【課題】機械的シャッター等によらずに、被加熱物を加熱する加熱本体部からの放熱を防ぐ加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置１は、被加熱物を加熱する加熱本体部１０と、その加熱本体部へ、又はその加熱本体部から被加熱物を搬送する搬送路５と、その搬送路に、加熱本体部内の熱を帯びた気体を外に漏れにくくする外気流入阻止部１４とを備える。外気流入阻止部は、加熱本体部に対して上部が遠ざかる方向に傾斜して形成されている。そして、外気流入阻止部は、内部に空洞が形成され、その内部に、加熱本体部に対して上部が遠ざかる方向に傾いた隔壁部を有し、搬送路５に対して開口されて複数に区画された区画部が形成されている。搬送路からの気体が区画部内に導かれる。 （もっと読む）

【課題】処理室内の温度を容易に制御することができるイナートガスオーブンを提供すること
【解決手段】配設孔２５ａを囲むように緩衝材３１を断熱壁２５に密着させ、緩衝材３１の開口を閉塞するように取付ベース３２との間を隙間なく密着させて、取付ベース３２の中央に配設孔２５ａと略同軸上にベース孔３２ａが形成した。また、取付ベース３２に取付部材３５によってモータ３６を配設し、モータ３６によって回転するシャフト３７を取付ベース３２に配設した磁性流体軸受３３で支持して断熱壁２５に形成された配設孔２５ａに遊挿し、シャフト３７の端部に送風ファン３８を取着した。 （もっと読む）

【課題】処理材を効率よく加熱する。
【解決手段】制御部６が有する電力関数生成部１１が、負荷２の発熱スペクトルと処理材の熱吸収スペクトルとが一致するように、ＰＡＭ変換器４が有するパワートランジスタＧ１１、Ｇ１２を制御するための電力波形を生成する。電力関数生成部１１からの出力電力がパルス変換器１３によりパルス変換された後に、ＰＡＭ変換器４のパワートランジスタＧ１１、Ｇ１２をＯＮ、ＯＦＦ制御するパルスに変換する。 （もっと読む）

【課題】被処理物を効率良く且つ均一に焼成することができ、大容量の加熱手段を装備するまでもなく、炉本体内の温度を殆ど低下させないで被処理物を炉本体内へ装入することができる焼成炉を提供する。
【解決手段】炉本体１１と該炉本体に開閉可能に被着した炉扉１２とを備え、該炉本体内へ装入した被処理物を過熱水蒸気を用いて焼成するようにした焼成炉において、炉本体に形成した副出入口３１と、該副出入口を囲んで該炉本体の外部に取付けたケース本体４１と、該ケース本体に開閉可能に被着したケース扉４２と、該ケース本体内に進退可能に収容した載置台５１と、該載置台の先端部及び後端部に取付け且つ該載置台の前進完了時又は後退完了時に該副出入口回りの該炉本体内縁部と当接して該副出入口を閉鎖する当接板５２，５３と、該載置台を該ケース本体内と該炉本体内との間で進退させる進退手段６１とを装備した。 （もっと読む）

【課題】比較的面積の大きな試料を均一に加熱できる高温加熱炉を提供する。
【解決手段】試料台１４に載置された平板状の試料を最適処理温度まで加熱する本加熱室２を有した高温加熱炉１であって、赤外線を放射して前記試料を加熱するＷメッシュヒータ１０と、前記Ｗメッシュヒータ１０から放射される赤外線を前記試料台１４に向けて反射する反射体１１とを前記本加熱室２に設け、前記反射体１１の反射面１１Ｓを前記試料台１４の位置に焦点Ｓ２を有する楕円面に形成すると共に、前記Ｗメッシュヒータ１０を円筒状に形成して面光源とした。 （もっと読む）

