【課題】本発明は、逆テーパ条件によるエッチングにおいて逆テーパの大きさを容易に求めることができるエッチング検査方法の提供。
【解決手段】エッチング時に被エッチング基板の一部分に幅または直径の異なる柱状構造体である複数のダミーピラーを形成し、エッチング終了後、前記被エッチング基板におけるダミーピラーを形成した部分を観察し、前記複数のダミーピラーの内、少なくとも一部が消失していたときは、前記エッチングにおいて前記被エッチング基板に形成されたトレンチが逆ピラー状の側壁形状を有するものと判断し、且つ、前記エッチングによって消失したダミーピラーのうち幅または直径の最も大きなものの１／２以上、残存したダミーピラーのうち幅または直径の最も小さなものの１／２未満を前記トレンチにおけるオーバハング量とすることを特徴とするエッチング検査方法。 （もっと読む）

【課題】大規模な半導体装置において構成されたトランジスタの特性の評価に要する時間を短縮し、個々のトランジスタの特性を測定することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、入力電圧と基準電圧との大小関係を比較する複数のトランジスタを有し、２つの出力端子から比較結果を出力するペアトランジスタを備えた評価セルをｍ行ｎ列に配置した評価セルアレイと、評価セルアレイから１つの評価セルを選択し、該評価セルの出力を増幅回路に入力させる評価セル選択部と、評価セル選択部が選択した評価セルの２つの出力端子の電位差を増幅する増幅回路と、評価セル選択部が選択した評価セルが有するトランジスタのドレイン、ソース及びゲートそれぞれに接続された複数の外部端子とを具備する。 （もっと読む）

【課題】測定パターンに含まれる電極数を低減することのできる、半導体集積回路装置、及びそのテスト方法を提供する。
【解決手段】複数の第１チェーンと、複数の第２チェーンと、前記複数の第１チェーンの各々の一端に接続される、第１共通電極と、前記複数の第２チェーンの各々の一端に接続される、第２共通電極と、複数の選択電極とを具備する。前記複数の選択電極の各々は、前記複数の第１チェーンのうちのいずれかの他端と、前記複数の第２チェーンのうちの何れかの他端とに接続される。テスト対象チェーンが前記複数の第１チェーンの中から選ばれた場合に、前記第１共通電極には、第１基準電圧が印加され、前記第２共通電極には、第２基準電圧が印加され、前記複数の選択電極のうちで前記テスト対象チェーンに接続された対象選択電極には、前記第２基準電圧が印加され、前記対象選択電極を流れる電流値を測定することにより、前記テスト対象チェーンの抵抗値が求められる。 （もっと読む）

【課題】ウエハを張り合わせて高集積デバイスを製造するためにウエハを貫通する電極を形成する。その製造工程を広い性能水準で評価するために共通に使用できるウエハ、即ちテストウエハが必要であった。
【解決手段】工程の広い性能水準を評価できるように、孔の形や深さ、底面の形、設計仕様を表す文字の入れ方を貫通電極の工程の特徴を踏まえて設計した。そのために、トレンチのパターンと孔の混在、丸から多角形・四角までの平面形状、異なる深さ、丸い底面を持つテストウエハを発明した。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と半導体基板間のリーク位置を、ＴＥＧ素子を用いて非接触で迅速に測定することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
ＴＥＧ素子１０１は、絶縁分離溝２により画定さるＴＥＧ素子形成領域８上にゲート絶縁膜３を介して形成された一端が半導体基板１に接続されたゲート電極４と、少なくともゲート電極の両側に形成された不純物領域５ａと、不純物領域より深い位置に素子形成領域の底全面を塞ぐように設けられ、不純物領域を半導体基板から電気的に絶縁する絶縁分離層７とを有する。荷電粒子ビームを不純物領域５ａの一端及び他端に照射したときの内部抵抗Ｒ１、Ｒ２の差、及び不純物領域５ａの両端間の抵抗Ｒｏｂを用いて、リーク位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置内の駆動機構からの単位時間当たりの異物の発生量を把握することができるようにする。
【解決手段】異物付着部１０、データ生成部５０、及び出力部６０は、同一の基板１００に形成されている。異物付着部１０は、表面に露出した複数の導電パターンを有している。データ生成部５０は、異物付着部１０が有する複数の導電パターン間の抵抗又は容量の変化を測定することにより、異物付着部１０に付着した異物の量を示すデータを生成する。出力部６０は、データ生成部５０が生成したデータを外部のデータ処理装置７０に出力する。データ処理装置７０は、出力部６０から出力されたデータを受信して解析する。 （もっと読む）

