真空蒸着装置

【課題】本発明の目的は、ガス出し作業や蒸着作業後の徐冷の際に、シャッタ板裏面に付着する付着物がルツボ内に落下して、ルツボ内の蒸着原料を汚染することを防止できる機能を有する真空蒸着装置を提供することである。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置１０１は、真空チャンバ２と、真空ポンプ３と、半導体基板４を保持する基板ホルダ５と、蒸着原料６を収容するルツボ７と、加熱手段としての電子銃９と、集束コイル１０および偏向コイル１１と、蒸着原料６からの蒸着流１２を放出したり遮断したりする本発明の特徴である、蒸着原料６と同種の材料で成るシャッタ板１０２と、シャッタ板１０２の位置を移動させるシャッタ板駆動部１４と、成膜レートを測定する膜厚モニタ１５と、電子銃９のパワーを制御するパワー制御部１６とで構成されている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空中で蒸着原料を加熱溶融して蒸発させ被処理基板の表面に被着させて成膜する真空蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の真空蒸着装置の一例の縦断面図を図８に示す。
【０００３】
従来の真空蒸着装置１は、内部を真空状態に維持することのできる真空チャンバ２と、真空チャンバ２内を真空に排気する真空ポンプ３と、真空チャンバ２内に配置され、被処理基板としての例えば半導体基板４を保持する基板ホルダ５と、基板ホルダ５と対向して配置され、蒸着原料６を収容するルツボ７と、その蒸着原料６を加熱溶融して蒸発させる加熱手段としての電子ビーム８（図中破線矢印）を発射する電子銃９と、電子ビーム８を集束および偏向するための磁力を与える集束コイル１０および偏向コイル１１と、蒸着原料６からの蒸着流１２（図中実線矢印）を放出したり遮断したりするシャッタ板１３と、シャッタ板１３の位置を移動させるシャッタ板駆動部１４と、半導体基板４の近傍に配置され、成膜レートを測定する膜厚モニタ１５と、膜厚モニタ１５からの信号に基づき電子銃９のパワーを制御するパワー制御部１６とで構成されている。
【０００４】
ここで、シャッタ板１３は、シャッタ板駆動部１４により、蒸着原料６の上方に移動してきて蒸着流１２を遮断したり、蒸着原料６の上方から所定の待機位置に退避して蒸着流１２を放出したりできるようになっている。尚、図８では、シャッタ板１３は退避位置にあり、蒸着流放出状態を示す。
【０００５】
次に、真空蒸着装置１の動作を説明する。先ず、基板ホルダ５に半導体基板４を保持し、真空ポンプ３を作動して真空チャンバ２内を減圧させ所望の真空度にする。
【０００６】
次に、電子銃９より電子ビーム８を発射し、集束コイル１０および偏向コイル１１で制御し、蒸着原料６の表面に略垂直に照射させ、蒸着原料６を加熱溶融して蒸発させる。
【０００７】
ここで、半導体基板４への蒸着作業をする前に、蒸着原料６の表面の不純物を蒸発させたり、表面状態を均一にしたりすることを目的に、所謂、ガス出し作業を行う。このガス出し作業は、図９に示すように、シャッタ板１３を蒸着原料６の上方に移動させ、蒸着流１２を遮断状態にして行う。このため、シャッタ板１３の蒸着原料側の表面（以降、シャッタ板裏面と呼ぶ）には蒸着流１２が放射され、不所望にも蒸着原料６と同種の付着物１７が付着することは避けられない。
【０００８】
その後、ガス出し作業が終了したら、図８に示すように、シャッタ板１３を所定の待機位置に退避させ、半導体基板４に向けて蒸着流１２を放出し、膜厚モニタ１５で監視しながら所定の成膜を施す。
【０００９】
次に、半導体基板４への所定の成膜が完了したら、図９に示すように、再度、シャッタ板１３を蒸着原料６の上方に移動させ、蒸着流１２を遮断状態にして電子銃９のパワーを徐々に低下させ停止する。この徐冷の際にも、シャッタ板裏面には蒸着流１２が放射され、不所望にも蒸着原料６と同種の付着物１７が付着することは避けられない。
【００１０】
尚、上記では、蒸着原料６の加熱方法として、電子ビーム８による加熱方法で説明したが抵抗加熱や高周波加熱などの加熱方法であってもよい。
