【課題】結晶欠陥の発生を抑え、デバイスのリーク電流の発生、耐圧低下、しきい値電圧の継時変化、およびショートチャネル効果を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】単結晶ＡｌＮからなる基板を準備するステップと、前記単結晶ＡｌＮからなる基板の表面を酸素プラズマによって酸化し、単結晶ＡｌＮからなる基板上に酸化アルミニウムまたはアルミニウムオキシナイトライドからなる絶縁膜を形成するステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたＴＦＴでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、絶縁性基板１０上のゲート電極１１、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１２上のインジウムを含む酸化物半導体膜１３、及び、酸化物半導体膜１３上のソース・ドレイン電極１４を有する。そして、酸化物半導体膜１３のソース・ドレイン電極１４が重ならない部分の表面層１５におけるＸＰＳスペクトルのインジウム３ｄ軌道起因のピーク位置が、表面層１５の下部に存在する酸化物半導体領域におけるＸＰＳスペクトルのインジウム３ｄ軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている。 （もっと読む）

【課題】高集積化することができる半導体装置、金属膜の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、ヒ素を含むヒ素拡散層と、前記ヒ素拡散層上に形成された金属膜と、を備える。前記金属膜は、タングステン、チタン、ルテニウム、ハフニウム及びタンタルからなる群より選択された少なくとも１種の金属、並びにヒ素を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置のオン抵抗を低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、アンドープのＡｌＧａＮ層１０４と、該ＡｌＧａＮ層１０４の上に形成され、ＡｌＧａＮ層１０４とオーミック接触するソース電極１０７及びドレイン電極１０８とを有している。ＡｌＧａＮ層１０４の上部における少なくとも各電極１０７、１０８と接触する部分には、不純物拡散層１１０が形成されている。不純物拡散層１１０は、ＡｌＧａＮ層１０４に対しアクセプタ性を示す不純物が拡散し、且つ、ＡｌＧａＮ層１０４における窒素空孔と不純物とが結合してなる不純物準位が、ＡｌＧａＮ層１０４の伝導帯端の近傍に形成される。 （もっと読む）

