【課題】高輝度、高効率、高信頼性を達成する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、電極と、を備える。積層構造体は、窒化物系半導体からなる第１導電形の第１半導体層と、窒化物系半導体からなる第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極は、第１金属層、第２金属層及び第３金属層を有する。第１金属層は、第２半導体層の発光層とは反対側に設けられ、銀または銀合金を含む。第２金属層は、第１金属層の第２半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む。第３金属層は、第２金属層の第１金属層とは反対側に設けられる。第３金属層の第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さは、第２金属層の前記方向に沿った厚さ以上である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入を用いることなく２次元正孔ガスの所期の濃度分布を容易且つ確実に得て、電界集中のなだらかな緩和を実現する高信頼性の窒化物半導体装置を得る。
【解決手段】ｎ−ＧａＮ基板１のＮ面上に形成されたｎ−ＧａＮ層２と、ｎ−ＧａＮ層上に形成されたＡｌＧａＮからなるＪＴＥ構造１０と、ｎ−ＧａＮ層２上に形成されたアノード電極４とを有しており、ｎ−ＧａＮ層２のＪＴＥ構造１０との界面に、アノード電極４から離間するほど正孔濃度が低くなるように、２次元正孔ガスが生成される。 （もっと読む）

【課題】良好なノーマリ・オフ動作を可能とすることに加え、アバランシェ耐量が大きく、外部のダイオードを接続することを要せず、確実に安定動作を得ることができる信頼性の高い高耐圧のＨＥＭＴを得る。
【解決手段】化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｃを、ゲート絶縁膜６を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極７を形成すると共に、化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｄを、少なくとも電極用リセス２Ｄの底面で化合物半導体積層構造２と直接的に接するように電極材料で埋め込み、化合物半導体積層構造２とショットキー接触するフィールドプレート電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系の材料により形成されるＨＥＭＴの信頼性を高める。
【解決手段】基板１０の上方に形成された窒化物半導体からなる半導体層２１〜２４と、半導体層２１〜２４の上方に、金を含む材料により形成された電極４１と、電極４１の上方に形成されたバリア膜６１と、半導体層２１〜２４の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の高耐圧半導体装置の場合よりも耐圧の低下を抑制することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなるｎ型の半導体層１１０と、バリアメタル層１２８と、第２電極層１３０と、ｐ型のリサーフ層１１６と、ｐ^＋型のエッジターミネーション層１２０と、リサーフ層１１６の内部における、エッジターミネーション層１２０の周囲を離間して囲む位置に形成されたｐ^＋型の第１ガードリング層１２２と、半導体層１１０の表面における、リサーフ層１１６の周囲を離間して囲む位置に形成されたｐ型の第２ガードリング層１１８とを備え、最内周の第１ガードリング層１２２とエッジターミネーション層１２０との間隔が３μｍ〜５μｍの範囲内にある高耐圧半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】リセス等の形成に伴う処理で生じる残渣を適切に除去することができる化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造１を形成し、化合物半導体積層構造１の一部を除去して凹部４を形成し、洗浄剤を用いて凹部４内の洗浄を行う。洗浄剤は、凹部４内に存在する残渣と相溶する基材樹脂と溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】高耐圧特性と低オン抵抗特性とを両立した化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体装置を、キャリア走行層２及びキャリア供給層３を含む窒化物半導体積層構造４と、窒化物半導体積層構造の上方に設けられたソース電極５及びドレイン電極６と、窒化物半導体積層構造の上方のソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲート電極７と、ゲート電極とドレイン電極との間に少なくとも一部が設けられたフィールドプレート８と、窒化物半導体積層構造の上方に形成された複数の絶縁膜９、１０とを備えるものとし、フィールドプレートとドレイン電極との間でゲート電極の近傍よりも複数の絶縁膜の界面の数を少なくする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を有する窒化物半導体を低コストで製造する。
【解決手段】基板１０の上方に形成された半導体層２２，２３，２４と、前記半導体層の一部を酸化することにより形成された絶縁膜３０と、前記絶縁膜上に形成された電極４１と、を有し、前記絶縁膜は、酸化ガリウムを含むもの、または、酸化ガリウム及び酸化インジウムを含むものにより形成されているものであることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体層とゲート電極との間に絶縁膜が形成された半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】基板の上方に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極と、を有し、前記絶縁膜は炭素を主成分とするアモルファス膜を含むものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、高い精度で、形成不良なく電極を形成し得る電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、平板状の基板１を準備する基板準備工程と、基板１の主面上にレジストパターン２ａを形成するレジストパターン形成工程と、基板１の主面上のレジストパターン２ａが形成されていない部分にＩＤＴ電極４を薄膜技術により形成する電極形成工程と、レジストパターン２ａを除去するレジストパターン除去工程とを含み、電極形成工程は、基板１を、電極が形成される側の主面が凹むように反らせておこなうようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フィールドプレート構造を絶縁膜の開口中心に対してばらつきなく形成できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体層の表面に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の表面に開口を有するレジストを形成する工程と、該レジストと架橋反応するパターンシュリンク剤を該レジストに付着させ、該レジストの内周に硬化層を形成する工程と、該レジスト及び該硬化層をマスクとして該絶縁膜をエッチングする工程と、該硬化層を除去する工程と、該半導体層、該絶縁膜、及び該レジストの表面に金属層を形成する工程と、リフトオフ法により該レジスト及び該レジストの表面の該金属層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下地にダメージを与えず、また、電極材料のゴミの再付着も防止される配線又は電極の形成方法と、この配線又は電極の形成方法により配線又は電極を形成する電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地２上に第１のレジスト層１を形成し、開口部５を形成し、導電材料層３を成膜する。導電材料層３の全体を覆う第２のレジスト層４を形成し、該開口部５以外の導電材料層３上の第２のレジスト層４を除去することにより、該開口部５の導電材料層３を覆う保護レジスト層４’を形成する。該保護レジスト層４’で覆われていない導電材料層３を除去し、次いで保護レジスト層１，４’を除去することにより、残留した導電材料３よりなる配線又は電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体を用いたパワーダイオード、パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー
半導体素子について、クラックフリーで形成されて従来よりも厚い窒化物化合物半導体層
を使用して耐圧を向上することである。
【解決手段】シリコン基板１上に厚さ１０μｍ以上の凸状に選択成長された窒化物化合物
半導体からなるキャリア移動層３と、キャリア移動層３上に形成された電極４とを有し、
１つのパワー半導体素子は１つのキャリア移動層３から構成されている。 （もっと読む）

