【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】成膜直後の基板面内における酸化物半導体膜の抵抗値を効率よく測定することができる膜抵抗値測定方法を提供する。
【解決手段】測定対象物Ｗを基板表面に成膜した酸化物半導体膜とし、成膜直後の酸化物半導体膜を局所的に加熱する工程と、この加熱した領域で抵抗値測定用プロープ６を用いて抵抗値を測定する工程とを含む。酸化物半導体膜として、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料からなる透明酸化物半導体膜を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】プローブカードの熱変形の影響によるプローブのコンタクト位置ずれなどを防止した半導体検査装置を提供すること。
【解決手段】プローブカード１に、発熱体４ａおよび４ｂと、発熱体４ａおよび４ｂによって高温にされたプローブカード１表面の温度を計測する温度センサ６とが設けられる。測定装置７は、発熱体４ａおよび４ｂに電流を印加する電流印加部８と、温度センサ６の電流値を計測することによって、プローブカード１表面の温度を計測する電流計測部９とを含み、電流計測部９によって計測された電流値に応じて、電流印加部８を制御することによりプローブカード１表面の温度を制御する。したがって、プローブカード１の表面温度を一定値に保つことができ、プローブカード１の熱変形の影響によるプローブ２のコンタクト位置ずれなどを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【目的】 本発明の目的は、高温テスト又は低温テスト時に、カード保持部の熱膨張又は熱収縮による影響を受けたとしても、早期にプローブの先端の高さ位置の変動を抑制することができるプローブカードを提供する。
【構成】 プローブカードは、第１面とその裏側の第２面とを有するメイン基板１００と、メイン基板１００の第１面に固着された補強板２００と、熱膨張係数が補強板２００よりも小さい環状の補強部材３００と、補強部材３００の内側に保持されたプローブユニット４００と、メイン基板１００の第２面側で補強部材３００を補強板２００に固定する固定手段５００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】プローブカードに熱源を直に接触させて短時間でプローブカードを所定の温度に調整すると共に、熱的に安定したかを正確に判断することができるプローブカードの熱的安定化方法を提供する。
【解決手段】プローブカードの熱的安定化方法は、載置台に熱伝達用基板を載置し、載置台を介して熱伝達用基板の温度を調整する第１の工程と、載置台を上昇させて熱伝達用基板と複数のプローブを所定の目標荷重で接触させる第２の工程と、熱伝達用基板との間で熱を授受するプローブカードの熱的変化に即して変化する熱伝達用基板と複数のプローブとの接触荷重を検出する第３の工程と、プローブカードが熱的に安定するまで接触荷重が所定の目標荷重になるように昇降駆動機構を介して載置台を昇降制御する第４の工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】負荷の下で基板を検査する装置及びこれに対応する方法を提供する。
【解決手段】装置が、基板が熱的な，機械的な，電気的な若しくはその他の物理的な又は化学的な負荷にさらされ、この基板の特性がプローバーの手段によって測定される、負荷の下で基板を検査する方法であって、この基板が、負荷手段２に操作連結され、この負荷手段２内で負荷にさらされ、次いでこの負荷手段２から取り出され、その機能が検査され、負荷プログラムが、負荷をかける間に実行され、この負荷プログラムでは、負荷変数が、負荷時間周期の間に変化し、および、基板は、負荷時間周期の間に負荷手段２から繰り返し取り出され、負荷時間の間に時間間隔で検査される方法の為の装置である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ウェハの主面に平行な面内における素子特性のばらつきを抑えて、歩留まりを向上させる。
【解決手段】
本発明の炭化珪素半導体素子の製造方法は、（Ａ）炭化珪素ウェハ１０１と、炭化珪素ウェハ１０１の主面上に配置され、第１導電型の不純物を含む複数の第１導電型不純物領域１０５を有する第１炭化珪素層１１０とを備えた炭化珪素層付ウェハ１を用意する工程と、（Ｂ）第１炭化珪素層１１０の表面に炭化珪素をエピタキシャル成長させることによって、第２炭化珪素層１１５を形成する工程とを包含し、工程（Ｂ）において、複数の第１導電型不純物領域１０５の表面における第１導電型の不純物の濃度分布に基づいて、炭化珪素ウェハ１０１の主面に平行な面内で、第２炭化珪素層１１５の厚さ、不純物濃度、またはその両方に分布をもたせるように、エピタキシャル成長させる条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハ等の試料の熱衝撃強度を従来より安定かつ正確に評価することができる評価装置を提供する。
【解決手段】 脆性材料の熱衝撃耐性を評価するための装置であって、少なくとも、脆性材料である試料を載置する載置台と、前記試料を加熱するための加熱炉と、該加熱炉内に前記載置台および前記試料を搬送するための搬送手段と、落錘を前記炉内の前記試料に落下させるための落錘手段とを具備し、前記試料を前記載置台に載置した後、前記搬送手段により前記載置台および前記試料を前記加熱炉内に搬送して前記試料を加熱した後に、前記落錘手段により前記落錘を前記加熱炉内の前記試料に向けて落下させることができるものであることを特徴とする熱衝撃耐性評価装置。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ法により窒素を添加しながら育成したシリコン単結晶インゴットを切断して作製したシリコンウエーハ、特には高抵抗率シリコンウエーハであっても、高精度、高信頼性でＰＮ判定を行うことができ、かつＰＮ（導電型）のシリコンウエーハ面内分布を判定することのできるＰＮ判定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 フローティングゾーン法（ＦＺ法）により窒素を添加しながら育成したシリコン単結晶インゴットを切断して作製したシリコンウエーハのＰＮ判定方法において、該シリコンウエーハの抵抗率を測定し、その後該シリコンウエーハに対して熱処理工程を行い、その後さらに該シリコンウエーハの抵抗率を測定し、熱処理工程後抵抗率から熱処理工程前抵抗率を引いた抵抗率差が正の場合は該シリコンウエーハの該熱処理工程前のＰＮ（導電型）はＮ型、負の場合はＰ型と判定することを特徴とするシリコンウエーハのＰＮ判定方法。 （もっと読む）

