【課題】基板におけるチップ面積の確保を容易に行うことができ、基板の保持方法による影響を受けることなく、また、高価な計測機器を用いることなく、高精度かつ簡便に、基板の歪みを測定することができる基板の歪み測定装置を提供する。
【解決手段】基板２０を保持する保持面に、前記基板２０に設けられた位置ズレ測定用のマーク４０の比較対象となる基準マーク５０を有する基板保持部３１と、前記基板２０を透過する光を照射する光源部３２と、前記光源部３２により前記光が前記基板２０に照射されることで得られる前記位置ズレ測定用のマーク４０と前記基準マーク５０との重なりを観察する観察部３３と、前記観察部３３により観察された前記重なりから、前記基準マーク５０に対する前記位置ズレ測定用のマーク４０のズレ量を算出する算出部３６と、前記算出部３６により算出された前記ズレ量から、前記基板の歪みを測定する測定部３７とを備える測定装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜の応力・歪測定およびRHEEDによる構造解析を同時に行なえる、非固定式通電加熱ホルダーを提供すること。
【解決手段】ホルダー本体と、ホルダー本体に電気的に絶縁した状態で固定設置されている2個の試料設置台座と、試料設置台座に対応して設けられ、電極間に試料をフックした上で前記試料を通電加熱可能な2個の電極と、前記2個の電極の位置を、前記試料設置台座に対して垂直方向に摺動自在に保持する電極保持手段と、2個の試料設置台座に対応して設けられ、かつ前記ホルダー本体と電気的に接地されており、前記ホルダー本体が下向きにされた際に、前記試料の重力落下を防止し、同時に前記試料と電気的に接続される爪を備えた2個のアース板から構成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜の厚さが数ｎｍと薄い場合であってもＧＯＩの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにＧＯＩ劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、該シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、該複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも１つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、該複数枚の基板から少なくとも１枚を抜き取る工程と、該抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをＡＦＭで測定し、波長２０ｎｍ〜５０ｎｍに対応する周波数帯の振幅（強度）を求めて合否を判定する工程と、前記判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光切断線の湾曲成分を除去し、太陽電池ウエハの断面形状データを精度良く算出する。
【解決手段】ウエハ形状データ取得部２２１は、ウエハ画像から光切断線の形状を示すウエハ形状データを取得する。標準平面形状データ取得部２２２は、所定の標準平面の高さを数段階変化させ、標準平面画像から各高さにおける光切断線の形状を示す標準平面形状データを取得する。形状補正部３４１は、ウエハ形状データと形状が最も近い標準平面形状データを、標準平面形状データ記憶部８０から特定し、特定した標準平面形状データ及びウエハ形状データの差分を補正ウエハ形状データとして算出する。断面形状算出部３４２は、形状補正部３４１で算出された補正ウエハ形状データからウエハ断面形状データを算出する。 （もっと読む）

本発明は、第１のウェーハ（１１０）内の不均一変形を評価するための方法にかかわり、第１のウェーハが第２のウェーハ（１２０）に分子付着によってボンディングされる。本評価方法は、複数の測定点を調査するステップであり、測定点の各々が第１のウェーハの表面のレベルを局所的に表す、ステップと、複数の測定点を通る第１のウェーハの表面プロファイルを決定するステップと、第１のウェーハの表面プロファイルを処理して、特徴的な量を処理した表面プロファイルから決定するステップと、特徴的な量に応じて第１のウェーハ内の不均一変形のレベルを評価するステップとを含む。
本発明は、かかる不均一変形の評価を可能にする装置（１４７）にさらにかかわる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長に関するウェーハの評価を適切に行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハ評価方法において、ウェーハの形状を測定する測定ステップと、エピタキシャル成長の成長条件に基づいて、エピタキシャル成長によりウェーハに付加される反り付加形状を特定する反り付加形状特定ステップと、ウェーハの上面に対して、エピタキシャル成長を行った場合の第１推定形状を特定する第１形状特定ステップと、ウェーハの下面に対して、エピタキシャル成長を行った場合のウェーハである第２推定形状を特定する第２形状特定ステップと、第１推定形状及び第２推定形状に基づいて、ウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うか評価する評価ステップとを有するようにする。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハ外観検査装置の検査条件データを生成する方法において、複数台の検査装置に対する共通の検査条件データを生成し、機差を考慮した装置毎の検査条件データを短時間で生成できる方法及び検査システムを提供する。
【解決手段】 ウエーハ検査装置の検査条件データを生成する方法であって、同一の検査機能を有する複数台の検査装置の検査条件データが、各検査装置毎に設計値に対する機差を算出し、機差補正データを登録するステップと、選択されたいずれかの検査装置において、ウエーハを用いて検査条件データを作成するステップと、前記検査条件データと、前記選択されたいずれかの検査装置の前記機差補正データと、から共通検査条件データを生成するステップと、前記共通検査条件データと、各検査装置毎の前記機差補正データと、から各検査装置毎の検査条件データを生成するステップからなるウエーハ検査条件生成方法及び検査システム。 （もっと読む）