【課題】従来の高耐圧半導体装置の場合よりも耐圧の低下を抑制することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなるｎ型の半導体層１１０と、バリアメタル層１２８と、第２電極層１３０と、ｐ型のリサーフ層１１６と、ｐ^＋型のエッジターミネーション層１２０と、リサーフ層１１６の内部における、エッジターミネーション層１２０の周囲を離間して囲む位置に形成されたｐ^＋型の第１ガードリング層１２２と、半導体層１１０の表面における、リサーフ層１１６の周囲を離間して囲む位置に形成されたｐ型の第２ガードリング層１１８とを備え、最内周の第１ガードリング層１２２とエッジターミネーション層１２０との間隔が３μｍ〜５μｍの範囲内にある高耐圧半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体では、ｐ型不純物を高濃度にイオン注入すると、結晶品質が低下してしまう。結晶品質が低下するとオフ電流が増加して、電子デバイス特性が低下する可能性がある。このため、ＩＩＩ族窒化物半導体では、ｐ＋層を形成することが困難であった。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体にドープされるとｐ型半導体になるｐ型不純物、および金属を有する合金からなる合金層と、合金層の下に接して形成され、ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、ｐ型不純物が一部に拡散している半導体層と、合金層上に形成され、ｐ型不純物の拡散係数が、半導体層より小さい拡散防止層と、を備える半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み工程におけるスループットを向上でき、埋め込み工程が多用される半導体集積回路装置であっても、優れた生産能力を発揮することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】 アミノシラン系ガスを供給する供給機構１２２、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給する供給機構１２１を備え、アミノシラン系ガスを供給して前記導電体に達する開孔を有した絶縁膜の表面、及び前記開孔の底の表面にシード層を形成する処理、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給してシード層上にシリコン膜を形成する処理を、一つの処理室内１０１において順次実行する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング中の異常放電を抑制できる、アルカリ金属化合物が微細に分散
したＭｏ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＫとＮｂとの複合酸化物でなる粉末とＭｏ粉末との焼結体であ
って、前記複合酸化物を０．４〜９．０質量％含有し、Ｍｏ母相中に内接円直径が２０μ
ｍ以下の凝固した前記複合酸化物が分散するＭｏ系スパッタリングターゲットである。ま
た、本発明のＭｏ系スパッタリングターゲットは、加圧容器に充填し、前記複合酸化物の
溶融温度以上、Ｍｏの溶融温度以下で加圧焼結することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタセルがマトリクス状に多数個形成され、そのゲート電極に金属膜からなるゲート配線がコンタクトされる半導体装置でも、ゲート耐圧を充分に高くすることができる構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層１に凹溝１１が形成され、その凹溝１１内にゲート酸化膜４が形成され、その凹溝１１内にポリシリコンなどからなるゲート電極５が設けられるトレンチ構造のトランジスタセルがマトリクス状に配列されたセル領域１０を有している。そして、金属膜からなるゲート配線９とコンタクトするため、ゲート電極５と連続してゲートパッド部５ａが設けられるが、そのゲートパッド部５ａが凹溝１１と同時に設けられる凹部１２内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】垂直型トランジスタのドレイン領域と埋め込みビットラインとの間に抵抗接点（ohmic contact）を形成しつつも、その製造工程が簡単な半導体メモリ素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板に形成されたトレンチによって上部へ突出した形のアクティブ領域と、アクティブ領域の上部に配置される第１の不純物領域と、アクティブ領域の下部に配置される第２の不純物領域と、第１の不純物領域と第２の不純物領域との間のアクティブ領域の側面に沿って配置されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に配置されるゲート電極膜と、そして、トレンチの下部でライナー膜によって第２の不純物領域と離隔するように配置される金属膜と、金属膜上で前記第２の不純物領域と直接接触されるように配置されるポリシリコン膜とからなる埋め込みビットラインとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつｐ型拡散層および裏面電極を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、および、これを用いて形成された太陽電池セルの提供を提供する。
【解決手段】ｐ型拡散層形成組成物を、金属粒子と、アクセプタ元素を含むガラス粒子と、樹脂と、溶剤と、を含んで構成する。また、半導体基板上に該ｐ型拡散層形成組成物を塗布した後、熱処理することで形成されたｐ型拡散層および電極を備える太陽電池セルである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に不要なｎ型拡散層を形成させることなく、特定の部分にｎ型拡散層を形成することが可能で、選択的なｎ型拡散層形成のためのプロセスを新たに設けることなく、電極を形成する際の熱処理時に、ｎ型拡散層を形成することが可能な電極形成用ペースト組成物、および、該電極形成用ペースト組成物を用いて形成されたｎ型拡散層及び電極を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】ｎ型拡散層形成機能を付与した電極形成用ペースト組成物を、金属粒子と、ドナー元素を含むガラス粒子と、樹脂と、溶剤と、を含んで構成する。また、該電極形成用ペースト組成物を用いて形成した選択的なドナー元素拡散領域１３１Ａ及び電極１３３を有する太陽電池セルである。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極と半導体膜とのコンタクト不良を抑制することが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】両端部３０ｓ、３０ｄの膜厚が平坦部３０ｃの膜厚よりも厚い半導体膜３０を形成する。ゲート絶縁膜４０は、両端部３０ｓ、３０ｄが露出されるように形成される。両端部３０ｓ、３０ｄには、ソース・ドレイン電極５０ｓ、５０ｄとソース・ドレイン領域とを接続する中間電極５０ｓ、５０ｄが形成され、この中間電極５０ｓ、５０ｄまで開口するコンタクトホールが形成される。 （もっと読む）

