【課題】焼成炉でセラミック焼成を行う際、バインダー由来の有機性分解物が炉内ガスの露点測定手段に付着することのなく、かつ、高精度の露点の制御が可能な露点制御方法を提供する。
【解決手段】脱バイ工程では、焼成炉１内へ供給される炉内供給ガスをサンプリングして制御用露点計３による露点測定を行い、設定露点との誤差をフィードバック調整する露点制御を行い、焼結工程では、炉内ガスをサンプリングして制御用露点計３による露点測定を行い、設定露点との誤差をフィードバック調整する露点制御を行う。 （もっと読む）

【課題】単位枚数あたりのワークを処理するのに要する熱処理空間を拡張させることなく、また、炉体内部のクリーン度を維持しつつ、簡易な構成によって大型の平板状ワークを均一に加熱することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置は、炉体１２、循環ファン２２、加熱ヒータ２０、耐熱フィルタ１４、および熱風整流板１６を備える。熱風整流板１６は、耐熱フィルタ１４とワーク１８との間に配置される。熱風整流板１６は、ワーク１８の上面においては、第１の側面側からワークに供給される熱風の風量を、第２の側面側からワークに供給される熱風の風量よりも多くする一方で、同じワーク１８の下面においては、第２の側面側からワーク１８に供給される熱風の風量を、第１の側面側からワーク１８に供給される熱風の風量よりも多くするようにする。 （もっと読む）

【課題】溶融金属中の含有ガスの脱ガスと蒸気圧の高い金属成分の除去により製品不良を少なくするとともに、真空精錬装置内の処理ガスを再利用してコスト低減を図ることを課題とする。
【解決手段】溶融金属を収納する真空精錬装置１と、該真空精錬装置に接続され，真空精錬装置内を１気圧以下に保持しえる高真空ポンプ１０と、真空精錬装置内で溶融金属を攪拌する攪拌手段と、真空精錬装置内で生じる処理ガスを精製する精製器１１、精製器に接続するコンプレッサ付き粗引きポンプ１２と、真空精錬装置内にフラックス及び不活性ガスを導入するガス導入回転手段６を具備し、真空精錬装置１、高真空ポンプ１０、精製器１１及びコンプレッサ付き粗引きポンプ１２がループ状になるように順次接続されている。 （もっと読む）

【課題】一時的に基板が供給されない場合において、その間の消費電力量やガス消費量を大幅に低減させることが可能であるとともに、稼働状態に迅速に復帰できるリフロー装置を提供する。
【解決手段】休止モードにおいて、加熱ガス循環機構２によるガス循環速度を低下させるとともに冷却ガス循環機構３の動作を停止させる一方、前記搬送機構１１の動作を停止させ、かつ、前記基板搬出口及び基板搬入口にそれぞれ設置されたシャッタ５を閉塞する。 （もっと読む）

【課題】連続焼成炉において、焼成により発生し、収容容器（１４）の内側に淀んで対流する反応生成ガスを、速やかに効率よく回収する。
【解決手段】収容容器（１４）の上方において、収容容器（１４）の搬送方向に対して略直角に伸長し、その中心軸の回りに回転可能に配置され、かつ、炉外と連通する、管状の回収元管（２２）と、回収元管（２２）から下方に向けて突出し、回収元管（２２）に連通して固定され、かつ、その先端が開口する管状の回収細管（２３）とからなるガス回収手段を備え、該ガス回収手段が、回収細管（２３）の先端が、収容容器（１４）の内側において、被焼成物（１３）の直上位置において開口するように配置されている、 （もっと読む）

