【課題】本発明の目的は、装置の大幅な改造を必要とせずに、所望の物理量を高精度かつ均一に有する薄膜の製造を可能にする薄膜の膜厚制御装置を提供することである。
【解決手段】成膜装置において、成膜中の薄膜の物理量を測定する物理量測定素子と、前記薄膜の物理量と所望の物理量とを比較する比較部と、前記比較部の比較結果に基づいて成膜条件及び／または成膜時間を制御する制御部とを備えることを特徴とする。これにより、所望の物理量を有する薄膜の製造において、所望の物理量を膜内に均一に有する薄膜の製造を可能とすることができる。 （もっと読む）

本発明は、ＵＶＬＥＤ装置及びその製造方法を提供する。この装置は、基板（１）上に下から上への順で設けられたＡｌＮ核層（２、３）、真性ＡｌＧａＮエピタキシャル層（４）、ｎ−型ＡｌＧａＮバリア層（５）、活性領域（６）、第１のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（７）、第２のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（８）、及びｐ−型ＧａＮキャップ層（９）を含備える。ｐ−型ＧａＮキャップ層には、発生した光を発するためのウインド領域（１０、Ｗ、Ａ）をエッチングしている。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体の電極の剥離や金属の凝集が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法及び当該電極が形成されたＺｎＯ系化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上にｎ型ＺｎＯ系半導体層及びｐ型ＺｎＯ系半導体層を含む積層体をｐ型ＺｎＯ系半導体層が表面に形成されるように形成する工程と、ｐ型ＺｎＯ系半導体層をその表面温度が２５０℃ないし５００℃の範囲内で熱処理する工程と、５５０℃未満の温度で、ｐ型ＺｎＯ系半導体層上にｐ側電極金属を上記熱処理の後に形成する工程と、ｎ型ｎ型ＺｎＯ系半導体層上にｎ側電極金属を形成してＺｎＯ系半導体素子を形成する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】低価格でオン抵抗が低いパワーデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本パワーデバイスは、金属製支持基板１０と、金属製支持基板１０の一方の主面１０ｍ側に順次形成されているＩＩＩ族窒化物導電層２０、ＩＩＩ族窒化物能動層３０および電極４０と、を含む。また、本パワーデバイスの製造方法は、金属製支持基板１０にＩＩＩ族窒化物導電層２０が接合された導電層接合金属製支持基板１２を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物導電層２０上にＩＩＩ族窒化物能動層３０を形成する工程と、ＩＩＩ族窒化物能動層３０上に電極４０を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮ層の裏面（Ｎ原子面）上に低抵抗なオーミック電極を形成することが可能なオーミック電極、半導体装置、オーミック電極の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オーミック電極１６は、表面１３ａと、この表面１３ａと反対側の裏面１２ｂとを有し、表面１３ａが（０００１）面で、導電型がｎ型であるＡｌＧａＮ層１１の裏面１２ｂに形成されたオーミック電極１６において、オーミック電極１６において裏面１２ｂに接触している領域はＷを含むことを特徴としている。オーミック電極１６の製造方法は、裏面１２ｂに接触する領域にＷおよびＭｏの少なくとも一方を含むオーミック電極１６を形成することを特徴としている。 （もっと読む）

ケーシング（２６１）内部にあるコーティング材料のターゲット（２６２）と、ケーシング内に設けられた蒸気開口（２６３）と、蒸気開口に隣接して設けられ、浮遊電位にあるシールド装置（２６６、２６８；２６８０）と、を備える荷電粒子ビームＰＶＤ装置が提供される。
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【課題】ショットキー接触を発生させることなく、炭素の析出を抑制することにより配線の密着性を向上したオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＳｉＣ半導体装置においてオーミック電極を形成する際に、ＳｉＣ層１１の一方の主表面上には、１種の第１の金属元素からなる、第１の金属層１２を形成する。また、第１の金属層の、ＳｉＣ層１１と対向する表面とは反対側の表面上（図１における上側）に、ＳｉからなるＳｉ層１３を形成する。このようにして形成した積層構造１０Ａに対して熱処理を行なう。以上により、電極の表面層への炭素原子の析出や、ＳｉとＳｉＣとによるショットキー接触の形成が抑制された、配線との良好な密着性を示すオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置において、成膜後の清掃作業を短時間で行うことができ、清掃作業員が成膜材料カスまみれになることが無い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置は、真空容器１内で成膜材料を被処理物表面上に成膜する真空成膜装置において、前記真空容器１の内壁面に配置される防着板３０と、磁石と前記磁石の一方を被覆しかつ磁性を有する金属カバーとからなり、かつ、前記防着板３０を前記真空容器１の内壁面に固定する防着板固定治具４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属ワイヤとの密着性が高く、かつ透明導電膜との界面における接触抵抗を低減させた、導電接続部としての金属複合膜を有する電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子を提供する。
【解決手段】 被成膜体上にチタンドープ酸化インジウムからなる透明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜上に、外部との導電接続部としてＮｉ含有膜およびＡｕ含有膜を有する金属複合膜を形成する工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性に優れ、半導体基体との界面における組成の均一性に優れ、ショットキー接合層との十分に高い密着性が得られるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ型のＳｉＣ半導体基体１と、ＳｉＣ半導体基体１の一方の主表面１ｂとオーミック接触するカソード電極５と、ＳｉＣ半導体基体１の他方の主表面１ａに形成されたｐ型ＳｉＣからなる第一半導体領域６ａと、他方の主表面１ａに形成されたｎ型ＳｉＣからなる第二半導体領域６ｂと、第一半導体領域１ａにオーミック接触するオーミック接合層７と、第二半導体領域６ｂにショットキー接触するショットキー接合層８とを備え、オーミック接合層７の二乗平均粗さが、２０ｎｍ以下である半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】 厚み変動を小さく、かつ収率を高くすることができる、薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜形成装置１０は、真空引き雰囲気の蒸着チャンバー内で、蒸着源から物質を蒸発させて基材１に蒸着膜を形成する装置であり、この装置では、基材１を蒸着源に面するように保持する基材ホルダー３を備え、基材ホルダー３は、基材１が蒸着源７を囲い込む筒状体をなす面に沿って配置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低閾値電圧、高電界効果移動度及び高オン／オフ電流比を有するボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、絶縁体層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を含むボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方が、酸化物層及び金属層が積層してなる積層構造を有し、前記金属層が有機薄膜層で表面修飾されてなる有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度の電流を注入して連続駆動させた場合でも高い信頼性を有する窒化物半導体発光ダイオード素子およびその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、窒化物半導体活性層に対してｐ型窒化物半導体層側に、酸化インジウム錫を含有する第１の透明電極層と、酸化錫を含有する第２の透明電極層とを有する窒化物半導体発光ダイオード素子とその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法である。 （もっと読む）