【課題】レイアウト検証の際に論理回路データを作成しなくとも、レイアウト設計データの不具合を容易に検証でき、また、バイアス条件等の測定条件設定を、短時間で行うことができるレイアウト検証方法及びレイアウト検証装置を提供する。
【解決手段】ネットリスト抽出部１１１は、レイアウト設計データ１１から、トランジスタ、抵抗等の素子をネットリストとして認識、仮ネットリストの抽出を行う。また、ネットリスト生成部１１２は、仮ネットリストに縮退、フィルタ処理を行い、レイアウト設計データ１１に対応する素子のネットリストを生成する。測定ピン番号抽出部１１３は、プローブ針座標データ１３から電極パッドの座標とプローブ針番号を抽出する。また、出力ファイル生成部１１５は、ネットリストの素子端子名にプローブ針番号が割り当てられた出力データを生成し、出力処理部１８０は出力データを表示部１９０へ表示する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の評価方法、半導体装置の製造方法、及びプローブにおいて、不良の原因を再現すること。
【解決手段】
素子Rを備えた半導体装置５０の絶縁膜上に導電性塗膜４０を塗布する工程と、導電性塗膜４０にプローブ１０３を接触させ、半導体装置５０が備えるシリコン基板１０とプローブ１０３との間に電位差Vを与える工程と、電位差Vが与えられた状態で、素子Rの電気的特性を評価する工程とを有する半導体装置の評価方法による。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧの被検査配線に非接触で電位を印加し、非接触で被検査配線の欠陥の有無及び位置を迅速に特定する。
【解決手段】半導体基板１の上面に光起電力素子２を形成し、光起電力素子２上に形成された絶縁層３上面に、一端が光起電力素子２の正電極２−１に接続されかつ他端が光起電力素子２の負電極２−２に接続された被検査配線４ｔを形成し、半導体基板１下面から光１１を入射して光起電力素子２を励起して被検査配線４ｔの両端に電位差を発生させ、非接触走査型表面電位顕微鏡を用いて被検査配線４ｔの表面電位分布を測定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理によるダメージを検査するためのＴＥＧを有する半導体装置において、倒壊しやすいパターンを有するＴＥＧを提供し、洗浄処理によるダメージ検査の結果を半導体装置の製造に反映する。
【解決手段】洗浄処理によるダメージ検査用のＴＥＧとして、シリコン基板１の主面上にコの字型にパターニングされた、熱酸化膜２および導電膜３からなる倒壊パターン６を形成することにより、超音波や水溶液による洗浄処理を行なったウエハが受けたダメージを、倒壊パターン６の倒壊状況をＳＥＭで観察することで調べることができる。 （もっと読む）

【課題】タングステン等のＣＭＰ（化学機械研磨）後、エロージョン量をモニタリングできるパターンを提示する。
【解決手段】ホールアレイサイズスプリットａと配列間スペースの長さスプリットｂを一定に規定したモニタリングパターンを利用して、プラグＣＭＰ時に発生するエロージョンレベルを評価する。前記ホールアレイサイズによる影響はホールアレイサイズに応じて増加するため、エロージョン量は特定のサイズにおいて飽和になるのかをモニタリングする。また前記配列の間で影響を受けるスペースの長さをモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁層の平坦度を、容易に、非破壊で検査することができる半導体装置および半導体装置の検査方法を提供する
【解決手段】本発明に係る半導体装置１０００は、層間絶縁層４０の表面の平坦度を評価するための評価用素子１００を含む半導体装置であって、評価用素子１００は、半導体基板１０の上方に設けられた、平面視において、矩形状のダミー電極２０と、ダミー電極２０の少なくとも１つの辺と対向するように設けられた評価用パターン３０と、ダミー電極２０および評価用パターン３０を覆う層間絶縁層４０と、を含み、評価用パターン３０は、複数のマーカー３２を有し、複数のマーカー３２は、各々、ダミー電極２０から所定の距離に設けられている。 （もっと読む）

【課題】研磨前のＳＲ法による先行抜き取り評価を最適化することで、非拡散層厚のバラツキを抑制する拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハと面抵抗モニタウェーハに不純物を拡散する第１の拡散工程と、不純物を更に深さ方向に拡散する第２の拡散工程と、面抵抗モニタウェーハの面抵抗を評価する工程と、この評価結果に基づき、補正値算出用ウェーハの抜き取り枚数を決定する抜き取り枚数決定工程と、補正値算出用ウェーハの非拡散層厚をＦＴ−ＩＲ法で測定する第１の非拡散層厚測定工程と、補正値算出用ウェーハの非拡散層厚をＳＲ法により測定する第２の非拡散層厚測定工程と、これらの測定結果から両者の測定結果間の補正値を算出する工程と、ＦＴ−ＩＲ法による非拡散層厚測定と補正値を用いて研磨量をモニタしながら半導体ウェーハの非拡散層を研磨する研磨工程とを有することを特徴とする拡散ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】多層配線層の検査工程を含む半導体装置の製造技術において、検査の迅速性を損なうことなく、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体ウェハの主面上に中間配線層（工程ｓ０３，ｓ０５）、ビア層（工程ｓ０４，ｓ０６）、最上配線層（工程ｓ０７）を形成する。中間配線層を形成した後の電位コントラスト観察工程ｖｃ０１，ｖｃ０２と、最上配線層を形成した後の電気的検査工程ｅｃ０１とを有する。中間配線層は、平面積が大きい第１配線パターンと、面積が小さく、浮遊状態となる第２配線パターンとを有する。最上配線層は、第１配線パターンに導通する第１最上配線パターンと、第２配線パターンに導通する第２最上配線パターンとを有する。電気的検査では、第１最上配線パターンと第２最上配線パターンとの間に電位差を与えて導通状態を検査する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのダイシング前に、出力バッファ、又は入力バッファを介した特性試験を行なうことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体装置は、半導体ウエハ１００上に形成され、出力バッファ２３、入力バッファ２９、スイッチ２６、スクライブ領域２０に設けられた第１伝送路２５及び第２伝送路２７を具備する。スイッチ２６は、出力バッファ２３の出力端子２４と入力バッファ２９の入力端子２８との電気的接続を制御する。第１伝送路２５は、出力端子２４とスイッチ２６とを接続する。第２伝送路２７は、入力端子２８とスイッチ２６とを接続する。 （もっと読む）

