【目的】 本発明の目的は、基板に簡単に接続することができるプローブ及びプローブカードを提供する。
【構成】 プローブ１００はタブ１１０及びプローブ部１２０を有する。タブ１１０の一端部には脚部１１１が間隔を空けて設けられている。脚部１１１が位置決め部材１０の位置決め孔１１に各々挿入される。タブ１１０の他端部には台形状の切断部１１２が設けられている。プローブ部１２０は、タグ１１０の切断部１１２に連続する接続部１２１と、この接続部１２１に連続する略Ｌ字状のビーム部１２２と、このビーム部１２２の先端に設けられた接触部１２３とを有する。接触部１２３は接続部１２１からタグ１１０に向かう方向に向いている。切断部１１２の上端がタブ１１０とプローブ部１２０とを切り離すために切断される。 （もっと読む）

【課題】適度な基板強度が得られると共に、基板のスルーホールに貫通電極を高歩留りでかつ生産効率よく形成できる配線基板を提供する。
【解決手段】ウェハから形成され、厚み方向に第１貫通導体部２０を備えた第１基板部５ａと、第１基板部５ａの上に設けられ、ウェハから形成されて、第１貫通導体部２０に対応する部分の厚み方向に第２貫通導体部４０を備えた第２基板部５ｂとを含み、第１貫通導体部２０及び第２貫通導体部４０によって貫通電極ＴＥが構成される。第１基板部５ａ及び第２基板部５ｂの各基板１０，３０は、シリコン、シリコンカーバイド又はガラスから形成される。 （もっと読む）

【課題】マーキングサイズのばらつきを防ぐことができるマーキング装置及びマーキング方法を提供する。
【解決手段】マーキング装置は、インク１２を保持するインク壷１０と、インク壷１０に繋がり、インク壷１０よりも内径が細いノズル１４と、インク壷１０からノズル１４を介してインク１２を押し出して半導体ウエハ１８に転写させる中芯１６と、中芯１６を駆動する駆動ソレノイド２０と、駆動ソレノイド２０を制御する制御部２２と、中芯１６の位置を光学的に検出する光ディテクタ２６とを備える。制御部２２は、駆動ソレノイド２０により中芯１６を駆動してインク１２を半導体ウエハ１８に転写させるマーキング動作を行う。マーキングの際に、光ディテクタ２６により検出された中芯１６の位置が所定位置に達していない場合に、制御部２２は半導体ウエハ１８の同じ位置に対して再びマーキング動作を行う。 （もっと読む）

【課題】対向する2つの撮像光学系に対して、ウエハをウエハステージから取り外したり、ターゲットパターンを光学系の光軸位置に移動したりすることなく、2つの光学系の光軸位置の相対関係を高精度にキャリブレーションすることが可能となると同時に、2つの光学系の画像データ1画素の大きさ、カメラの取り付け角度も一括してキャリブレーションできる。
【解決手段】キャリブレーション用2次元パターンを投影する投影光学系42を具える第1光学系32と、第1光学系32に対向するように配置される第2光学系22とを具えて構成される。第1光学系は、被検査半導体結晶基板26の電極を認識するための光学系である。第2光学系は、接触電極38を認識するための光学系である。 （もっと読む）

【課題】 プローブ基板の温度制御範囲を小さくして、プローブ基板の温度制御を容易にすることにある。
【解決手段】 電気的接続装置は、下面を有する支持体と、該支持体の下面に組み付けられて、該支持体に支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子とを含む。プローブ基板は電力を受けて発熱する発熱体を備え、プローブ基板は、１０ｐｐｍ／°Ｃ以上の熱膨張率を有する。 （もっと読む）

