【課題】 簡便で安価な塗布法によりルテニウム膜を形成するための組成物およびこの組成物を用いて塗布によりルテニウム膜を形成する方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含むことを特徴とするルテニウム膜形成用組成物、ならびに基体上に、該ルテニウム膜形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び／又は光照射することにより、前記基体上にルテニウム膜を形成することを特徴とする、ルテニウム膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、アモルファス酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタの高精細化が容易で生産性にすぐれた製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたアモルファス酸化物半導体層と、前記アモルファス酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法であって、前記ソース電極及びドレイン電極が電気化学的に酸化され得る金属より形成され、該金属の前記ソース電極とドレイン電極との間にあってチャネル部を形成する領域を電気化学反応により金属酸化物に変質させ、該金属酸化物をエッチングにより除去することにより前記ソース電極及びドレイン電極をパターニングするパターニング工程を有する薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】不純物が少ない金属膜を低温でかつ良好なステップカバレッジで成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板１上に気相状態の所定の金属元素を含む金属原料ガスを吸着させ吸着層２とする工程と、吸着層２に蟻酸を供給し、基板１上に所定の金属元素の蟻酸塩膜３を生成させる工程と、生成された蟻酸塩膜３に対し、還元雰囲気中でエネルギーを与え、蟻酸塩を分解して金属膜４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜中にプリコート膜とシャワーヘッドやサセプタとの反応等の不都合を生じさせずに、プロセス膜厚の面間ばらつきを抑制することができるＴｉ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】サセプタ２にウエハＷが存在しない状態でサセプタ２を加熱し、Ｔｉを含む処理ガスにより少なくともシャワーヘッド１０の表面にプリコート膜を形成する工程と、その後、所定温度に加熱したサセプタ２上にウエハＷを載置し、チャンバ１内に処理ガスを供給してウエハＷに対してＴｉ膜を成膜する工程と、サセプタ２にウエハＷが存在しない状態でチャンバ１内にクリーニングガスを導入してチャンバ１内をクリーニングする工程とを繰り返す。プリコート膜形成工程においては、サセプタ２の温度をＴｉ膜成膜工程の際の温度よりも低い温度で低温プリコート膜７１を成膜した後、Ｔｉ膜成膜の際の温度で高温プリコート膜７２を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１上に強誘電体キャパシタ３７を形成する際、下部電極膜２５の上に、アモルファス又は微結晶の酸化導電膜２６を形成する。酸化導電膜２６を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜２７の初期層２７Ａの形成時に酸化導電膜２６を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第２の導電膜２６Ａを形成する。強誘電体膜２７は、ＭＯＣＶＤ法により形成し、その初期層２７Ａは第２の導電膜２６Ａの結晶配向に倣って成長する。これにより、強誘電体膜２７の表面モフォロジが良好になる。 （もっと読む）