【００１１】
また、上記では、蒸着原料６の種類が１種類の場合の構成で説明したが、他の構成として、複数種の蒸着原料をそれぞれ個別に収容する複数個のルツボを具備し、これから蒸着する蒸着原料を収容したルツボを所定の加熱位置（電子ビーム照射位置）に移動させて蒸着する構成のものがある。
【００１２】
そのような真空蒸着装置の一例を図１０，図１１に示す。尚、図１０は真空蒸着装置の縦断面図（蒸着流遮断状態）であり、図１１は複数種の蒸着原料をそれぞれ個別に収容したルツボの平面図である。また、図８，図９と同一部分には同一符号を付す。
【００１３】
従来の他の構成の真空蒸着装置２０は、例えば、４種類の蒸着原料６ａ〜６ｄをそれぞれ個別に収容する円形配置された４個のルツボ７ａ〜７ｄを具備し、回転機構２１により、これから蒸着する蒸着原料（図中では蒸着原料６ａ）を加熱位置（電子ビーム照射位置）に移動させて蒸着作業を行う。そして、１つの材料種の蒸着作業が完了したら、次に蒸着する蒸着原料を加熱位置に移動させ加熱することで連続して異なる材料種の蒸着作業を行うことができる。尚、このとき加熱位置以外にある他の蒸着原料（６ｂ，６ｃ，６ｄ）は汚染されないように遮蔽板（図示せず）でマスクされている。
【００１４】
ここで、上述したような従来の真空蒸着装置１，２０には、共通して以下の問題があった。それは、ガス出し作業や蒸着作業後の徐冷の際に、蒸着流１２はシャッタ板１３で遮断されるため、シャッタ板裏面に蒸着流１２が放射され、不所望にも蒸着原料６と同種の付着物１７が付着することであった。
【００１５】
そして、その付着物１７が一定量堆積し自重やシャッタ板１３の回転動作の振動などにより、万一、ルツボ７，７ａ〜７ｄ内に落下すると内部の蒸着原料６，６ａ〜６ｄを汚染し、その結果、成膜品質を低下させるおそれがあった。
【００１６】
このことは、例え、蒸着原料６が１種類で、蒸着原料６と付着物１７とが同種材料の場合であっても、ルツボ７内の溶融した蒸着原料６からの輻射熱を受け、付着物１７がシャッタ板１３の材料と反応し化合物となって落下してルツボ７内の蒸着原料６を汚染する危険性があった。
【００１７】
況して、蒸着原料６ａ〜６ｄが複数種の場合には、シャッタ板裏面には、いろんな材料種の付着物１７が付着するため、ルツボ７ａ〜７ｄ内に落下した場合、内部の蒸着原料６ａ〜６ｄを汚染する危険度は大きかった。
【００１８】
このような付着物１７の堆積および落下に対して、図１２に示すように、シャッタ板を複数枚具備した改善された真空蒸着装置３０が提案されている。尚、図１２はシャッタ板を２枚具備した真空蒸着装置の縦断面図（蒸着流遮断状態）を示す。このような真空蒸着装置３０によると、２枚のシャッタ板３１，３２を成膜途中で切り替えて使用するため、シャッタ板が１枚の場合に比べて、シャッタ板１枚当りの付着物１７の堆積量を低減することができる。（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１５５５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、上記の改善された真空蒸着装置３０であっても、２枚のシャッタ板３１，３２を成膜途中で切り替えて使用するため、確かにシャッタ板が増えた分だけ１枚当りの付着物の堆積量は低減されるが、依然として、シャッタ板裏面に不所望な材料種の付着物１７が付着することに代わりがなかった。また、シャッタ板の枚数を増やせば増やすほど、その効果は増大するが、所詮、付着物１７が一定量堆積するまでの寿命を延長させるだけであるため、十分な効果を得るにはシャッタ板の枚数を出来る限り増やす必要があった。
【００２０】
本発明の目的は、ガス出し作業や蒸着作業後の徐冷の際に、シャッタ板裏面に付着する不所望な材料種の付着物がルツボ内に落下して、内部の蒸着原料を汚染することを防止できる機能を有する真空蒸着装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の真空蒸着装置は、
少なくとも、