【課題】被検査体の電気的特性の検査において、被検査体と接触子との接触を安定させつつ、検査を適切に行う。
【解決手段】プローブカードの回路基板１０と支持板１２との間には、複数のプローブに所定の接触圧力を付与する流体チャンバ２０が設けられている。流体チャンバ２０は、内部に気体が封入され、可撓性を有している。流体チャンバ２０の内部には、検査時に回路基板１０とプローブを電気的に接続する複数の導電部３０が設けられている。導電部３０は、上下方向に配置された複数の導電層３１〜３４を備え、検査時に上下方向に伸長するように構成されている。各導電層３１〜３４は、柔軟性を有する絶縁層４０と、絶縁層４０の表面に形成された配線層４１をそれぞれ有している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの検査測定における品質及び生産性の向上を目的とする。
【解決手段】高温ステージ２６ａと低温ステージ２６ｂとを有するチップ測定用ステージ３００と、チップ測定用ステージ３００を移動する機構２８，２９と、チップ吸着固定部２４と、プローブ支持部２２とを有する半導体チップ検査装置１００において、チップ測定用ステージ３００は、チップを測定する位置に、高温ステージ２６ａ及び低温ステージ２６ｂが自動的に移動され、チップ吸着固定部２４は、プロービングストッパの構造を有し、かつ、熱伝導性が優れた部材を有し、プローブ支持部２２は、チップの材料またはチップの熱膨張係数と略同一の熱膨張係数の材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のプローブカードでは、過電流保護対策用のヒューズ等の影響により信頼性の高い製品検査を行うことができないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかるプローブカードは、第１の電源電圧が供給されるフォース端子１０５と、検査対象である半導体集積回路に対し第１の電源電圧に基づいた電圧を供給するプローブ針１０１と、フォース端子１０５とプローブ針１０１とを接続する信号線上に直列に接続されたヒューズ１０２と、を備える。さらに、プローブ針１０１とヒューズ１０２の一端との間の信号線上のノード１１９にフォース端子１０５から供給される第１の電源電圧と異なる電圧を与えるヒューズチェック回路１０４と、を備える。このような回路構成により、製品検査前にヒューズの接続状態を確認することができるため、信頼性の高い半導体検査を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】 製品試験装置の自己診断結果に異常が発見された場合における影響を受ける範囲の特定の容易化。
【解決手段】 製品試験装置は、試験対象の製品に応じて試験条件を設定し、前記試験条件を用いて試験を行った製品のロット情報を前記試験条件と関連付けて記録していく。前記自己診断機能による自己診断結果が出る度に、前記自己診断結果と、前記試験条件とを照合し、前記自己診断結果による影響を受ける試験条件にて試験を行った製品のロット情報を出力する。 （もっと読む）

【課題】 支持体及びプローブ基板の熱変形に起因する針先の高さ位置及び座標位置の変化を可能な限り抑制することを目的とする。
【解決手段】 電気的接続装置は、下面を有する支持体と、該支持体の下面に組み付けられて、該支持体に支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子とを含む。支持体及びプローブ基板の少なくとも一方は、電力を受けて発熱又は吸熱する温度調整部材を備え、支持体とプローブ基板とは、ほぼ同じ熱膨張率を有する材料で製作されている。 （もっと読む）

【課題】狭パッドピッチに対応し、高速測定を行うプローブ検査に対応できるプローブカードおよびその製造技術を提供する。
【解決手段】プローブカードを形成する薄膜シートの製造工程において、金属膜２１Ａを覆うポリイミド膜４１、配線２３を覆うポリイミド膜４４Ａ、４４Ｂ、および配線２７を覆うポリイミド膜４５のそれぞれの表面に対し、部分的に研磨もしくはエッチングによる平坦化および薄型化処理を施す。その平坦化処理を施す領域は、狭ピッチで金属膜２１Ａおよび配線２３、２７が配置される平面で中心に近い領域ＩＡとする。 （もっと読む）

【課題】高さ方向にアスペクト比の高いプローブを、狭ピッチかつ高精度に実装することが可能なプローブカードを提供する。
【解決手段】プローブを固定するソケットが設けられた基板を備えるプローブカードであって、上記プローブは、プローブカードのソケットに嵌合される２つの突起が設けられた実装部、上記実装部から延在するアーム部、および上記アーム部の先端に設けられた先端部から構成され、上記基板上に設けられたソケットは、２つの嵌合部からなる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性劣化量の回復に起因する誤差を発生させることなく、しきい値電圧シフトを正確に評価する。
【解決手段】初期しきい値電圧Ｖｔ、初期線形ドレイン電流Ｉdlin１及び初期飽和ドレイン電流Ｉdsat１を測定する。次に、ストレスゲート電圧Ｖgstress を印加しながら、Ｖgstress よりも小さい測定ゲート電圧Ｖｇを間欠的に印加し、線形ドレイン電流Ｉdlin２及び飽和ドレイン電流Ｉdsat２を測定する。次に、Ｉdlin１及びＩdlin２から線形ドレイン電流の劣化率ΔＩdlin／Ｉdlinを求め、Ｉdsat１及びＩdsat２から飽和ドレイン電流の劣化率ΔＩdsat／Ｉdsatを求め、ΔＶｔ＝−（ΔIdsat／Idsat−ΔIdlin／Idlin）×（Ｖｇ−Ｖｔ）に従ってしきい値電圧シフトΔＶｔを算出する。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく試験装置を小型化する。
【解決手段】半導体ウエハ１０１上に形成された複数の被試験デバイスを試験する試験装置であって、半導体ウエハに重ね合わされる接続面において複数の被試験デバイスの接点にそれぞれ接続され、接続面の裏面に対応する複数の接点が配されるプローブカード３００と、プローブカードの複数の接点のうちの一部分ずつに順次、接続することにより、半導体ウエハ上の複数の被試験デバイスを試験する試験ヘッドとを備える。 （もっと読む）

