トランジスタを製造する方法は、導電材料層と電気絶縁材料層とを順に含んだ基板を準備する工程と、前記電気絶縁材料層上にレジスト材料層を堆積する工程と、前記レジスト材料層をパターニングして、前記電気絶縁材料層の一部を露出させる工程と、露出された前記電気絶縁材料層を除去して、前記導電材料層の一部を露出させる工程と、露出された前記導電材料層を除去し、前記導電材料層及び前記電気絶縁材料層内に凹部形状を作り出す工程と、前記基板と露出された前記電気絶縁材料層及び前記導電材料層とを第２の電気絶縁材料層で共形に被覆する工程と、前記第２の電気絶縁材料層を半導体材料層で共形に被覆する工程と、前記半導体材料層上に導電材料層を指向性堆積する工程とを含む。

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【課題】電荷注入効率の高いｐ型有機薄膜トランジスタ、および、金属酸化物を電荷注入層として用いても、金属酸化物が溶解することで電極剥離を起こすことのないｐ型有機薄膜トランジスタの製造方法、ならびに、この製造方法に用いる塗布溶液を提供する。
【解決手段】ｐ型有機薄膜トランジスタ１０Ａは、絶縁基板１１上に設けられたゲート電極１２と、ゲート電極１２を被覆して設けられたゲート絶縁層１３と、ゲート絶縁層１３上に設けられたソース電極１４ａおよびドレイン電極１４ｂと、ソース電極１４ａおよびドレイン電極１４ｂの表面に設けられた金属酸化物層１５と、ゲート絶縁層１３上、かつ金属酸化物層１５が形成されたソース電極１４ａとドレイン電極１４ｂとの間に設けられたｐ型有機半導体層１６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性インピーダンスを小さくできるために、超高周波又は超高速信号の伝送時においても反射や放射が少なく、かつ低損失である回路材料を提供する。
【解決手段】単一元素からなる原子層が単層若しくは複数層で構成する導体層と、導体層を構成する元素同士間の原子間結合よりもより安定な結合を形成する単一又は復数の元素からなる原子層が単層若しくは複数層で構成する拘束層とからなり、前記導体層と拘束層の原子同士が原子的整合状態（ヘテロ構造）で積層することを特徴とする回路材料の電気抵抗低下方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層上の透光性電極とｎ型窒化物半導体層との両方に好適に接続可能な構造のパッド電極を備える窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子１０は、基板１上に、ｎ型窒化物半導体層２、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４を積層してなり、ｎ型、ｐ型窒化物半導体層２，４にそれぞれ電気的に接続するｎ側パッド電極７ｎ、ｐ側電極５をさらに備える。ｐ側電極５は、ｐ型窒化物半導体層４上に形成された導電性酸化物からなる透光性電極６と、透光性電極６上の一部の領域に形成されたｐ側パッド電極７ｐとからなる。そして、ｎ側パッド電極７ｎおよびｐ側パッド電極７ｐは、ｎ型窒化物半導体層２および透光性電極６のそれぞれに接触する側から、Ｃｒ層７１ａ、Ｐｔ層７１ｂ、Ｒｕ層７２、Ａｕ層７３を積層してなり、Ｃｒ層７１ａの厚さは１ｎｍ以上９ｎｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の稼働率と被処理物の処理効率を向上させることができるハースライナーカバー交換機構を提供する。
【解決手段】小径孔１６Ｂと大径孔１６Ａとで構成された鍵穴状の穴１６が形成された鍔部１０Ｂを有し成膜装置のハース１４の上部に設けられるハースライナーカバー１０を交換するハースライナーカバー交換機構であって、垂直方向に移動可能となり、かつ垂直方向に延びる軸３０の軸回りに回転可能になるハンド３６を有し、ハンド３６は穴１６に引っ掛けてハースライナーカバー１０を保持する保持部３８を備え、ハンド３６が軸の軸回りに回転するときの回転方向の接線は小径孔１６Ｂから大径孔１６Ａに延びる穴１６の中心線と一致し、保持部３８が穴１６に挿入された状態でハンド３６が軸３０の軸回りに回転することにより保持部３８と穴１６が係合する。 （もっと読む）