【課題】 シャッタの開閉時に炉体の内部に進入した外気がワークに届くことを簡易な構成にて防止することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理装置１０は、循環ファン３２、ヒータ３４、シャッタ１４、流路形成部材２０、および案内板３８を備える。シャッタ１４は、複数のシャッタ片１４１〜１４６から構成されており、炉体に設けられた炉口の一部を占める領域を選択的に開閉する。流路形成部材２０は、シャッタ片１４２〜１４５にそれぞれ取り付けられる。流路形成部材２０は、シャッタ片１４２〜１４５の炉体内部に対向する裏面に沿って水平方向に流れ、かつ、上方に開放した循環空気の経路を形成するように構成される。案内板３８は、循環ファン３２で発生した循環空気を流路形成部材２０の一端部に案内する。 （もっと読む）

【課題】最終段の冷却ゾーンの内壁に付着するフラックス量を大幅に低減させ、回路基板へのフラックス滴下等による不具合発生を抑制するとともに、メンテナンス性の極めて高いリフロー装置を提供する。
【解決手段】冷却ゾーンＺ（６）及びその１つ手前のゾーンＺ（５）において、ガス吹出口２ａの左右（基板搬送方向と直交する方向に隣接する領域）にガス吸込口２ｂを設け、ガスの循環速度を、冷却ゾーンＺ（６）よりも、その１つ手前のゾーンＺ（５）の方が速くなるように構成し、冷却ゾーンＺ（６）において、基板Ｐの無い状態で上下からのガスが、基板通過領域ＡＲよりも下方でぶつかるように構成した。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の加熱処理を省エネルギーで行うことが可能な加熱炉を提供することを目的とする。
【解決手段】被加熱体を加熱処理する加熱炉であって、炉壁によって囲まれる炉体と、前記炉体を囲む外壁と、前記炉体と前記外壁とに囲まれ、空気を保持する炉体抱囲空間と、前記炉体抱囲空間から空気を吸い込む空気吸込部と、前記空気吸込部によって吸い込まれた空気を加熱し、前記炉体の中の前記被加熱体に吹き掛けることによって、該被加熱体を加熱処理する加熱処理部と、前記加熱処理部によって前記被加熱体に吹き掛けた加熱処理済空気を、該加熱炉の外部へ排出する空気排出部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】加熱乾燥処理工程以後、低露点雰囲気中に保持することが必要となる被熱処理物の加熱乾燥処理に好適な連続雰囲気炉であって、工程数を増やすことなく乾燥処理後のプラズマ処理も可能とし、さらに、炉内のクリーン度を保つ機能も備えた連続雰囲気炉の提供。
【解決手段】搬送機構９により被熱処理物を搬送しながら加熱乾燥処理を行う連続雰囲気炉１であって、乾燥炉２の前後に前室３及び後室４を設け、後室４には、乾燥炉２での乾燥処理後に後室に搬送された被熱処理物の表面を洗浄するプラズマ洗浄装置６と、乾燥炉２での乾燥処理後に後室に搬送された被熱処理物の吸湿を防止する露点管理手段５とを備え、前室３下部には、前記露点管理手段から供給される低露点の気体を連続雰囲気炉１外に排出する排出口１０を備え、前記露点管理手段５から供給された低露点の気体を、後室４から乾燥炉２を経て前室下部の排出口１０へ導く気体流路を有する。 （もっと読む）

【課題】フラックスの炉内蓄積や基板付着を防止すると同時に、各加熱ゾーンの温度独立性をも向上させることができるダクトレスタイプのリフロー装置を提供する。
【解決手段】各加熱ゾーンＺの実測温度を、各加熱ゾーンＺに対してそれぞれ設定された設定温度範囲に近づけるべく、各加熱器２１の出力をそれぞれ制御するとともに、前記実測温度が設定温度範囲より高い加熱ゾーンについて、その加熱ゾーンＺでの実測温度が時間とともに上昇している場合は、当該加熱ゾーンＺでの調節バルブ４４を開方向に駆動する一方、前記実測温度が時間とともに下降している場合は当該加熱ゾーンＺでの調節バルブ４４を閉方向に駆動するように構成した。 （もっと読む）