内部を真空状態に維持することのできる真空チャンバと、
真空チャンバ内を真空に排気する真空ポンプと、
真空チャンバ内に配置され、被処理基板を保持する基板ホルダと、
基板ホルダと対向して配置され、蒸着原料を収容するルツボと、
ルツボ内の蒸着原料を加熱溶融して蒸発させ、蒸着流を発生させる加熱手段と、
被処理基板と蒸着原料との間に配置され、蒸着流を放出したり遮断したりするシャッタ板と、
シャッタ板の位置を移動させるシャッタ板駆動部とを備え、蒸着流を被処理基板に被着させて成膜する真空蒸着装置において、
シャッタ板の少なくとも蒸着原料側の表面は、蒸着原料と同種の材料で成ることを特徴とする真空蒸着装置である。
【００２２】
また、本発明の他の構成の真空蒸着装置は、
少なくとも、
内部を真空状態に維持することのできる真空チャンバと、
真空チャンバ内を真空に排気する真空ポンプと、
真空チャンバ内に配置され、被処理基板を保持する基板ホルダと、
基板ホルダと対向して配置され、複数種の蒸着原料をそれぞれ個別に収容する複数個のルツボと、
複数個のルツボの内、これから蒸着する蒸着原料を収容するルツボを所定の加熱位置に移動させる移動機構と、
加熱位置にあるルツボ内の蒸着原料を加熱溶融して蒸発させ、蒸着流を発生させる加熱手段と、
被処理基板と蒸着原料との間に配置され、蒸着流を放出したり遮断したりするシャッタ板と、
シャッタ板の位置を移動させるシャッタ板駆動部とを備え、蒸着流を被処理基板に被着させて成膜する真空蒸着装置において、
シャッタ板は、複数種の蒸着原料の種類数と同じ枚数だけ具備され、各シャッタ板の少なくとも蒸着原料側の表面は、複数種の蒸着原料と１対１で対応するようにそれぞれ同種の材料で成ることを特徴とする真空蒸着装置である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の真空蒸着装置によれば、少なくともシャッタ板の蒸着原料側の表面が蒸着原料と同種の材料で成るため、ガス出し作業や蒸着作業後の徐冷の際に、シャッタ板裏面に蒸着流が放射され付着物が付着し、その付着物がルツボ内の溶融した蒸着原料からの輻射熱でシャッタ板の材料と反応しても異種の材料が混じることがなく落下してもルツボ内の蒸着原料を汚染することがない。
【００２４】
また、複数種の蒸着原料をそれぞれ個別に収容する複数個のルツボを具備し、これから蒸着する蒸着原料を所定の加熱位置（電子ビーム照射位置）に移動させて蒸着する構成の真空蒸着装置の場合、シャッタ板は、複数種の蒸着原料の種類数と同じ数枚だけ具備され、各シャッタ板の少なくとも蒸着原料側の表面は、複数種の蒸着原料と１対１で対応するようにそれぞれ同種の材料で成り、加熱位置の蒸着原料と同種の材料で成るシャッタ板を選択して使用するため、シャッタ板裏面にいろんな材料種の付着物が付着することがない。また、シャッタ板の枚数は、蒸着原料の種類数と同じ枚数だけ具備すればよく、それ以上の枚数は不要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
ガス出し作業や蒸着作業後の徐冷の際に、シャッタ板裏面に付着する付着物がルツボ内に落下して、内部の蒸着原料を汚染することを防止できる機能を有する真空蒸着装置を提供するという目的を、少なくともシャッタ板の蒸着原料側の表面を蒸着原料と同種の材料とすることで実現した。
【実施例】
【００２６】
本発明の真空蒸着装置の一例を図１，図２に示す。尚、図１，図２は、１個のルツボ（１種類の蒸着原料）を備えた真空蒸着装置の縦断面図であり、図１は蒸着流放出状態、図２は蒸着流遮断状態を示す。また、図８，図９と同一部分には同一符号を付す。
【００２７】