【課題】適正な電極強度（電極と基板との密着力）を確保するとともに、太陽電池セル個体間のばらつきを抑制して接触抵抗を低減し、高い光電変換効率の太陽電池セルを安定的に製造できる太陽電池セルの製造方法、およびこの太陽電池セルの製造方法を用いた太陽電池モジュールの製造方法を得ること。
【解決手段】シリコン基板の一面側に電極を有する太陽電池セルの製造方法であって、前記シリコン基板の一面側に銀を含む材料からなる前記電極を形成する第１工程と、前記電極に対して銀を還元させる還元剤を付着させる第２工程と、前記還元剤が付着した状態で酸を含む溶液に前記シリコン基板を浸漬させる第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、銅含有膜の製造に当たり、基板上にルテニウム含有膜を化学気相蒸着法（以下、ＣＶＤ法と称する）した後、当該膜状に連続的な銅含有薄膜を製造する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に有機ルテニウム錯体を用いてルテニウム含有薄膜を製造後に大気中に暴露し、次いで、ルテニウム含有薄膜を不活性ガスと接触させた後に、当該膜上に有機銅錯体を用いて銅含有薄膜を製造することを特徴とする銅含有膜の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、露出誘電表面を覆う銅表面上にコバルト層を選択的に形成するプロセスを提供する。一実施形態では、前処理プロセスの間に金属銅表面を形成している間は処理チャンバー内の基板の汚染された銅表面を還元剤にさらすステップと、気相堆積プロセスの間に基板上の誘電表面を露出したままにしながら金属銅表面を覆ってまたは上にコバルトキャッピング層を選択的に形成するために基板をコバルト前駆体ガスにさらすステップと、コバルトキャッピング層および誘電表面を覆ってまたは上に誘電障壁層を堆積させるステップとを包含する、基板上の銅表面をキャッピングするための方法が、提供される。別の実施形態では、堆積−処理サイクルは、気相堆積プロセスを実行した後に後処理プロセスを実行するステップを包含し、その堆積−処理サイクルは、複数のコバルトキャッピング層を形成するために繰り返されてもよい。
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【課題】シリコン電極の自然酸化を防止でき、電極表面の抵抗を一定に保つことができる有機半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン層１０の表面の酸化シリコン膜（ＳｉＯ₂）１２を除去して水素終端化させＳｉ−Ｈを形成し、次に、水素終端化された表面に有機鎖１４を結合させＳｉ−有機鎖を形成し、疎水性の有機鎖１４による単分子層を形成させる。次に、Ｓｉ−有機鎖が形成された表面にピロールモノマー溶液１３をキャストして、キャストされた溶液に陰極１６を挿入し陰極１６がポリシリコン層１０に接触しないように配置し、ポリシリコン層１０の表面に陽極１７を接触させて、電解重合を行なって、ポリピロール層１５を形成する。密着性が良好で安定したポリピロール層１５を形成できる。 （もっと読む）

【課題】所望の仕事関数を簡便に備えることが可能な素子用電極を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１の一面１ａに配された導電部５とからなる素子用電極１０であって、導電部５は、バインダー樹脂２と、バインダー樹脂２中に粒子状に分散され、異なる仕事関数を有した２以上の導電性フィラー３，４とからなること。 （もっと読む）

【課題】所望の領域に寸法精度良く薄膜を形成することが可能な薄膜形成方法を得る。
【解決手段】基板上に半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する薄膜形成方法であって、粒子径が１００ｎｍ以下の前記半導体粒子または導電性粒子が分散された分散液を、前記基板の所定の領域に配置する配置工程と、前記分散液を配置した基板を２０ＫＨｚ以上、５０ＭＨｚ以下の周波数で振動させて前記所定の領域以外の領域に存在する前記分散液を除去する振動工程と、前記基板上の分散液の溶媒を除去して前記基板上に前記半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する溶媒除去工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】長期保存安定性及びラフな不活性雰囲気下における取り扱い性に優れる塗布型のアルミニウム膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】上記アルミニウム膜形成用組成物は、下記式（１）で表される錯体に代表される特定の錯体を含有する。


（式（１）中、Ｒ^１は炭素数９〜２０のアルキル基、アルケニル基もしくはアルキニル基又は炭素数７〜２０の脂環式基であり、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基若しくはアルキニル基又は炭素数３〜２０の脂環式基である。） （もっと読む）