【課題】温度や歪みを計測するためのセンサ付ウェーハを安価に製造でき、しかも精度よく温度や歪みの計測を行えるようにする。
【解決手段】基板１０の表面に、当該基板１０表面に下地膜１１が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板１０に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板１０中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜１１が形成される。基板１０表面の下地膜１１の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサ１の配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等の単結晶基板とその上に気相成長させた単結晶薄膜との間に発生するミスフィット転位を、定量的で高感度、且つ簡便に評価するためのエピタキシャルウェーハの評価方法と、それを利用したエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板の主表面上に、該単結晶基板と格子定数の異なる単結晶薄膜を気相成長させて作製したエピタキシャルウェーハの格子定数に基づくミスフィット転位の量を評価する方法であって、前記単結晶基板と前記単結晶薄膜の格子定数の差による前記エピタキシャルウェーハの反り量の理論値をシミュレーションによって求め、また前記エピタキシャルウェーハの反り量を実測し、前記理論値と前記実測値の差を比較することで前記エピタキシャルウェーハ中のミスフィット転位の量を評価することを特徴とするエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】微細な活性層上にひずみ半導体素子を形成しても、活性層のひずみの緩和を抑制することを可能にする。
【解決手段】基板１と、基板上にメサ状に形成されひずみを有する第１半導体層であって、離間して設けられる第１導電型のソースおよびドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間に設けられる第１導電型と異なる第２導電型のチャネル領域と、を有する第１半導体層３と、ソースおよびドレイン領域上に第１導電型の不純物を含むように形成され、第１半導体層のひずみを制御する第２および第３半導体層４ａと、チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜１０と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】面取り面の形状が異常であるか否かの判定を簡便に行うことができる半導体ウェーハの検査方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハの検査方法は、第１の撮像装置１２ａを用いて主表面２１側から視た面取り面２３の画像である第１の画像を撮像し、第２の撮像装置１２ｂを用いて裏面２２側から視た面取り面２３の画像である第２の画像を撮像する撮像工程と、撮像工程により撮像された第１の画像に基づいて面取り面２３を主表面２１側から視たときの幅である第１の幅を求め、撮像工程により撮像された第２の画像に基づいて面取り面２３を裏面２２側から視たときの幅である第２の幅を求め、求められた第１の幅と第２の幅との比率を算出する算出工程と、算出工程により算出された比率が所定の範囲から外れている場合には、面取り面２３の形状が異常であると判定する形状判定工程とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面の計測特性を評価するシステムであって、このシステムは、光学的な基板測定システムと、基板上の評価領域内のデータを解析するとともに、特徴特有のフィルタを適用して基板の表面を特性評価するとともに、対象の特徴を特性評価及び定量化するための表面特有の測定基準を発生させるデータ解析システムとを備える。前記表面特有の測定基準は、前記評価領域内の最大及び最小偏差を定量化するためのレンジ測定基準と、評価領域に適合する基準平面からの偏差量である一組の点偏差において最大値を有する点偏差を定量化する偏差測定基準と、パワースペクトル密度から計算する二乗平均平方根測定基準とを有する。 （もっと読む）

【課題】既存の計測装置における検出限界以下の微小な凹凸であっても正確に検出することができる基板の表面粗さ検出方法であって、基板の量産に適した汎用性の高い基板の表面粗さ検出方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面の微小な凸部と凹部によって構成される表面粗さを検出する表面粗さ検出方法であって、ウエハＷを冷却してその表面に気相中の水分５１を凝縮させた後、凝縮した水分５２を氷らせて氷の結晶５３を生成し、これをウエハＷの表面凹凸Ｃの凸部斜面又は凹部斜面に沿って三次元的に成長させて表面の凹凸Ｃを強調する。その後、氷の結晶５３によって強調されたウエハＷの表面凹凸Ｃを既存の計測装置を用いて検出する。 （もっと読む）

