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【課題】成型性良好で、強靭性値が高く、半導体素子及び基板の表面との密着性に優れ、耐熱衝撃性に優れた硬化物を与える液状エポキシ樹脂組成物及び該組成物の硬化物で半導体素子を封止した半導体装置を提供する。
【解決手段】(A)下記(D)成分以外のエポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填剤、(D)特定の構造式で示されるシリコーン変性エポキシ樹脂、及び(E)特定の範囲の重合度を有するジメチルシリコーン、を含む液状エポキシ樹脂組成物;上記液状エポキシ樹脂組成物の硬化物と、該硬化物で封止された半導体素子とを有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】 高い透明性・耐熱性・耐光性・ガスバリア性を兼ね備えた多面体構造ポリシロキサン変性体の組成物、およびこれを封止剤として用いてなる光半導体を提供すること。
【解決手段】アルケニル基およびヒドロシリル基を含有する多面体構造ポリシロキサン系化合物(a)同士をヒドロシリル化して得られるポリシロキサン化合物(b)に、ヒドロシリル基もしくはアルケニル基含有化合物(c)をヒドロシリル化させて得られる多面体構造ポリシロキサン変性体(A)、接着性付与剤(B)、および硬化剤(C)を含有することを特徴とする多面体構造ポリシロキサン系組成物、および該組成物を封止剤として用いてなる光半導体。 (もっと読む)


【課題】大面積の薄膜を安定して形成でき、アンダーフィル剤として良好で耐久性のある半田接続性を与える、アンダーフィル剤組成物、及び該組成物を用いる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、
(B)フラックス性を有する硬化剤、
(C)イミダゾール触媒、
(D)揮発性有機溶剤、及び
(E)細孔容積が0.3〜0.7cm/gである多孔質無機充填剤にして、表面が酸化ケイ素で被覆されている球状無機充填剤
を含んでなる、B-ステージ対応可能な液状ウエハレベルアンダーフィル組成物。 (もっと読む)


【課題】シールド層を切断して個片化する際に、回路基板の切断面にシールド層の切粉や材料が不用意に付着することを回避することができる技術の提供を課題とする。
【解決手段】電子回路モジュールの製造方法は、集合基板20の各回路基板11に電子部品12を実装する電子部品実装工程S100と、電子部品12を封止する封止樹脂層13を形成する封止樹脂層形成工程S200と、封止樹脂層13及び回路基板11の一部を切削して第1溝16を形成する第1溝形成工程S300と、第1溝16に導電性樹脂を充填してシールド層14を形成するシールド層形成工程S400と、回路基板11の一部を切削して第2溝17を形成する第2溝形成工程S500と、第1溝16の切削幅よりも狭く、かつ、第2溝17の切削幅よりも狭い切削幅でシールド層14を切削することにより、回路基板11同士を分離して個片化する個片化工程S600とを備える。 (もっと読む)


【課題】種類の異なる半導体チップの間で接合不良が発生することを防止した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板2の一面に実装されたチップ積層体3は、配線基板2の一面とは反対側から順に、一面側に第1のバンプ電極12と他面側に第2のバンプ電極13とを有する複数のメモリーチップ10a〜10dを、それぞれの一面と他面とを対向させながら、それぞれの間にある第1のバンプ電極12と第2のバンプ電極13とを接合して積層し、その上に、一面側に第3のバンプ電極15と他面側に第4のバンプ電極16とを有するロジックチップ11を、その一面と、その下にあるメモリーチップ10dの他面とを対向させながら、その間にある第2のバンプ電極13と第3のバンプ電極15とを接合部材18を介して接合して積層した構造を有する。 (もっと読む)


【課題】 均一性が高く、短時間での硬化が可能で、さらに硬化後には、PCT試験での吸湿性が低いため、エポキシ樹脂組成物と基板の間での剥離を抑制する、耐湿信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】 (A)液状エポキシ樹脂、(B)スルフィド構造を含むエポキシ樹脂、(C)硬化剤、および(D)硬化促進剤を含み、かつ(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、(B)成分を1〜50質量部含むことを特徴とする、エポキシ樹脂組成物である。 (もっと読む)


【課題】 先供給型封止剤として塗布した後、半導体チップを載せるまで、先供給型封止剤が塗布後の形状を保持し、かつ短時間での硬化が可能で、さらに硬化後には、PCT試験での耐湿信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化促進剤、(D)形状保持剤、および(E)揺変剤を含むことを特徴とする、エポキシ樹脂組成物であり、好ましくは、(D)成分が、シロキサン系形状保持剤である。 (もっと読む)