【課題】微細なパターンニングを可能とするナノ粒子薄膜パターンの製造方法、回路パターン形成方法およびこれに適したナノ粒子薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】二重結合を有する有機物質のシェルと金属のコアとで形成されるコアシェル型のナノ粒子が、二重結合を有するモノマーと化学結合して形成されるナノ粒子薄膜であって、上記ナノ粒子由来の粒子が上記モノマー由来の構造部分を介して結合し３次元ネットワーク構造を形成していることを特徴とするナノ粒子薄膜および製造方法。また、ナノ粒子薄膜パターン以外の部分を超音波処理により選択的に剥離するナノ粒子薄膜パターンの製造方法および回路パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、半導体装置の洗浄工程において半導体装置の半導体層の腐食防止を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層と、前記半導体層に接続した電極部と、前記電極部に接続した、前記半導体層および前記電極部の構成材料よりイオン化傾向の大きい金属からなる犠牲金属層と、を備える。本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハに、半導体層と前記半導体層に接続した電極部を有する半導体装置と、前記半導体層と電気的に接続した電気接触領域と、を形成する形成工程と、洗浄液の電位に対して負の電位を導き得る導電体を、前記電気接触領域に接続する接続工程と、前記半導体ウェハを前記洗浄液に浸漬した状態で、前記電気接触領域に前記負の電位を印加しながら、洗浄する洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＯＩ（１１０）基板上のｐ、ｎ両領域で高移動度の半導体装置を実現する。
【解決手段】Ｓｉ_1-xＧｅ_x（０．２５≦ｘ≦０．９０）の（１１０）面を表面に有する半導体基板（１，２，３）と、（１１０）面上に形成されたｎ及びｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴとを具備し、両ＭＩＳＦＥＴは、［−１１０］方向が［００１］方向より長い線状で、（３１１）若しくは（１１１）面のファセットを有する活性領域（５，６）を有し、活性領域の［−１１０］方向に、ソース領域・チャネル領域・ドレイン領域が形成され、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域（５_C）はＳｉで形成され、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域（６_C）はＳｉ_1-yＧｅ_y（ｘ＜ｙ≦１）で形成され、両ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域は、活性領域の［−１１０］方向に、一軸圧縮ひずみを有する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルにおいて、比較的簡単な方法により、ゲート配線の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制する。
【解決手段】 ゲート電極２およびゲート配線３を、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、それらの上面に変色用処理液を用いて変色層２ａ、３ａを形成すると、変色層２ａ、３ａの反射率がＡｌ合金の反射率よりも低くなるので、ゲート配線３の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高い導電性と良好な透明性を併せ持ち、液相製膜により容易に製造できる透明導電膜を提供することにあり、さらに、この透明導電膜を用いた透明導電性フィルム、さらには大面積においても電極での電圧降下が抑えられたフレキシブル透明面電極を提供することにある。
【解決手段】少なくとも金属ナノワイヤを含有する透明導電膜において、通電処理により少なくとも一部の該金属ナノワイヤ同士が接合されていることを特徴とする透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】分散媒中での分散性および安定性に優れ、配線、導電性パターン等の導電膜として加工する際に紫外線照射を併用することで焼成温度を低く抑えることのできる金属粒子分散液を提供すること、前記金属粒子分散液を容易かつ確実に製造することができる金属粒子分散液の製造方法を提供すること、性能、信頼性に優れた導電膜形成基板の製造方法、性能、信頼性に優れた電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の金属粒子分散液は、硫黄原子を含む化合物と、貴金属材料を含む材料で構成され、粒径が１〜１００ｎｍの金属粒子と、分散媒とを含み、金属粒子が前記化合物で被包されていることを特徴とする。金属粒子は、主としてＡｇで構成されたものであるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低抵抗かつ熱的安定性に優れた、ジャーマナイド薄膜を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム（Ｇｅ）基板１１上に、Ｐｔ薄膜１２が形成され、さらにＰｔ薄膜１２の上方にＮｉ薄膜１３が形成されている。その後、熱処理を加えることによって、Ｇｅ基板上にＮｉ、Ｐｔ、Ｇｅの三元素からなる（Ｎｉ_1-xＰｔ_x）Ｇｅ薄膜が形成された。ジャーマナイド薄膜を構成する結晶粒の結晶面方位が、前記ゲルマニウム基板の［１１０］結晶面に対して、［１０２］面あるいは［００１］面を平行とする配向関係になっている。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が改善された、共形性の高い拡散バリアの、インシチュウによる構築を遂行する。
【解決手段】本発明の一態様では、処理チャンバと、シャワーヘッドと、ウエハ支持体と、ＲＦシグナル手段とを有していてもよい。シャワーヘッドを具備することにより、処理チャンバ内にガスを供給する。ウエハ支持体は、処理チャンバ内でウエハを支持するために具備される。シャワーヘッドに第１のＲＦシグナルを供給しまたウエハ支持体に第２のＲＦシグナルを供給するために、ＲＦシグナル手段がシャワーヘッドとウエハ支持体の両方に結合していてもよい。あるいは、ＲＦシグナル手段は、ウエハ支持体にＲＦシグナルを供給するためにウエハ支持体だけに結合していてもよい。本発明の態様を実施することによりアルミニウムや銅等のコンタクトメタルの拡散を防止する拡散バリアの能力を、向上させることができる。 （もっと読む）