【課題】緻密かつ絶縁耐性が強い高品質なゲート絶縁膜を形成し、トンネルリーク電流が少ない信頼性の高い有機トランジスタを提案することを目的とする。
【解決手段】電子密度が１０^１１ｃｍ^−３以上かつ電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下の高密度プラズマを用いて酸素（もしくは酸素を含むガス）や窒素（もしくは窒素を含むガス）などをプラズマ励起によって活性化し、ゲート電極となる導電層の一部と直接反応させ絶縁化することでゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

大きい仕事関数を持つｐ−ＭＯＳ素子（１０）の金属電極を形成する方法が提供される。一の実施形態では、金属電極（１３）を形成する方法が提供され、本方法は、露出表面を持つ高ｋ誘電体積層構造（１２）を形成する工程と、高ｋ誘電体積層構造の露出表面を、ＲｕＯ_ｘ，ＩｒＯ_ｘ，ＲｅＯ_ｘ，ＭｏＯ_ｘ，ＷＯ_ｘ，ＶＯ_ｘ，及びＰｄＯ_ｘから成るグループから選択される金属酸化物の蒸気に接触させる工程と、そして誘電体積層構造（１２）の露出表面を、ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，ＭｇＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，Ｙ_２Ｏ_３，Ｌａ_２Ｏ_３，及びＴｉＯ_２から成るグループから選択される添加物の蒸気に接触させる工程と、を含み、このようにして、誘電体積層構造（１２）の露出表面を、金属酸化物の蒸気に、かつ添加物の蒸気に接触させることにより電極（１３）を形成し、そして添加物は約１原子量％〜約５０原子量％だけ電極（１３）に含まれる。
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【課題】耐熱性透明電極とその製造方法，及びこの耐熱性透明電極を備えた色素増感太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明によれば，五価元素を含有した透明伝導性物質からなる耐熱性透明電極とその製造方法，及びこの耐熱性透明電極を備えた色素増感太陽電池が提供される。かかる耐熱性透明電極は，高温に露出されても実質的に劣化されず，伝導性低下も発生しないため，この耐熱性透明電極を備えた色素増感太陽電池は，その性能が向上することとなる。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】ショットキダイオード１１では、ｐ型の窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１７ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。ｐ型の窒化ガリウムエピタキシャル層１５は、第１の面１３ａ上に設けられている。オーミック電極１７は、第２の面１３ｂ上に設けられている。ショットキ電極１９は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５に設けられている。窒化ガリウムエピタキシャル層１５の厚さＤ１は５マイクロメートル以上１０００マイクロメートル以下である。また、窒化ガリウムエピタキシャル層１５のキャリア濃度は、１×１０^１４ｃｍ^−３以上１×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

電子デバイスを形成するための方法が、第１の層を基板の上に形成する工程であって、第１の層が有機層を含む工程と、第１の層を形成した後、第２の層を基板の上に堆積させる工程であって、第２の層を堆積させる工程が、イオンビームスパッタリングを用いて行われる工程とを含む。別の実施形態において、電子デバイスを形成するための方法が、ワークピースを堆積装置の堆積チャンバ内に配置する工程であって、ワークピースが、ワークピースの上にある基板および有機層を含む工程を含む。方法は、堆積装置のプラズマ発生チャンバ内でプラズマを発生させる工程であって、プラズマがワークピースと直接接触しない工程を含む。方法は、また、イオンビームをプラズマ発生チャンバから堆積チャンバ内のターゲットの方に送る工程であって、ターゲットが材料を含む工程と、材料の層を有機層の上に堆積させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 Ｐ型コンタクト層とＰ型電極との間のコンタクト抵抗を低減し得るＰ型電極を有する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】 Ｐ型コンタクト層１の上面にＰ型電極材料が設けられている。Ｐ型電極材料は、ＡｕＧａ膜２、Ａｕ膜３、Ｐｔ膜４、およびＡｕ膜５からなっている。Ｐ型コンタクト層１上にはＡｕＧａ膜２が設けられている。ＡｕＧａ膜２上にはＡｕ膜３が設けられている。Ａｕ膜３上にはＰｔ膜４が設けられている。Ｐｔ膜４上にはＡｕ膜５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体素子の電極形成方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型化合物半導体層上に第１電極層を形成するステップと、第１電極層を酸素が含まれた雰囲気でプラズマ処理するステップとを含む。 （もっと読む）

