【課題】より小型または簡単な構成で、より精度よく、半導体ウェハの表面に存在するソーマークの検出又は大きさの測定を行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの表面に対して斜め方向から、入射面において平行光である光を照射し、ラインセンサカメラ３、４で半導体ウェハＷの表面におけるライン状の領域３ａを撮影する。このことで、半導体ウェハＷの表面からの照射光の反射光または散乱光を検出し、この強度に基づいて、半導体ウェハＷの表面における線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。光源装置１、２によって、ラインセンサカメラ３、４によって撮影されるライン状の領域３ａのラインに平行な方向から光を照射し、線状の凹凸の方向がラインの方向に直交するように配置された状態で、半導体ウェハＷの線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを検査する際の下地の影響を低減させた検査装置を提供する。
【解決手段】 検査装置１は、複数種の波長を有する照明光でウェハを照明する照明部３０と、照明光により照明されたウェハを撮影する撮影部４０と、複数種の波長毎に所定の重み付けを行って撮影部４０により撮影されたウェハの検査用撮影像を生成するとともに、生成した検査用撮影像に基づいてウェハにおける欠陥の有無を判定する画像処理部２７とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンに損傷を与えることなく欠陥検査を行うことができる欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の欠陥検査装置は、半導体基板を測定光学系によって表面観察し、観察結果に基づいて前記半導体基板の欠陥検査を行う基板検査部を備えている。また、前記欠陥検査装置は、前記測定光学系のうち前記表面観察を行う際に前記半導体基板の表面に近接する底部近傍を撮像し、撮像した画像である第１の撮像画像を用いて前記底部近傍の状態検査を行う測定光学系検査部を備えている。前記測定光学系検査部は、前記基板検査部が前記半導体基板の欠陥検査を行っていない間に、前記底部近傍の状態検査を行う。また、前記測定光学系検査部は、前記状態検査の基準となる基準画像と、前記第１の撮像画像と、を比較し、比較結果に基づいて、前記底部近傍の状態検査を行う。 （もっと読む）

【課題】開口部が周期的に形成されている半導体ウェハを検査することができる検査装置、検査方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、一方の面に開口部１４が周期的に形成された半導体ウェハ１０の検査装置であって、半導体ウェハ１０の一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した入射方向３１に向けて光を出射し、他方の面を照明可能な照明装置２２と、照明装置２２から入射方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素で半導体ウェハ１０からの光を受光する検出器２３と、半導体ウェハ１０と照明領域の位置を相対移動して走査を行うステージ２１と、を備えた検ものである。 （もっと読む）

【課題】検査速度の低下を伴うことなく、かつ装置容積に占める信号処理部の比率を増加させることなく、データメモリのオーバーフローを回避し、ウエハ全面の検査データを取得するが可能な表面検査装置を実現する。
【解決手段】後処理手段１１１のブロック化手段３００は前処理手段からのデータを任意のデータ数で１ブロックとし１ブロックで１データを取り出す。ブロック化手段３００は状態監視手段３０２の指示でブロック化数を変更する。閾値処理手段３０１は設定閾値に従いブロック化手段３００からのデータに対し閾値を越えた場合にデータを取得しメモリ３０３へ送る。状態監視手段３０２はメモリ３０３の空容量を監視しメモリ３０３内の空き容量の減少を検知した場合ブロック化手段３００に対し、メモリ３０３がオーバーフローしないように１ブロックのデータ数を増加させる。 （もっと読む）

【課題】異常の原因を特定することが可能な検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査装置は、加工によりウェハ１０の表面に設けられた構造体を照明する照明光学系２０と、当該構造体で反射した照明光を検出するＣＣＤカメラ４０と、それぞれ異なる加工条件で設けられた構造体を対象として、複数の照明条件若しくは反射条件で検出される検出値を加工条件ごとに記憶するデータベース部４６と、複数の照明条件若しくは反射条件に含まれる少なくとも２条件で被検物である構造体から検出される検出値と、データベース部４６に記憶された検出結果との関連性に基づいて、構造体に対する加工の条件を求める画像処理検査部４５とを有している。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ等の表面欠陥検査装置において、前方散乱光を高感度で検出し、正反射光をも同時に高感度検出可能とすることで、欠陥捕捉率の高い高効率の欠陥検査を実現。
【解決手段】前方散乱光検出手段２０は、ベアウエーハ１の前方散乱光を受光する光学系であり、照明手段１０よりベアウエーハ１に照射された検査光３による欠陥２からの散乱光を受光する検出レンズ２１と全反射ミラー２２とで構成され、その中央部（検査光入射平面と直行した方向）で分割した特徴を持つ。この全反射ミラー２２で側方に分離された前方散乱光は光電変換素子２３で検出され、中央の分割領域を直通する正反射光７は正反射光検出手段３０で検出されるので、前方散乱光と正反射光とで互の影響を抑制しつつ同時に検出することできる。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では、微細化につれて致命欠陥の信号強度が減少するので、ＳＮ比を確保するには、ウェハの散乱光によるノイズを低減する必要がある。散乱源であるパターンエッジラフネスや表面ラフネスは、ウェハ全体に広がっている。そのため、ノイズを低減するには、照明領域を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。すなわち、照明領域をスポット状とし、スポットビームの寸法を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。
【解決手段】時間的・空間的に分割した複数のスポットビームを試料に照射する。 （もっと読む）

