【課題】本発明は、横方向拡散金属酸化物半導体（LDMOS）トランジスタと、これを製造する方法を提供する。
【解決手段】LDMOSトランジスタはｐ型基板上に形成されたｎ型エピタキシャル層と、LDMOSトランジスタのゲートとして機能する非対称導体スペーサとを備える。LDMOSトランジスタはまた、非対称導体スペーサの両側のソース領域及びドレイン領域と、イオン注入を非対称導体スペーサに行うことで形成されたチャネル領域とを備える。非対称導体スペーサの高さはソース領域からドレイン領域に向かって増加する。チャネル領域は、基本的に完全に非対称導体スペーサの下に存在し、従来技術のLDMOSトランジスタのチャネル領域の長さよりも短い長さを有する。本発明のLDMOSトランジスタはまた、当該トランジスタの活性領域を囲むフィールド酸化物層と、非対称導体スペーサをｎ型エピタキシャル層から絶縁する薄い誘電体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板からの被覆物の除去処理を短時間化できる上、バリ発生のない高品質なパターン生成を行うことができるようにする。
【解決手段】フォトレジストに対して溶解性がない純水２００中にシリコン基板１００を浸漬させた状態で、ホーン型超音波発生器２０から純水２００を介してシリコン基板１００に対して強力な超音波を照射することにより、金属膜の殆ど全てとフォトレジストの一部とを金属疲労の原理により、バリの発生もなく短時間で除去することができようにするとともに、金属膜を除去した後、フォトレジストに対して溶解性のあるＩＰＡを用いることによって、残ったフォトレジストを完全に除去する。 （もっと読む）

【課題】２つの電極の構造を共通にして構成の簡易化を図るとともに、各電極の接合性を向上させつつ、半導体発光素子の電気的特性の低下を抑制する。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１６０、透明電極１７０、透明電極１７０に形成されるｐ側電極３００、ｎ型半導体層１４０に形成されるｎ側電極４００を備える。ｐ側電極３００は、透明電極１７０に積層されるｐ側接合層３１０およびｐ側ボンディングパッド電極３２０を備え、ｎ側電極４００は、ｎ型半導体層１４０に積層されるｎ側接合層４１０およびｎ側ボンディングパッド電極４２０を備える。ｐ側接合層３１０およびｎ側接合層４１０はＴａＮとＰｔとの混在層で構成され、ｐ側ボンディングパッド電極３２０およびｎ側ボンディングパッド電極４２０はＰｔとＡｕとの積層構造で構成される。 （もっと読む）

【課題】ソース−ドレイン間等の電圧−電流特性を改善することができる薄膜トランジスタ、発光装置、電子機器、及び、薄膜トランジスタの形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１００は、半導体膜１１９と、半導体膜１１９の上方に形成されたソース電極層１４０と、半導体膜１１９の上方に形成されたドレイン電極層１４２と、ソース電極層１４０とドレイン電極層１４２との間、かつ、半導体膜１１９の上方に形成されたチャネル保護膜１１３と、を備える薄膜トランジスタであって、ソース電極層１４０とドレイン電極層１４２の少なくとも何れか一方は、チャネル保護膜１１３と接し、その上面がチャネル保護膜１１３の上面を超えない接触領域を有して、チャネル保護膜１１３の上面と重なっていない。 （もっと読む）

【課題】自己整列グラフェン・トランジスタを作製するスキームを提供する。
【解決手段】グラフェン電界効果トランジスタは、ゲート・スタックであってシード層とシード層の上に形成されたゲート酸化物とゲート酸化物の上に形成されたゲート金属とを含む該ゲート・スタック、絶縁層、およびシード層と絶縁層との間に転写されたグラフェン・シート、を含む。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＳｉＣ領域とｐ型ＳｉＣ領域との両方と接触可能であり、かつ酸化による接触抵抗の増加を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、炭化珪素からなるｎ⁻ＳｉＣ層１２を準備する工程と、ｎ⁻ＳｉＣ層１２の主表面上にソースコンタクト電極１６を形成する工程とを備えるＭＯＳＦＥＴ１の製造方法である。ソースコンタクト電極１６を形成する工程は、ソースコンタクト電極１６となるべき導電体層をｎ⁻ＳｉＣ層１２の主表面上に形成する工程と、導電体層をソースコンタクト電極１６とするため熱処理する工程とを含む。熱処理する工程の後、ソースコンタクト電極１６の表面を酸素含有雰囲気に曝露するときのソースコンタクト電極１６の温度を１００℃以下にする。ソースコンタクト電極１６を形成する工程の後、表面電極パッド２７を形成する工程の前に、上記ソースコンタクト電極１６の一方の主面上に形成された高抵抗層を除去する工程を含むことがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】ゲートリセス構造を採用してノーマリーオフ動作を可能とするも、バラツキの小さい安定した閾値を有し、十分な高耐圧を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】電子走行層３と電子供給層４との間にｉ−ＡｌＮからなる中間層５を形成し、キャップ構造７上のゲート電極の形成予定部位に中間層５をエッチングストッパとして用いて開口１１ａを形成した後、中間層５の開口１１ａに位置整合する部位に熱リン酸を用いたウェットエッチングにより開口１１ｂを形成して、開口１１ａ，１１ｂからなる開口１１をゲート絶縁膜１２を介して下部が埋め込み、上部がキャップ構造７上方に突出するゲート電極１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】