【課題】測定面が複雑に湾曲した半導体ウェーハであっても、測定面全体の湾曲の傾向を的確に把握し、半導体ウェーハの平坦性に基づく良否判定を正確に行うことが可能な半導体ウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】測定工程（Ｂ）で得られた全てのシリコンウェーハのＢｏｗやＷａｒｐのデータを用いて、次の判定工程（Ｃ）で湾曲に基づく良否の判定を行う。判定工程（Ｃ）では、例えば、Ｂｏｗを横軸（Ｘ軸）に、Ｗａｒｐを縦軸（Ｙ軸）にしたグラフを用いて、測定工程（Ｂ）で得られたシリコンウェーハのＢｏｗ、Ｗａｒｐの数値に基づいてグラフ上にプロットする（Ｃ−１）。これにより、全てのシリコンウェーハのＢｏｗ−Ｗａｒｐの測定結果がグラフ上に示される。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせＳＯＩウェーハにおいてボイドの発生原因となるウェーハの表面欠陥を的確に検出することにより、良品歩留まりの向上および製造コストの低減を可能ならしめた貼り合わせ用ウェーハの欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせ前のウェーハ表面を、面検器により、差分干渉コントラスト（ＤＩＣ）を利用して、スクラッチ、微小な突起もしくは凹みの有無を検出し、これらＤＩＣ欠陥の検出結果を総合してボイド発生の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】基板の歪みを簡便に計測する方法および装置。
【解決手段】複数の素子を有する基板に、処理が実行される前に、一定の周期を有する周期パターンを形成するパターン形成段階と、他の基板に、一定の周期を有する周期パターンを形成して参照基板を作製する参照基板準備段階と、処理を実行された基板を参照基板に重ねて、周期パターンの重なりにより生じる縞を観測する観測段階と、観測段階における観測結果から基板の歪を計測する計測段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】複雑に湾曲したウェーハの測定面が、全体としてウェーハの一面側または他面側に向けて湾曲しているかを正確に、かつ短時間で判定可能な半導体ウェーハの湾曲判定方法を提供する。
【解決手段】基準線Ｓを境にして、基準線よりも上側において、基準線と測定線Ｒとで囲まれた領域の面積Ａｔを算出する。同様に、基準線を境にして、基準線よりも下側において、基準線と測定線とで囲まれた領域の面積Ａｂを算出する。こうして算出された面積Ａｔと面積Ａｂとから、基準線を境にした上側の領域の面積と下側の領域の面積との面積比ARを算出する。 （もっと読む）

【課題】基板の反り等の変形を検出する。また，基板の処理前に基板の変形を検出することにより基板の破損を防止する。
【解決手段】基板Ｗの変形を検出する機構１２３において，基板Ｗを保持する保持部材１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃ，光を投光する投光部１４１，投光部１４１によって投光された光を受光する受光部１４２を備えた。投光部１４１から投光された光は，基板Ｗが正常である場合に保持部材１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃに保持された基板Ｗの上面が位置するべき高さよりも上方を通る第一の光路Ｌ１，及び，基板Ｗの下面が位置するべき高さよりも下方を通る第二の光路Ｌ２を通過する構成とした。 （もっと読む）

【課題】被処理膜のパターンを基板毎に所定の寸法に形成する。
【解決手段】ウェハの初期条件として、ウェハ上の被処理膜及び下地膜の膜厚、ｎ値、ｋ値、又はウェハの反り量のいずれかを測定する（ステップＳ１）。初期条件の測定結果に基づいて、第１の相関から被処理膜のパターンの寸法を推定する（ステップＳ２）。パターンの推定結果に基づいて、第２の相関からＰＥＢ装置における加熱温度の補正値を算出する（ステップＳ３）。算出された補正値に基づいてＰＥＢ装置の加熱温度を補正する（ステップＳ４）。補正された加熱温度のＰＥＢ処理を含むフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上にレジストパターンを形成する（ステップＳ５）。レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、被処理膜に所定の寸法のパターンを形成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）