【課題】ペーストを焼成する際に、塗膜の収縮により生じる問題を解決し、得られる電極の特性、ひいては太陽電池の特性を高めることを目的とする。
【解決手段】本発明は、太陽電池電極用の導電性ペーストに関し、結晶子径が５８ｎｍ以上である第１銀粉末、この銀粉末と結晶子径の異なる第２銀粉末、ガラスフリット、および樹脂バインダーを含む。上記の導電性ペーストにおいて、（１）第１銀粉末は、アトマイズ法により作製された銀であること、（２）第１銀粉末の収縮開始温度が７００℃以上であること、（３）第１銀粉末の含有量は、銀の総重量に基づいて１０〜７０ｗｔ％であること、（４）第１銀粉末の結晶子径は５８〜９０ｎｍであり、第２銀粉末の結晶子径は３０〜５８ｎｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜に接するゲート電極の空乏化を抑制しながら、ゲート電極の仕事関数の調整を効率的に行うことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型シリコン基板１、埋め込み酸化膜２、及び単結晶シリコン層３から構成されるＳＯＩ基板４において、単結晶シリコン層３にソース領域１０およびドレイン領域１１を備える。また、ソース領域１０とドレイン領域１１との間の単結晶シリコン層３の表面側はチャネル層３ａとして機能する。単結晶シリコン層３（チャネル層３ａ）の上にはゲート絶縁膜５が形成される。ゲート絶縁膜５上には、窒化チタン（ＴｉＮ）からなる金属粒子６ａ，６ｂ、及びポリシリコン膜７から構成されるポリシリコンゲート電極８が設けられる。ここで、ＴｉＮからなる金属粒子は、ゲート絶縁膜５に接する部分６ａと接しない部分６ｂからなる。 （もっと読む）

【課題】 製造方法が容易なデュアルメタルゲート構造を実現することができ、ＣＭＯＳデバイス等の特性向上に寄与する。
【解決手段】 基板上に、ｐチャネルＭＩＳトランジスタ５１とｎチャネルＭＩＳトランジスタ５２を具備した半導体装置であって、ｐチャネルＭＩＳトランジスタ５１のゲート電極３２の膜厚方向に対するＴａＣ（１１１）面の結晶配向比率［ＴａＣ（１１１）面／｛ＴａＣ（１１１）面＋ＴａＣ（２００）面｝］は８０％以上であり、ｎチャネルＭＩＳトランジスタ５２のゲート電極５３の膜厚方向に対するＴａＣ（１１１）面の結晶配向比率［ＴａＣ（１１１）面／｛ＴａＣ（１１１）面＋ＴａＣ（２００）面｝］は６０％以下である。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を防止したアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１層間絶縁膜17とゲート絶縁膜14とを貫通してコンタクトホール19を形成する。コンタクトホール19を通して活性層５のドレイン領域13と電気的に接続するドレイン電極22を形成する際に、薄膜トランジスタおよび第１層間絶縁膜17を含む絶縁性基板３の温度が１２０℃以上の状態でスパッタリングして活性層５と接触するようにバリアメタル膜26を形成する。バリアメタル膜26上に形成した導電膜25とともにドライエッチングする。バリアメタル膜26の結晶粒径を大きくして第１層間絶縁膜17の括れ部分にバリアメタル膜26を形成することを防止し、ドライエッチング後の残渣の発生を防止して、残渣によるショートなどでの歩留まりの低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 抵抗が低減されたｆｉｎＦＥＴ及びその製造方法を提供する
【解決手段】 （１）基板を準備するステップと、（２）基板上にｆｉｎＦＥＴの少なくとも１つのソース／ドレイン拡散領域を形成するステップとを含む、ｆｉｎＦＥＴの製造方法を提供する。各々のソース／ドレイン拡散領域は、（ａ）非シリサイド化シリコンの内部領域と、（ｂ）非シリサイド化シリコン領域の上面及び側壁の上に形成されたシリサイドとを含む。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタの電気的特性を安定化することができ、信頼性が高く、さらに設計の自由度が向上した半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０２上に、ゲート絶縁膜１２４と、ポリシリコン粒子１２５からなるゲート電極１２６と、を順に積層してなるゲート電極部を備える電界効果トランジスタを有し、ゲート絶縁膜１２４の膜厚は１．６ｎｍ以下であり、ゲート絶縁膜１２４近傍のポリシリコン粒子１２５の平均グレインサイズは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性が向上した表示装置を提供する。
【解決手段】
本発明は、表示装置とその製造方法に関し、本発明による表示装置は、絶縁基板上に形成されているゲート電極を含むゲート配線と；ゲート電極上に形成されているゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上にゲート電極を中心に相互離隔して形成されてチャネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極とを含み、多重層からなる導電層；及びチャネル領域に形成されている有機半導体層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電膜を含むＣＭＯＳトランジスタの形成に適合した構造を有するデュアルゲート構造物及びその形成方法を提供する。
【解決手段】デュアルゲート構造物は、第１及び第２領域が区分される基板と、前記第１領域の基板上に形成され、金属酸化膜、第１仕事関数を有する金属物質からなる第１金属パターン、シリコン拡散防止膜パターン、及びシリコンを含む導電膜パターンが積層された第１ゲート構造物と、前記第２領域の基板上に形成され、金属酸化膜、前記金属物質及びシリコン元素を含み前記第１仕事関数より低い第２仕事関数を有する第２金属パターン、及び前記シリコンを含む導電膜パターンが積層された第２ゲート構造物と、を含む。前記デュアルゲート構造物は各領域に形成されるゲート電極が同一の金属物質からなるので前記金属物質の一部を除去しなくてもよいので前記除去工程の際発生する金属酸化膜の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンＣＭＯＳデバイス等におけるシングルメタルゲート構造を実現することができ、デバイス特性揺らぎの低減及び高信頼化をはかる。
【解決手段】基板上に、ｐチャネルＭＩＳトランジスタ４１とｎチャネルＭＩＳトランジスタ４２を備えた半導体装置であって、ｐチャネルＭＩＳトランジスタ４１とｎチャネルＭＩＳトランジスタ４２の各ゲート電極３２はＴａとＣの合金で形成され、ゲート電極３２のＴａに対するＣのモル比（Ｃ／Ｔａ）が２以上４以下である。 （もっと読む）