形成されたフィルム形態をナノ粒子塊のものから粒子およびドロップレットの無い平滑な薄膜に連続的に調整することが可能なパルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）の方法。発明の様々な実施形態を使って合成されることができる材料は、金属、合金、酸化金属および半導体を含むが、それらに限定はされない。様々な実施形態において、超短パルスレーザーアブレーションおよび蒸着の「バースト」モードが提供される。フィルム形態の調整は、各バースト内のパルス数およびパルス間の時間間隔、バースト繰り返しレート、およびレーザーフルエンスのようなバーストモードパラメータを制御することによって達成される。システムは、超短パルスレーザーと、適切なエネルギー密度でターゲット表面上にフォーカスされたレーザーを配送するための光学システムと、その中にターゲットおよび基板が設置され背景ガスとそれらの圧力が適切に調節された真空チェンバーと、を含む。
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【課題】表面荒れの小さいオーミック電極を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体層（１）と、この半導体層上に形成されたオーミック電極（２）と、このオーミック電極の上面と側面を覆うように形成されたカバー電極（３）とを備え、オーミック電極はＡｌを含有する合金層を含み、カバー電極はＷ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、ＷＮ_x、およびＷＳｉ_xから選択された少なくとも１種の金属層を含みかつ１００ｎｍ以上の膜厚を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】各温度領域における最適なドーピング濃度を提供し、高温動作ダイヤモンド半導体での動作時の抵抗を最低限にし、省エネルギー動作を可能にする高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度制御方法を提供する。
【解決手段】ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドｐ⁻ドリフト層、ダイヤモンドｐ^＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、不純物ドーピング濃度をコントロールすることにより、高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度を設定することを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子の最適作動温度制御方法。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造プロセスにおいて、あるいは又、発光素子の動作時、安定した挙動を示す第２電極を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層１１、第１化合物半導体層１１上に形成され化合物半導体から成る活性層１２、活性層１２の上に形成された、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層１３、第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１５、及び、第２化合物半導体層１３上に形成された第２電極１４を備えており、第２電極１４は、チタン酸化物から成り、４×１０²¹／ｃｍ³以上の電子濃度を有し、活性層で発光した光を反射する。 （もっと読む）

【課題】 ２種類の金属電極を有するダイオードを製造する容易な製造方法を提供する。
【解決手段】 n型半導体領域２０の表面にp型半導体領域３０を結晶成長させる工程と、p型半導体領域３０の表面３１にオーミック接合Ｊｒするオーミック電極４０（第１金属膜）を形成する工程と、オーミック電極４０の表面４１に開口を有するマスクを形成する第３工程と、マスクの開口からオーミック電極４０とp型半導体領域３０をエッチングしてn型半導体領域２０を露出させる工程と、露出したn型半導体領域２０の表面の少なくとも一部にショットキー接合Ｊｓするショットキー電極５０（第２金属膜）を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体層の表層部にp型半導体領域とn型半導体領域の両者を有するダイオードにおいて、ダイオードの順方向電圧降下を低減化する技術を提供する。
【解決手段】 表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n⁺型カソード領域２０を有している。p型半導体領域４０は、溝２の底面６ｃにおいて露出している。オーミック電極５１は、溝２の底面６ｃの範囲内に形成されてp型半導体領域４０にオーミック接合Ｊ１している。ショットキー電極５３は、溝２の側面６を含む表面側の露出範囲に形成されてn型半導体領域３０にショットキー接合Ｊ２している。カソード電極１０は、カソード領域２０の裏面側の露出範囲に形成されてカソード領域２０にオーミック接合Ｊ１している。 （もっと読む）