第１本体１０３２０と第２本体１０３４０は、各々互いに向かい合う面が下方向へ行くほど互いに遠ざかるように提供される傾斜面を有する。 （もっと読む）

【課題】ヒーターの絶縁支持構造の信頼性を向上させることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係る熱処理装置１は、発熱体（ヒーター板Ｈ４）を支持する支持機構Ｓ４において、発熱体を支持する支持部材４０２が金属材料で構成されている。このため、発熱体が炭素系材料のような材料で構成されている場合でも、発熱体と第２の部材との間の熱反応による当該第２の部材の変質あるいは融解を防止できる。また、支持部材４０２は電気絶縁性の絶縁部材４０３を介して金属製の支持軸４０１に支持されているため、発熱体の絶縁耐圧を安定に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】発熱体の給電端子との接続部における熱ロスを低減することができるヒーターユニット及び熱処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るヒーターユニットＨＵａは、発熱体Ｈａと、給電端子２０と、中間体４０とを具備する。給電端子２０は、金属材料でなり、発熱体Ｈａへ電力を供給する。中間体４０は、炭素系材料でなり、発熱体Ｈａと給電端子２０との間に接続されている。中間体４０は、発熱体Ｈａと給電端子２０との間を断熱する機能を有する。このため、給電端子２０が冷却操作されているような場合においても、発熱体Ｈａの熱ロスを抑制することが可能となる。したがって、上記ヒーターユニットＨＵａによれば、発熱体Ｈａの給電端子２０との接続部における温度低下を防止して、均熱性の向上を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】最終段の冷却ゾーンの内壁に付着するフラックス量を大幅に低減させ、回路基板へのフラックス滴下等による不具合発生を抑制するとともに、メンテナンス性の極めて高いリフロー装置を提供する。
【解決手段】冷却ゾーンＺ（６）及びその１つ手前のゾーンＺ（５）において、ガス吹出口２ａの左右（基板搬送方向と直交する方向に隣接する領域）にガス吸込口２ｂを設け、ガスの循環速度を、冷却ゾーンＺ（６）よりも、その１つ手前のゾーンＺ（５）の方が速くなるように構成し、冷却ゾーンＺ（６）において、基板Ｐの無い状態で上下からのガスが、基板通過領域ＡＲよりも下方でぶつかるように構成した。 （もっと読む）

【課題】 シャッタの開閉時に炉体の内部に進入した外気がワークに届くことを簡易な構成にて防止することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理装置１０は、循環ファン３２、ヒータ３４、シャッタ１４、流路形成部材２０、および案内板３８を備える。シャッタ１４は、複数のシャッタ片１４１〜１４６から構成されており、炉体に設けられた炉口の一部を占める領域を選択的に開閉する。流路形成部材２０は、シャッタ片１４２〜１４５にそれぞれ取り付けられる。流路形成部材２０は、シャッタ片１４２〜１４５の炉体内部に対向する裏面に沿って水平方向に流れ、かつ、上方に開放した循環空気の経路を形成するように構成される。案内板３８は、循環ファン３２で発生した循環空気を流路形成部材２０の一端部に案内する。 （もっと読む）

【課題】イオン活性化および格子修復の目的のための半導体ウェハのアニーリングに加えて、他の用途も、半導体ウェハなど加工物を熱処理するための改善方法を提供する。
【解決手段】加工物を中間温度まで予熱すること、加工物の表面を中間温度よりも高い所望の温度まで加熱すること、および加工物の冷却を促進することを含む。冷却の促進は、加工物によって熱放出された放射を吸収することを含むことができる。半導体加熱方法および装置も開示される。装置３０は、半導体ウェハの第１の表面４２を加熱するための第１の熱源４０と、半導体ウェハの第２の表面４６を加熱するための第２の熱源４４と、第１の熱源４０と半導体ウェハ３４との間に配置された第１の冷却窓６５とを含む。 （もっと読む）

【課題】 遮熱特性を低下させることなく大型化することが可能な扉を備えた熱処理装置を提供する。
【解決手段】ＩＲ炉１０は、炉体１２、扉２０、および駆動ユニット２８を備える。扉２０は、シャッタ２６およびメインフレーム２２を備える。シャッタ２６は、炉体１２の内部および外部を熱的に遮断する。また、シャッタ２６は、扉２０の長さ方向に沿って連続して配置された複数のシャッタ片２６２を有する。メインフレーム２２は、複数のシャッタ片２６２の少なくとも一部が長さ方向で移動自在になるようにシャッタ２６を支持するように構成される。また、メインフレーム２２は、駆動ユニット２８に接続されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、炉内のクリーン度を保ちつつ、減圧下における炉内の配線部分からの漏れ電流の発生を防止することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】減圧乾燥装置１０は、パネルヒータ１８および炉体１２を少なくとも備え、パネルヒータ１８は、発熱線および電源供給線が絶縁された状態で金属管に充填されたシース部を含む単一または複数の細管シースヒータ３０を有し、炉体１２は、パネルヒータ１８を内部に収容するように構成され、シースヒータ３０におけるシース部が挿通可能なゲージポートを有する。 （もっと読む）

