【課題】表面粗度が小さく、平滑性や緻密性に優れ、しかも、基材への密着性やエッチング性に優れた金属被膜と、前記金属被膜を形成するための形成方法と、前記金属被膜をパターン形成した金属配線とを提供する。
【解決手段】金属被膜は、金属微粒子と、水と、分子量２０００〜３００００の分散剤とを含む金属微粒子分散液を、基材の表面に塗布し、焼成して形成され、
(1) Ａｇと、
(2) Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、およびＩｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
を含む合金からなり、合金の総量中の、Ａｇの含有割合が８０〜９９．９原子％、平均結晶粒径が０．２〜５μｍである。形成方法は、金属微粒子分散液を、基材の表面に塗布し、乾燥後、７００℃以下の温度で焼成する。金属配線は、金属被膜をパターン形成した。 （もっと読む）

【課題】 抵抗率を小さくし、下地のバリヤ層との境界部分のフッ素濃度を低減し、バリヤ層との密着性を向上させることができるタングステン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器１４内にて被処理体Ｍの表面にタングステン膜を形成するに際して、前記被処理体にシリコン含有ガスを供給する工程と、該工程後にタングステン含有ガスを供給するタングステン含有ガス供給ステップとシリコンを含まない水素化合物ガスを供給する水素化合物ガス供給ステップとを、両ステップ間に前記処理容器内に不活性ガスを供給するパージステップ及び／又は前記処理容器を真空引きする真空引きステップを介在させて、交互に繰り返し実行することにより第一のタングステン膜７０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコンウェハに反り量の少ないバリアメタル膜を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】バリアメタル膜であるＴｉＮ膜をシリコンウェハの表面側に形成した後、シリコンウェハの裏面側を研削して１００μｍ以下の厚さにした直径が６インチ以上で厚さが１００μｍ以下のシリコンウェハにおいて、ＴｉＮ膜のＸ線回折スペクトルの強度比（ＴｉＮ（１１１）／ＴｉＮ（２００））を０．２〜３．０とすることで、シリコンウェハの反り量を２．０ｍｍ以下と小さくすることができる。
また、ガス流量比Ａｒ：Ｎを１：２〜１：３とし、ガス圧を０．２〜０．８Ｐａとすることで、ＴｉＮ膜のＸ線回折スペクトルの強度比（ＴｉＮ（１１１）／ＴｉＮ（２００））を０．２〜３．０とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐熱性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の発明の半導体装置は、第１導電型の半導体層と、第１導電型の半導体層上に形成された第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜上に形成され、Ruからなる第１の金属の結晶粒および第１の金属の結晶粒の粒界に偏析したW、Ni、Mo、Rh、Pd、Re、IrおよびPtからなる群から選ばれる第２の金属を有する第１のゲート電極と、第１のゲート絶縁膜をゲート長方向に挟む第１導電型の半導体層に形成された第１のソース・ドレイン領域と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

基板上に複合金属層を形成する方法は、第一金属の複数のナノ結晶粒子を提供する工程と、複数のナノ結晶粒子を、第二金属の複数のイオンを持つ一のめっき槽に加えて一のコロイド状懸濁を形成する工程と、一の基板をめっき槽に浸漬する工程と、第二金属と第一金属の複数のナノ結晶粒子とを基板上に共析出させて、一の複合金属層を形成する工程と、を含む。共析出させる工程は、一の負のバイアスを基板に与えることと、一の電流をめっき槽に加えて、一の電気めっきプロセスを生じさせることとを含み、第二金属の複数のイオンは基板により還元され、基板上で第一金属の複数のナノ結晶粒子とともに共析出されて、複合金属層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ構造部の製造工程を簡略化するとともに、ソース・ドレイン電極の材質を限定せずとも、ＴＦＴチャネル部となる半導体層の膜厚を正確に制御することで、表示ムラを防止した電気光学表示装置を提供する。
【解決手段】活性領域層ＡＲ上から、画素電極３０の下方の透明絶縁性基板１の上方にかけて延在するようにドレイン電極２６が配設されている。ソース電極２４およびソース配線２５は、その端面が半導体膜６の何れの端面よりも後退した位置となるように配設され、活性領域層ＡＲ上のドレイン電極２６の端面も、半導体膜６のほぼ平行な関係にある端面よりも後退した位置となるように配設されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを構成するゲート電極の空乏化が抑制され、電気的特性の安定したトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、半導体基板５と、半導体基板５上に設けられた、第１ゲート絶縁膜２４および第１ゲート長Ｌ１を有する第１ゲート電極２６が順に積層されてなる第１ゲート電極部１６を備える第１トランジスタ１０と、半導体基板５上に設けられた、第２ゲート絶縁膜３２および第１ゲート長Ｌ１より短い第２ゲート長Ｌ２を有する第２ゲート電極３０が順に積層されてなる第２ゲート電極部２０を備える第２トランジスタ１２と、を含む。第１ゲート電極２６を構成するポリシリコン粒子のグレインサイズは、第２ゲート電極３０を構成するポリシリコン粒子のグレインサイズよりも大きくなっている。 （もっと読む）

