【課題】効率的な異物検査を可能にする半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、メタル配線からなる櫛パターンＬＰ１，ＬＰ２が互いに対向して配置され、ＬＰ１におけるメイン配線ＭＬ１の一端が電極パッドＰＤｃｏｍに接続され、ＬＰ２におけるメイン配線ＭＬ２の一端が電極パッドＰＤに、他端が電極パッドＰＤ＿ＧＮＤに接続されたようなＴＥＧを半導体装置内に形成する。そして、このようなＴＥＧを用いて異物検査を行う際、ＰＤ＿ＧＮＤを基準としてＰＤに直流電圧Ｖｄを印加し、ＰＤ＿ＧＮＤとＰＤｃｏｍの間に電圧計Ｖを接続して検査を行い、その電圧値のアナログ的な大きさによって異物の位置を絞り込む。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工による薄板化を行うＴＥＭ用観察試料の作製において、ＦＩＢ加工試料台への試料設置における試料表面の傾斜誤差を精度高く補正する。
【解決手段】観察を行う試料表面とその近傍の斜面部に、それぞれ直線状をなす目印があり、各部の目印の直線状位置関係に関し、一直線に繋がっていない場合、あるいは平行関係にない場合、ＦＩＢ加工面は所定の位置から傾いており、試料台の回転機構などを用いて、前記関係が一直線に繋がるように調整することで、試料面の傾斜を補正する。 （もっと読む）

【課題】 非接触方式と接触方式とを混用して適用可能なテストパターンを提供することにある。また、前記のようなテストパターンを用いて欠陥をモニタリングする方法を提供することにある。
【解決手段】 半導体装置の欠陥を検査する装備の検査条件を設定するに用いられるテストパターン１００は、正常パターン１１０、欠陥を有する非正常パターン１２０、及び前記正常パターン１１０と電気的に接続され、前記非正常パターン１２０からは電気的に分離された導電性ライン１３０を含む。したがって、一つのテストパターン１００に非接触方式と接触方式と両方とも適用することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】遷移領域における二次イオン質量分析装置の較正を可能とする、２〜５ｎｍの深さに所定濃度の濃度ピークを有する較正用標準試料を提供する。
【解決手段】基板１表面から５〜１０ｎｍの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層２を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層２を再結晶化させる。再結晶化層４は基板１側から基板１表面へと形成される。このとき、再結晶化層４と非晶質のイオン注入層２との界面に不純物原子が集積し濃度ピークを形成する。この界面の位置は、熱処理条件等により容易に制御されるので、容易に浅い位置に濃度ピークを有する標準試料を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＤ製品に備わるドライバＩＣの外観検査において、不良箇所の位置の特定に要する時間を短縮することのできる技術を提供する。
【解決手段】ＬＣＤ製品に備わるドライバＩＣ１Ａの一部を構成する出力回路部５の長手方向の側縁部に沿って複数個の出力バンプ７を形成し、作業者が出力バンプ７の数を間違えることなく容易に数えることのできる個数置き、例えば１０の倍数、２０の倍数、２５の倍数または５０の倍数の出力バンプ７の個数置きに最上層配線と同一層からなる目印パターン８を配置し、目印パターン８を数えることによって外観不良９の位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】モニタパッドの表面が低く形成されるため、上層の絶縁膜のＣＭＰ後の膜厚が素子形成領域とモニタ形成領域とで異なる。
【解決手段】半導体基板１上に第１の絶縁膜（３層目の絶縁膜）６を形成し、第１の絶縁膜６上に第２の絶縁膜（４層目の絶縁膜）７を形成し、第１の絶縁膜６に凹部（ダミーホール）８ｂを形成し、第２の絶縁膜７に配線用溝９を形成し、配線用溝よりもパターン幅の広いモニタ用溝１０を凹部８ｂを含む領域に形成し、半導体基板１上にメッキ法により金属膜１２を形成し、ＣＭＰ法を用いて金属膜１２を研磨して、配線用溝９内に配線１２ａを形成するとともに、モニタ用溝１０内にモニタパッド１２ｂを形成し、配線およびモニタパッドの上に第３の絶縁膜（５層目の絶縁膜）１３を形成し、ＣＭＰ法を用いて第３の絶縁膜を平坦化し、モニタパッド上の第３の絶縁膜の膜厚ｔｂを測定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に設ける電子ビームテスティング用のテスト端子に対して、識別マークを設けて容易に特定することを可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】 複数の配線層が絶縁層を介して多層構造になっており、最上層には該配線層がビアを介して接続された電子ビームテスティング用のテスト端子５が設けられている半導体装置１０において、該テスト端子５の近傍に該テスト端子５を識別する識別マーク６が設けられており、該識別マーク６が複数の識別パターン６１をバーコード状に並設したものであるように構成する。 （もっと読む）

