【課題】本発明は、ソース電極およびドレイン電極の熱耐久性を向上させて、かつ製造過程においてオーミック性に与える不安定要因を取り除き信頼性および量産性の高いＧａＮ系ＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＨＥＭＴは、基板と、窒化ガリウム系半導体と、融点が３０００℃と高融点金属のタンタルと低融点金属のアルミニウムが前記窒化ガリウム系半導体上に積層されてなる前記ソースおよび前記ドレイン電極を備えている。前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記タンタルと前記アルミニウムの積層膜厚の比（前記アルミニウム膜厚／前記タンタル膜厚）を１０以上にし、積層後のアニール処理温度が５１０℃以上、６００℃未満で処理されて成る。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗率を低く抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ａｌ組成比が０．２以上のＡｌＧａＮ層をエッチングして、ＲＭＳ粗さが０．３ｎｍ未満の底面を有する凹部を形成する工程と、前記凹部の底面に接して、４ｎｍから８ｎｍの厚さの第１Ｔａ層を形成する工程と、前記第１Ｔａ層に熱処理を施して、前記ＡｌＧａＮ層にオーミック接触させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】逆方向のリーク特性を向上した窒化物系半導体材料を用いたショットキーダイオードを提供すること。
【解決手段】シリコン基板２の表面側に、バッファ層３、ＧａＮ層４、ＡｌＧａＮ層５が積層され、これら半導体層における能動領域内のＡｌＧａＮ層５の上にＡｌＧａＮ層５に対してオーミック接触するカソード電極６と、ＡｌＧａＮ層５に対してショットキー接触するアノード電極７とが形成され、ＡｌＧａＮ層５の周縁部が除去されてＧａＮ層４が露出した段差部５Ａが周回して形成されている。段差部５ＡのＧａＮ層４の上には、半導体層の能動領域を囲むように、ＧａＮ層４に対してショットキー接触する囲い込み電極７Ａが形成されている。ここで、囲い込み電極７Ａは、アノード電極７と同電位に設定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層とソース電極、ドレイン電極とのコンタクト抵抗が小さい電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１の表面上に形成された、活性層を含む半導体層１２と、半導体層１２上に互いに離間して形成され、チタン層１８、およびこのチタン層１８に対する膜厚比が１２〜１５であるアルミニウム層１９を有するソース電極１６およびドレイン電極１５と、半導体層１２上のうち、ソース電極１６とドレイン電極１５との間に形成されたゲート電極１７と、を具備する電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】円弧状の部分を有する電極と先端部分を有する電極での円弧状の部分と先端部分との間で流れる電流密度を均一化するために、電極の先端部分における電流集中を緩和させ、電流集中に起因する半導体装置の破壊を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に形成され、かつヘテロ接合に基づくキャリア走行層を有する化合物半導体層と、化合物半導体層上に形成される第１の主電極１４と、化合物半導体層上において平面的に見て第１の主電極１４を包囲するように形成され、かつ直線領域と円弧領域とを有する第２の主電極１５と、化合物半導体層上において第１の主電極及び第２の主電極に対向するように形成された制御電極１６と、を備え、第１の主電極及び第２の主電極の間に電流が流れる半導体装置であって、第１の主電極と第２の主電極の円弧領域との間に電流制限部１９を設けた。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法により堆積させたＳｉＣ層の表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。結晶欠陥１１のある部分は、レジスト膜１２は露光されないため、開口が形成される。その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層２、半導体基板１を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。最後に、レジスト膜１２を除去することで、半導体装置を形成することができるＳｉＣ基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】２つのオーミック電極、及び、それらの間に配置されたゲート電極を備えた、ゲート電極形成用電子線の揺らぎに起因するゲート電極形成不良が生じない形で製造できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１の、ゲート電極２０により近い方のオーミック電極（ソース電極１４ｓ）として、ゲート電極２０と対向する側の少なくとも一方の隅（電子線の描画開始位置側の隅）がカットされた矩形形状のものを採用しておく。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とする。