【課題】被測定対象物の微細化に応じたプローブカードの微細化を実現することができる。
【解決手段】導電性の接触端子部９０を備え、支持部９４から梁状に突出した構造を有する導電性のカンチレバー部９２と、カンチレバー部９２に電気的に接続される配線層９６を備え、カンチレバー部９２を支持する配線部３００とを含み、カンチレバー部９２と配線層９６との接続部が覆われるようにカンチレバー部９２と配線部３００とが絶縁樹脂によって接続されているプローブカード１００とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の試験測定方法及び半導体装置の試験測定装置に関し、実際の試験測定に先立ってプローブ針とパッドとの接触状態を確認して、プローブ針の先端部の溶断や破損を防止する。
【解決手段】 測定装置側から複数のプローブカード針の半導体装置のパッドに対する接触状態を確認する入力電圧を印加するステップと、前記入力電圧に対する前記半導体装置のパッドからの出力電圧を前記半導体装置内に設けた電圧検出手段で検出して前記接触状態を判定するステップとを設ける。 （もっと読む）

【課題】ウエハ当たりの検査時間を短く保ったままで、試験装置を小型化する。
【解決手段】半導体ウエハ上に形成された複数の被試験デバイスを試験する試験装置であって、半導体ウエハに重ね合わされる接続面において複数の被試験デバイスの接点にそれぞれ接続され、接続面の裏面に対応する複数の接点が配されるプローブカードと、プローブカードの複数の接点のうちの一部分ずつに順次、接続することにより、半導体ウエハ上の複数の被試験デバイスを試験する試験ヘッドとを備える。 （もっと読む）

【目的】測定精度向上と共に製品の歩留り向上を図った半導体チップの電気特性測定方法を提供する。
【構成】端子部形成工程に先立って、半導体チップ毎に、第１のプローブカードのプローブ針を、当該半導体チップの導体ポストの頂部に接触せしめて当該半導体チップの電気特性を測定し、端子部形成工程の後に、半導体チップ毎に、第２のプローブカードのプローブ針を、当該半導体チップの端子部に接触せしめて当該半導体チップの電気特性を測定する。第１のプローブカードと第２のプローブカードとではブローブ針の配列パターンが異なる。 （もっと読む）

【課題】温度変化に応じ、プローブ先端の位置ずれを補償し、広い温度範囲のウェーハ試験が可能なプローブカードを提供する。
【解決手段】電子デバイスの試験に使用するプローブカード１０であって、基板１１と、第１の熱膨張係数を有する第１の金属材料から構成され、基端部１２２が基板１１に接合され、先端部１２１が電子デバイスの接続端子と接触するプローブ１２と、基端部１３２が基板１１に固定され、先端部１３１がプローブ１２の基端部１２２とプローブ１２の先端部１２１との中間部においてプローブ１２と接触し、第１の熱膨張係数より大きい第２の熱膨張係数を有する第２の金属材料から構成される熱補償部材１３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電気部品に組付けられた半導体チップ間の電気的特性の差を小さくすることのできる半導体チップの組付け方法を実現する。
【解決手段】 パワーＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードＤ１〜Ｄ４の順方向電圧ＶＦが近似しているＮ型ＭＯＳＦＥＴチップ２１，２２を特定し、それらをペアにして、半導体ウエハ１の分断後、直接回路基板３に組付ける。また、同様にＰ型ＭＯＳＦＥＴチップ６１，６２を直接回路基板３に組付ける。モータ制御装置のＨブリッジ回路を構成する各パワーＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードの順方向電圧ＶＦが近似しているため、モータ制御装置をバッテリに逆接続した場合に流れる逆電流がＨブリッジ回路の一方に偏るおそれがないので、回路やモータが破壊され難い。 （もっと読む）