【課題】薄膜誘電体の誘電特性測定に用いる微小薄膜キャパシタンス素子及び薄膜誘電特性測定評価方法であって、高周波数帯域における誘電体の誘電特性を高精度に測定評価することのできる微小薄膜キャパシタンス素子及びそれを用いた薄膜誘電特性測定評価方法を提供する。
【解決手段】薄膜誘電体７の誘電特性測定に用いる微小薄膜キャパシタンス素子１であって、被測定試料としての誘電体薄膜７が第１の電極層２ａと第２の電極層６との間に挟まれてなるキャパシタ部２と、前記第１の電極層２ａに電気的に接続されたコンタクト電極３と、前記第２の電極層６に電気的に接続され、前記コンタクト電極３の周りに形成されたグランド電極４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 外部からの荷重による絶縁膜の耐圧力を短時間かつ正確に評価することができる耐性評価用ウェハ及び耐性評価方法を提供するものである。
【解決手段】 耐性評価用ウェハ１００は、基板１上にｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して対向して配設される一対の第１の配線３及び第２の配線４と、一対の配線のうち第１の配線３に第１のビア５を介して接続され、最上層に配設される第１の接続パッド６と、一対の配線のうち第２の配線４に第２のビア７を介して接続され、最上層に配設される第２の接続パッド８と、基板１に対して垂直な方向における第１の配線３及び第２の配線４の一部に重畳し、ｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して最上層に電気的に浮遊状態で平面端子として複数配設され、所定の荷重で押圧される押圧パッド９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】イオンスパッタを用いて半導体ウエハ上の結晶シリコン等の深さ方向元素もしくは深さ方向不純物分析を行う際に、アモルファスシリコンで構成される深さ校正用標準試料から結晶シリコン等の正確なスパッタ率を評価することのできるスパッタ率補正用標準試料およびその試料を用いたスパッタ率比の算出方法を提供すること。
【解決手段】第１の材料２からなる第１の層と、第２の材料３からなる第２の層と、を備え、第１の層は、第２の層の上に積層され、第１の層と第２の層は、それぞれ面方向に隣接する第１の領域４と第２の領域５を有し、第１の層における第１の領域４と第２の領域５とは、上面位置が同一であり、第１の領域４における第１の層の厚さは、第２の領域５における第１の層の厚さより薄く形成されていること。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール側壁に付着した有機膜の抵抗値を簡単且つ的確に測定する。
【解決手段】基板２０上に形成された下部電極であるポリＳｉ膜２２ａと、このポリＳｉ膜２２ａ上にＢＰＳＧ膜２３を介して形成された中間電極であるポリＳｉ膜２４ａと、このポリＳｉ膜２４ａ上にＢＰＳＧ膜２５を介して選択的に形成されたホトレジスト膜からなるホールパターン２６ａと、このホールパターン２６ａをマスクにしてプラズマエッチングにより形成され、ポリＳｉ膜２４ａ，２２ａを貫通するコンタクトホール２７と、このコンタクトホール２７の形成時に、コンタクトホール側壁に付着する有機膜２８と、を有する半導体装置を用意する。そして、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上に有機膜・レジスト膜２６ｂが被着された状態で、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上から、プローブ針３１により複数回コンタクトを実施し、有機膜２８の抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】レイヤ間の重ね合わせのずれ量を小さな面積のパターンで正確に測定することができる合わせずれ測定方法を得ること。
【解決手段】複数レイヤのパターンを積層して作製される半導体装置に対してレイヤ間の重ね合わせのずれ量を合わせずれ量として測定する合わせずれ測定方法において、上層側のレイヤＬｕで環状に形成された第１の環状パターンと第１の環状パターンと同心円上に配置されるよう下層側のレイヤＬｄで環状に形成された第２の環状パターンとの距離を測定するとともに、この測定結果を用いて合わせずれ量を算出する。 （もっと読む）