相互接続構造において導電性バリヤ層又は他のライナ層を堆積させるための製造法、プロダクトストラクチュア、製造法、及びスパッタリングターゲット。バリヤ層（８２）は、アモルファスであってもよいがそうである必要がない、耐火性貴金属合金、例えば、ルテニウム/タンタル合金の導電性金属を含む。バリヤ層は、同様の組成のターゲット（９０）からスパッタすることができる。バリヤとターゲットの組成は、耐火性金属と白金族金属の組合わせ、例えば、ＲｕＴａから選ばれてもよい。銅貴金属シード層（１１２）は、誘電体（６６）の上のバリヤ層（７０）と接触させた銅とルテニウムの合金から形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 金属多層構造を持つ配線層のストレスを緩和しつつ、ボイドの発生を抑制する。
【解決手段】 スパッタリング法にて絶縁層１上にＴｉＮ膜２を堆積した後、Ａｒを用いたプラズマエッチング処理を行うことにより、ＴｉＮ膜２の表面を逆スパッタして、ＴｉＮ膜２の表面の結晶性を劣化させた結晶性緩和層２ａを形成し、スパッタリング法を用いることにより、結晶性緩和層２ａを介してＴｉＮ膜２上にＡｌ−Ｃｕ膜３を堆積してから、Ａｌ−Ｃｕ膜３上にＴｉ膜４およびＴｉＮ膜５を順次堆積する。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜及びバッファ層から形成されるバリアー膜を備えるポリメタルゲート電極を持つ半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に半導体基板側から順に積層された導電性ポリシリコン膜、第１金属シリサイド膜、バリアー膜、及び金属膜から形成されるポリメタルゲート電極と、を備える半導体素子である。バリアー膜は、第１金属シリサイド膜上に形成されるＴｉＮ膜と、ＴｉＮ膜と金属膜との間に介在されるバッファ層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 銅配線のＥＭ耐性とＳＭ耐性を、ともに向上させる。
【解決手段】 不純物を含む銅めっき膜をシリコン基板１の上に成膜した後、銅めっき膜を結晶成長させて、複数の銅結晶粒とそれらの粒界に分布する不純物層とで構成された第一銅膜９ｃを形成する。次に、第一銅膜９ｃより不純物濃度が高い第二銅膜１０を第一銅膜９ｃの上に形成し、第二銅膜１０に含まれる不純物を第一銅膜９ｃに拡散させて、第一銅膜９ｃの結晶粒界に偏析する不純物濃度を高める。
このように形成することにより、第一銅膜９ｃの結晶粒の粒径は十分に大きくなる。これにより、結晶粒界における拡散パスを減少させ、ＥＭ耐性を向上させることができる。また、第一銅膜９ｃに発生するボイドの移動を抑え、ＳＭ耐性を向上させることができる。 （もっと読む）

半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層を堆積させる方法が提供される。半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層は、単一基板化学気相堆積チャンバ内で堆積される。半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層は、半導体デバイスにおいて電極層として用いることができる。一態様において、二ステップ堆積プロセスは、粗さが減少したナノ結晶粒サイズのポリシリコン層を形成するために提供される。 （もっと読む）

