【課題】パワーデバイスをウエハ状態のまま検査することができるパワーデバイス用のウエハキャリアを提供する。
【解決手段】本発明のパワーデバイス用のウエハキャリア２０は、パワーデバイスの電気的特性検査をウエハレベルで行う際に、検査装置１０の載置台１１上に吸着固定して用いられ且つ複数のパワーデバイスが形成されたウエハＷを保持するもので、キャリア本体２１と、キャリア本体２１の第１の主面上にウエハの載置面として形成された導電性金属膜２３と、載置面に形成された真空吸着用の溝２０Ａと、載置台１１の真空吸着用の溝１１Ａと連通し且つ真空吸着用の溝２０Ａ内で開口する吸引孔２０Ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同時測定を行うチップに関わる不要な干渉を最小限にする半導体ウェハ、当該半導体ウェハをテストするためのプローブ装置、プローブ装置ごとの相関を気にすることなく、治具の製作が可能となるウェハテスト装置及びウェハテスト方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体ウェハは、複数の半導体チップが形成されており、複数の半導体チップは、ｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体チップが３６０／ｎ度ずつ回転して配置され、かつ上記ｎ個の半導体チップそれぞれの間に１つ以上の半導体チップが挟まれて配置された配置パターンを基本単位とし、当該基本単位を複数繰り返すように配置されている。 （もっと読む）

【課題】試験対象物の損傷を長期に抑制する試験装置を提供すること。
【解決手段】本体部４ｄと屈曲部４ｃと針先部４ａとを有し、前記針先部４ａの先端の外周部の後側から前記針先部４ａの長さ方向に延びて屈曲部４ｃの内側に達する溝４ｂを含むプローブ針４と、前記プローブ針４を支持する基板とを有するプローブカード３と、前記プローブカード３に対して試験信号を送受信する制御部１０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 表面側から特性試験が行える縦型の半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０では、半導体基板１１は第１の面と、第１の面に対向する第２の面を有している。半導体素子１２は半導体基板１１のダイシングライン１４、１５で囲まれた矩形状格子に形成されるとともに、第１の面に形成された第１電極２６と、第２の面に形成された第２電極２８とを有している。電流は第１電極２６と第２電極２８の間に流れる。貫通電極１６は半導体基板１１のダイシングライン１４、１５で囲まれていない領域に形成されるとともに、一端が第１の面上に延在し、他端が第２電極２８と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】
プローブ・ヘッドをプリント回路基板に電気的に相互接続するためのスペース・トランスフォーマを提供する。
【解決手段】
第１の面にテスト・デバイスのコンタクト・パッドを、また第２の面にプリント回路基板のコンタクト・パッドを形成されて有する。導電性回路パターンは、テスト・デバイスのコンタクト・パッドとプリント回路基板のコンタクト・パッドとの間に延びている。シム板がフレキシブル多層回路の第１の面の周囲に固定され、また底板がフレキシブル多層回路の第２の面の周囲に固定される。底板は、テスト・デバイスのコンタクト・パッドと揃った底板支柱によって分離され、プリント回路基板のコンタクト・パッドと揃った複数の内部開口を有する。複数の相互接続は、プリント回路基板のコンタクト・パッドに接着および電気的相互接続され内部開口を貫通して延びている。 （もっと読む）

【目的】 本発明の目的は、高温テスト又は低温テスト時に、カード保持部の熱膨張又は熱収縮による影響を受けたとしても、早期にプローブの先端の高さ位置の変動を抑制することができるプローブカードを提供する。
【構成】 プローブカードは、第１面とその裏側の第２面とを有するメイン基板１００と、メイン基板１００の第１面に固着された補強板２００と、熱膨張係数が補強板２００よりも小さい環状の補強部材３００と、補強部材３００の内側に保持されたプローブユニット４００と、メイン基板１００の第２面側で補強部材３００を補強板２００に固定する固定手段５００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】異種金属からなる線材をロウ付けして構成される検査用プローブにおける接合箇所の品質を向上した検査用プローブの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の先端部に検査用接触部が形成される第１の線材１１０及び第２の線材１２０を接合して構成される検査用プローブの製造方法を、第１の線材１１０の接合面及び第２の線材１２０の接合面の一方に凸部１１１を形成するとともに他方に凸部と係合する凹部１２１を形成し、第１の線材の接合面及び第２の線材の接合面の少なくとも一方に金属被膜１３０，１４０を形成し、第１の線材の接合面及び第２の線材の接合面の間にロウ材１５０を配置して第１の線材と第２の線材とを凸部及び凹部が係合するように突合せ、加熱することによってロウ材と金属被膜とをロウ付けする構成とする。 （もっと読む）

