【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】暗視野式（散乱光検出式）半導体ウェハ検査においては、パターンの微細化と共に欠陥信号も微弱化し、かつ欠陥種類により散乱光の方向特性も異なるため、これらを有効に検出する必要がある。
【解決手段】平面内で移動可能なテーブルに載置した表面にパターンが形成された試料上の線状の領域に試料の法線方向に対して傾いた方向から照明光を照射し、この照明光が照射された試料から発生した散乱光の像を複数の方向で検出し、この散乱光の像を検出して得た信号を処理して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置において、散乱光の像を複数の方向で検出することを、光軸が前記テーブルの前記試料を載置する面の法線と前記照明光を照明する線状の領域の長手方向とが成す面に直交する同一平面内における異なる仰角方向でそれぞれ円形レンズの左右を切除した長円形レンズを介して検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被測定物との距離に依存することなく、被測定物の膜厚を高い精度を測定することが可能な膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光源１０と、第１光路と、第１集光レンズと、分光測定部４０と、第２光路と、第２集光レンズと、データ処理部５０を備える膜厚測定装置１００である。光源は、所定の波長範囲をもつ測定光を照射する。第１光路は、光源１０から照射した測定光を被測定物に導く。第１集光レンズは、第１光路から出射する測定光を被測定物に集光する。分光測定部４０は、反射率または透過率の波長分布特性を取得する。第２光路は、被測定物で反射された光または被測定物を透過した光を、分光測定部に導く。第２集光レンズは、第２光路の端部に集光する。データ処理部５０は、分光測定部４０で取得した波長分布特性を解析することで、被測定物の膜厚を求める。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成されている半導体基板の全面について厚さムラを短時間で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、半導体基板（７）のデバイス形成面とは反対側の裏面（７ａ）に向けて、前記半導体基板に対して半透明な照明光を照射する照明手段（１，２，３）と、半導体基板の裏面に入射し、デバイス構造面（７ｂ）で反射し、前記裏面側から出射した照明光を受光する撮像手段（１５）と、 撮像手段からの出力信号を用いて厚さムラを検出する信号処理装置（２０）とを具える。信号処理装置は、前記撮像手段からの出力信号を用いて、半導体基板に形成されているデバイスの半導体基板の裏面側から撮像した２次元画像を形成する手段（２１）と、撮像されたデバイスの２次元画像と基準画像とを比較し、画像比較の結果に基づいて前記半導体基板の厚さムラを検出する厚さムラ検出手段（２２，２３，２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】
キャリアの発生、消滅を評価する手段を有する検出装置を提供すること。
【解決手段】
観察対象物に設けられた電極間における電界分布またはキャリア分布を高次高調波に基づいて検出する検出装置において、前記観察対象物に基本波を照射する照射部と、前記観察対象物における電圧印加時の電圧分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部と、前記観察対象物にキャリアを発生させるための励起光を照射する励起照射部と、前記励起照射部の第１信号に基づき、前記励起照射部より前記観察対象物に前記基本波を第２信号で照射させ、第３信号で高次高調波を前記検出部で検出する制御信号出力部を備え、前記制御信号出力部は、前記第１信号の出力時点と前記第２及び第３の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】被加工面と反対側の面に保護テープが貼着された被加工物であっても被加工物の厚みを正確に検出することができるとともに、被加工物の被加工面に傷を付けることがない厚み検出装置および厚み検出装置を装備した研削機を提供する。
【解決手段】加工機に装備されるチャックテーブルに保持され厚みが変化する被加工物の厚みを検出するための厚み検出装置であって、被加工物の上面および下面で反射する反射光を受光したイメージセンサーからの検出信号に基づいて分光干渉波形を求め、該分光干渉波形と理論上の波形関数に基づいて波形解析を実行する制御手段を具備し、制御手段は被加工物の加工前において被加工物の実際の厚み(Ｔ)と屈折率(ｒ)を求めておき、屈折率(ｒ)と被加工物の加工時における基準光路長と被加工物の上面および下面で反射する反射光の光路長との光路長差に基づいて被加工物の厚みを求める。 （もっと読む）

