【課題】ニッケルを含む金属膜と、この金属膜表面に形成する他の金属膜との密着性が優れることとなり、接続信頼性が向上した半導体装置が得られる半導体装置の製造方法、さらにそのための半導体基板のめっき装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にニッケルを含む金属膜をめっき法により形成する工程と、前記金属膜を塩酸または硫酸で洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温での熱処理を行なうことなくシリコン基板等の基材の表面に下地膜とその上を覆う表層膜とからなる複合膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面に酸化ハフニューム膜などからなる表層膜２を形成する表層膜形成工程と、表層膜２が形成された基材１を被処理材３として、該被処理材の表層膜２を純水に接触させた状態で、該純水と被処理材３とに電圧を印加して陽極酸化処理を施すことにより、被処理材の基材１と表層膜２との間に基材１を構成する物質の酸化物からなる膜を下地膜２として形成する陽極酸化工程とを行なう。 （もっと読む）

【課題】金属粒子を用いた直接回路描画法において、耐熱性の低い基板材料上においても低抵抗の実装部品を短時間に作成することが可能な、新しい技術手法及びこの方法を用いて製造した製品さらに、これに用いる金属粒子を相互融着するための金属粒子焼成用材料を提供する。
【解決手段】高周波電磁波吸収性の優れた金属粒子２もしくは高周波電磁波吸収性の優れた焼結助剤を混合した金属粒子２を、各種基板１上に表面塗布又は回路パターンニングを行なった後に高周波電磁波照射を行うことで、金属粒子部分を選択的に加熱する金属粒子の相互融着方法と、この方法を用いて形成した導電材、導電路、アンテナ、バンプ、パッド、ビア等の電子実装部品や立体配線基板及び熱伝導路、触媒電極、立体配線である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及び酸素原子含有ガスを導入して基板上で反応させて、ＴａＯ_ｘＮ_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚを生成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置の製造方法においては、シランがアンモニアプラズマ処理の際に反応することにより、半導体基板の表面にシリコン析出物として残留し、それにより配線間のリーク電流が増大するという問題がある。
【解決手段】 真空チャンバにシリコン含有化合物からなる処理ガス（第１のガス）を導入し、チャンバ内に配された半導体基板１０を第１のガス雰囲気に晒す（シリコン処理工程）。次に、真空チャンバ内の圧力を、シリコン処理工程を開始する直前のチャンバ内の圧力よりも低い圧力まで減圧する（減圧工程）。続いて、真空チャンバに窒素含有化合物からなる処理ガス（第２のガス）を導入し、そのプラズマを半導体基板１０に照射する（窒素プラズマ処理工程）。 （もっと読む）

【課題】開口幅が小さく、アスペクト比の大きいトレンチを有する絶縁性の基体に対して、メッキ法によるトレンチ埋め込みのための導電性下地膜を形成するための方法、乃至多層化構造のスルーホールの内面に厚さの均一な導電性膜を形成する方法として有用なアルミニウム膜の形成方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム膜を形成する方法は、（１）トレンチ又は孔を有する基体を準備する工程、（２）該基体上に、チタン、パラジウム及びアルミニウムよりなる群から選ばれる少なくとも一種の原子を含有する化合物及び溶媒を含有する組成物を、第一の圧力下で塗布する工程、（３）塗布後の基体を、上記塗布工程における第一の圧力よりも小さい第二の圧力下におく工程、（４）該基体を加熱処理する工程、（５）該基体上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体及び溶媒を含有する組成物を塗布する工程、及び（６）該基体を加熱処理する工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブを平面上に倒した状態で形成する。
【解決手段】 基板上に２電極のうちの一方にカーボンナノチューブを垂直配向させて形成した後（ステップＳ１，Ｓ２）、例えばこれを液中に浸漬してから引き上げる等の方法を用い、一方の電極上に形成したカーボンナノチューブをもう一方の電極の側に倒す（ステップＳ３）。これにより、基板に対し平行方向に配向させたカーボンナノチューブを形成することができ、そのようなカーボンナノチューブにより２電極間を確実に接続することが可能になる。 （もっと読む）