半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板の上に半導体膜を形成する。半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。銀または銀を９０％以上含む合金からなり、半導体膜の凹凸面の一部を覆う金属膜を形成する。金属膜から露出した半導体膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する。半導体膜の凹凸の深さ寸法は、前記金属膜の厚さよりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を大幅に低減し、十分な高電圧動作且つ高出力を得ることができる信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ソース電極１２及びドレイン電極１３の下方の凹部７，８を充填し、電子供給層４の上方を覆う、Ｓｉを含むｎ−ＧａＮ層９が形成されており、ｎ−ＧａＮ層９は、ソース電極１２の下方及びドレイン電極１３下方に含まれるＳｉの方が、ゲート電極１５の近傍に含まれるＳｉよりも濃度が大きくなるように、Ｓｉ添加量を漸減させながら成長形成される。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のＧａＮ系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもＧａＮ系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極のテーパ形状の傾斜度を緩やかにすることができるようにして、ゲート電極の破損が起こらないようにしながら、確実にさらなる微細化を実現した下部電極を形成できるようにする。
【解決手段】ソース電極２及びドレイン電極３を有する半導体領域１上に絶縁膜４を形成し、絶縁膜４上に複数のレジスト層５，６，７を含む積層レジスト８を形成し、積層レジスト８の最下層以外のレジスト層６，７に開口９を形成し、最下層のレジスト層５にリフロー用開口１０を形成し、熱処理を施してリフロー用開口１０に露出している最下層のレジスト層５の一部ＰＴｃをリフローさせ、リフローさせることによって最下層のレジスト層５の表面に形成された傾斜面１１に連なるように最下層のレジスト層５に第１ゲート下部開口１２Ａを形成し、開口９、傾斜面１１及び第１ゲート下部開口１２Ａの形状に応じた形状を持つゲート電極１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い回路基板を低コストで供給する。
【解決手段】開口部１０１を介してチップ取り出し電極２を含む基板１の一部表面が露出するようメタルマスク１００を基板１に被せ、イオン化された被着金属に、０．０１ｅＶから２５０ｅＶの被着エネルギを与えるイオンプレーティング法により金属導体を形成した後、メタルマスク１００を剥離することによって、基板１の一部表面に形成された金属導体からなる配線層２１を形成する。これにより、フォトリソグラフィー法を用いることなく、基板上に配線層２１を直接形成することができるため、生産性が高く低コストな回路基板を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】耐圧を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ＧａＮ層１０と第１の絶縁層１３と第２の絶縁層１４と電極層とＦＰ電極１７とを備えている。ＧａＮ層１０は、高欠陥領域１０ａと、高欠陥領域１０ａよりも欠陥密度の低い低欠陥領域１０ｂとを含み、主表面１０ｃを有する。第１の絶縁層１３は、ＧａＮ層１０の主表面１０ｃにおける高欠陥領域１０ａを覆うように形成されている。第２の絶縁層１４は、ＧａＮ層１０の主表面１０ａにおける低欠陥領域１０ｂの上に形成され、開口部が形成されている。電極層は、開口部の内部に、ＧａＮ層１０の主表面１０ａに接触するように形成されている。ＦＰ電極１７は、電極層に接続するとともに、第２の絶縁層１４に重なるように形成されている。第１の絶縁層１３の厚みＨ１３は、第２の絶縁層１４の厚みＨ１４よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】応答特性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ＧａＮ層１０と第１および第２の絶縁層１３、１４と電極層とＦＰ電極１７とを備える。ＧａＮ層１０は、高欠陥領域１０ａと、高欠陥領域１０ａよりも欠陥密度の低い低欠陥領域１０ｂとを含み、主表面１０ｃを有する。第１の絶縁層１３は、ＧａＮ層１０の主表面１０ｃにおける高欠陥領域１０ａを覆うように形成される。