【課題】低誘電率特性、低リーク電流特性、および高絶縁破壊電圧特性に優れ、しかも、透明性が高い樹脂膜を備える半導体素子基板を提供すること。
【解決手段】バインダー樹脂(A)、酸性基を有する化合物(B)、架橋剤(C)を含有してなる樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、前記架橋剤(C)は、分子量が100〜500であり、かつ、前記架橋剤(C)のSP値をSPとし、SP値が19620(J/CUM)1/2であるアリルグリシジルエーテルのSP値をSPとした場合に、SP−SP=−1900〜5400(J/CUM)1/2の関係にあるSP値を有し、前記バインダー樹脂(A)100重量部に対する、前記架橋剤(C)の含有量が1〜500重量部であり、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されており、該樹脂膜中の無機イオン含有量が1〜1000ppbであることを特徴とする半導体素子基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】発光素子パッケージの壁が原因で光の取り出し効率が低下することを回避すると共に、封止樹脂に混練された波長変換材料を発光素子上やその周辺に均一に分布した層とし得る低コストの発光素子パッケージの製造方法及び発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】基板1と、基板1上に実装されたLEDチップ3と、LEDチップ3を封止する、蛍光体8を混練した封止樹脂4とを備えたLEDパッケージ10の製造方法は、基板1に撥液剤パターン5を形成する撥液剤パターン形成工程と、基板1における撥液剤パターン5の内側にLEDチップ3を実装する実装工程と、撥液剤パターン5の内側に蛍光体8を混練した封止樹脂4を塗布する塗布工程と、無風状態にて封止樹脂4内の蛍光体8を沈降させる沈降工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】銀めっきが施されたリードフレームとの接着性に優れる硬化体を形成可能なウレタン樹脂組成物及びその硬化体を用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、ポリオール成分と、ポリイソシアネート成分と、イミダゾールシラン化合物とを含むウレタン樹脂組成物に関する。 (もっと読む)


【課題】
蛍光体含有樹脂の使用量を抑制し、発光色の色むらを低減することができる蛍光体含有樹脂の形状を容易かつ安定的に形成することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置は、素子搭載領域の周囲を囲む段差部を有する基板と、基板上の素子搭載領域に設けられた少なくとも1つの発光素子と、伸長方向が発光素子の主面と平行な方向に向けて変化する湾曲部を有し、湾曲部の頂部を基板の主面に投影した点が段差部の内側に存在するようなループ形状を有する少なくとも1本のボンディングワイヤと、段差部の内側に延在し且つ発光素子およびボンディングワイヤの湾曲部の頂部を埋設する光透過性樹脂と、を有する。光透過性樹脂は、底面が段差部の外縁の形状に応じた形状を有する。 (もっと読む)


【課題】はんだ接続性に優れ、保存安定性も良好な接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする回路部材接続用接着剤、それを用いた回路部材接続用接着剤シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のバンプが形成された第一の回路部材と、該バンプとはんだ接合する回路電極が形成された第二の回路部材との間に介在させ、両回路部材を加熱加圧により接着するための回路部材接続用接着剤であって、加熱加圧前の面積に対する加熱加圧後の面積の倍率を計測する方法で求められる流動性が、両回路部材をはんだが溶融しない温度で熱圧着する第一の加熱加圧条件では1.8〜3.0倍であり、その加熱条件で加熱処理した後、その加熱条件よりも高温でかつはんだが溶融する温度で加熱加圧する第二の加熱加圧条件では1.1〜3.0倍かつ第一の加熱加圧条件での流動性以下である、回路部材接続用接着剤。 (もっと読む)


【課題】湿気や温度等の外部環境の影響を受けにくく、MEMS素子の特性への影響を低減することのできるMEMSデバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置され、支持部と、前記支持部に対して変位する可動部と、前記可動部を覆い、前記支持部に固定された蓋部材と、を有するMEMS素子と、少なくとも前記MEMS素子の周囲を覆う発泡体と、を備えることを特徴とするMEMSデバイスを提供する。また、支持部と、前記支持部に対して変位する可動部と、前記可動部を覆い、前記支持部に固定された蓋部材とを有するMEMS素子を基板上に配置し、前記MEMS素子上に発泡性の樹脂を滴下し、前記発泡性の樹脂を発泡させることを特徴とするMEMSデバイスの製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】 熱膨張率、流動性に優れ、狭いギャップ間に容易に浸透できる封止用樹脂組成物の提供。
【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤、無機粒子、有機チタン化合物及びリン酸エステルを含み、無機粒子の平均粒径が10μm以下であり、無機粒子の量が組成物全量を基準として60質量%以上であり、有機チタン化合物の量が組成物全量を基準として1質量%以上、5質量%以下であり、リン酸エステルの量が組成物全重量を基準として0.5質量%以上、3質量%以下である、封止用樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】高靭性と粘度特性に優れたアンダーフィル剤を提供すること。
【解決手段】(a)重量平均分子量3万未満のポリフェニルスルホン樹脂と、(b)エポキシ樹脂を含有し、(c)溶剤の含有量が1重量%以下であることを特徴とするアンダーフィル剤。 (もっと読む)