本発明の真空蒸着装置１０１は、内部を真空状態に維持することのできる真空チャンバ２と、真空チャンバ２内を真空に排気する真空ポンプ３と、真空チャンバ２内に配置され、被処理基板としての例えば半導体基板４を保持する基板ホルダ５と、基板ホルダ５と対向して配置され、蒸着原料６を収容するルツボ７と、その蒸着原料６を加熱溶融して蒸発させる加熱手段としての電子ビーム８（図中破線矢印）を発射する電子銃９と、電子ビーム８を集束および偏向するための磁力を与える集束コイル１０および偏向コイル１１と、蒸着原料６からの蒸着流１２（図中実線矢印）を放出したり遮断したりする本発明の特徴である、全体が蒸着原料６と同種の材料で成るシャッタ板１０２と、シャッタ板１０２の位置を移動させるシャッタ板駆動部１４と、半導体基板４の近傍に配置され、成膜レートを測定する膜厚モニタ１５と、膜厚モニタ１５からの信号に基づき電子銃９のパワーを制御するパワー制御部１６とで構成されている。
【００２８】
ここで、シャッタ板１０２はシャッタ板駆動部１４により、蒸着原料６の上方に移動してきて蒸着流１２を遮断したり、蒸着原料６の上方から所定の待機位置に退避して蒸着流１２を放出したりできるようになっている。
【００２９】
次に、真空蒸着装置１０１の動作を説明する。先ず、基板ホルダ５に半導体基板４を保持し、真空ポンプ３を作動して真空チャンバ２内を減圧させ所望の真空度にする。
【００３０】
次に、電子銃９より電子ビーム８を発射し、集束コイル１０および偏向コイル１１で制御し、蒸着原料６の表面に略垂直に照射させ、蒸着原料６を加熱溶融して蒸発させる。
【００３１】
ここで、半導体基板４への蒸着作業をする前に、蒸着原料６の表面の不純物を蒸発させたり、表面状態を均一にしたりすることを目的に、所謂、ガス出し作業を行う。このガス出し作業は、図２に示すように、シャッタ板１０２を蒸着原料６の上方に移動させ、蒸着流１２を遮断状態にして行う。このため、シャッタ板１０２の蒸着原料側の表面（以降、シャッタ板裏面と呼ぶ）には蒸着流１２が放射され、不所望にも蒸着原料６と同種の付着物１７が付着することは避けられない。
【００３２】
その後、ガス出し作業が終了したら、図１に示すように、シャッタ板１０２を所定の待機位置に退避させ、半導体基板４に向けて蒸着流１２を放出し、膜厚モニタ１５で監視しながら所定の成膜を施す。
【００３３】
次に、半導体基板４への所定の成膜が完了したら、図２に示すように、再度、シャッタ板１０２を蒸着原料６の上方に移動させ、蒸着流１２を遮断状態にして電子銃９のパワーを徐々に低下させ停止する。この徐冷の際にも、シャッタ板裏面には蒸着流１２が放射され、不所望にも蒸着原料６と同種の付着物１７が付着することは避けられない。
【００３４】
尚、上記では、蒸着原料６の加熱方法として、電子ビーム８による加熱方法で説明したが抵抗加熱や高周波加熱などの加熱方法であってもよい。
【００３５】
上記のような真空蒸着装置１０１を用いると、ガス出し作業や蒸着作業後の徐冷の際に、シャッタ板裏面に蒸着流１２が放射され、蒸着原料６と同種の付着物１７が付着することは従来同様、避けられないが、その付着物１７がルツボ７内の溶融した蒸着原料６からの輻射熱を受け、例え、シャッタ板１０２の材料と反応しても、シャッタ板１０２全体が蒸着原料６と同種の材料で出来ているため付着物１７に異種の材料が混じることがなく、ルツボ７内に落下しても蒸着原料６を汚染する心配がない。
【００３６】
尚、上記では、シャッタ板１０２全体を蒸着原料６と同種の材料とする構成で説明したが、蒸着原料６が高価なＡｕなどの場合、必ずしもシャッタ板１０２全体を蒸着原料６と同種の材料とする必要はなく、シャッタ板裏面を蒸着原料６と同種の材料で被覆するだけでもよい。例えば、図３（ａ）に示すように、シャッタ板裏面に蒸着原料と同種の材料を一定厚さメッキしてメッキ層１０３で被覆するようにしてもよい。また、メッキ法に限らず、蒸着原料と同種の材料で成る薄板（図示せず）を準備して、接着材（図示せず）で貼り付けるなどして取り付けてもよいが、メッキ法であると接着材（図示せず）などの異種材料をいっさい使用しなくてもよく好適である。
【００３７】
また、図３（ｂ），図３（ｃ）に示すように、シャッタ板裏面にブラスト処理などにより凹凸１０４形状を設け、アンカー効果を利用して付着物１７を落下させにくくする工夫を併用することもできる。尚、図３（ｂ）はシャッタ板１０２全体を蒸着原料６と同種の材料とした場合を示し、図３（ｃ）はシャッタ板裏面を蒸着原料６と同種のメッキ層１０３で被覆した場合を示す。
【００３８】
