【課題】窒化物半導体装置においてリーク電流の低減が要求されている。
【解決手段】 本発明に従うSBDを形成する方法は、窒化物半導体２の上にチタン膜８及びアルミニウム膜９を電子ビーム蒸着法で形成する工程を有する。チタン膜８及びアルミニウム膜９を電子ビーム蒸着法で形成する時に自然発生的に極く薄いチタン酸化膜１０がチタン膜８と窒化物半導体２との間に生じる。この極く薄いチタン酸化膜１０を窒化物半導体２の上に残存させて表面安定化膜として使用し、リーク電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】ゲートラグおよびセトリング時間が短い半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にＩｎＧａＰ層を形成し、ＩｎＧａＰ層の上面にＴｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極を蒸着により形成し、ＩｎＧａＰ層の上面においてゲート電極が形成される領域とは異なる領域にＧａＡｓ層を更に形成し、ＧａＡｓ層の上面にソース電極及びドレイン電極を更に形成する半導体装置の製造方法を提供する。さらに、Ｔｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極をＩｎＧａＰ層の上面に形成する場合において、１８０℃以下の基板温度でＴｉ層およびＡｕ層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】電極膜の剥離を防止しつつ、構造が容易で製造工程が簡易で短い電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明に係る電極膜／炭化珪素構造体では、ＳｉＣ基板１０の表面に形成された絶縁膜１１に開口した接触窓１２により露出したＳｉＣ基板１０の表面に接し、絶縁膜１１のＳｉＣ基板対向面に延伸させて設けた電極１３は、微細直方結晶を積上げた微細積木構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 制御電極のリーク電流、周波数分散の抑制とチップの小型化、低オン抵抗化できる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上にｎ型ＧａＮ層からなる高濃度の第１の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層と、高濃度の第３の窒化物半導体層を積層形成し、ソース電極以外の領域を凹状に除去し、露出する第２の窒化物半導体層の側壁及び底面にゲート電極を形成する。基板裏面から第３の窒化物半導体層に接続するドレイン電極を形成する。ソース電極、ゲート電極を微結晶構造のＧａＮ層上に形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】アノード電極とのコンタクト抵抗を低減できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本半導体装置は、炭化珪素半導体基体１００の第１主面とヘテロ接合を形成し、且つ炭化珪素とバンドギャップの異なる多結晶シリコンからなるヘテロ半導体領域３と、ゲルマニウムからなり、へテロ半導体領域３と接するバッファ層４と、バッファ層４と接するアノード電極５と、炭化珪素基板１の裏面に接するカソード電極６を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輝度を高めることができる発光素子に関するものである。
【解決手段】上記の目的を達成するために、本発明は、光を透過可能な基板１と、基板１上に設けられたｎ層３及びｐ層５と、前記ｎ層３と前記ｐ層５の間に設けられた発光層４と、前記ｎ層３と前記ｐ層５にそれぞれ設けられたｎ側電極７とｐ側電極６を有した発光素子であって、ｐ側電極６を少なくともｐ層５側からＰｔ層６１、Ａｇ層６２、Ｍｏ層６３の順に積層した。本発明は、輝度を高めることができる発光素子に関するものである。 （もっと読む）

【課題】 基板の第１部分に導電性領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、パルス変調電気バイアスの下で実質的に完全に電離した金属イオンのフィルタリングされたビームに第１部分を露出させる工程を含む。本方法は、ＦＣＶＡ(フィルタ処理陰極真空アーク)法を用いて、フィルタリングされたイオンビームを生成し、高アスペクト比のバイアおよびトレンチにおいてもコンフォーマルな金属コーティングの形成を可能にする。また本方法は、バイアおよびトレンチを充填した導電性配線の形成も可能にする。実施の形態は、銅イオンの堆積に関する。基板に金属を堆積する適応ＦＣＶＡ装置および基板に衝突するイオンビームを制御する制御装置も、開示される。制御装置は、既存のフィルタリングされたイオンビーム源内に組み込むのに適している。 （もっと読む）