【課題】通常の半導体ウェハと同様に自動搬送装置により搬送することができて、半導体ウェハ処理時における温度を容易に且つ精密に測定できる半導体製造装置用温度測定具、その温度測定具を用いた半導体製造装置の温度測定方法、及びその温度測定具を用いて温度を測定する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】温度測定具１０は、シリコンウェハからなる基板１１と、成膜法、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を使用して形成された熱電対１２と、基板１１の縁部に配置されて熱電対１２と接続されたクランプパッド（電極パッド）１３とにより構成されている。半導体製造装置は、そのクランパーピン（固定具）をクランプパッド１３に接触させて温度測定具１０をウェハ搭載部に固定する。熱電対１２の出力は、クランパーピンを介して外部に引き出される。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの径を調べるための測長用モニターの信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体基板１０に絶縁膜１１を介して金属層６を設ける。当該金属層６は複数の列をなすようにして形成する。当該金属層６上を含めた半導体基板１０の表面上にはＳＯＧ(Spin On Glass)膜１３を含む層間絶縁膜１５を形成する。隣り合う金属層６の間にスペースがあることから、当該スペースによって金属層６上のＳＯＧ膜１３の厚みは従来の測長用モニターに比して薄く形成される。そして、金属層６上の層間絶縁膜１５の膜圧をＬＳＩ内部の配線パターン上の層間絶縁膜と同等にすることができ、実際の配線パターン上のコンタクトホールと近い条件の測長用コンタクトホールが形成される。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板標準サンプルについてＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定によるイオン強度比と表面不純物濃度をそれぞれ測定して予め両者間の検量線を作成しておき、未知の半導体基板についてＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定によるイオン強度比を求め、上記検量線から当該未知の半導体基板の不純物濃度を定量することができるようにした半導体基板表面の不純物定量方法を提供する。
【解決手段】
不純物をドープすることによって不純物濃度の異なるエピタキシャル層を成長させて半導体基板標準サンプルを作製し、前記半導体基板標準サンプルについてＴＯＦ−ＳＩＭＳによりイオン強度比を測定し、前記不純物濃度とイオン強度比の測定値のグラフを描いて両者間の検量線を作成し、未知の半導体基板表面のＴＯＦ−ＳＩＭＳのイオン強度比を測定することによりその不純物濃度を前記検量線を用いることによって定量するようにした。 （もっと読む）

【課題】所定のマスクを介して形成した不純物領域と、所定のマスクとは別のマスクを介して形成した不純物領域との位置ずれを評価することが可能なＴＥＧを有する半導体素子を提供する。
【解決手段】ＴＥＧに含まれる第１の素子は、ｐウェル層２内に第１のマスクを介して形成された特定方向に並ぶ同一形状のｎ−領域４，５と、ｎ−領域４，５間のｐウェル層２内にｎ−領域４，５のそれぞれと所定の間隔をあけて第２のマスクを介して形成されたｎ−領域６と、ｐウェル層２上にゲート絶縁膜３を介して形成された２つの電極であって、ｎ−領域４上とｎ−領域６上とに跨って形成された電極１０及びｎ−領域５上とｎ−領域６上とに跨って形成された電極１１と、ｎ−領域４内の電極１０と重ならない位置に形成されたｎ＋領域８と、ｎ−領域５内の電極１１と重ならない位置に形成されたｎ＋領域９と、ｎ−領域６内の電極１０，１１と重ならない位置に形成されたｎ＋領域７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ショートに至らない場合も含め、導体パターンの残渣を電気的に評価できる半導体装置を得、半導体装置における加工の変動を検出可能とする。
【解決手段】半導体基板上に形成された導体パターンに対し、絶縁破壊を検査するためのテスト素子を有する半導体装置であって、テスト素子は、半導体基板上に形成され下地層に段差部２５を有する段差付きパターン１３ａと、段差付きパターン１３ａに隣接して形成され、段差付きパターン１３ａ上に導体層を一旦成膜した後、導体層の少なくとも一部をパターニングにより選択的に除去して形成した導体パターン１３ｂと、これらパターン１３ａ，１３ｂに導通されるパッド部ＰＡＤ１，ＰＡＤ２，ＰＡＤ３，ＰＡＤ４と、半導体基板に導通される基板コンタクト部ＰＡＤ５と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータに関し、イオン照射にともなって基板を構成する原子が受ける影響を精度良く評価する。
【解決手段】 少なくとも一種類の層が同位体層３からなる複数の薄膜層を交互に周期的に積層した試料１に対してイオン５を照射して、照射したイオン５による前記試料１を構成する原子に対する影響を評価する。 （もっと読む）