【課題】シングルウエハ方式のチャンバー内で化学気相蒸着方式を用いて多結晶ポリシリコン薄膜を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】シリコンソースガスとしてＳｉＨ_４（Ｓｉｌａｎｅ）ガスを用い、その蒸着圧力を利用する構成によって、多結晶ポリシリコン薄膜の微細な柱状の結晶粒子として制御し、電気的特性の均一度を向上させて特性低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】耐電圧、耐熱性、耐放射線性、及び高速性が優れ、かつ、チャネル領域を短くでき、素子の応答性が高いダイヤモンド半導体素子を高精度で製造できる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のダイヤモンド半導体領域１の表面上に、絶縁膜２と電極金属層３と犠牲層４を積層し、この犠牲層４の上に、局所的にレジスト５をパターン形成する。そして、レジスト５をマスクとして、第１の犠牲層、電極金属層及び絶縁膜をエッチングした後、レジスト５を除去することにより、第１のダイヤモンド半導体領域１の上に、絶縁膜２と電極金属層３と第１の犠牲層４との積層体をパターン形成する。その後、第１のダイヤモンド半導体領域１の上に、不純物がドープされた高濃度ドープ層７（第２及び第３のダイヤモンド半導体領域）を形成する。その後、犠牲層４をエッチングにより除去し、高濃度ドープ層７上に電極金属８を形成する。 （もっと読む）

本発明は、金属インク、並びにそれを用いた電極形成方法及び基板に関する。本発明は、金属酸化物ナノ微粒子及び金属部分縮重合酸化物から選ばれた少なくとも一つの100 nm以下の酸化物と、100 nm以下の金属ナノ微粒子とが溶媒内に超微粒子として孤立分散している金属インク、上記金属インクをインクジェットプリンタを用いてパターニングして導線を形成する電極形成方法、及びそれにより形成された基板を提供する。本発明によれば、インクジェットプリンタによるパターニングが可能であり、かつ基板に対する付着力が増大する。本発明の金属インクは、PDP等の各種パネルの電極を製造するのに有用である。
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【課題】Ｔｉ及びＡｌを含有するほかに、Ｎを任意成分として含むことがあるアモルファス膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ及びＡｌを含むほかに任意成分としてＮを含むことがあるアモルファス膜であって、電気抵抗率が、６×１０^２Ω・ｃｍ以下の当該アモルファス膜を、スパッタリングターゲットとしてＴｉＡｌ合金を用い、下記のスパッタ条件で基板上に成膜する。（１）ＤＣパワーは、１ｋＷ以上かつ３ｋＷ以下である、（２）成膜室内の気圧は、６ｍＴｏｒｒ以上かつ１２ｍＴｏｒｒ以下である、（３）基板温度は、１００℃以上かつ３００℃以下である、及び（４）Ｎ_２ガスとＡｒガスとの混合スパッタガス中におけるＮ_２ガスの体積比率が０％以上かつ７０％以下である。 （もっと読む）

【課題】素子間における特性のミスマッチが少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１の上に形成した絶縁膜２の上に、平均粒径が０．０２μｍ以上０．３５μｍ以下であるシリコン結晶粒１０を有するポリシリコン層３を形成した。不純物をイオン注入にてポリシリコン層３に導入した後に、熱処理することによりＩＰＯ酸化を行い、ポリシリコン層３の表面にＩＰＯ酸化膜４を形成し、さらにＩＰＯ酸化膜４の上に第二のポリシリコン層を形成した。そして、レジストマスクパターンによりエッチングして、ポリシリコン層３の一部で、ＭＯＳトランジスタ７のゲート電極７ａ及び容量素子８の下部電極８ａを構成した。 （もっと読む）