【課題】プローブカードに熱源を直に接触させて短時間でプローブカードを所定の温度に調整すると共に、熱的に安定したかを正確に判断することができるプローブカードの熱的安定化方法を提供する。
【解決手段】プローブカードの熱的安定化方法は、載置台に熱伝達用基板を載置し、載置台を介して熱伝達用基板の温度を調整する第１の工程と、載置台を上昇させて熱伝達用基板と複数のプローブを所定の目標荷重で接触させる第２の工程と、熱伝達用基板との間で熱を授受するプローブカードの熱的変化に即して変化する熱伝達用基板と複数のプローブとの接触荷重を検出する第３の工程と、プローブカードが熱的に安定するまで接触荷重が所定の目標荷重になるように昇降駆動機構を介して載置台を昇降制御する第４の工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】融点が異なる異種金属からなる線材を溶接して構成される検査用プローブにおける接合箇所の品質を向上した検査用プローブの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の先端部に検査用接触部が形成されかつ融点が異なる材料によって形成された第１、第２の線材１１０，１２０を接合して構成される検査用プローブ１００の製造方法を、第１及び第２の線材の接合面の一方に凸部１１１、他方に凹部１２１を形成し、第１、第２の線材のうち一方の接合面に、他方の線材の材料と近い融点を有する材料からなる金属被膜１３０を形成し、第１、第２の線材を凸部及び凹部が係合するように突合せ、加熱して溶接する構成とする。 （もっと読む）

【課題】製品用半導体ウェーハについて配線不良を検出することが可能で、かつ、製品となる各半導体素子について配線不良を検出することが可能な、半導体素子における配線不良検出方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１０に複数の半導体素子１００を製造する際に、素子形成領域Ｒ１の外周部に形成する接地配線１１２よりもさらに外周側に当該接地配線１１２よりも細い不良検出用配線１２２を各半導体素子１００に形成するとともに、不良検出用配線１２２に接続された測定用端子１２４を素子形成領域Ｒ１の周囲のスクライブ領域Ｒ２に形成しておき、当該測定用端子１２４を用いて配線不良を検出することを特徴とする半導体素子における配線不良検出方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面および裏面の両方からコンタクトする。
【解決手段】ウエハに形成された電子デバイスを試験する試験装置であって、ウエハが載置される弾性層と、弾性層上に設けられウエハの裏面に形成された電極パットに電気的に接続される複数の凸部とを有するステージと、ウエハをステージ上に固定する固定部材と、を備え、弾性層は、ウエハが固定部材により固定された場合に、複数の凸部のそれぞれを沈み込ませて、複数の凸部の周囲の面がウエハの裏面に接触する試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】両面に電極を有する半導体デバイスをウエハの状態で試験する。
【解決手段】ウエハに形成されウエハの上面側に上側電極下面側に下側電極を有する複数のデバイスを試験する試験装置であって、ウエハが載置されるステージ部と、ステージ部における複数のデバイスの下側電極に対向して設けられた複数の開口内に設けられ下側電極と接触する伸縮可能な複数の下側端子と、複数のデバイスが有する上側電極と接触する複数の上側端子と、上側端子および下側端子を介して複数のデバイスに電圧を印加して、複数のデバイスを試験する試験部とを備え、下側端子はウエハがステージ部に押し当てられるのに伴って収縮する試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】測定時におけるスイッチング素子の破損の可能性を低くする。
【解決手段】ウエハに形成された複数のスイッチング素子のリーク電流を測定する測定装置であって、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれの端子と電気的に接続するプローブと、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれにプローブを介して互いに異なる位相で変化する変化電圧を印加する電圧印加部と、オフ状態における複数のスイッチング素子のそれぞれに流れるリーク電流を測定する電流測定部とを備える測定装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プローブカード用セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板は、複数のビア電極が形成されたセラミック基板と、セラミック基板の一面に形成され、上記ビア電極を露出させる複数の貫通ホールを含む絶縁層と、貫通ホールの内部に形成され、ビア電極と電気的に連結される接触パッドとを含む。 （もっと読む）