【課題】フリップチップ方式の半導体装置において、狭ギャップへの注入性に優れ、なおかつ狭い塗布スペースでの塗布を可能とする液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】フリップチップ方式の半導体装置において半導体チップと基板又は半導体チップと半導体チップのギャップの封止に用いる液状封止樹脂組成物であって、(A)液状エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)無機充填剤を含有し、注入温度における粘度が0.1Pa・s以下であり、かつ注入温度および硬化温度における前記半導体チップ表面及び前記基板表面との接触角(θ)が15度以上である液状封止樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】集合基板に反り、うねり、厚みバラツキ等が発生している場合であっても、封止樹脂層形成後の封止樹脂層と集合基板との合計厚みが均一な電子部品モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品モジュールの製造方法であって、集合基板1に粘着性シート2を貼り付け、集合基板1の所定位置に切り込み部3を形成して、切り込み部3を形成した集合基板1の電子部品を実装した面を樹脂にて封止して封止樹脂層4を形成して、電子部品モジュールの間にて封止樹脂層4の天面から切り込み、電子部品モジュールの側面部を形成して、封止樹脂層4の天面及び電子部品モジュールの側面部を覆う導電性樹脂層7を形成して、電子部品モジュールの間にて、電子部品モジュールの側面部を形成する幅に比べて狭い幅で導電性樹脂層7の天面から切り込み、電子部品モジュールに個片化する。 (もっと読む)


【課題】フリップチップ方式の半導体装置においてフィラー高充填化が可能で、高い信頼性を有し、狭ギャップへの充填性に優れる液状樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)アミン硬化剤、(C)フィラー、(D)ルイス塩基またはその塩、及び(E)酸化処理されたカーボンブラックを含有する液状樹脂組成物であって、(C)フィラーの含有量が液樹脂組成物全体の60重量%以上80重量%以下であり、(C)フィラーの最大粒子径が25μm以下で平均粒子径が0.1μm以上2μm以下であることを特徴とする液状樹脂組成物、および該液状樹脂組成物を用いて作製された半導体装置。 (もっと読む)


【課題】酸化ケイ素粒子の分散性を良好にすることができるので、蛍光体が添加されたときに、又は蛍光体が含まれる場合に、該蛍光体が沈降し難い光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第1のシリコーン樹脂(但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く)と、第2のシリコーン樹脂と、酸化ケイ素粒子と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第1のシリコーン樹脂は、アルコキシ基を有する珪素化合物を加水分解縮合して得られ、アルコキシ基、アルケニル基及びアリール基を有する。上記第2のシリコーン樹脂は、アルコキシ基を有する珪素化合物を加水分解縮合して得られ、アルコキシ基、珪素原子に結合した水素原子及びアリール基を有する。上記酸化ケイ素粒子は、有機ケイ素化合物により表面処理されている。 (もっと読む)


【課題】保存安定性及び低温速硬化性に優れ、硬化物は耐熱衝撃性に優れかつリペア性、リワーク性を有するアンダーフィル材として有用で、幅広い温度範囲の温度サイクルに供される電子機器に好適な半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】(A)1分子中にエポキシ基を2個以上有し、液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂を20質量%以上含有する、液状エポキシ樹脂 100質量部、
(B)アルケニル基含有液状フェノール樹脂、
(C)マイクロカプセル化硬化促進剤 有効成分として1.5〜50質量部、
(D)1分子中にエポキシ基を1個有するエポキシ化合物からなる反応性希釈剤、及び
(E)無機充填材 100〜250質量部
を含有してなり、
[本組成物中に全エポキシ基/(B)成分中のフェノール性水酸基]のモル比が1.3〜3.0である、
組成物からなる、基板と該基板上に搭載された素子とを有する半導体装置の実装用封止材。 (もっと読む)


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