【課題】局所的な電流集中を防止して均一な発光分布を得ることができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた光反射性を有する反射電極と、反射電極上に設けられた発光層を含むAlGaInP系半導体膜と、半導体膜上に設けられた表面電極と、を含む。表面電極は、半導体膜上に分散配置された複数の電極片からなるオーミック電極を含む。反射電極は、オーミック電極を構成する電極片の各々を挟んだ両側において電極片に沿うように設けられた線状のライン電極および複数の島状のドット電極からなる。ライン電極とドット電極との距離をａ、オーミック電極とドット電極の水平距離をｂ、互いに隣接するドット電極間の距離をｃとしたときに、ｂ＞ａ且つ０．８（ａ^２＋２ａｂ）^１／２＜ｃ＜２．４（ａ^２＋２ａｂ）^１／２を満たすように表面電極および反射電極が配設される。 （もっと読む）

【課題】ゲート−ソース間およびゲート−ドレイン間のキャパシタンスの低減と、ＪＦＥＴをオンさせる際に必要なゲート印加電圧が高電圧になることを抑制する。
【解決手段】凹部４ｃ内に形成されたｉ型（イントリンシック半導体）側壁層５を介してｐ⁺型ゲート領域６を形成する。このような構成とすれば、ｎ⁺型層４とｐ⁺型ゲート領域６との間にさらにｐ⁺型ゲート領域６よりも低濃度のｐ^-型層が必要とされない。このため、ｎ^-型チャネル層３に直接接触している高濃度のｐ⁺型ゲート領域６によって、ｎ^-型チャネル層３内に伸びる空乏層幅を制御できる。したがって、ｎ⁺型層４とｐ⁺型ゲート領域６との間にさらにｐ^-型層が備えられる場合と比較して、ゲート印加電圧が高電圧になることを抑制できる。また、ｐ⁺型ゲート領域６の側面がｉ型側壁層５によってｎ⁺型層４と分離されるため、ゲート−ソース間およびゲート−ドレイン間のキャパシタンスを低減できる。 （もっと読む）

半導体デバイスを形成する方法であって、この方法は、半導体層を準備するステップと、半導体層上に第１の金属の第１の層を準備するステップとを含む。第１の金属の第１の層上に第２の層を準備することができる。第２の層は、シリコン層及び第２の金属の層を含むことができ、第１の金属及び第２の金属は異なり得る。第１の金属はチタンとすることができ、第２の金属はニッケルとすることができる。関連するデバイス、構造体、及び他の方法もまた説明される。 （もっと読む）

【課題】 チャネルの高い移動度と、優れた縦方向耐圧とを得た上で、安定して低いオン抵抗を確保することができる、半導体装置等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ｎ型ドリフト層４／ｐ型層６／ｎ型表層８を含むＧａＮ系積層体１５、に形成され、ＧａＮ系積層体には、開口部５が設けられ、再成長層２７と、ゲート電極１１と、ソース電極３１と、ドレイン電極３９とを備え、再成長層２７は電子走行層２２および電子供給層２６を含み、チャネルが二次元電子ガスであり、ｐ型層６とｎ型表層８との間、および開口部を囲むＧａＮ系積層体の端面と再成長層との間、の少なくとも一方に、ＧａＮよりも格子定数が小さいエピタキシャル層が挿入されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層上の透光性電極とｎ型窒化物半導体層との両方に好適に接続可能な構造のパッド電極を備える窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子１０は、基板１上に、ｎ型窒化物半導体層２、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４を積層してなり、ｎ型、ｐ型窒化物半導体層２，４にそれぞれ電気的に接続するｎ側パッド電極７ｎ、ｐ側電極５をさらに備える。ｐ側電極５は、ｐ型窒化物半導体層４上に形成された導電性酸化物からなる透光性電極６と、透光性電極６上の一部の領域に形成されたｐ側パッド電極７ｐとからなる。そして、ｎ側パッド電極７ｎおよびｐ側パッド電極７ｐは、ｎ型窒化物半導体層２および透光性電極６のそれぞれに接触する側から、Ｃｒ層７１ａ、Ｐｔ層７１ｂ、Ｒｕ層７２、Ａｕ層７３を積層してなり、Ｃｒ層７１ａの厚さは１ｎｍ以上９ｎｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 チップ面積を大きくし過ぎることなく、過電圧、過電力が加わっても破壊されない電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 本発明の電界効果トランジスタは、
半導体層上に、ゲート電極１１０と、ドレイン電極１０９と、ソース電極１０８と、保護ダイオード（保護ダイオード電極）１１１とが配置され、
ドレイン電極１０９が、保護ダイオード１１１の周囲の一部もしくは全部を囲む状態で形成されているか、または、
ドレイン電極１０９は、複数であり、複数のドレイン電極１０９の少なくとも一対のドレイン電極間に、保護ダイオード１１１が配置されるように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系半導体領域の表面がｃ面から傾斜している場合に、該半導体層上に設けられる電極と該半導体領域との接触抵抗を小さく抑えることが可能なIII族窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物系半導体素子は、III族窒化物結晶からなる非極性表面１３ａを有する半導体領域１３と、半導体領域１３の非極性表面１３ａに設けられた金属電極１７とを備え、非極性表面１３ａは半極性及び無極性のいずれかであり、半導体領域１３にはｐ型ドーパントが添加されており、半導体領域１３のIII族窒化物結晶と金属電極１７との間に、金属電極１７の金属と半導体領域１３のIII族窒化物とが相互拡散して成る遷移層１９を有する。 （もっと読む）