【課題】平坦でかつ結晶欠陥が極端に少ない（好ましくは無転位の）窒化ガリウム半導体層をｃ面以外の主面を持つ窒化ガリウム基板上に形成することができる窒化物半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１は、ｃ面以外の主面（たとえばｍ面）を持つ。このＧａＮ単結晶基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。この際に、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が１０００以上の条件を用い、前記Ｖ／III比が１０００未満の条件を用いることなく、また、ＧａＮ単結晶基板１の表面に、バッファ層を介在させることなく、ＧａＮ半導体層２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】活性層本体上に均一な膜厚での第１及び第２主電極領域を付加的活性層部分として、突出させて形成するとともに、リーク電流や寄生容量の増加等の問題が防止され、かつ素子分離プロセスを容易に行う。
【解決手段】活性層本体部１９ａ上に形成したマスク層２１に第１及び第２開口部２３ａ及び２３ｂとダミー開口部２５とを開口する。そして、これら開口部におけるローカルローディング効果を利用して、第１及び第２開口部から露出した第１及び第２主電極領域形成予定領域２７ａ及び２７ｂ上のみに、第１及び第２主電極領域３１ａ及び３１ｂを付加的活性層部分として形成する。 （もっと読む）

【課題】金属粒子の粒径のバラツキが少なく、かつその粒径の制御が容易なナノ金属粒子の形成方法及びナノオーダの配線の形成方法の提供。
【解決手段】ナノオーダの平坦性を持ち、かつ表面に化学的な結合手が極めて少ない材料からなる基板上に金属材料を真空蒸着する際に、その真空蒸着雰囲気下で基板を４００℃から金属材料の融点未満までの範囲の温度に加熱した状態で、金属材料の蒸着量をナノオーダで制御して蒸着せしめ、径の制御されたナノ金属粒子又はナノオーダの配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御が可能なエンハンスメント形の動作を得ることである。
【解決手段】 結晶方位の＋ｃ方向にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、ＧａＮ層、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の順に積層されており、ｘ≧ｙにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。 （もっと読む）

【課題】ミリメートル波動作のために設計された広バンドギャップのトランジスタの提供。
【解決手段】第III族窒化物チャネル層と；第III族窒化物チャネル層の上のスペーサ層と；第III族窒化物チャネル層の上にあり、かつ３０ＧＨｚを超える周波数において印加される電圧に応じてチャネル層の伝導率を変調するのに十分なゲート長を有するゲート接点と；ゲート接点と電気的に接続され、スペーサ層を横断してドレイン接点に向かう方向に少なくとも約０．１μｍ延びる下部フィールドプレートと；第III族窒化物チャネル層の上のソース接点およびドレイン接点とを含み、少なくとも３０ＧＨｚの周波数における動作時に約５Ｗ／ｍｍより大きな電力密度を示すことを特徴とする電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド層のグレインサイズを均一化することが可能であって、信頼性を向上する。
【解決手段】ソース・ドレイン領域２１ｓｄが形成された単結晶シリコンの半導体基板１１や、ポリシリコンのゲート電極２１ｇのように、シリコンを含む半導体領域においてシリサイド化が生ずる第１の温度にて、その半導体領域に第１金属を堆積することによって、第１金属層１２を形成する。つぎに、その形成された第１金属層１２を被覆するように、第１の温度より低い第２の温度にて、その半導体領域に第２金属１３を堆積することによって、第２金属層を形成する。つぎに、第２金属層１３が第１金属層１２を被覆するように形成された半導体領域に対して熱処理を実施することによって、金属シリサイド層２１ｇｍ，２１ｓｄｍを形成する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ型を実現するために、高いショットキー障壁を有し、かつ寄生抵抗の増大を抑制する電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板101上にアンドープGaN層102およびn型AlGaN層103がエピタキシャル成長により順に形成されている。アンドープGaN層102上部には二次元電子ガスが発生しており、アンドープGaN層102上部は電界効果トランジスタのチャネル層として機能する。n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。またn型AlGaN層103上にはTi/Al電極105が形成されている。
以上の構成によれば、従来の電界効果トランジスタでは不可能であった高いショットキー障壁を形成できるので、ノーマリーオフ型の電界効果トランジスタを実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】浅い接合領域上に、浅いニッケルモノシリサイド層を形成する。
【解決手段】絶縁膜で画成されたシリコン面上に金属ニッケル膜を堆積し、シラン雰囲気中、２２０℃を超えない温度で熱処理し、組成がＮｉ₂Ｓｉのシリサイド層を、接合領域との界面および金属ニッケル膜表面に、未反応の金属ニッケル膜が残るように形成した後、前記未反応の金属ニッケル膜をエッチング除去し、熱処理してニッケルモノシリサイド層に変換する。 （もっと読む）