スピン塗布によりレジストの被膜を形成する場合、無駄となってしまうレジスト材料が存在し、さらに、必要に応じて端面洗浄の工程が増えてしまう。また、真空装置を用いて、基板上に薄膜を成膜する際には、チャンバー内を真空にする特別な装置や設備が必要で、製造コストが高くなってしまう。本発明は、絶縁表面を有する基板上に、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタ法により選択的に導電層を形成するステップと、前記導電層に接するように、組成物を吐出してレジストマスクを形成するステップと、前記レジストマスクを用いて、大気圧又は大気圧近傍下で、プラズマ発生手段により前記導電層をエッチングするステップと、大気圧又は大気圧近傍下で、前記プラズマ発生手段により前記レジストマスクをアッシングするステップを有することを特徴とする。上記特徴により、材料の利用効率を向上させて、製造コストの低減を実現する。
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【課題】超伝導金属からなるソースドレイン電極を、高電子移動度トランジスタのＩｎＧａＡｓからなるチャネル層にオーミック接続し、ゲート電極を用いて超伝導電流を制御する半導体超伝導三端子素子を、より容易に製造できるようにする。
【解決手段】レジストパターン１２２をマスクとしてＩｎＡｌＡｓ層１２８を選択的にエッチング除去し、ゲートコンタクト層１０８が形成されてエッチングストップ層１０６の上面が露出された状態とする。このエッチングでは、ＩｎＰに対してＩｎＡｌＡｓを選択的にエッチング除去できるエッチング方法を用いる。次に、レジストパターン１２２をマスクとし、露出しているエッチングストップ層１０６をエッチング除去し、この両脇にチャネル層１０５が露出された状態とする。このエッチングでは、ＩｎＧａＡｓに対してＩｎＰを選択的にエッチング除去できるエッチング方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】透光性が高く、低抵抗の透光性電極の製造方法。
【解決手段】半導体発光素子１００は、サファイア基板上にバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、高キャリヤ濃度ｎ⁺層１０４、ｎ型層１０５、発光層１０６、ｐ型層１０７、ｐ型コンタクト層１０８を順に積層して形成され、少なくとも酸素が存在する雰囲気下で電子線蒸着法又はイオンプレーティング法により形成され、後に焼成されて形成されたＩＴＯから成る透光性電極１１０を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ガス出し作業や蒸着作業後の徐冷の際に、シャッタ板裏面に付着する付着物がルツボ内に落下して、ルツボ内の蒸着原料を汚染することを防止できる機能を有する真空蒸着装置を提供することである。
【解決手段】 本発明の真空蒸着装置１０１は、真空チャンバ２と、真空ポンプ３と、半導体基板４を保持する基板ホルダ５と、蒸着原料６を収容するルツボ７と、加熱手段としての電子銃９と、集束コイル１０および偏向コイル１１と、蒸着原料６からの蒸着流１２を放出したり遮断したりする本発明の特徴である、蒸着原料６と同種の材料で成るシャッタ板１０２と、シャッタ板１０２の位置を移動させるシャッタ板駆動部１４と、成膜レートを測定する膜厚モニタ１５と、電子銃９のパワーを制御するパワー制御部１６とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層を堆積・被覆し、該拡散障壁層に接して導電部分を配設することによって構成される配線構造であって、層間絶縁膜層（有機絶縁膜層）３０と拡散障壁層との界面付近に高速粒子照射により両側の部材を構成する原子又は分子が互いにミキシングされた状態のミキシング領域（ミキシング層３１）を形成した。 （もっと読む）