【課題】プロービング状態におけるウエハの反りを可及的に抑え、かつ十分な観測視野が得ることが可能なウエハプローバ、及び当該ウエハプローバを用いた故障解析方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１に対して固浸レンズ２３を用いた裏面解析を行うためのウエハプローバ１０であって、
ウエハ１を支持する表面に設けられた凹部１１ａと、この凹部１１ａの底面１１ａ２の一部を貫通する開口部１１ｂとを有するウエハステージ１１と、
凹部１１ａにｘ−ｙ方向に移動可能に収容され、ウエハ１を支持し、開口部１１ｂよりも小さい観測口１２ａを有する、可動プレート１２と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】検査用照明装置を取り付けるための取付孔を考慮して、最適な照明領域を得られるようにした撮像素子検査用照明光学系を提供する。
【解決手段】撮像素子検査装置２０において、検査用照明装置２６に用いられる撮像素子検査用照明光学系が、光源４１から射出された照明光を撮像素子の被検査面４９に対して略垂直になるように照射するコンデンサレンズ１を有し、被検査面４９において照明が必要な領域４９ａに照明光が照射されるようなコンデンサレンズ１を、このコンデンサレンズ１の一部がサーキットテスタ２４に形成された取付孔２５の大きさに合わせて除去されることを考慮して決定する。 （もっと読む）

【課題】光透過性を有する基材の厚み寸法のバラつきに伴い結晶性評価精度が悪化するのを抑制することができる半導体薄膜の結晶性の評価方法を提供する。
【解決手段】シリコン半導体薄膜の所定の照射領域にキャリア励起光を照射する励起レーザ１と、赤外光を放射する半導体レーザ１０と、半導体レーザ１０に対し強度変調された電流を供給することにより、当該半導体レーザ１０に波長の異なる複数種の赤外光を照射させることが可能な高周波パルス電源１８と、シリコン半導体薄膜５ａ又は基材５ｂにおいて反射された反射光であって、前記複数種の赤外光のうちの少なくとも２種の赤外光を含む反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器１３と、前記検出信号に基づいて前記シリコン半導体薄膜５ａの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体薄膜の結晶性の評価を迅速かつ正確に行うことができるシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置を提供すること。
【解決手段】励起光レーザ３と、赤外光レーザ４と、赤外光の波長よりも小さな直径の小孔６ａを有し、当該小孔６ａの一方の開口に照射された赤外光を、当該孔６ａの他方の開口から滲み出る近接場光Ｌ１としてシリコン半導体薄膜２ｂに照射することが可能な金属膜６と、赤外光レーザ４から放射された赤外光のうち孔６ａの他方の開口の手前側で反射された反射光の強度を検出してその検出信号を出力する光検出器２３と、前記検出信号に基づいて薄膜２ｂの結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置２６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】集積回路は正常動作のときに正常電流によって発熱して変形することに着目して、この正常電流を集積回路表面の形状の変化として検出することができる集積回路試験装置及び方法を提供すること。
【解決手段】レーザビームを、偏光ビームスプリッタ１１、１／４波長板１２、及び対物レンズ１３を介して集積回路サンプルの表面に照射して、その反射光を対物レンズ１３、１／４波長板１２、及び偏光ビームスプリッタ１１を介して４分割フォトダイオード１４で受光して、その出力の差分を差動増幅器１５によって検出することで、集積回路の表面が部分的に膨張したときにその周辺との境界の表面の傾きを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光線を照射して被測定物全体からのフォトルミネッセンス光の強度分布を短時間で測定できるフォトルミネッセンス測定装置を提供する。
【解決手段】この装置はレーザ光源１とＣＣＤカメラ８を具備し、被測定物５とＣＣＤカメラ間の光路上に、偏光フィルター６とレーザ光線の波長を遮断して測定波長のみを透過させるバンドパスフィルター７が配置され、レーザ光源と被測定物間の光路上に、集光レンズ２と第１のガルバノミラー３および第２のガルバノミラー４が配置され、集光レンズで集光されたレーザ光線が、第１のガルバノミラーと第２のガルバノミラーにより反射されて２次元走査されるようになっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撮像素子チップを低温環境でプローブテストを実施する際に、テスト対象チップとプローブカードとの間に水気が生成しない手段を提供する。