【課題】均一な厚さで絶縁被覆され、各プローブ間の被膜厚のばらつきが小さく、高温雰囲気でも絶縁膜相互の融着が生じることない電着被膜にて被覆され、且つ、変形することなく先端部の電着被膜部が剥離されているプローブピンを提供する。
【解決手段】分子骨格中にシロキサン骨格を有し、分子中にアニオン性基を有するブロック共重合ポリイミドを含む絶縁体が金属細線１１０の表面に電着塗装されて電着被膜部１３０を形成しており、金属細線１１０の少なくとも一方の端部の電着被膜部１３０が、極性溶媒にて剥離除去されている。 （もっと読む）

【課題】プローブに加える荷重を低く維持したまま、狭小の有効スペースでプローブのストローク長さを長くし、かつ、プローブが安定して伸縮動作することができるプローブカードを提供する。
【解決手段】本発明のプローブカード１のプローブ２においては、ばね部として、ドーナツ形状の楕円板状に形成された第１ビーム部４および第２ビーム部５が傾斜配置されている。また、プローブ２は、第１ビーム部４の上端部および第２ビーム部５の下端部をヒンジ部Ｈとして２個のビーム部を連結させ、シングルアームパンタグラフ形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程の増大を抑制しつつ、パッドの針跡を容易に確認できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された回路素子と、半導体基板１上に形成され、回路素子と電気的に接続されたパッド（接続パッド４）と、を有している。パッドは、平面視において、導体が存在する実体パターン４１と、前記導体が存在しない開口パターン４２と、を含む所定のパターン形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とＳｉウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、基板表面の研磨性に優れ、かつ耐薬品性の良好なプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 前記絶縁基体は、前記主結晶相の割合を１００質量％としたときに、前記セラミック焼結体が、前記ＳｉをＳｉＯ２換算で１．０〜３．０質量％、前記ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で０．４〜１．０質量％、前記ＭｎをＭｎ_２Ｏ_３換算で１．０〜４．０質量部、前記ＴｉをＴｉＯ_２換算で２．０〜８．０質量部含有する。 （もっと読む）

【課題】プローブの複数端子と被測定物の位置関係を簡便且つ適正に求める。
【解決手段】プローブ装置１０は、複数端子を含むプローブ１１、そのプローブ１１を保持する保持部１２、保持部１２に設けられ、プローブ１１に向かって光１３ａを照射する照射部１３を含む。更に、プローブ装置１０は、照射部１３から照射される光１３ａによって被測定物２０上に投影されるプローブ１１の複数端子の影を含んだ像を取得する取得部１４を含む。取得部１４で取得される像から、プローブ１１の各端子と被測定物２０との位置関係が求められる。 （もっと読む）

【課題】 熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とＳｉウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、耐薬品性試験においてもビアホール導体の抵抗変化の小さいプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト質焼結体からなる絶縁基体の内部に、モリブデンを主成分とするビアホール導体を備えているプローブカード用セラミック配線基板であって、前記ビアホール導体がモリブデン１００質量部に対して、チタンをＴｉＯ_２換算で０．８〜８．２質量部、マンガンをＭｎＯ換算で１．４〜３．４質量部含む。 （もっと読む）