【課題】電子素子評価装置を用いて、ビアの抵抗評価や異常が発生したビアの特定を容易に行うことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板６０の上方に配置された１層目配線１１と、１層目配線１１の上方に配置された第１の２層目配線２１と、１層目配線１１と第１の２層目配線２１とを接続する第１の接続用ビア３２と、第１の２層目配線２１と同じ配線層内に形成された評価用配線５１と、１層目配線１１と評価用配線５１とを接続する評価用ビア４１とを備えている。第１の２層目配線２１と評価用配線５１との間に評価用の信号を流すことで、ビアの抵抗評価や異常が発生したビアの特定を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性評価用計測器の性能と電源ソースモニタの性能を簡便に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】電気特性評価用計測器の性能および電源ソースモニタの性能を評価するために使用される評価用試料。前記試料は、半導体基板上に酸化膜と導電膜からなるMOSキャパシタおよび抵抗体を、それぞれ少なくとも１つ有し、前記MOSキャパシタは、前記電気特性評価用計測器の性能を評価するために使用され、前記抵抗体は、前記電源ソースモニタの性能を評価するために使用される。 （もっと読む）

【課題】拡散層とゲート電極との合わせずれ量を電気的に測定し、高精度に且つ迅速に評価できるようにする。
【解決手段】半導体装置のマスクの合わせずれ量を評価する半導体評価装置は、半導体基板に選択的に形成された半導体領域Ｒ１と、該半導体領域Ｒ１の上にゲート絶縁膜を介在させて形成され、Ｘ軸方向に配置された第１のゲート部ＧＥｘ及びＹ軸方向に配置された第２のゲート部ＧＥｙが互いに交差した交差部を有する平面十字型のゲート電極ＧＥ１と、第１の半導体領域Ｒ１におけるゲート電極ＧＥ１の下側部分を除く領域に形成され、ゲート電極ＧＥ１によって４つの拡散領域に区画された不純物拡散層Ｄ１とを有している。 （もっと読む）

【解決手段】プロセス条件測定素子は、二つの導電性基板部分に挟まれた電子部品を備える。導電性経路により、該導電性基板部分は接続される。基板部分より自然酸化物が除去され、導電性コンタクト・パッドが形成され、該導電性コンタクト・パッドは、導電性接着剤により接合され、導電性経路が形成される。シールドされた電子部品へと伸びる導電性リードを備えるセンサーを、プロセス条件測定素子の外部へ設置可能である。 （もっと読む）

【課題】短絡不良の有無や、耐短絡、耐断線及び耐導通不良寸法マージンの検査を行うことが可能な半導体装置及びその検査方法を提供すること。
【解決手段】接地電位にある配線１６２_１、１６２_２、１６２_３とフローティング電位にある配線１６１_１、１６１_２、１６１_３とを有する２つ以上のＴＥＧからなるＴＥＧ群を備えた半導体装置は、それぞれのＴＥＧにおいては配線の線幅及び間隔を同一とし、異なるＴＥＧ間では配線の線幅と間隔のうちのいずれか一方が互いに異なる。この半導体装置は、それぞれのＴＥＧに電子線を照射し、ＴＥＧから二次電子を放出させ、放出された二次電子の量に基づいて、電位コントラスト法により、ＴＥＧにおける配線不良部位の有無を検出する。 （もっと読む）

【課題】従来技術においては、半導体装置の製造プロセス中のリソグラフィ工程において、データ率の大きい領域が露光量の変動を発生させ、それによりプロセスウインドーが狭くなるという問題があった。
【解決手段】半導体装置１は、基板の基板面内の第１の方向（図中左右方向）に延在する配線１０３ａ（第１の配線）と、配線１０３ａに沿って延在し、平面視で配線１０３ａと離間している配線１０３ｂ（第２の配線）と、上記基板の基板面内の方向のうち上記第１の方向に垂直な方向である第２の方向（図中上下方向）に延在し、配線１０３ａと配線１０３ｂとを電気的に接続するスリットビア１０６（スリット状のビアプラグ）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来技術においては、孤立部分の配線の配線幅を太くせざるを得なかった。
【解決手段】半導体装置１は、基板の基板面内の第１の方向（図中左右方向）に延在し、当該半導体装置１における最小配線ピッチで配列された複数の配線からなる配線群（ＴＥＧ領域１０１）と、上記基板の基板面内の方向のうち上記第１の方向に垂直な方向である第２の方向（図中上下方向）に延在し、上記配線群の中の１つの配線１０３ａ（第１の配線）と、もう１つの配線１０３ｂ（第２の配線）とを電気的に接続する配線１０６（第３の配線）と、を備えている。配線群および配線１０６は、基板上に設けられた配線層内に形成されている。特に、配線１０３ａ、配線１０３ｂおよび配線１０６は、上記配線層内の同一の層に設けられている。また、配線１０６は、配線群の端部を避けて配置されている。 （もっと読む）