次に、本発明の真空蒸着装置の他の構成を図４〜図６に示す。尚、図４，図６は複数個のルツボ（複数種の蒸着原料）を備えた真空蒸着装置の縦断面図であり、図４は蒸着流放出状態、図６は蒸着流遮断状態を示す。また、図５は複数種の蒸着原料をそれぞれ個別に収容したルツボの平面図である。尚、図１０，図１１と同一部分には同一符号を付す。
【００３９】
本発明の他の構成の真空蒸着装置２０１は、内部を真空状態に維持することのできる真空チャンバ２と、真空チャンバ２内を真空に排気する真空ポンプ３と、真空チャンバ２内に配置され、被処理基板としての例えば半導体基板４を保持する基板ホルダ５と、基板ホルダ５と対向して配置され、例えば４種類の蒸着原料６ａ〜６ｄをそれぞれ個別に収容する４個のルツボ７ａ〜７ｄと、これから蒸着する蒸着原料（図中では蒸着原料６ａ）を所定の加熱位置（電子ビーム照射位置）に移動させる回転機構２１と、加熱位置にある蒸着原料を加熱溶融して蒸発させる加熱手段としての電子ビーム８（図中破線矢印）を発射する電子銃９と、電子ビーム８を集束および偏向するための磁力を与える集束コイル１０および偏向コイル１１と、蒸着原料６ａからの蒸着流１２（図中実線矢印）を放出したり遮断したりする本発明の特徴である４枚のシャッタ板２０２ａ〜２０２ｄと、シャッタ板２０２ａ〜２０２ｄの位置を移動させるシャッタ板駆動部２０３と、半導体基板４の近傍に配置され、成膜レートを測定する膜厚モニタ１５と、膜厚モニタ１５からの信号に基づき電子銃９のパワーを制御するパワー制御部１６とで構成されている。
【００４０】
また、加熱位置以外にある他の蒸着原料６ｂ，６ｃ，６ｄは、汚染されないように遮蔽板（図示せず）でマスクされている。
【００４１】
ここで、シャッタ板２０２ａ〜２０２ｄは、蒸着原料６ａ〜６ｄの種類数（４種類）と同じ枚数（４枚）だけ具備され、各シャッタ板２０２ａ〜２０２ｄ全体が、４種類の蒸着原料６ａ〜６ｄと１対１で対応するように、それぞれ同種の材料で出来ている。
【００４２】
また、シャッタ板２０２ａ〜２０２ｄはシャッタ板駆動部２０３により任意に選択され、加熱位置にある蒸着原料６ａの上方に移動してきて蒸着流１２を遮断したり、蒸着原料６ａの上方から所定の待機位置に退避して蒸着流１２を放出したりできるようになっている。
【００４３】
次に、真空蒸着装置２０１の動作を説明する。先ず、基板ホルダ５に半導体基板４を保持し、真空ポンプ３を作動して真空チャンバ２内を減圧させ所望の真空度にする。
【００４４】
次に、電子銃９より電子ビーム８（図中破線矢印）を発射し、集束コイル１０および偏向コイル１１で制御し、蒸着原料６ａの表面に略垂直に照射させ、蒸着原料６ａを加熱溶融して蒸発させる。尚、予め、回転機構２１により、これから蒸着する蒸着原料６ａを加熱位置に移動させておく。
【００４５】
ここで、半導体基板４への蒸着作業をする前に、蒸着原料６ａの表面の不純物を蒸発させたり、表面状態を均一にしたりすることを目的に、所謂、ガス出し作業を行う。このガス出し作業は、図６に示すように、４枚のシャッタ板２０２ａ〜２０２ｄの中から加熱位置にある蒸着原料６ａと同種の材料で成るシャッタ板２０２ａを選択して、シャッタ板駆動部２０３により、蒸着原料６ａの上方に移動させ蒸着流１２を遮断状態にして行う。このため、シャッタ板裏面には蒸着流１２が放射され、不所望にも蒸着原料６ａと同種の付着物１７が付着することは避けられない。
【００４６】
その後、ガス出し作業が終了したら、図４に示すように、シャッタ板２０２ａを所定の待機位置に退避させ、半導体基板４に向けて蒸着流１２を放出し、膜厚モニタ１５で監視しながら所定の成膜を施す。
【００４７】
そして、１つの材料種の蒸着作業が完了したら、次に蒸着する蒸着原料を加熱位置に移動させ加熱することで連続して異なる材料種の蒸着作業を行うことができる。尚、このとき加熱位置以外にある他の蒸着原料６ｂ，６ｃ，６ｄは、汚染されないように遮蔽板（図示せず）でマスクされている。
【００４８】