【課題】従来の電界効果型トランジスタでは、ソース領域およびドレイン領域に形成する高濃度不純物のイオン注入工程により半導体基板表面がアモルファス化されるため、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、活性化熱処理により結晶欠陥を誘発し、電界効果型トランジスタの信頼性を低下させる問題があった。
【解決手段】本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に高濃度不純物を含有する導電性膜を設ける。高濃度不純物のイオン注入を行う必要がないことから、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することがない。これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート閾値電圧を低下させることなく、チャネル移動度を向上できる炭化珪素ＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置２００は、炭化珪素基板１０と、炭化珪素基板１０上に形成された炭化珪素層２０と、炭化珪素層２０上に形成されたゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０を介して炭化珪素層２０上の所定位置に形成され、ＩＩＩ族軽元素であるＢ、ＡｌまたはＧａをｐ型ドーパントとして含む多結晶シリコンからなるゲート電極４０とを有する。そして、ゲート電極４０中の上記ｐ型ドーパントを、ゲート電極４０直下の炭化珪素層２０とゲート絶縁膜３０との界面近傍に拡散させ、上記ｐ型ドーパントによって界面近傍の不純物準位をパッシベーションする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム電極における膨れや突起の発生を防止し、歩留まりに優れた太陽電池セル及びその製造方法を得ること。
【解決手段】ｐ型多結晶Ｓｉ基板１と、ｐ型多結晶Ｓｉ基板１の受光面に形成されたｎ型拡散層２と、ｎ型拡散層２上に設けられた表面側電極７と、ｐ型多結晶Ｓｉ基板１の受光面とは反対側の面の表層に設けられたアルミニウム電極５及び銀電極１６を有する太陽電池セルであって、アルミニウム電極５及び銀電極１６とｐ型多結晶Ｓｉ基板１との間にＳｉ酸化膜４を介在させ、熱処理を施した。 （もっと読む）

【課題】安価で、結晶Ｓｉ型太陽電池の一般的な作製プロセスにおいて十分な焼結性を有するため低抵抗化が実現でき、Ｓｉ基板との間の界面抵抗が少ない結晶Ｓｉ太陽電池用電極を提供する。
【解決手段】本発明に係る太陽電池セルは、ｎ型半導体層とｐ型半導体層が形成されたＳｉ基板と、前記Ｓｉ基板受光面側の上に形成された反射防止層と、ｎ型半導体層に形成された第一の電極と、ｐ型半導体層に形成された第二の電極とを具備し、ｎ型半導体層に形成された第一の電極はアルミニウム，銅、もしくはそれらの合金を含む金属相と酸化物相とを含み、さらにｎ型半導体層の第一の電極と接している部分に、アルミニウムと銅の拡散層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】溝側面に側壁膜を形成する際に、側壁膜表面にエッチングダメージを受けることなく、側壁膜上面の溝開口部からの深さのばらつきを抑制して形成可能な方法を提供する。
【解決手段】半導体基板主表面に形成された溝の側壁に第１の層を形成する工程、溝を保護膜で埋設する工程、保護膜の表面の高さが溝の開口部よりも低い位置になるようにドライエッチング法でエッチバックし、該エッチバックにより露出した第１の層をエッチング除去する工程、とを含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極の膜厚が均一であり、このために素子特性のばらつきが少ない特性が良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上のＮ−ｈｉｌｌ層１１と、Ｎ−ｈｉｌｌ層１１を囲む素子分離領域であるシャロートレンチアイソレーション６に開口されたオープン領域２１と、を備えたＨＣＢＴ１００を含む半導体装置において、オープン領域２１上に面方位のないアモルファスＳｉ膜３０，３１を形成する。アモルファスシリコン膜３０、３１を、Ｎ−ｈｉｌｌ層１１がアモルファスシリコン膜３０、３１から露出する厚みにまでエッチングして電極とする。 （もっと読む）

【課題】 電極材料やｐ+層を形成するためのペースト材料を焼き付けて形成する際に、Ｓｉ基板の反りによる製造歩留りの低下を招く。
【解決手段】 Ｓｉ基板の一主面側に、ｐ^＋層および電極のうち少なくとも一方が設けられている太陽電池であって、前記ｐ^＋層および前記電極のうち少なくとも一方は、前記Ｓｉ基板の一主面側に、Ａｌと該Ａｌ１００重量部に対して０．５〜５０重量部のＳｉとを有するペースト材料を焼き付けて形成されたものであり、前記Ｓｉ基板の反り量が１ｍｍ以下であることを特徴とする太陽電池とする。 （もっと読む）