【課題】より正確な設定温度下で、半導体装置の温度特性を測定することが可能な技術を提供する。
【解決方法】温度特性測定装置１は、半導体ウェハ３１の温度特性を測定する装置である。温度特性測定装置１は、絶縁性を有する液状の熱媒体２１に半導体ウェハ３１の少なくとも一部が浸漬した状態で、熱媒体２１と半導体ウェハ３１とを保持可能な容器１０を備える。また、容器１０に保持されている熱媒体２１を加熱する加熱装置１１を備える。また、熱媒体２１が沸騰している状態において、半導体ウェハ３１の温度特性を測定する特性測定器１２を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの端部に存在する接触に起因する欠陥の発生を容易且つ適切に評価することのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハに対して、外部物との接触による影響を受けている影響部分と、外部物との接触による影響を受けていない正常部分とで異なるエッチング速度となる条件でドライエッチングを行うドライエッチングステップ（ステップＳ１）と、ドライエッチングを行ったウェーハの端面部の外観を観察する端面観察ステップ（ステップＳ３）と、ウェーハの観察結果に基づいて、ウェーハの端面部における接触起因欠陥を評価する評価ステップ（ステップＳ４）とを行うようにする。 （もっと読む）

【課題】高温または低温での検査のスループットが高いプローバの実現。
【解決手段】複数の半導体チップが形成されたウェーハＷを保持するウェーハチャック１８と、プローブ２６を有するプローブカード２５を保持するカードホルダ２４と、を有するプローバであって、ウェーハチャック１８をプローブ２６に対して相対的に移動する移動機構と、該移動機構を制御し、プローブ２６を半導体チップの電極パッドに接触させる接触動作を繰り返すように制御する移動制御部と、を有し、該移動制御部は、ある半導体チップの接触動作の終了後の次の接触動作では、ウェーハＷの中心に対して接触動作が終了した半導体チップの対角付近に位置する半導体チップに、複数のプローブ２６を接触させるように制御する対角移動シーケンスを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハから得られる複数のメインチップにおいて、メインチップ毎のＯＮ電圧のバラツキを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ素子１と、小面積のトランジスタ２とが表面に形成された半導体ウェハ１０を準備する。半導体ウェハ１０の表面全体に電子線等を照射する。ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２の中に再結合中心を形成する。測定装置１５によりトランジスタ２のＯＮ電圧を測定しつつ、ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２において規定されたライフタイムを所定のアニール処理を施すことにより回復させる。ライフタイムが回復しているとき、制御装置１６は、ＩＧＢＴ素子１のＯＮ電圧がそれぞれ所定のＯＮ電圧となるように、測定されたトランジスタ２のＯＮ電圧に基づいてアニール処理におけるアニール処理量を制御する。 （もっと読む）