【解決手段】ポゴタワー１２の中空開口部内に断熱レンズセット２０を配置する。断熱レンズセット２０は、レンズ本体と平行に装着された２枚のレンズ２４および２５とを含み、レンズ本体と平行に配置された２枚のレンズで仕切られた密閉空間内は真空を保つ。このようにテストに用いる光線の光源からの熱をチャック１３で低温に冷却されているテスト対象チップに対して遮断することによって、水気の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】微細なボイドとパーティクルを識別可能なシリコンウェーハの結晶欠陥検査方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに赤外線を照射し、透過赤外線を撮像して得られる画像から結晶欠陥を検査する。低倍率検査ステップＳ１は、低倍率の対物レンズ１４ａを用いて、シリコンウェーハの一定の視野領域を有する低倍率検査画像を取得する。位置確認ステップＳ３は、低倍率検査画像を画像処理して結晶欠陥の位置を確認及び記憶する。高倍率検査ステップＳ４では、高倍率の対物レンズ１４ｂを用いて、記憶された結晶欠陥の位置を視野領域の中に位置させて対物距離を変えて、視野領域の高倍率検査画像を取得する。判定ステップＳ５は、高倍率検査画像に基づいて結晶欠陥の形状を求め、円形か円形以外の不定形状かで結晶欠陥がボイドかパーティクルかを判定する。 （もっと読む）

【課題】対象物、特に半導体構造の検査時の系統的測定誤差を低減する方法の提供。
【解決手段】重ね合わせ不良を測定するために提案される測定構造は、照射装置（１２）、前記照射装置（１２）の光線を対象物に集光する対物レンズ（１４）、及び光線をセンサユニット（２０）に結像する鏡筒レンズ（１８）を有している。前記測定構造の光路には、結像面軸方向の倍率色収差の補償が行われるように入射光線の波面を波長別に傾斜させる補償器（２２）が備えられる。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスにおいてもウエハ温度をその場で精度良く温度測定することができる非接触方式のウエハ温度測定装置を提供する。
【解決手段】このウエハ温度測定装置は、温度測定対象であるウエハに照射された光の反射光に基づいてウエハ温度を測定する装置であって、波長が４００ｎｍ以下のＰ偏光成分を含む光を発生してウエハ１００に照射する光源部１１０と、ウエハによって反射された光を受光して、少なくとも、反射光に含まれる波長が４００ｎｍ以下のＰ偏光成分の強度を検出する受光部１３０と、該受光部によって検出された波長が４００ｎｍ以下のＰ偏光成分の強度に基づいて、温度測定対象の温度を算出する信号処理部１５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】背面からテストを実行するための半導体ウェハを準備する方法の提供。
【解決手段】ウェハ３００におけるテスト対象のダイ３２５を選択するステップと、ダイ３２５の対角線を測定するステップと、スクライブライン３２０ａおよび３２０ｂを越えて延在するダイ３２５上のエリアを薄型化するステップと、該薄型化エリア３５０内にインサート３６０を載置するステップと、ダイ３２５までの光路を不明瞭にしないように、インサート３６０の周辺エリアに接着剤３８０を塗布するステップとを含む。インサート３６０は、ドープされていないシリコンから作られることが有益である。 （もっと読む）

【課題】 光照射面における照明の均一性と入射光束の開口数と色温度とを一定に保ちつつ照明光量を調整可能な照明光学装置を提供する。
【解決手段】 光源１１と、光源と光照射面１０ａとの間に配置され、光源側から順にコレクタレンズ１２とアフォーカル系１３とフライアイレンズ１４とコンデンサレンズ１５とを含み、光照射面をテレセントリック照明する光学系と、アフォーカル系の中に配置された径可変な絞り部材１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 所望の開口数で光束を通すことができ、かつ、観察対象の試料に光学的に結合させる際の位置制御が容易な固浸レンズを提供する。
【解決手段】 固浸レンズ１Ａは、観察対象の試料６に取り付けられ、試料６の観察に用いられるものである。固浸レンズ１Ａは、所定半径の球面形状を有し、外部に対する光の入出力面となる上面（第１の面）２と、試料に対する取付面となる底面（第２の面）３を備えている。底面３は、試料に対する接触パターンが、中心軸に対して軸対称となるように、中心軸Ａｘを挟む位置に複数の突出部４ａ、４ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】 ＡＴＲ−ＦＴＩＲ測定でシリコン基板表面の微妙な変化を検出可能とする基板表面の評価方法を提供する。
【解決手段】 基板表面から得られた吸収スペクトルのうち、特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを基準ピークと定め、さらに他の特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを対照ピークと定め、この基準ピークと対照ピークとのピーク強度比を取ることによって基板表面の化学結合状態の微妙な変化の検出や、定量評価を可能にする。 （もっと読む）