【課題】金属半導体化合物からなるゲート電極の抵抗ばらつきの発生を抑制できる半導体装置の製造方法を実現すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板２００上にゲート絶縁膜２０１を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に、金属と半導体との化合物からなり、所定のゲート長を有するゲート電極２０６を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記ゲート電極２０６を形成する工程は、平均粒径が前記所定のゲート長に対応した所定値以下に制御され、かつ、シリコンおよびゲルマニウムの少なくとも一方を含む、多結晶の半導体膜２０５を形成する工程と、前記半導体膜２０５上に金属膜２０３を形成する工程と、熱処理により前記半導体膜２０５と前記金属膜２０３とを反応させ、前記半導体膜２０５の全体を金属半導体化合物層に変える工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を利用したステップカバレージが優秀で、所望する抵抗及び伝導度を容易に決定することができ、酸素の拡散を防止できる金属層形成方法、および前記金属層形成方法によって形成された金属層を障壁金属層、キャパシタの下部電極または上部電極として備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】反応性金属Ａ、窒素Ｎ、反応性金属と窒素との非晶質結合用元素Ｂの各ソースガスを、原子層蒸着法によって交互にチャンバー内に注入して各原子層を交互に積層させる金属層形成方法、およびこの方法によって形成された金属層を半導体素子の障壁金属層、下部電極または上部電極として備えてなる半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 金属ゲート電極層に望まれる特性は、微細加工を施された半導体立体構造体上に段差被覆率良く被覆されていることである。またもう一つの特性は、堆積された電極層の表面が１ナノメートルのスケールで平坦であり、電極層の堆積後に特別な平坦化処理を施すことなく電気的な絶縁を目的とした誘電体層を被服することが可能なことである。また、金属ゲート電極層に望まれる更なる特性の一つは、通常の半導体プロセスと同様のエッチング加工性を有していることである。また、金属ゲート電極層に望まれるもうひとつの特性は、結晶粒界がなく均一であり、不純物拡散が抑制された構造であることである。
【解決手段】 上記特性を満たす最良の金属ゲート電極としてアモルファス構造の金属電極が優れていることを見出し、本発明に至った。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造をコントロールすることによって，従来以上に低い抵抗を有する金属系膜を形成する。
【解決手段】 金属系原料ガスとして例えばＷＦ_６ガスを供給するステップと水素化合物ガスとして例えばＳｉＨ_４ガスを供給するステップとを，不活性ガス例えばＡｒガス，Ｎ_２ガスを供給するパージステップを介在させて，交互に繰り返し実行することによって，非晶質を含む第１タングステン膜を成膜する第１タングステン膜成膜ステップと，第１タングステン膜上に，上記ＷＦ_６ガスと還元性ガスとして例えばＨ_２ガスを同時に供給することによって，第２タングステン膜を成膜する第２タングステン膜成膜ステップとを含む。ＳｉＨ_４ガスを供給するステップ後のパージステップの実行時間を変えることにより第１タングステン膜が含む非晶質の割合をコントロールする。 （もっと読む）

【課題】 １．５以上の高アスペクト比である微細ホールに対しても、金属配線膜を埋め込むことができるように、ホールへの金属配線膜の埋め込み性を従来よりも向上させる。
【解決手段】 ＴｉＮ膜の成膜工程６３で、スパッタにより、ホールの内壁に沿ってＴｉＮ膜を成膜する。このとき、成膜温度を、従来よりも低温の１５０℃とすることで、アモルファス構造のＴｉＮ膜を形成する。その後、スパッタ工程６４、６５で、アモルファス構造のＴｉＮ膜の表面上にＡｌ合金膜を形成することで、ＴｉＮ膜を下地とした状態で、Ａｌ合金膜をコンタクトホールの内部に埋め込む。このように、Ａｌ合金膜の下地となるＴｉＮ膜をアモルファス構造にすることで、ＴｉＮ膜の表面エネルギーを大きくし、ＴｉＮ膜のＡｌ合金膜に対する濡れ性を従来よりも向上させることができ、ホールへのＡｌ合金膜の埋め込み性を従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 微細な配線形成用途に適し、かつ低温焼結性が良好な高分散性球状銀粒子の分散液を安価かつ大量に高い収率で得る。
【解決手段】 粒子表面が有機保護剤で覆われた平均粒径（Ｄ_TEM）５０ｎｍ以下の銀粒子粉末を、沸点が６０〜３００℃の非極性もしくは極性の小さい液状有機媒体に分散させた銀粒子の分散液であって、前記の有機保護剤が１分子中に少なくとも１個以上の不飽和結合を有するアミン化合物であることを特徴とする。アミン化合物としては分子量が１００〜１０００のものを使用する。分散液中の銀粒子は結晶粒子径（Ｄｘ）が５０ｎｍ以下で、単結晶化度（Ｄ_TEM／Ｄｘ）が２．０以下、分散液の銀濃度は５〜９０wt％であり、その粘度は５０ｍＰ・ｓ以下、表面張力が８０ｍＮ／ｍ以下のニュートン流体である。 （もっと読む）