【課題】
微小な欠陥を検出すること、検出した欠陥の寸法を高精度に計測することなどが求められる。
【解決手段】
光源から出射した光を、調整する照明光調整工程と、前記照明光調整工程により得られる光束を所望の照明強度分布に形成する照明強度分布制御工程と、前記照明強度分布の長手方向に対して実質的に垂直な方向に試料を変位させる試料走査工程と、照明光が照射される領域内の複数の小領域各々から出射される散乱光の光子数を計数して対応する複数の散乱光検出信号を出力する散乱光検出工程と、複数の散乱光検出信号を処理して欠陥の存在を判定する欠陥判定工程と、欠陥と判定される箇所各々について欠陥の寸法を判定する欠陥寸法判定工程と、前記欠陥と判定される箇所各々について、前記試料表面上における位置および前記欠陥の寸法を表示する表示工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】同一パターンとなるように形成された２つのパターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置において、膜厚の違いなどから生じるパターンの明るさむらの影響を低減して、高感度なパターン検査を実現する。また、多種多様な欠陥を顕在化でき，広範囲な工程への適用が可能なパターン検査装置を実現する。
【解決手段】同一パターンとなるように形成された２つのパターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置を、複数の検出系とそれに対応する複数の画像比較処理方式を備えて構成し、又、異なる複数の処理単位で比較画像間の画像信号の階調を変換する手段を備えて構成し、画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている場合であっても、正しく欠陥を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】比較的大きなサイズの欠陥を高感度で検出できると共に、高さ又は深さの変化量が１ｎｍ又はそれ以下の微細な欠陥も検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】照明光源１からの照明ビームを被検査基板２１に向けて投射する対物レンズ２０と、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第１及び第２のサブビームに変換すると共に、基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、基板表面の高さ又は深さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系１６と、出射した干渉ビームを受光する光検出手段２８と有する。微分干渉光学系のリターデーション量は、ｍを零又は正の整数とした場合に、第１と第２のサブビームとの間に（２ｍ＋１）π又はその近傍の位相差が形成されるように設定し、前記光検出手段から出力される出力信号のバックグランドの輝度レベルがほぼ零となる検査状態において基板表面を照明ビームにより走査する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置において、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから領域毎に複数の異なる欠陥判定を行い，結果を統合して欠陥候補を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】
ヘッド先端部に接触センサを搭載し欠陥との接触によりこれを検出する方法によっては、欠陥検出時に欠陥を引きずりウエハ表面に傷をつける可能性がある。
【解決手段】
試料の表面に照明光を照射するプリスキャン照射工程と、散乱光を検出するプリスキャン検出工程と、該散乱光に基づき該試料の表面に存在する所定の欠陥の情報を得るプリスキャン欠陥情報収集工程と、を備えるプリスキャン欠陥検査工程と、該試料の表面と近接場ヘッドとの距離を調整して該試料の表面を照射する近接場照射工程と、近接場光応答を検出する近接場検出工程と、該近接場光に基づき所定の欠陥の情報を得る近接場欠陥情報収集工程と、を備える近接場欠陥検査工程と、該所定の欠陥の情報をマージして該試料の表面に存在する欠陥を検査するマージ工程と、を有する試料の表面の欠陥検査方法である。 （もっと読む）

【課題】サンプルの異常を検出する光学装置において、より広範囲な用途に使用され、感度と性能が改善されたコストのより低い改良された表面検査システムを提供する。
【解決手段】サンプル１８の表面上の照明される領域に対して或る入射角度で放射光線を焦点の合った光線へと焦点を合わせる第１の光学機器１２と、第１の検出器アレイ３２と、第１の光線１６から生じ、サンプル表面上の照明される領域２０から散乱される放射線を集光すると共に前記照明される領域の一部分から集光された散乱される放射線を前記第１のアレイにおける対応する検出器へと焦点を合わせる集光光学機器３０と、を備え、前記第１の光学機器が光線をサンプルの表面に反射する集光光学機器の集光開口に反射器１０６を有し、前記反射器が集光光学機器の集光開口の妨害を低減する細長い形状を有する光学装置。 （もっと読む）