【課題】パワートランジスタに適用可能なノーマリオフ型の窒化物半導体装置に生じる電流コラプスを抑制できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、サファイアからなる基板１１と、該基板１１の上に形成されたＧａＮからなるチャネル層１３と、該チャネル層１３の上に形成され、該チャネル層１３よりもバンドギャップエネルギーが大きいＡｌＧａＮからなるバリア層１４と、該バリア層１４の上に形成され、ｐ型ＡｌＧａＮ層１５及びｐ型ＧａＮ層１６を含むｐ型窒化物半導体層と、該ｐ型窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極１９と、該ゲート電極１９の両側方の領域にそれぞれ形成されたソース電極１７及びドレイン電極１８とを有している。ｐ型窒化物半導体層は、ゲート電極１９の下側部分の厚さが該ゲート電極１９の側方部分の厚さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】同一のボンディングパッドに対して異なる金属のボンディングワイヤーを用いて信頼性の高い配線を行う。
【解決手段】窒化物半導体ヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるソース電極８,ドレイン電極９,ソースパッド８'およびドレインパッド９'をＴi,Ａl,ＭoおよびＡuを順次積層して形成し、ソースパッド８'およびドレインパッド９'の一部をエッチングによって開口して、Ａl露出部を形成している。したがって、ソースパッド８'またはドレインパッド９'におけるＡu露出部に対しては、Ａuボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行う一方、上記Ａl露出部に対しては、Ａlボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行うことによって、優れた密着性とエレクトロマイグレーション耐性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高電圧印加時にフィールドプレート構造端に集中する電界強度を緩和し、高耐圧で信頼性の高い窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】フィールドプレート構造を備えた窒化物半導体装置において、ゲート電極１８に、オフ制御の制御電圧を印加するとき、フィールドプレート構造の傾斜面部直下の窒化物半導体層中１３にはキャリアが存在しないようにする。 （もっと読む）