【課題】試料分解時の不純物の混入を確実に避けることにより、精度の高い多結晶シリコンの分析を可能にする。
【解決手段】上方が開放され、前記試料を収容可能な試料容器と、上方が開放され、前記試料を分解する分解用溶液を保持する溶液容器と、前記試料容器および前記溶液容器を収容して密閉空間を形成するチャンバと、前記試料容器を所定の試料温度に加熱する試料加熱器と、前記分解用溶液を所定の溶液温度に加熱する溶液加熱器とを備え、多結晶シリコンに含まれる不純物濃度を分析するために多結晶シリコンの試料を分解昇華させる装置。 （もっと読む）

【課題】 プローブヘッドにスペーサを備えることと相俟って、プローブヘッドに倣って自律的に平行度を調整する機能を有するアダプタブルチャックトップおよびその周辺構造を提供する。
【解決手段】 複数のプローブ針を介して半導体デバイスの特性を測定するウエハプローバ５０において、プローブヘッドの半導体デバイス側に少なくとも４個のスペーサ５ｂを設け、ウエハを載置する上面を有するアダプタ上部７ａと、アダプタ下部７ｂの下面に接触してアダプタ下部を載置するステージ７ｃとを備え、互いに対面するアダプタ上部とアダプタ下部のいずれか一方に凹部が設けられており、バネ２２を内蔵する空間７ａａが凹部によって形成され、バネの付勢力によってアダプタ上部とアダプタ下部とが互いに離れたり接近したりするように移動可能に挿設される、ヒートチャックを装備したアダプタブルチャックトップおよびその周辺構造。 （もっと読む）

【課題】 常温時の高精度なチャックトップ上面の平面度を常温時に限らず昇温時や冷却時にも高精度に維持することができるウェハプローバ用ウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハプローバ用ウェハ保持体は、ウェハ載置面を有するチャックトップと、チャックトップにおいてウェハ載置面とは反対側の面に設置される温度制御手段と、前記チャックトップ及び／又は前記温度制御手段を支持する支持体と、該支持体の下部に設置された底板とを有し、該底板の熱膨張係数が、前記チャックトップの熱膨張係数以上であり、前記チャックトップ、支持体、底板の熱伝導率をそれぞれＫ１、Ｋ２、Ｋ３としたとき、Ｋ１＞Ｋ２かつＫ３＞Ｋ２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハの製造を分析するためのアッセンブリを提供する。
【解決手段】ウエハが部分的に製造された状態である時点からでも、ウエハの製造を分析することができる。特定の性能パラメータ値は、ウエハのダイの能動領域の複数の箇所で決定することができる。特定の性能パラメータが、製造の特定の製造プロセスを示すことは周知である。このとき、評価情報は、複数の箇所における性能パラメータ値の変動に基づいて得ることができる。これは、ダイから生成されるチップの有用性に影響を及ぼさずに実施可能である。評価情報は、性能パラメータ値が示した特定の製造プロセスを含む１つ以上のプロセスが実施された方法を評価するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内部に含まれる金属不純物汚染を低コストかつ容易に回収および分析可能な半導体基板の分析方法および分析装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に回収液の濃硫酸２を供給し、該濃硫酸２を半導体基板１との間に挟むように疎水性部材３を配置し、該濃硫酸２を前記半導体基板１に広く接触させ、前記半導体基板１の内部に含まれる金属不純物を前記濃硫酸２中へ溶解させた後、前記疎水性部材３を取り外し、前記半導体基板１および前記疎水性部材３の少なくとも一方の表面に残留する前記濃硫酸２を分析する。また、前記半導体基板１を加熱することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハに形成されたエピタキシャル層の表面に生じる、転位や微細な結晶欠陥や研磨に起因した欠陥をより高感度に検出できるエピタキシャルウェーハの評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハ１の評価方法は、半導体単結晶基板１０の主表面にエピタキシャル層１１を有するエピタキシャルウェーハ１についてエピタキシャル層１１の表面の状態を評価する方法であって、エピタキシャルウェーハ１のエピタキシャル層１１に、気相成長法により被評価層２ａを形成する被評価層形成工程と、被評価層２ａの表面の状態を評価することによりエピタキシャル層１１の表面の状態を評価する評価工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プローバステージが傾いてしまうことの防止できる、半導体検査装置、半導体ウエハの検査方法、及び半導体ウエハの検査プログラムを提供する。
【解決手段】主面の測定領域に多ピンプローブカードのピン群が当てられる半導体ウエハ、を固定するウエハ固定ステージと、前記半導体ウエハの裏面と当接する当接面を有し、前記当接面により前記半導体ウエハを支持するウエハ測定ステージとを具備する。前記ウエハ測定ステージは、前記当接面の全面が、前記測定領域に対応する領域と当接するように、前記半導体ウエハを支持する。 （もっと読む）