【課題】脱脂工程等の加熱を要する工程において炉内の気体の特性を適切に把握することのできる加熱炉を提供する。
【解決手段】加熱対象物をか焼する加熱炉１０であって、上記加熱対象物が配置される炉内空間と、上記炉内空間を昇温させる加熱手段と、上記炉内空間の周囲の外壁の一部が開口してなり、上記炉内空間内に酸素を含む気体を導入する酸素供給通路２８と、上記炉内空間に接続され、上記炉内空間内の気体を上記炉内空間外へ排出する排気通路４６と、上記排気通路に配置され、上記排気通路を通過する上記気体の特性を測定する測定手段とを備えたことを特徴とする加熱炉。 （もっと読む）

【課題】焼成によりガス状の揮発性物質を発生する被焼成物Ａを焼成するための焼成炉１０において、簡単な手段でもって、天井面１５で再凝縮した揮発性物質４０が被焼成物Ａの上に落下するのを阻止する。
【解決手段】焼成炉１０内における被焼成物Ａの配置位置よりも上方位置に、加熱されることによりガス化した揮発性物質は通過できるが、ガス化後に再凝縮した揮発性物質４１は通過できない大きさの通気孔を備えたフィルタ３１を配置する。好ましくは、フィルタ３１はウエブ状でロール原反３０とされており、再凝縮した揮発性物質４１を捕捉して目詰まり状態となったときに、そこを巻き取り、新しいフィルタ領域を被焼成物Ａの上に移動させる。 （もっと読む）

【課題】換装口の開閉に伴い熱処理に伴って発生した生成ガスや昇華物などの漏洩や、熱処理室内の温度分布のムラが発生しにくい熱処理装置の提供を目的とした。
【解決手段】熱処理装置１をなす熱処理室１３の正面１３ｂには、上下に４つの換装口１８ａ〜１８ｄが並べて設けられている。また、熱処理室１３の底面１３ａには、排気口２１が設けられており、これに排気装置１１が接続されている。排気装置１１は、熱処理室１３の底面１３ａ側の領域Ｘ１に設けられた換装口１８ａ，１８ｂが開状態になる期間よりも、上方の領域Ｘ２に設けられた換装口１８ｃ，１８ｄが開状態になる期間において出力が高められる。これにより、換装口１８ｃ，１８ｄが開状態になる場合も、領域Ｘ２の静圧が外気圧Ｐｏと同等あるいは外気圧Ｐｏ以下とされ、生成ガスを含む空気の漏洩が防止される。 （もっと読む）

【課題】昇華物が導出ダクト内で堆積することを抑制することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１Ａは、熱処理部２１内に被処理物Ｗが収容された状態で、熱処理部２１内の空気を循環させながら加熱することにより被処理物Ｗを熱処理するとともに、外気を加熱して熱処理部２１内に送り込みつつ熱処理部２１内の空気を導出ダクト５内に流出させることにより熱処理部２１内を換気するものである。前記導出ダクト５には、被処理物Ｗを熱処理する際に当該被処理物から発生する昇華物を分解可能な触媒６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】多段積みして搬送されるワークの温度のバラツキを入口側のパージゾーンで減少させることができ、ワークからの脱ガスが結露してパージゾーンの上壁面から滴下することもない連続焼成炉を提供する。
【解決手段】入口側のパージゾーンＰｆの上下左右の壁３１〜３４にガス導入ボックス６１〜６４を設けると共に、これらのガス導入ボックスの内部とパージゾーンの内部を連通させる多数の小開口３５を上下左右の壁に形成し、それぞれのガス導入ボックスに接続したパージガス導入路７１〜７４に、入口側のパージゾーンに導入するパージガスを予熱してガス温度を調整するガス予熱手段８１〜８４と、パージガスの導入量を調整するガス導入量調整手段９１〜９４を設けた構成の連続焼成炉とする。パージガスを予熱してワークの温度のバラツキを抑え、脱ガスの結露を防止する。 （もっと読む）