第２の絶縁層１４は、ＧａＮ層１０の主表面１０ａにおける低欠陥領域１０ｂの上に形成され、開口部が形成される。電極層は、開口部の内部に、ＧａＮ層１０の主表面１０ａに接触するように形成される。ＦＰ電極１７は、電極層に接続するとともに、第２の絶縁層１４に重なるように形成される。第１の絶縁層１３は、第２の絶縁層１４を構成する材料の誘電率よりも小さい誘電率を有する材料を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングにより形成される配線の線幅のばらつきが抑えられた半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、半導体層１４上に電極１１を形成する工程と、半導体層１４上に、電極１１に達する配線接続孔１２ａを有し、配線接続孔１２ａの周りに凹部１２ｂが形成された層間絶縁膜１２を形成する工程と、層間絶縁膜１２上から配線材料１８を堆積する工程であって、層間絶縁膜１２の凹部１２ｂに対応して配線材料１８に凹部１８ａが形成される工程と、配線材料１８上に、電極１１に配線接続孔１２ａを介して接続される配線１３を形成するためのレジスト膜１９を、配線材料１８に形成された凹部１８ａを覆うように形成する工程と、レジスト膜１９をマスクとしてウェットエッチングを行い、配線材料１８を選択的に除去して配線１３を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、Ａｕ配線との密着性が強く、より高い熱的安定性を有するバリアメタル層を実現し、更なる特性向上、歩留まり向上を実現する。
【解決手段】半導体装置を、Ａｌ層８を含む電極９，１０と、Ａｕ配線１２と、Ａｌ層８とＡｕ配線１２との間に設けられ、Ａｌ層８の側から順に第１Ｔａ層１４、第１ＴａＮ層１５、第１Ｐｔ層１６を積層した構造を有するバリアメタル層１１とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極からチャネル層までの距離のばらつきが低減されたＨＥＭＴ半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、リセスエッチング工程後に酸化膜形成工程を行う。リセスエッチングを行った後に、ＨＥＭＴ構造基板の加熱や過酸化水素への浸漬によって、強制的に酸化膜６’’及び７’’を形成する。このような酸化膜６’’及び７’’は、面内均一性に優れ、かつ、ある厚さで安定するため、大気中に暴露してもそれ以上酸化は進まない。酸化膜６’’及び７’’は、例えば、濃度３％の過酸化水素水にＨＥＭＴ構造基板を３分間浸漬させることや、１２０℃のホットプレート上で２分間ＨＥＭＴ構造基板を加熱させることにより形成することができる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を構成する有機半導体材料層と良好なオーミック・コンタクトを形成することができるソース／ドレイン電極を備えた電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、ゲート電極１２と、ゲート絶縁層１３と、ソース／ドレイン電極２１と、チャネル領域１５を構成する有機半導体材料層１４とを備え、ソース／ドレイン電極２１は、金属から成る導体部２２、及び、導体部２２を少なくとも部分的に被覆し、不純物がドーピングされた有機導電材料層２３から成り、有機導電材料層２３を介して、チャネル領域１５と導体部２２との間の電気的接続が形成される。 （もっと読む）

【課題】金属反射層の構成材料の拡散を防止することが可能な電極を備えた半導体発光素子、その製造方法、ランプ、電子機器及び機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上にｎ型半導体層１０４と発光層１０５とｐ型半導体層１０６とがこの順序で積層されてなる積層半導体層２０と、ｐ型半導体層１０６に接合された一方の電極１１１と、ｎ型半導体層１０４に接合された他方の電極１０８と、を具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１または他方の電極１０８のいずれか一方または両方が、第１の拡散防止層５１と金属反射層５２と第２の拡散防止層５３がこの順序で積層されてなる構造を有し、かつ、第１の拡散防止層５１がＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれかの金属を含む酸化物からなる半導体発光素子１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を実施したとしても、導電性パターンのエッジ付近にバリが発生することがない、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、まず、導電性パターン６のエッジ部が位置するウエハ基板１の表面内に、溝２を形成する。次に、溝２が露出する開口部３ａを有するレジスト３を、ウエハ基板１上に形成する。次に、開口部３ａから露出するウエハ基板１上とレジスト３上とに、導電性膜５を形成する。そして、レジスト３を除去することにより、ウエハ基板１上に導電性パターン６を形成する。 （もっと読む）