【課題】 コンタクト構造体を有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 この製造方法は半導体基板上に絶縁膜を形成する第１工程と、前記絶縁膜の所定領域内に選択的に不純物イオンを注入して前記絶縁膜の前記所定領域内に格子欠陥（ｌａｔｔｉｃｅ ｄｅｆｅｃｔｓ）を生成する第２工程とを含む。さらに、格子欠陥を有する絶縁膜を熱処理して前記所定領域内の格子欠陥の生成を加速する第３工程を含む。その結果、前記所定領域内に電流通路（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐａｔｈｓ）を有する導電性の領域が形成される。前記第３工程は前記絶縁膜を少なくとも２０℃／ｍｉｎ以上の温度変化率で急冷する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、大電流印加時の発光効率を維持させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および上側電極部を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間電極部を互いの中間電極部間の間隔が５０μｍ以上１００μｍ以下の均等に分散した島状または等間隔の縞状、格子状かつ上面から見た中間電極部の第２導電型半導体層に対する面積率が３〜９％となるように配置することにより、大電流での使用時でも発光効率の高い半導体発光素子を提供することができる。
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【課題】コンタクト抵抗の増加を抑制した半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００ａは、エピタキシャル層形成装置１１０と、電極形成装置１５０と、接続部１２０とを備えている。エピタキシャル層形成装置１１０は、基板上にエピタキシャル層を形成する。電極形成装置１５０は、エピタキシャル層に電極を形成する。接続部１２０は、エピタキシャル層形成装置１１０と電極形成装置１５０とを接続し、かつ大気を遮断した雰囲気である。 （もっと読む）

【課題】ＭＭＩＣのＳＰＤＴスイッチなど、半導体デバイスとして用いるのに適したＭＯＳ−ＰＨＥＭＴの構造及びその製造方法を開示する。
【解決手段】ＭＯＳ−ＰＨＥＭＴ構造は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３及びＺｒＯ_２からなる群から選ばれる材料からなるゲート誘電体層107を有することを特徴とし、これにより、このＭＯＳ−ＰＨＥＭＴの構造を含む、高周波スイッチデバイスなどの半導体構造が、直流電流の損失及び挿入損失の低下を防ぎ、隔絶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便に蒸着を行うことができる蒸着用治具及び蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる蒸着用治具は、ウエハ４の非蒸着面を覆うハット２を有する。ハット２には、第１凸部２ａ及び第２凸部２ｂが設けられる。第１凸部２ａは、ウエハ４側におけるハット２の外周部に設けられ、ウエハ４を保持する。第２凸部２ｂは、ウエハ４とは反対側におけるハット２の外周部に設けられる。このように、ハット２の両面に凸部を設けることにより、簡便に蒸着を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】工程数の増大を引き起こさずに、遮光層で囲まれた薄膜トランジスタと同等以上の遮光能力を有する薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極２と、第１のゲート電極２を覆う第１のゲート絶縁層３と、第１のゲート絶縁層３の上の半導体層６と、半導体層６の上の第２のゲート絶縁層７と、第２のゲート絶縁層７の上の第２のゲート電極８と、半導体層６に電気的に接続されたドレイン電極５及びソース電極４を有する薄膜トランジスタにおいて、半導体層６がＺｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎのうち少なくとも１種以上を含む非晶質酸化物半導体であり、第１のゲート電極２が下方から半導体層６への光の入射を遮り、第２のゲート電極８が上方から半導体層６への光の入射を遮り、第２のゲート電極８は第１のゲート絶縁層３及び第２のゲート絶縁層７を貫通して第１のゲート電極２と電気的に接続され、少なくとも一方の側方から半導体層６に入射する光を遮る。 （もっと読む）

【課題】応答特性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ＧａＮ層１０と第１および第２の絶縁層１３、１４と電極層とＦＰ電極１７とを備える。ＧａＮ層１０は、高欠陥領域１０ａと、高欠陥領域１０ａよりも欠陥密度の低い低欠陥領域１０ｂとを含み、主表面１０ｃを有する。第１の絶縁層１３は、ＧａＮ層１０の主表面１０ｃにおける高欠陥領域１０ａを覆うように形成される。第２の絶縁層１４は、ＧａＮ層１０の主表面１０ａにおける低欠陥領域１０ｂの上に形成され、開口部が形成される。電極層は、開口部の内部に、ＧａＮ層１０の主表面１０ａに接触するように形成される。ＦＰ電極１７は、電極層に接続するとともに、第２の絶縁層１４に重なるように形成される。第１の絶縁層１３は、第２の絶縁層１４を構成する材料の誘電率よりも小さい誘電率を有する材料を含む。 （もっと読む）