トランジスタゲート選択酸化プロセスは、半導体基板を収容した真空チャンバ内へ、真空チャンバの真空圧力を維持しつつ酸素を含むプロセスガスを導入するステップを含む。連続した「オン」タイム中に真空チャンバ内のプラズマ生成領域にプラズマを生成し、制御可能なデューティーサイクルを画成する「オン」インターバル及び「オフ」インターバルのうちの、連続した「オン」インターバルを分離する連続した「オフ」インターバル中に、プラズマのイオンエネルギーが減衰するのを許容することにより、数オングストローム程度の厚さの酸化物絶縁層が形成される。酸化物絶縁層の形成中に、デューティーサイクルは、絶縁層におけるイオン衝撃による欠陥の形成を制限するように限定され、真空圧力は、絶縁層における汚染による欠陥の形成を制限するように限定される。 （もっと読む）

【課題】 異なるゲート長またはゲート幅を有し、フルシリサイド化されたゲート電極を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板５と、半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁膜５１と、半導体基板上に形成された第２のゲート絶縁膜５２と、第１のゲート絶縁膜上に形成され、フルシリサイド化された第１のゲート電極１１と、第２のゲート絶縁膜上に形成され、フルシリサイド化された第２のゲート電極１２であって、半導体基板の表面を占める面積が第１のゲート電極よりも大きく、なおかつ、第１のゲート電極よりも厚みが薄い第２のゲート電極１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 後処理の工程を経ることなくＣｌの影響をなくして不純物層等が形成されることがない薄膜作製装置とする。
【解決手段】 Ｃｕの薄膜を形成した後、Ｃｌ₂ガス２１の供給を停止すると同時にガスノズル１８からＨｅガス２２を供給し、バイアス電源３１をオン状態にして基板３にバイアスを印加し、バイアスが印加された基板３にＨｅイオンを引き込みイオン衝撃を与え、基板３の温度を低く保ったまま基板３にエネルギーを与えてＣｕ薄膜中に残留するＣｌを離脱させ、Ｃｌの影響をなくして不純物層等が形成されることがない薄膜作製装置とする。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面を、金属材料から作られる核生成フィルムで被覆する方法に関し、前記表面は、導電性又は半導電性表面であり、凹部及び／又は凸部を含む。 本発明方法は、有機フィルムを表面上に蒸着する工程であって、前記フィルムの厚さが、その自由面が、導電性又は半導電性表面（その上に、フィルムが蒸着されている）の凹部及び／又は凸部に共形的にならうものから成る工程；金属材料の前駆体を、表面上に蒸着した有機フィルムに挿入する工程であって、前記表面上に有機フィルムを蒸着させることから成る工程と同時の又はその後に続く工程；及び金属材料の前駆体を金属材料に変換する工程にある。 本発明方法は、集積回路、超小型電子相互接続及びマイクロシステムの製造のために使用することができる。
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【課題】 スイッチＭＭＩＣに採用するＨＥＭＴは、ゲート電極となるＰｔの蒸着膜厚を４０Å〜６０Åにするとよい。しかし、膜厚数十Åの蒸着金属の測定については、通常の触針式の段差計では測定不可能である。膜厚を正確に測定するにはＴＥＭ観察しか方法がないが、その準備として試料作成に非常に時間を要する。また１回の測定で数十万円の費用が発生する。
【解決手段】 シート抵抗値と実蒸着膜厚の一義的な相関データを算出しておき、モニターウエハのシート抵抗値からモニターウエハの実蒸着膜厚を換算し、蒸着機を管理する。管理された蒸着機によってＨＥＭＴを形成することにより、ＴＥＭ観察を行うことなく、日常管理において頻繁にかつ迅速に蒸着金属の膜厚を管理できる。 （もっと読む）