次に、半導体基板４への所定の成膜が完了したら、図６に示すように、再度、シャッタ板２０２ａを蒸着原料６ａの上方に移動させ、蒸着流１２を遮断状態にして電子銃９のパワーを徐々に低下させ停止する。この徐冷の際にも、シャッタ板裏面には蒸着流１２が放射され、不所望にも蒸着原料６ａと同種の付着物１７が付着することは避けられない。
【００４９】
尚、上記では、蒸着原料６ａの加熱方法として、電子ビーム８による加熱方法で説明したが抵抗加熱や高周波加熱などの加熱方法であってもよい。
【００５０】
上記のような真空蒸着装置２０１を用いると、ガス出し作業や蒸着作業後の徐冷の際に、シャッタ板裏面に蒸着流１２が放射され、蒸着原料６ａと同種の付着物１７が付着することは従来同様、避けられないが、その付着物１７がルツボ７ａ内の溶融した蒸着原料６ａからの輻射熱を受け、例え、シャッタ板２０２ａの材料と反応しても、シャッタ板２０２ａ全体が蒸着原料６ａと同種の材料で出来ているため付着物１７に異種の材料が混じることがなく、ルツボ７ａ内に落下しても蒸着原料６ａを汚染する心配がない。
【００５１】
また、蒸着原料６ａ〜６ｄを切り替えるたびに、使用するシャッタ板２０２ａ〜２０２ｄも蒸着原料６ａ〜６ｄと同種の材料で成るシャッタ板２０２ａ〜２０２ｄに切り替えて使用するため、各シャッタ板裏面には異なる材料種の付着物１７が付着することがない。
【００５２】
尚、上記では、シャッタ板２０２ａ〜２０２ｄ全体を蒸着原料６ａ〜６ｄとそれぞれ同種の材料とする構成で説明したが、蒸着原料が高価なＡｕなどの場合、必ずしもシャッタ板２０２ａ〜２０２ｄ全体を蒸着原料６ａ〜６ｄと同種の材料とする必要はなく、シャッタ板裏面を蒸着原料６ａ〜６ｄとそれぞれ同種の材料で被覆するだけでもよい。例えば、図７（ａ）に示すように、シャッタ板裏面に蒸着原料とそれぞれ同種の材料を一定厚さメッキしてメッキ層２０４ａ〜２０４ｄで被覆する構成であってもよい。また、メッキ法に限らず、蒸着原料と同種の材料で成る薄板（図示せず）を準備して、接着材（図示せず）で貼り付けるなどして取り付けてもよいが、メッキ法であると接着材（図示せず）などの異種材料をいっさい使用しなくてもよく好適である。
【００５３】
また、図７（ｂ），図７（ｃ）に示すように、シャッタ板裏面にブラスト処理などにより凹凸２０５形状を設け、アンカー効果を利用して付着物１７を落下させにくくする工夫を併用することもできる。尚、図７（ｂ）はシャッタ板２０２ａ〜２０２ｄ全体を蒸着原料とそれぞれ同種の材料とした場合を示し、図７（ｃ）はシャッタ板裏面を蒸着原料とそれぞれ同種のメッキ層２０４ａ〜２０４ｄで被覆した場合を示す。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
シャッタ板に蒸着原料が付着し堆積して、ルツボ内に落下しても蒸着原料を汚染することのない機能を備えた真空蒸着装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の真空蒸着装置の一例の縦断面図（蒸着流放出状態）
【図２】本発明の真空蒸着装置の一例の縦断面図（蒸着流遮断状態）
【図３】本発明の真空蒸着装置の備えるシャッタ板の変形例の側面図
【図４】本発明の他の構成の真空蒸着装置の一例の縦断面図（蒸着流放出状態）
【図５】本発明の他の構成の真空蒸着装置が備える複数種の蒸着原料をそれぞれ個別に収容したルツボの平面図
【図６】本発明の他の構成の真空蒸着装置の一例の縦断面図（蒸着流遮断状態）
【図７】本発明の他の構成の真空蒸着装置の備えるシャッタ板の変形例の側面図
【図８】従来の真空蒸着装置の一例の縦断面図（蒸着流放出状態）
【図９】従来の真空蒸着装置の一例の縦断面図（蒸着流遮断状態）
【図１０】従来の他の構成の真空蒸着装置の一例の縦断面図（蒸着流遮断状態）
【図１１】従来の他の構成の真空蒸着装置が備える複数種の蒸着原料をそれぞれ個別に収容したルツボの平面図
【図１２】改善された真空蒸着装置の縦断面図（蒸着流遮断状態）
【符号の説明】
【００５６】
１従来の真空蒸着装置
２真空チャンバ
３真空ポンプ
４半導体基板
５基板ホルダ
６，６ａ〜６ｄ蒸着原料
７，７ａ〜７ｄルツボ
８電子ビーム
９電子銃
１０集束コイル
１１偏向コイル
１２蒸着流