【課題】工程を簡素化して歩留まりを向上すると共に、安定した形状の電極を再現性よく得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のレジスト膜１１と、第１のレジスト膜１１の開口よりも小さな開口を有する第２のレジスト膜１２とを用いて、ＳｉＯ_２絶縁膜１０を異方性ドライエッチングによってエッチングして、ＳｉＯ_２絶縁膜１０にテーパ状の開口部１０１を形成する。このため、ＧａＮ層１を斜めに設置し直してＳｉＯ_２絶縁膜１０をエッチングする必要がなく、ＧａＮ層１を水平に設置したままＳｉＯ_２絶縁膜１０をエッチングすることができ、工程を簡素化できる。 （もっと読む）

【課題】有機電界効果トランジスタにおけるビア形成を、低コストで効率的なプロセスで実現する。
【解決手段】誘電層１０６内にビア１１３を形成する際、まず各ビア位置にパターン化された導電材よりなるポストを印刷し、次にパターン化されていない誘電層１０６を堆積させ、次に第２のパターン化された導電層を堆積させる。ビア１１３は、誘電層１０６を堆積した後、第２の導電層を堆積する前に、ポストをフラッシュアニールすることにより形成される。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を大幅に増加することなく高性能な薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ回路基板、及び、薄膜トランジスタ回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極の上に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に配置されたポリシリコンによって形成され、前記ゲート電極の直上に位置するチャネル領域、前記チャネル領域に隣接するとともに前記チャネル領域よりも高濃度の不純物を含む低濃度不純物領域、及び、前記低濃度不純物領域に隣接するとともに前記低濃度不純物領域よりも高濃度の不純物を含む高濃度不純物領域を含む半導体層と、前記チャネル領域及び前記低濃度不純物領域の上に配置され、前記チャネル領域の直上の膜厚が前記低濃度不純物領域の直上の膜厚よりも厚い保護膜と、前記高濃度不純物領域に電気的に接続された電極と、を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ回路基板。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ原子を有するコンタクト電極が用いられる場合に、絶縁膜の絶縁信頼性を向上させることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板面１２Ｂを有する炭化珪素基板１０が準備される。基板面１２Ｂの一部を覆うように絶縁膜１５が形成される。絶縁膜１５に接触するように基板面上にコンタクト電極１６が形成される。コンタクト電極１６はＡｌ、ＴｉおよびＳｉ原子を含有する。コンタクト電極１６は、Ｓｉ原子およびＴｉ原子の少なくともいずれかと、Ａｌ原子とを含有する合金から作られた合金膜５０を含む。炭化珪素基板１０とコンタクト電極１６とがオーミックに接続されるようにコンタクト電極１６がアニールされる。 （もっと読む）

【課題】埋込み部を形成する際のエッチングにより埋込みゲートが損傷をきたし、ゲート領域劣化が生じ得る。
【解決手段】ショットキーコンタクトなどのゲートコンタクトを形成する前にゲート埋込み部のアニーリングを行うことにより、ゲートリークが低減され、かつ／またはトランジスタなどの半導体デバイス内に高品質のゲートコンタクトを提供することができる。アニーリング中に封入層を使用することで、トランジスタのゲート埋込み部内の半導体への損傷がさらに低減される。アニーリングを、例えばデバイスのオーミックコンタクトのアニーリングによって提供することができる。 （もっと読む）

【課題】特性が均一であって、歩留りの高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３が順次形成されている半導体層の表面にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの開口領域における前記第２の半導体層の一部または全部をドライエッチングにより除去しゲートリセス２２を形成する工程と、前記レジストパターンを除去した後、ゲートリセスの底面及び側面に付着しているドライエッチング残渣２３を除去する工程と、前記ドライエッチング残渣を除去した後、前記ゲートリセスの底面、側面及び前記半導体層上に絶縁膜３１を形成する工程と、前記ゲートリセスが形成されている領域に前記絶縁膜を介しゲート電極を形成する工程と、前記半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化ガリウム系トランジスタを製造するための、誘電体膜付の半導体エ
ピタキシャル結晶基板を提供すること。
【解決手段】下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、
及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長
炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積
層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 （もっと読む）