【課題】耐圧を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ＧａＮ層１０と第１の絶縁層１３と第２の絶縁層１４と電極層とＦＰ電極１７とを備えている。ＧａＮ層１０は、高欠陥領域１０ａと、高欠陥領域１０ａよりも欠陥密度の低い低欠陥領域１０ｂとを含み、主表面１０ｃを有する。第１の絶縁層１３は、ＧａＮ層１０の主表面１０ｃにおける高欠陥領域１０ａを覆うように形成されている。第２の絶縁層１４は、ＧａＮ層１０の主表面１０ａにおける低欠陥領域１０ｂの上に形成され、開口部が形成されている。電極層は、開口部の内部に、ＧａＮ層１０の主表面１０ａに接触するように形成されている。ＦＰ電極１７は、電極層に接続するとともに、第２の絶縁層１４に重なるように形成されている。第１の絶縁層１３の厚みＨ１３は、第２の絶縁層１４の厚みＨ１４よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第１の層と酸化物半導体層の積層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤーボンダビリティが良好な電極を形成することのできる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、ｎ型半導体結晶と、発光層と、ＧａまたはＩｎを含みキャリア濃度が１×１０^１７／ｃｍ^３以上１×１０^１９／ｃｍ^３以下であるｐ型半導体結晶とが、この順で形成された半導体結晶の前記ｐ型半導体結晶の表面に、オーミック電極材料として、少なくとも、ＡｕＢｅを含む層、Ｔｉ層、Ａｕ層を形成し、その後熱処理を行ってオーミック電極を形成し、その後前記半導体結晶をダイシングする発光素子の製造方法であって、少なくとも、前記形成されたオーミック電極の表面を、ヨウ素ヨウ化カリウム溶液を用いて洗浄する工程を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を構成する有機半導体材料層と良好なオーミック・コンタクトを形成することができるソース／ドレイン電極を備えた電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、ゲート電極１２と、ゲート絶縁層１３と、ソース／ドレイン電極２１と、チャネル領域１５を構成する有機半導体材料層１４とを備え、ソース／ドレイン電極２１は、金属から成る導体部２２、及び、導体部２２を少なくとも部分的に被覆し、不純物がドーピングされた有機導電材料層２３から成り、有機導電材料層２３を介して、チャネル領域１５と導体部２２との間の電気的接続が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ電極の抵抗をさらに低くすることのできるＩＴＯ電極の形成方法、及びこれにより形成された半導体素子のＩＴＯ電極、並びにこのＩＴＯ電極を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１における酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の電極５０の形成方法において、電極５０を、成膜レートにつき１Å／ｓｅｃ以上５Å／ｓｅｃ以下とし、酸素圧力につき０．００５Ｐａ以上０．０２Ｐａ以下として、電子線蒸着法により形成した後、所定温度で焼成し、良質なＩＴＯ電極５０を得た。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】異種基板と貼り合わせた窒化物系化合物半導体基板の一部を異種基板から除去することにより窒化物系化合物半導体層を異種基板上に製造する方法において、窒化物系化合物半導体層におけるリーク電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板等の支持基板２０上に窒化ガリウム層３０を有する基板生産物１を製造する方法であって、窒化ガリウム基板１０の表面１０ａにイオン注入を行う工程と、表面１０ａを洗浄する工程と、表面１０ａと支持基板２０の表面２０ａとを互いに接合させる工程と、窒化ガリウム基板１０のうち表面１０ａを含む部分を層状に残して他の部分を除去することにより、窒化ガリウム層３０を支持基板２０上に形成する工程とを含む。表面１０ａを洗浄する工程の際、洗浄後の表面１０ａにおけるＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，及びＳｉの密度を合計で１×１０^１８［ｃｍ^−３］以下とする。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体の電極の剥離が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法、当該電極が形成されたＺｎＯ系化合物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ｐ型ＺｎＯ系半導体層上に、Ｎｉ及びＣｕの少なくとも１つを含むコンタクト金属層を形成する工程と、無酸素雰囲気下で上記コンタクト金属層及びｐ型ＺｎＯ系半導体層の熱処理を行い、コンタクト金属層の表面に金属相の層を残存させるとともに、ｐ型ＺｎＯ系半導体層及びコンタクト金属層間の界面にｐ型ＺｎＯ系半導体層の元素及びコンタクト金属層の元素からなる混合層を形成する熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）