【課題】匣鉢の内部に収納した被加熱物を、匣鉢内部における温度分布の不均一を抑制し、しかも発生ガスの排気や反応用ガスと被加熱物との接触を良好に維持しつつ、均一に焼成することができる匣鉢を用いた焼成方法を提供する。
【解決手段】底面の一部または全面を通気部９とした匣鉢１に粉体等の被加熱物を入れ、焼成する。昇温域においては炉内に新鮮なガスを供給しつつ、匣鉢支持面に形成された吸引孔１０，１１を匣鉢１の底面に密着させて匣鉢１の内部を吸引し、被加熱物から発生する発生ガスを炉底部から排出する。新鮮なガスは匣鉢１の内部の被加熱物の近傍を流れる。炉内へのバインダーガスの拡散がなく、温度分布も均一化される。 （もっと読む）

【課題】前後のゾーンへの温度干渉を防止しつつ理想的な急昇温が可能であり、またバインダーガスが最高温度ゾーンに流入することによる焼成品質の低下をも防止することができる急速昇温機能を有するローラハースキルンを提供する。
【解決手段】積層デバイス等の被焼成品を所定速度で移送する通常搬送領域12,13の途中に、被焼成品をこの所定速度よりも高速で搬送する高速搬送領域14を形成し、この高速搬送領域14の炉室内に、通常搬送領域の加熱源18よりも高出力の加熱源19を設ける。高速搬送領域14は脱バインダーゾーンと焼成ゾーンとの間の急速昇温ゾーンとすることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、流路形状の溶融タンクを含むガラス溶融炉に関する。本発明によれば、バッチ材料が上流端で導入され、溶融されたガラスが下流端で回収され、前記炉がバーナーによって加熱される。燃焼エネルギーの少なくとも６５％が酸素燃料燃焼によって生成され、バーナーが炉の長さに沿って壁上に分布される。燃焼排ガスの大部分が原材料入口の近くの上流端の近くに放出され、燃焼排ガスの残りが下流部分の近くで放出され、かくして周囲の雰囲気に対して動的封止を維持する。 （もっと読む）

【課題】黒色化したチャンバ内面を簡便に黒色化前の状態に戻して本来の作業を続行可能とするためのアニール装置を提供する。
【解決手段】アニール装置１０１は、内部に対象物３を配置するためのチャンバ１と、前記チャンバを通じて対象物３に所望の加熱処理を行なうためのヒータ２と、チャンバ１の内部において対象物３を載せるためのステージ４と、ステージ４をチャンバ１の内部において上下方向に自動的に繰返し往復移動させるためのステージ駆動機構５とを備える。チャンバ１は、チャンバ１の内部に向けて酸素または大気を導入するための酸素・大気導入口６を有する。ステージ駆動機構５は、酸素・大気導入口６からチャンバ１の内部に向けて酸素または大気を導入した状態でステージ４を往復運動させることによってチャンバ１の内部の雰囲気を攪拌するためのものである。 （もっと読む）

【課題】 処理材が導かれた浸炭処理室内にＣＯガスを主成分とするキャリアガスと炭化水素ガスを主成分とするエンリッチガスとを供給して浸炭処理する浸炭処理装置において、浸炭処理室内における雰囲気ガスに含まれる水素ガスを適切に排出させて、浸炭処理室内に供給するキャリアガスの量を減少させると共に、キャリアガスの燃焼に伴うＣＯ₂ガスの発生を抑制する。
【解決手段】 処理材Ａを浸炭処理させる浸炭処理室３と、この浸炭処理室内にＣＯガスを主成分とするキャリアガスと炭化水素ガスを主成分とするエンリッチガスとを供給するガス供給装置４，５とを備えた浸炭処理装置において、浸炭処理室内における雰囲気ガスを浸炭処理室内から取り出して循環させる循環路１０を設けると共に、この循環路に上記の雰囲気ガス中に含まれる水素ガスを分離させて取り出す水素ガス分離装置２０を設けた。 （もっと読む）