【課題】昇温および降温時におけるヒータの膨張および収縮による影響を適切に抑えつつ、ワークの大型化に対応することが可能なヒータユニットおよび熱処理装置を提供する。
【解決手段】ヒータユニット２０は、ヒータ２１、ヒータラック１８、およびサポートプレート１９を備える。ヒータ２１は、ワーク１４よりも小さなサイズの複数のヒータ片２１０〜２１９を有する。ヒータラック１８およびサポートプレート１９には、複数のヒータ片２１０〜２１９が載置される。ヒータラック１８およびサポートプレート１９に載置されるヒータ片２１０〜２１９の少なくとも一部は、ヒータラック１８に対して滑動可能に配置される。 （もっと読む）

【課題】外側部材の材質にかかわらず外部への熱の放散を抑制しながら、赤外線による加熱下で真空状態を形成することが可能な真空炉及び、この真空炉を用いた磁場中加熱処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、赤外線を透過する素材で形成される内管１４と、内管１４との間に外側空間Ｓ２を形成する外管１６と、外側空間Ｓ２内に配置され、加熱対象物Ｗに対して内管１４を通じて赤外線を照射する加熱手段１８と、加熱可能な位置に加熱対象物Ｗを保持する保持手段２０と、外側空間Ｓ２内で加熱手段１８と外管１６との間を遮るように配置され、加熱手段１８からの赤外線を反射する複数枚の輻射シールド板２２とを備え、各輻射シールド板２２は、外管１６の内面と直交する方向に並び、隣り合う輻射シールド板２２同士がその並び方向に互いに間隔を置くように、それぞれ配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱処理された板状体をスムーズに冷却可能な板状体冷却装置、並びに、当該板状体冷却装置を備えた熱処理システムの提供を課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明の板状体冷却装置１０は、冷却対象である基板Ｗが配置される板状体配置部１５と、板状体配置部１５に配置される基板Ｗを側方から挟むように配され、空気の吹出方向が互いに対向する一対の吹出口３０、３０と、吹出口３０、３０に対して送風する送風機１７と、送風機１７を制御する制御部と、を備え、一対の吹出口３０、３０から吹き出される空気によって板状体配置部１５に配された基板Ｗが冷却されることを特徴とした。 （もっと読む）

【課題】加熱乾燥処理工程以後、低露点雰囲気中に保持することが必要となる被熱処理物の加熱乾燥処理に好適な連続雰囲気炉であって、工程数を増やすことなく乾燥処理後のプラズマ処理も可能とし、さらに、炉内のクリーン度を保つ機能も備えた連続雰囲気炉の提供。
【解決手段】搬送機構９により被熱処理物を搬送しながら加熱乾燥処理を行う連続雰囲気炉１であって、乾燥炉２の前後に前室３及び後室４を設け、後室４には、乾燥炉２での乾燥処理後に後室に搬送された被熱処理物の表面を洗浄するプラズマ洗浄装置６と、乾燥炉２での乾燥処理後に後室に搬送された被熱処理物の吸湿を防止する露点管理手段５とを備え、前室３下部には、前記露点管理手段から供給される低露点の気体を連続雰囲気炉１外に排出する排出口１０を備え、前記露点管理手段５から供給された低露点の気体を、後室４から乾燥炉２を経て前室下部の排出口１０へ導く気体流路を有する。 （もっと読む）

【課題】搬送ローラを支持するための支持軸を回転可能に支持する軸受の耐久性を高めることができる加熱炉用搬送ローラ支持装置を提供する。
【解決手段】搬送ローラ支持装置６において、搬送ローラ１６の端部を支持する支持軸２０を回転可能に支持する軸受装置６６の第１支持板６８には、第１支持板６８の長手方向に形成された一対の入力側通路１０４および出力側通路１０６と、第１ボールベアリング７６の間において入力側通路１０４および出力側通路１０６の間を相対的に小さな流通断面で連絡する複数本の連絡通路１０８とを有する冷却通路１１０が形成されていることから、第１支持板６８が直接冷却されるので、軸受装置６６の複数の第１ボールベアリング７６に対する高温気体からの加熱が緩和されるので、その軸受装置６６の耐久性が高められる。したがって、軸受装置６６の固着が防止されるとともに、その軸受装置６６に対する保守や点検作業が軽減される。 （もっと読む）

【課題】ワークに対する熱影響の発生を防止しつつ、連続焼成炉の設置面積を効果的に縮小させることを可能にする連続焼成炉の移載装置を提供する。
【解決手段】リフターユニット２０は、ワーク５０を第１の炉体１２および第２の炉体１４を順次移動させつつ、加熱、徐冷および冷却の一連の熱処理を行う連続焼成炉１０に設けられる。リフターユニット２０は、筐体２１、ヒータ２４、および断熱部材２６、２８を備える。筐体２１は、第１の炉体１２から排出されるワーク５０を受け入れ可能な第１の位置、および第２の炉体１４に対してワーク５０を導入可能な第２の位置の間で往復移動可能に支持されるように構成される。ヒータ２４は、筐体２１の内部に導入されたワーク５０の上面の端部に対向するように配置される。断熱部材２６、２８は、筐体２１におけるワーク５０の下方およびヒータ２４の上方にそれぞれ配置される。 （もっと読む）

【課題】バッチ式熱処理装置において、複数枚の基板を面内の温度が均一になるように同時に熱処理する。
【解決手段】本発明に係るバッチ式熱処理装置は、複数枚の基板１０に対して熱処理空間を提供するチャンバ１００と、複数枚の基板１０を搭載支持するボート１０８と、基板１０の積載方向に一定間隔で配置されかつ各々が複数の主ヒータ２００で構成されるような複数の主ヒータユニット１２０とを含み、基板１０が、複数の主ヒータユニット１２０の間に配置されるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）