【解決手段】本電界効果トランジスタ３０は、ＧａＮ系エピタキシャル基板３２の電子走行層上に、ゲート電極３８を挟んで配置されたソース電極３４及びドレイン電極３６を備え、ゲート電極３８及びソース電極３４はドレイン電極３６を囲み、ソース電極３４の上部に、ゲート電極３８の上方を通過してドレイン電極３６側に庇状に突き出したフィールドプレート１７０が形成され、ＧａＮ系エピタキシャル基板３２の表面層とフィールドプレート１７０との間に、誘電体膜４６が形成され、誘電体膜４６は、フィールドプレート１７０の直下領域においてフィールドプレート終端面と面一状態となるように切れ込み、その下端からドレイン電極３６に接続するようにドレイン電極３６に向かって延びている。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンが形成でき、製造工程の迅速化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、下地１０の上に第１の膜１１を選択的に形成する工程と、前記第１の膜１１および前記第１の膜に覆われていない前記下地１０の上に、第２の膜１３を形成する工程と、前記第２の膜１３の平均結晶粒径を前記第２の膜１３の膜厚以上に調整する工程と、前記第１の膜１１のエッチャントを前記第２の膜１３の表面に晒し、前記第１の膜１１の上に形成された前記第２の膜１３を前記下地上から選択的に除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極と有機半導体材料層との間の接触抵抗を低下させることができ、これを簡便な製造プロセスで実現できる半導体装置、光学装置及びセンサ装置を提供すること。
【解決手段】ソース電極５と、ドレイン電極６と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機半導体材料層７とを有し、有機半導体材料層７を介してソース電極５とドレイン電極６との間で電荷を移動させるように構成された有機電界効果トランジスタにおいて、ソース電極５及びドレイン電極６が、導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなる、有機電界効果トランジスタ１ａ。 （もっと読む）

【課題】１枚の基板に１枚のメタルマスクを用いる場合のメタルマスクの膨張量を基板の膨張量に近づけて蒸着パターンの位置ズレを防止する。
【解決手段】支持体付きメタルマスク装置１００は、半導体基板１０２の複数のスクライブライン１０６を物理的に１枚のプレートで覆い、半導体基板と異なる線膨張係数を有し、複数のチップにそれぞれ対応する複数の所定のパターン１１２を複数の貫通孔として有し、複数の貫通孔を通じて半導体基板に金属を蒸着させる単一のメタルマスク１１０と、メタルマスクの線膨張係数と半導体基板の線膨張係数との間の線膨張係数、又は半導体基板と同一の線膨張係数を有し、複数のスクライブラインの少なくとも一部のスクライブラインに対応する格子部１１６を有する支持体１１４と、一部のスクライブライン内の少なくとも一部の領域において、メタルマスクと支持体とを接続する接合体とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極のリーク電流の増大を抑制して、長期間にわたって安定した高電圧動作を実現する。
【解決手段】ＧａＮからなる化合物半導体層１００上に形成されたゲート電極１０２において、ＧａＮからなる化合物半導体層１００上でショットキー接合してなるＴｉ_xＷ_1-xＮ層（０＜ｘ＜１）４３と、Ｔｉ_xＷ_1-xＮ層４３の上方に形成され、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選択された１種の金属からなる低抵抗金属層４２を設けるようにする。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスが小さく且つ良好な高周波特性を有する電界効果トランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、基板１０１の上に形成された窒化物半導体積層体１０２と、ソース電極１０５、ドレイン電極１０６及びゲート電極１０７と、窒化物半導体積層体１０２の上に形成された絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０の上に接して形成され、端部がゲート電極１０７とドレイン電極１０６との間に位置するフィールドプレート１１５とを備えている。絶縁膜１１０は、第１の膜１１１と、第１の膜１１１よりも絶縁耐圧が低い第２の膜１１２とを含み、ゲート電極１１７とドレイン電極１１６との間に形成された薄膜部１１０ａを有している。フィールドプレート１１５は、薄膜部１１０ａを覆い且つ開口部においてソース電極と接続されている。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とする。