１３，３１，３２，１０２，２０２ａ〜２０２ｄシャッタ板
１４，２０３シャッタ板駆動部
１５膜厚モニタ
１６パワー制御部
１７付着物
２０従来の他の構成の真空蒸着装置
２１回転機構
３０改善された真空蒸着装置
１０１本発明の真空蒸着装置
１０３，２０４ａ〜２０４ｄメッキ層
１０４，２０５凹凸
２０１本発明の他の構成の真空蒸着装置

【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
内部を真空状態に維持することのできる真空チャンバと、
前記真空チャンバ内を真空に排気する真空ポンプと、
前記真空チャンバ内に配置され、被処理基板を保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダと対向して配置され、蒸着原料を収容するルツボと、
前記ルツボ内の蒸着原料を加熱溶融して蒸発させ、蒸着流を発生させる加熱手段と、
前記被処理基板と前記蒸着原料との間に配置され、前記蒸着流を放出したり遮断したりするシャッタ板と、
前記シャッタ板の位置を移動させるシャッタ板駆動部とを備え、前記蒸着流を前記被処理基板に被着させて成膜する真空蒸着装置において、
前記シャッタ板の少なくとも蒸着原料側の表面は、前記蒸着原料と同種の材料で成ることを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
前記シャッタ板全体が、前記蒸着原料と同種の材料で成ることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項３】
前記シャッタ板の蒸着原料側の表面が、前記蒸着原料と同種の材料で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項４】
前記被覆方法は、メッキ法であることを特徴とする請求項３に記載の真空蒸着装置。
【請求項５】
少なくとも、
内部を真空状態に維持することのできる真空チャンバと、
前記真空チャンバ内を真空に排気する真空ポンプと、
前記真空チャンバ内に配置され、被処理基板を保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダと対向して配置され、複数種の蒸着原料をそれぞれ個別に収容する複数個のルツボと、
前記複数個のルツボの内、これから蒸着する蒸着原料を収容するルツボを所定の加熱位置に移動させる移動機構と、
前記加熱位置にあるルツボ内の蒸着原料を加熱溶融して蒸発させ、蒸着流を発生させる加熱手段と、
前記被処理基板と前記蒸着原料との間に配置され、前記蒸着流を放出したり遮断したりするシャッタ板と、
前記シャッタ板の位置を移動させるシャッタ板駆動部とを備え、前記蒸着流を前記被処理基板に被着させて成膜する真空蒸着装置において、
前記シャッタ板は、前記複数種の蒸着原料の種類数と同じ枚数だけ具備され、前記各シャッタ板の少なくとも蒸着原料側の表面は、前記複数種の蒸着原料と１対１で対応するようにそれぞれ同種の材料で成ることを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項６】
前記各シャッタ板全体が、前記複数種の蒸着原料と１対１で対応するようにそれぞれ同種の材料で成ることを特徴とする請求項５に記載の真空蒸着装置。
【請求項７】
前記各シャッタ板の蒸着原料側の表面が、前記複数種の蒸着原料と１対１で対応するようにそれぞれ同種の材料で被覆されていることを特徴とする請求項５に記載の真空蒸着装置。
【請求項８】
前記被覆方法は、メッキ法であることを特徴とする請求項７に記載の真空蒸着装置。
【請求項９】
前記シャッタ駆動部は、前記複数のシャッタ板の中から、少なくとも蒸着原料側の表面が、加熱位置の蒸着原料と同種の材料で成るシャッタ板を選択可能であることを特徴とする請求項５から８のいずれかに記載の真空蒸着装置。
【請求項１０】
前記シャッタ板の蒸着原料側の表面は、凹凸形状となっていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の真空蒸着装置。

【図１】