【課題】半導体処理中のオンザフライ自動検出分類（ＡＤＣ）システムおよび方法を提供する。
【解決手段】このシステムの一実施形態において、光源、例えば、レーザ（２１）が検査を受けるウェーハ（２２）の狭い領域を照明する。４つの均等に配置した暗視野検出器、例えば、光電子増倍管またはＣＣＤ（２６〜２９）が、それぞれの視野が重複して検出ゾーンを形成するようにウェーハの縁に載置される。１以上の検出器（２６〜２９）の方向に散乱された光が集光され、アナライザモジュール（３４）に伝送される電気信号に変換される。アナライザモジュール（３４）は、ウェーハにある欠陥を検出し、それらを異なる欠陥タイプに分類するように作用する。任意に、システムは、暗視野検出器も含む。 （もっと読む）

【課題】 欠陥検査方法、工程管理方法及び欠陥検査装置に関し、複数品種の電子デバイスの欠陥数データを同一のチャートにプロットして、工程管理を定期的に精度良く行う。
【解決手段】 電子デバイスチップが形成されたウェーハ表面に光を照射し、反射光強度を予め設定した閾値と比較してハレーションの有無を判定し、前記ハレーションの有無により前記ウェーハ中のハレーションのない領域の面積を算出し、前記測定した反射光強度の内の前記ハレーションのない領域の反射光強度について、互いに隣り合う前記電子デバイスチップ間で比較して欠陥の有無を判定し、前記判定結果より前記ウェーハ全体の欠陥数を集計し、前記集計した欠陥数を前記ハレーションのない領域の面積で割って実質欠陥密度を算出する。 （もっと読む）

【課題】広スペクトル範囲で動作可能な反射屈折光学システムを提供する。
【解決手段】一実施形態では、反射屈折光学システムは、放射を反射するように位置決めされかつ構成された第１の反射面と、第１の反射面から反射された放射を平行ビームとして反射するように位置決めされかつ構成された第２の反射面であって、第２の反射面を通る放射の透過を可能にするアパーチャを有する第２の反射面と、アパーチャから第１の反射面に向かって延在し、第１の反射面と第２の反射面との間に第１の反射面に放射を供給するアウトレットを有するチャネル構造とを含む。 （もっと読む）

【課題】異なるパラメータを使用して試験片の検査を行う方法とシステムを提供する。
【解決手段】コンピュータによって実施される方法は、選択された欠陥に基づいて検査のための最適パラメータを決定することを含む。また該方法は、検査に先行して、検査システムのパラメータを最適パラメータに設定する。別の該方法は、約３５０ｎｍより下の波長を有する光と、約３５０ｎｍより上の波長を有する光を用いて試験片を照明する。また該方法は、試験片から収集された光を表す信号を処理し、試験片上の欠陥または工程の変動を検出する。試験片を検査する１つのシステムは、広帯域光源５０４に結合された第１の光学サブシステムと、レーザ５０３に結合された第２の光学サブシステムを含む。またこのシステムは第１と第２の光学サブシステムから、光を試験片上に集束させる対物鏡５０７に光を結合するように構成された第３の光学サブシステムも含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査に適したウェーハの画像を効率よく取得できるようにする。
【解決手段】受光部２により撮像された検査対象のウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にあるか否かを判定し、ウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にないと判定した場合に、ウェーハＷを撮像する際の露光時間を変更して、受光部２によりウェーハＷの画像を再度取得させる制御処理部６ａと、ウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にあると判定された場合に、当該ウェーハＷの画像に基づいて欠陥検査を行う画像処理部６ｂとを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの画像から適切に欠陥を検出することができるようにする。
【解決手段】画像中のウェーハＷの検査対象の領域内の各画素について、所定の直線方向に並ぶ複数の画素中の当該画素を含む所定の範囲内の複数の画素の輝度を平均した移動平均輝度を算出し、各画素における移動平均輝度と、各画素の輝度との差分値を算出し、各画素についての差分値と、閾値とを比較することにより、各画素が欠陥候補画素であるか否かを判定し、欠陥候補画素に基づいて、ウェーハにおける欠陥を検査する画像処理部６ｂを有するように構成する。 （もっと読む）