ポリメタルゲートを構成する高融点金属膜の洗浄工程における欠けを防止し、装置の特性を向上させ、また、洗浄効率を向上させるため、基板１上の低抵抗多結晶シリコン膜９ａ、ＷＮ膜９ｂおよびＷ膜９ｃを、窒化シリコン膜１０をマスクにドライエッチングし、これらの膜よりなるゲート電極９を形成し、ウエットハイドロゲン酸化により薄い酸化膜９ｄを形成した後、ＲＰＮ法を用いて窒化処理を行い、ゲート電極の側壁から露出したＷ膜９ｃをＷＮ膜９ｅとする。その結果、その後の洗浄工程、例えば、ｎ⁻型半導体領域１１やｐ⁻型半導体領域１２の形成時に行われる、１）レジスト膜のホトリソグラフィー工程、２）不純物の注入工程、３）レジスト膜の除去工程および４）基板表面の洗浄工程が繰り返し行われても、Ｗ膜９ｃの欠けを防止でき、また、洗浄液としてＵ洗浄液やフッ酸系の洗浄液のような強い洗浄液を用いることができる。
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【課題】 化合物半導体素子の電極形成方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型化合物半導体層上に第１電極層を形成するステップと、第１電極層を酸素が含まれた雰囲気でプラズマ処理するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程を単純化し且つ製造コストを節減することが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００、ゲート電極１１０、ゲート絶縁体層１２０、ドレイン電極１５０、ソース電極１３０および半導体層１４０が順次に形成された薄膜トランジスタの製造方法において、金属前駆体を溶媒に溶解させたコーティング液をゲート絶縁体層１２０上に塗布する段階と、光還元によってドレイン電極１５０およびソース電極１３０を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に形成されるトランジスタの導電型によらず、移動度を向上させる。
【解決手段】 半導体装置は、シリコン基板１上にPMOSトランジスタ２と、NMOSトランジスタ３とを備えている。いずれのトランジスタも、シリコン基板１上に形成されるゲート絶縁膜４と、このゲート絶縁膜４上に形成されるゲート電極５ａ，５ｂとを有する。ゲート電極５ａ，５ｂは例えばタングステン（Ｗ）で形成されている。PMOSトランジスタ２のゲート電極５ａとNMOSトランジスタ３のゲート電極５ｂとに、互いに異なる応力を持たせる。 （もっと読む）

【課題】 基板への接着性が良好で、且つ、良好に駆動可能な有機薄膜トランジスタ、該有機薄膜トランジスタを設けた有機薄膜トランジスタシート及びこれらの製造方法の提供。
【解決手段】 支持体と金属箔とをラミネートする接着層を支持体上に有し、前記支持体と前記金属箔とが前記接着層によりラミネートされ、前記支持体上にラミネートされた前記金属箔表面が研磨されたものであることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 可撓性のあるフレキシブルな基板に形成されたトップコンタクト構造の高性能な電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 剛性の高い材料よりなる補助基板４０上にソース電極２８Ａ及びドレイン電極２８Ｂよりなる第１電極２８を剥離可能に形成する工程と、第１電極を可撓性のある第１基板１４に移転させる工程と、可撓性のある第２基板１６上に、ゲート電極となる第２電極１８とゲート絶縁膜２０とパターン化された有機半導体膜２２とを順次形成する工程と、ソース電極及びドレイン電極のそれぞれの一部が有機半導体膜上に位置するように第１電極と有機半導体膜とを対向させて第１基板と第２基板とを接合する工程とを有する。これにより、可撓性のあるフレキシブルな基板に形成されたトップコンタクト構造の高性能な電界効果トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】厚み均一で且つ低抵抗のシリサイド層をゲート電極に有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリサイド化する高融点金属の堆積前に、ゲート電極上面に角が発生しないように端部丸めを実施した後にシリサイド化を行ことで、熱処理時に発生する膜応力の集中を緩和し、均一でかつ十分な厚さのシリサイド層を形成する。 （もっと読む）