【解決手段】本電界効果トランジスタ３０は、ＧａＮ系エピタキシャル基板３２の電子走行層上に、ゲート電極３８を挟んで配置されたソース電極３４及びドレイン電極３６を備え、ゲート電極３８の上部に、ドレイン電極３６側及びソース電極３４側に庇状に突き出したフィールドプレート４０が形成され、基板３２の表面層とフィールドプレート４０との間に誘電体膜４６が形成され、誘電体膜４６は、フィールドプレート４０のドレイン電極３６側及びソース電極３４側の終端面と面一状態となるように切れ込み、ドレイン電極３６側の下端からドレイン電極３６に接続するようにドレイン電極３６に向かって延びており、且つ、ソース電極３４側の下端からソース電極３４に接続するようにソース電極３４に向かって延びている。 （もっと読む）

【課題】低コストで高品質の半導体装置、および当該半導体装置の製造に用いる貼り合せ基板、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、単結晶半導体部材を準備する工程（Ｓ１０）と、支持基材を準備する工程（Ｓ２０）と、支持基材と単結晶半導体部材とを、炭素を含む接合層を介して接合する工程（Ｓ３０）と、単結晶半導体部材の表面にエピタキシャル層を形成する工程（Ｓ４０）と、エピタキシャル層を利用して半導体素子を形成する工程（Ｓ５０）と、半導体素子を形成する工程（Ｓ５０）の後、接合層を酸化することにより分解して支持基材から単結晶半導体部材を分離する工程（Ｓ６０）と、支持基材から分離された単結晶半導体部材を分割する工程（Ｓ８０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｉｄ―ｍａｘ特性低下を低減可能なIII族窒化物半導体電子デバイスが提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体電子デバイス１１では、チャネル層２１はＡｌＧａＮからなると共に、バリア層２３はチャネル層２１より大きなバンドギャップのＡｌＧａＮからなる。チャネル層２１が、ＧａＮではなく、ＡｌＧａＮからなるので、III族窒化物半導体電子デバイス１１においてＩｄ―ｍａｘ特性低下を低減可能である。また、第１及び第２の電極１７、１９は、それぞれ、チャネル層２１の第１及び第２の部分２１ａ、２１ｂ上に設けられる。チャネル層２１において第１の部分２１ａの不純物濃度が第２の部分２１ｂの不純物濃度と同じであるから、チャネル層２１における第１の部分にイオン注入が行われていない。半導体積層１５に部分的にイオン注入を行っていない。このイオン注入の使用回避により、Ｉｄ―ｍａｘ特性低下を更に低減可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において低抵抗なオーミック性を有し、酸・アルカリによる腐食に対し高い耐性を持つ電極を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る第１の半導体装置は、窒化物半導体層１と、窒化物半導体層上に設けられた電極とを備え、窒化物半導体層１は電極下に、それ以外の部分よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度不純物領域２を備え、電極は、窒化物半導体層１上に設けられた第一金属層３と、第一金属層３上に設けられた第二金属層４と、第二金属層４上に設けられた第三金属層５と、を備え、第一金属層３は第二金属層４よりも窒化物半導体層１との高い密着性を有する金属を含み、第三金属層５は水素よりもイオン化傾向の小さい金属を含む。 （もっと読む）

【課題】耐圧向上や短チャンネル効果の抑制を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、半導体基板であるＳｉＣ基板１上に形成された、バッファ層２と、バッファ層２上に形成された、バッファ層２よりもバンドギャップが小さいチャネル層３と、チャネル層３上に形成された、チャネル層３よりもバンドギャップが大きいバリア層４と、バリア層４上に互いに離間して形成された、ソース、ドレイン電極７、８と、ソース、ドレイン電極７、８下から、バリア層４を通ってチャネル層３中にそれぞれ達する、不純物領域５とを備え、不純物領域５の下端は、バッファ層２に達しない。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタメサがより正確に形成できるようにする。
【解決手段】第１エミッタ電極１０７ｂの側部には、例えば酸化シリコンからなる庇部１０８が形成され、また、少なくともキャップ層１０６を含んで構成されたエミッタメサの露出している側面から庇部１０８の下部の領域のレッジ構造部１０５ａにかけて形成された、例えば窒化シリコンからなる被覆層１０９が形成されている。被覆層１０９が、庇部１０８の側面，庇部１０８の下面，エミッタメサの側部，およびレッジ構造部１０５ａの上にかけて形成されている。 （もっと読む）