【課題】 ゲート空乏化が抑制され、より簡易な工程で製造することができる半導体装置を提供する
【解決手段】 本発明の半導体装置は、
半導体層１０と、
前記半導体層１０に設けられた絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０と、を含み、
前記絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０は、
前記半導体層１０の上方に設けられたゲート絶縁層２２と、
前記ゲート絶縁層２２の上方に設けられ、ゲート電極となる電極層２４と、
前記半導体層１０に設けられ、ソース領域またはドレイン領域となる不純物領域２８と、を含み、
前記電極層２４の平均結晶粒径は、３０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり、該電極層２４の全体に不純物が分散している （もっと読む）

【課題】 Ａｌを主成分とする主導体層をより低抵抗に維持すると同時に、一括のウェットエッチングでパターニングでき、主導体層の耐熱性、特にヒロック耐性が確保される新規の薄膜配線層を提供する。
【解決手段】 基板上にＮｉを主成分とする面心立方格子構造を有する下地層を、該下地層上に主成分が９９原子％以上のＡｌからなる主導体層を形成した薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層は、添加元素として（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ）から選択される１種または２種以上の元素を７〜３０原子％含有し、残部が不可避的不純物およびＮｉからなる薄膜配線層である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極を簡単な製造工程で結晶性の高い単結晶半導体で構成する。
【解決手段】 貼り合わせ用単結晶半導体基板４に剥離用元素５をイオン注入したのち、貼り合わせ用単結晶半導体基板４のイオン注入側が貼り合わせ面となるように絶縁膜３を形成した素子形成用単結晶半導体基板１に貼り合わせ、次いで、熱処理を行って貼り合わせ用単結晶半導体基板４を注入した元素の濃度ピーク位置近傍で剥離したのち、素子形成用単結晶半導体基板１側に残存した貼り合わせ用単結晶半導体基板４の残部６をゲート電極状にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 ＭＩＳトランジスタのゲート電極として金属材料を用い、且つ必要とするデバイスに応じた仕事関数を簡易に実現する。
【解決手段】 半導体基板上にｐ型ＭＩＳトランジスタが形成された半導体装置であって、ＭＩＳトランジスタのゲート電極は、Ｔａ，Ｖ，Ｎｂの何れかとＧｅを含有している。 （もっと読む）

【課題】凝集及びスパイク欠陥のないエピタキシャルコバルトシリサイド層を、半導体の量産プロセスにおいて通常用いられている真空度領域において安定して形成できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体層における表面近傍の領域に非金属元素を分布させる工程と、半導体層の上に金属膜を堆積する工程と、金属膜に熱処理を施して半導体層を構成する元素と金属膜を構成する金属とを反応させることにより、半導体層の表面に半導体金属間化合物層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。非金属元素を分布させる工程は、半導体層の上に、半導体元素と非金属元素とからなる化合物層を形成する工程と、化合物層に粒子エネルギー線を照射して化合物層に含まれる非金属元素を反跳により半導体層の表面近傍の領域に分布させる工程と、化合物層を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 印刷パターンの再現性を向上可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機半導体膜４と、ソース電極５と、ドレイン電極６とを備える。ゲート電極２は、有機半導体膜４の膜厚方向に電界を生じさせる電界をゲート絶縁膜３を介して印加する。有機半導体膜４は、ソース電極５とドレイン電極６との間に形成される。そして、有機薄膜トランジスタ１０において、ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６は、銀粒子に対して銀ナノ粒子を５ｗｔ％の比率で混合し、スクリーン印刷により形成される。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために、Ｔｉ窒化物から成る膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴｉ窒化物から成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下に形成するためにＴｉ原料からエレクトロンビ−ム溶解法でＡｌを３ｐｐｍ以下に除去することを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔｉ材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーション耐性の高い銅配線を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上に形成された絶縁膜に溝又は孔を形成し、得られた基板上にバリア層２５を形成し、バリア層上に銅シード層２７を形成し、この銅シード層を利用して電解メッキ法によって銅メッキ層を形成し、表面の銅メッキ層及び銅シード層を除去することにより形成される配線層を有する半導体装置であって、銅シード層は、結晶粒径が異なる小粒層２７ａと大粒層２７ｂとを備える複数層からなり、小粒層は、バリア層に接触している。 （もっと読む）