【課題】 ガスカーテンを通過して被搬送体を搬送しても、ガスカーテンを超えたガスの移動が発生しない搬送装置および被搬送体を提供することを目的とする。
【解決手段】 ガスカーテンを通過して被搬送体１４を搬送する搬送装置１１である。ガスカーテンは、被搬送体１４の搬送方向１６に対して垂直にガスを噴射して形成される。被搬送体１４は、搬送状態のときに、ガスの噴射方向１９と搬送方向１６とに垂直な方向の形状が、噴射方向１９の上流側に向かって、連続的に徐々に薄くなるように、上流側の側面２１が一方向に傾斜している。さらに、噴射方向１９の下流側に向かって、連続的に徐々に薄くなるように、下流側の側面２２が一方向に傾斜している。
そうすることによって、搬送装置１１は、被搬送体１４がガスカーテンを通過して被搬送体１４を搬送しても、ガスの乱れが発生しにくいので、ガスカーテンによる閉塞効果が高く、ガスカーテンを超えてガスが移動しない。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスを容易にして稼働率の向上が図られる金属の精製装置と、それを用いた金属の精製方法とを提供する。
【解決手段】金属の精製装置は、溶解炉１と溶融金属被析出体９３を備えて構成され、溶融金属被析出体９３は、中空回転軸部９０、中空回転冷却体部９１および接続部材９２により構成される。中空回転軸部９０は、天井壁１ａに設けられた貫通孔６に挿通されている。その貫通孔６と中空回転軸３の外周面との間にはパッキング９が配設されている。中空回転軸部９０は、その外径が少なくとも貫通孔６に中空回転軸部９０が挿通されている部分からアダプター３０に接続される下端部にわたってパッキング９の内径を超えないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】開閉扉の密閉性が保たれない場合でも、ガラス基板にパーティクルが付着するのを防止することができるガラス基板用熱処理装置を提供する。
【解決手段】炉体内部に、ヒータを備える加熱室３を設け、この加熱室の基板収納口４に開閉蓋５を配設したガラス基板用熱処理装置において、前記基板収納口の下方には、排気管７が炉体の左右方向に向けて配設されており、この排気管の上面には、吸気用の吸引孔１１穿設しており、この吸引孔を介して加熱室内部の気体や夾雑物を吸引できるようにしている。 （もっと読む）

【課題】 パイロメーターを備えたランプアニール装置において、パイロメーターに処理対象物を透過した光が入射する場合であっても、精度よく温度検出を行え、もって処理対象物の温度制御を精度よく行えるようにする。
【解決手段】 加熱処理を行うに先立ち、処理対象物１１の透過率を求める。処理対象物１１が存在しない状態で上部ランプ１２からの光が入射したときのパイロメーター１４の出力を基準として、処理対象物１１を透過した光が入射したときのパイロメーターの出力の比を求め、透過率とする。求めた透過率を記憶部１７に記憶させ、加熱処理を行う際、パイロメーター１４の出力を透過率に基づいて補正する。これにより、高精度の温度検出及び温度制御が可能になる。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置全体の消費電力を低減させることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理部２１内の空気を循環させながら加熱することにより熱処理部２１に収容された被処理物Ｗを熱処理する熱処理手段３と、外気を加熱して熱処理部２１内に送り込むとともに熱処理部２１内の空気を排気することにより熱処理部２１内を換気する換気手段４とを備えた熱処理装置１Ａに対し、熱処理手段３が被処理物Ｗを熱処理しないときには、熱処理手段３が被処理物Ｗを熱処理するときよりも換気手段４が換気する換気量を低減させる換気量調整手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】消費電力の無駄を少なくして効率のよいマイクロ波焼成を短時間で行うことのできること。
【解決手段】マイクロ波発生源１で発生された進行波を伝播すると共に、収容する加熱対象物Ｗを加熱焼成する焼成導波管５０は、その焼成導波管５０の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを取り込み、加熱対象物Ｗを電磁界強度の強い位置に進行波の進行方向に移動させながら、加熱対象物Ｗの加熱焼成温度を上昇させるものである。したがって、焼成導波管５０内で焼成を行う場合、突然、高エネルギで加熱対象物Ｗの加熱を開始することがない。焼成導波管５０内の反射波の発生が殆どないから、マイクロ波発生源１を構成するマイクロ波発振器を反射波で傷めることがなく、加熱対象物Ｗのみにエネルギを供給することができ、効率がよい。 （もっと読む）

【課題】消費電力の無駄を少なくして効率のよいマイクロ波加熱を行うことができ、短時間で焼成でき、かつ、焼成後の処理が自在である連続焼成装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発生源１で発生されたマイクロ波の進行波を複数の導波管を接続してなる導波管列５０の長さ方向に伝播させ、導波管列内に連続搬入された加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら加熱焼成する連続焼成装置において、導波管列の昇温導入部５２及び高温保持部５３からなる加熱焼成部の内壁面に断熱材を配設し、導波管列に形成された搬入口から搬出口まで搬送ガイドが加熱対象物を載置した搬送体を案内し、加熱対象物を進行波の進行方向に移動させながら電磁界強度の強い位置に移動させて加熱焼成温度を上昇させるものである。 （もっと読む）

【課題】昇華物が導出ダクト内で堆積することを抑制することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１Ａは、熱処理部２１内に被処理物Ｗが収容された状態で、熱処理部２１内の空気を循環させながら加熱することにより被処理物Ｗを熱処理するとともに、外気を加熱して熱処理部２１内に送り込みつつ熱処理部２１内の空気を導出ダクト５内に流出させることにより熱処理部２１内を換気するものである。前記導出ダクト５には、被処理物Ｗを熱処理する際に当該被処理物から発生する昇華物を分解可能な触媒６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】加熱コストを低減することにより、リフロー半田付け装置の消費エネルギーの低減を図り、ランニングコストを低減するとともに、リフロー半田付け装置の立上げ時間を短くすることで、未使用時のリフロー半田付け装置の電源投入をなくし、エネルギーの浪費を少なくすることができ、リフロー半田付けの品質向上を図るリフロー半田付け装置を提供する事を目的とするものである。
【解決手段】クリーム半田を介して電子部品を装着した配線基板４を搬送する搬送部１と、前記配線基板を加熱する加熱部２と、前記加熱部２に不活性ガス１９を供給する不活性ガス供給部３とからなるリフロー半田付け装置において、加熱部２にガス燃焼方式を用いたチューブヒータ５を用いる構成とする。 （もっと読む）