【課題】ゲート−ソース間およびゲート−ドレイン間のキャパシタンスの低減を図ると共に、ＪＦＥＴをオンさせる際に必要なゲート印加電圧が高電圧になることを抑制する。
【解決手段】ｐ⁺型ゲート領域２をＳｉＣ基板１の内部に埋め込んだ構造とする。これにより、ゲート−ソース間およびゲート−ドレイン間のキャパシタンスの低減を図ることが可能となる。また、ｐ⁺型ゲート領域２がｎ^-型チャネル層３に直接接触させられる構造であるため、ｐ⁺型ゲート領域２から広がる空乏層によって容易にｎ^-型チャネル層３をピンチオフさせることができ、ＪＦＥＴをオンさせる際に必要なゲート印加電圧が高電圧になることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】下地の性能を犠牲にすることなく、リフトオフ層が下地から剥離することを防止できるパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるパターン形成方法は、基板上にカバー絶縁膜２２を形成し、第１のレジストパターン１０４をマスクとして、金属膜パターン形成領域を取り囲むようカバー絶縁膜２２に凹部１０３を形成する工程と、凹部１０３内に入り込むよう、カバー絶縁膜２２上にリフトオフ層となる第２のレジストパターン２５を形成する工程と、第２のレジストパターン２５をマスクとして、金属膜パターン形成領域のカバー絶縁膜２２に開口部を形成する工程と、第２のレジストパターン２５の上から基板表面に金属膜を成膜し、第２のレジストパターン２５とともに第２のレジストパターン２５上の金属膜を除去して金属膜パターンを形成する工程とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層１上に、高融点金属を含む第１の導電膜３を形成する。第１の熱処理を行うことにより、第１の導電膜３と窒化物半導体層１とを反応させて高融点金属の窒化物層４を形成すると共に、窒化物半導体層１の表面に窒素空孔を生じさせる。第１の導電膜２上に、Ａｌを含有する第２の導電膜３を形成する。第２の熱処理を行うことにより、第２の導電膜３中のＡｌ原子を窒化物半導体層１の表面まで拡散させる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧でかつ低オン電圧動作が可能な窒化物系ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物系ダイオード１０は、シリコン基板１１の（１１１）面上に形成されたバッファ層１２と、アンドープのＧａＮからなるチャネル層１３と、チャネル１３層上に形成されたアンドープのＡｌＧａＮからなる電子供給層１４と、電子供給層１４上に形成されたカソード電極１５およびアノード電極１６とを備える。窒化物系ダイオード１０はさらに、電子供給層１４を、チャネル層１３に達する深さまで部分的に除去したメサ１８を備え、メサ１８の一方の側面部１８ａにアノード電極１６が接触している。アノード電極１６がメサ１８の側面部１８ａに接触することで、アノード電極１６と２次元電子ガス層１７とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができ、かつ、高い絶縁破壊耐圧を有するＩＩＩ族窒化
物系半導体素子、およびＩＩＩ族窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層、絶縁層、および表面にシリコンからなる複数の核領域と前記複
数の核領域の間を埋める絶縁領域を有する複合層がこの順に形成された基板と、前記基板
上に形成されたＩＩＩ族窒化物系半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成
されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる動作層と、前記動作層上に形成された第１の電極お
よび第２の電極とを備え、前記核領域のそれぞれの最大幅Ｌ_１が、前記第１の電極および
前記第２の電極の間の距離Ｌ_２よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の上昇を抑制しつつ閾値電圧を大きくできる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】キャリア走行層１３である第１窒化物半導体層13と、第１窒化物半導体層13の上に設けられた、第１窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい第２窒化物半導体層14と、第２窒化物半導体層14の上に順に設けられた、ＩｎＧａＮ16層と、ｐ型窒化物半導体層18と、ゲート電極２２とを備える電界効果トランジスタであって、ＩｎＧａＮ層16は、ゲート電極２２直下の表面に第１の凹部１９を有する。これにより、オン抵抗を一定に抑えつつ、閾値電圧を大きくすることができ、ノーマリオフ型のトランジスタが実現できる。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング速度の低下やオン抵抗の増大を抑制しつつ、オフ耐圧を改善可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体層１１および１２は、基板１０上に形成され、第１の電極１０１、第２の電極１０２および絶縁膜１４は、それぞれ、半導体層１１および１２上に形成され、絶縁膜１４は、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に配置され、フィールドプレート電極１７Ａおよび１７Ｂは、複数であり、かつ、絶縁膜１４上に点在し、第１の電極１０１および第２の電極１０２は、半導体層１１および１２を介して電気的に接続されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間の電圧印加時における電流の方向と垂直方向の各フィールドプレート電極の長さ、および、前記電流の方向と垂直方向に隣接する各フィールドプレート電極間の距離が、それぞれ、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間の距離以下であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極のオーミックコンタクト抵抗を確実に低減させる。
【解決手段】各オーミック電極３、４は、ＧａＮキャップ層２６表面のリセス２８周辺部位に接触する第１電極５１と、第１電極５１に接触して、リセス２８を介して２次元電子ガス層２７に及ぶ第２電極５２とを有している。第１電極５１は、リセス２８の開口部を囲む環状のものである。第２電極５２は、第１電極５１に重なる頭部５２ａ、及びリセス２８内に形成された柱状部５２ｂからなる。第１及び第２電極５１、５２を第１及び第２温度でそれぞれ熱処理しているので、第１及び第２電極５１、５２のオーミックコンタクト抵抗を共に低減させ、各オーミック電極３、４そのもののオーミックコンタクト抵抗を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ電子走行層、ＡｌＧａＮ電子供給層、およびＧａＮキャップ層が順次積層された半導体装置において、高周波数動作および高出力動作を実現することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に順次積層されたＧａＮ電子走行層１２、ＡｌＧａＮ電子供給層１４、およびＧａＮキャップ層１６と、ＧａＮキャップ層１６上に形成されたゲート電極１８と、ゲート電極１８の両側であって、ＡｌＧａＮ電子供給層１４上に形成されたソース電極２０およびドレイン電極２２と、ゲート電極１８とソース電極２０との間のＧａＮキャップ層１６に形成された第１の凹部３０と、を具備し、第１の凹部３０が有する底面３２下におけるＧａＮキャップ層１６の厚さは、ゲート電極１８下におけるＧａＮキャップ層１６の厚さに比べて薄い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、横方向拡散金属酸化物半導体（LDMOS）トランジスタと、これを製造する方法を提供する。
【解決手段】LDMOSトランジスタはｐ型基板上に形成されたｎ型エピタキシャル層と、LDMOSトランジスタのゲートとして機能する非対称導体スペーサとを備える。LDMOSトランジスタはまた、非対称導体スペーサの両側のソース領域及びドレイン領域と、イオン注入を非対称導体スペーサに行うことで形成されたチャネル領域とを備える。非対称導体スペーサの高さはソース領域からドレイン領域に向かって増加する。チャネル領域は、基本的に完全に非対称導体スペーサの下に存在し、従来技術のLDMOSトランジスタのチャネル領域の長さよりも短い長さを有する。本発明のLDMOSトランジスタはまた、当該トランジスタの活性領域を囲むフィールド酸化物層と、非対称導体スペーサをｎ型エピタキシャル層から絶縁する薄い誘電体層とを備える。 （もっと読む）