【課題】高い貫通転位密度を有するコア部の配置の影響を低減することができ素子面積を大きくできる構造のダイオードを提供する。
【解決手段】第１導電型窒化ガリウム系半導体層１５は、第１〜第３の領域１５ａ、１５ｂ、１５ｃを含む。第１の領域１５ａは貫通転位密度Ｄ_１より小さい貫通転位密度Ｄ_１１を有する。第２の領域１５ｂは貫通転位密度Ｄ_１より大きい貫通転位密度Ｄ_１２を有する。第３の領域１５ｃは貫通転位密度Ｄ_１より小さい貫通転位密度Ｄ_１３を有する。第１の電極層１７は第１の領域１５ａおよび第３の領域１５ｃにショットキ接合を成す。第１の絶縁層１９は、第２の領域１５ｂと第１の電極層１７との間に設けられている。第２の電極層２１は、導電性基板１３の裏面１３ｂ上に設けられている。窒化ガリウム系半導体領域１５の第２の領域１５ｂは、第１の領域１５ａと第３の領域１５ｃとの間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】裏面に極めて低抵抗なオーミック・コンタクトを有する炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の主表面（表面）と表面に対向する第２の主表面（裏面）とを備える炭化珪素基板１と、表面側に配置された主要電極要素群と、裏面に接する非熱処理型オーミック電極９とを有し、非熱処理型オーミック電極９は、炭化珪素半導体装置が完成するまでに４５０℃を超える熱処理を被ることなく形成され、裏面の表層は、炭化珪素半導体装置の製造工程において形成される、接触抵抗を増大させる原因となる抵抗増大層を含まない。 （もっと読む）

【課題】発熱体を構成している金属の蒸発を原因とする汚染を防ぐことで、大きな面積の酸化物薄膜をより高品質に形成できるようにする。
【解決手段】複数の絶縁柱１５１により支持板１５２に屈曲されて配設された電熱線よりなる発熱体１０５を、大気中などの高い濃度で酸素を含む雰囲気で、１１００℃程度にまで通電加熱することで、発熱体１０５の表面に構成する金属の酸化被膜が形成された状態として用いる。発熱体１０５が、鉄とクロムとアルミニウムとの合金よりなる電熱線から構成されている場合、表面には酸化アルミニウムの被膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極と窒化物系半導体層とのオーミック特性が熱により劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｐ側オーミック電極６に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｐ型コンタクト層５の主表面に接触して形成されるＳｉ層６ａと、Ｓｉ層６ａ上に形成される約２０ｎｍの厚みを有するＰｄ層６ｂとを含むとともに、ｎ側オーミック電極９に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｎ型ＧａＮ基板１の下面に接触して形成されるＳｉ層９ａと、Ｓｉ層９ａの下面上に形成される約６ｎｍの厚みを有するＡｌ層９ｂと、Ａｌ層９ｂの下面上に形成される約３０ｎｍの厚みを有するＰｄ層９ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】 化学的に安定で、毒性がなく、導電性・透明性共に良好であり、容易かつ安価に膜形成が可能な透明導電性成形物を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ_x（Ｘは０．５以上２．０未満）と酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）を含有し、体積固有抵抗が０．０１Ωｃｍ未満である透明導電性成形物。 （もっと読む）