【課題】１０００℃を超える高温の還元性ガス雰囲気中においても、優れた還元性ガス反応抑制効果を発揮し、製品寿命を大きく延ばすことができる還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法を得る。
【解決手段】本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料は、Ｔａ微粒子を、Ｃを含む反応性ガス粒子と共に黒鉛基材表面に付着させることで、前記表面にＴａＣ微粒子を積層してなる結晶組織のＴａＣ被膜が形成され、かつ該被膜の組成比（Ｔａ／Ｃ）が０．８〜１．２となる。また、本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料の製造方法は、アークイオンプレーティング式反応性蒸着法により、金属Ｔａの微粒子を、Ｃを含む反応ガスの粒子と共に黒鉛基材表面に付着させ、前記表面にＴａＣ微粒子を積層してなる前記被膜を形成すると共に、黒鉛基材表面にＴａＣ被膜をその組成比（Ｔａ／Ｃ）が０．８〜１．２となるように形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマディスプレイパネル等の加熱処理を行う際に、被加熱物の乾燥ムラを防止できる加熱処理方法および加熱処理装置を提供する。
【解決手段】加熱処理装置１には搬入口６から搬入される被加熱物２を加熱室を貫通して搬出口７まで搬送する搬送ローラ９と上下から加熱する複数のヒータ１０を備える。複数の加熱室Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ下部に給気口１３を、上部に排気口１４を備える。加熱室毎に温風を給排気し、各加熱室の温風の給気量と排気量の比を、被加熱物の温度が上昇する方向に向かって気流が生成されるように設定する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等を熱処理する際に、排気量を増やしたり、排出機構を大きくすることなく、被加熱物から発生する燃焼ガスを効果的に除去できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】トンネル状の加熱空間２ａ、３ａ、４ａを有しその両端に被加熱物８の搬入口６と搬出口７を設けた加熱炉１と、搬入口から加熱空間に搬入される被加熱物を搬出口まで搬送する搬送部９と、搬送される被加熱物を加熱する加熱部１０と、被加熱物の搬送方向に流れる気流を加熱空間に形成する気流生成部としての給気管１２、１３、１４と排気管１５、１６、１７を備え、加熱空間は、被加熱物の搬送方向に直交する方向の断面積が被加熱物の搬送方向に沿って変化する熱処理装置。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理チャンバを加熱するための装置及び方法に関する。本発明の一実施形態は、半導体処理チャンバを加熱するための炉を提供する。この炉は、独立して制御される少なくとも２つのゾーンに接続された複数の加熱素子を備え、上記半導体処理チャンバの側壁部を取り囲むヒータと、上記ヒータを取り囲むシェルと、を備える。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率が高く、しかも長期間安定して稼働させることができる基板焼成炉の給排気システムを提供する。
【解決手段】炉体１０の排気口１４から排出された熱排気はファン２１によって循環経路２０に熱風の気流として送り出され、その気流がヒータ２２によって加熱された後に耐熱ＨＥＰＡフィルタ１３によって浄化されて吹き出し口１２から炉体１０の内部空間に再供給される。この循環過程において、ヒータ２２によって加熱された熱風の一部は排気管３０に流れ込んで触媒ユニット３１を通過する。再加熱直後の高温の排気気体が触媒ユニット３１を通過するため、排気気体中に含まれる有機物のほとんどが分解された後、排気気体は熱交換器５０に流入する。熱交換器５０にて排気気体と熱交換されて昇温した給気気体は循環経路２０に供給される。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板等の基板を熱処理用プレートの表面に密接させた状態で熱処理を施す際に、ガラス基板に接触傷が付くという不具合或いはガラス基板が割れ破壊するという不具合を効果的に回避する。
【解決手段】 基板Ｇを熱処理エリア２Ａに搬入し且つその基板Ｇに対して熱処理を施すと共に、熱処理が施された基板Ｇを熱処理エリア２Ａから搬出するように構成し、更に熱処理エリア２Ａに、表面３Ｓに基板Ｇを実質的に密接させた状態で基板Ｇに対して熱処理を施す基板熱処理用プレート３を配設すると共に、その熱処理用プレート３の表面３Ｓに、フッ素樹脂（好ましくは帯電防止性を有する）を被覆材料とするコーティング層を形成する。 （もっと読む）