【課題】ＳｉＯ_２で作製された表面保護膜とポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂で作製されている被覆部との間に不均一な電荷分布が発生するのを回避して耐電圧性の低下を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。また、ＳｉＯ_２表面保護膜１６と被覆部２３との境界面を高電界がかかる表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６とワイドギャップ半導体(ＳｉＣ等)との界面から離すことにより、表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６と被覆部２３との境界面の電界を低減できる。これにより、表面保護膜１６と被覆部２３との境界面での絶縁破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】非窒素系溶媒溶解性とワニス安定性、低温乾燥／硬化性、低反り性、屈曲性、印刷適性、難燃性に優れ、かつ耐熱性、耐薬品性、電気特性、作業性及び経済性に優れるウレタン変性ポリイミド系難燃樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ)酸無水物基を有する３価及び／又は４価のポリカルボン酸誘導体、ジオール化合物、脂肪族ポリアミン残基誘導体及び／又は芳香族ポリアミン残基誘導体を必須の成分として生成されるウレタン結合を有するウレタン変性ポリイミド系樹脂、（Ｂ）ダイマー酸変性エポキシ樹脂、アクリロニトリルブタジエンゴム変性エポキシ樹脂、ポリオキシアルキレングリコール変性エポキシ樹脂、アルキレンジオール変性エポキシ樹脂、又はエポキシ化ポリブタジエンのうちの少なくとも１種からなるエポキシ樹脂、（Ｃ）無機あるいは有機フィラー、（Ｄ）非ハロゲン系難燃剤を含むことを特徴とするウレタン変性ポリイミド系難燃樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐湿熱性、低吸水性、機械特性、電気特性に優れるとともに、応力を緩和した樹脂層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体素子が配された半導体領域１２を一面１１ａに有する半導体基板１１と、半導体領域１２を少なくとも覆うように半導体基板１１の一面１１ａ側に配された保護層１５とを備え、保護層１５は第一の絶縁体層１３と第二の絶縁体層１４の積層体からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粒子径が均一で樹脂への分散性に優れた半導体装置実装用ペ−ストを提供する。
【解決手段】平均粒子径が０．５〜３０μｍの範囲にあり、粒子径変動係数（ＣＶ値）が３％以下であり、含有量が３０〜９０重量％の範囲にあるポリオルガノシロキサン粒子と、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、シリコ−ン系樹脂、ＢＴレジン、シアネ−ト系樹脂から選ばれた１種または２種以上からなる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】充填性に優れボイド発生を抑制することのできる封止用エポキシ樹脂成形材料、及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機充填剤を少なくとも含み、前記（Ａ）エポキシ樹脂及び前記（Ｂ）硬化剤は、両者からなる液状組成物の１１０℃における絶縁保護膜に対する動的接触角が７０度以下であり、前記（Ｃ）無機充填剤は、質量平均粒子径が１０μｍ以下で且つ比表面積が３．０ｍ^２／ｇ以上である、封止用エポキシ樹脂成形材料。 （もっと読む）

【課題】金属部品等による乱反射による画質低下もなく、また撮像素子が透明樹脂で完全に被われ、外部との接続端子部及び素子撮像エリア直上部を除いて、防湿材料により被われていることで、撮像素子チップに水分が浸入することも全くない、非常に高い信頼性の固体撮像装置を得る。
【解決手段】マイクロレンズを有する撮像素子チップ３２と、該撮像素子チップに接続されたリード端子３３と、該固体撮像チップを該リード端子とともに封止するクリアモールドパッケージ３１とを備え、該リード端子の一部を外部リードとして該クリアモールドパッケージの外部に露出させた固体撮像装置３０において、該クリアモールドパッケージを、その表面の、該撮像素子チップ３２の撮像領域３５に対向する透光領域を除いて、該クリアモールドパッケージの表面を遮光性材料３６により被覆した構造とした。 （もっと読む）

【課題】 ポリオール成分とイソシアネート成分との相溶性に優れ、均一でガラス転移温度が高い硬化体を得ることが可能なウレタン樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明は、ポリオール成分を含むＡ液と、ポリイソシアネート成分を含むＢ液と、からなる２液型ウレタン樹脂組成物であって、ポリオール成分は、水酸基価が５５０〜６７５ｍｇＫＯＨ／ｇである３官能以上のポリオール化合物を含有し、ポリイソシアネート成分は、脂環式ポリイソシアネートと、脂環式ポリイソシアネートのイソシアネート基残存プレポリマーを含有し、イソシアネート基含有率が２６．０〜３０．０質量％である、２液型ウレタン樹脂組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】リフロー装置を用いて電極接合と樹脂封止とを行う際に、信頼性の高い電極接合を行うことができ、かつ、基板又は半導体素子の反りを抑制することのできるフリップチップ用樹脂封止材を提供する。また、該フリップチップ用樹脂封止材を用いた半導体実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】リフロー装置を用いて電極接合と樹脂封止とを行う際に用いられるフリップチップ用樹脂封止材であって、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤又はフェノール系硬化剤とを含有し、２６０℃でのゲルタイムが２０秒以上であり、回転式レオメーターにより測定した１Ｈｚでの５０〜２５０℃の間における最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓより小さいフリップチップ用樹脂封止材。 （もっと読む）

【課題】硬化性、及び紫外部での透明性に優れる硬化物、並びに耐熱性を保持したまま、ボイドの発生を抑制でき、光学特性に優れる半導体発光デバイス及びその製造方法の提供。
【解決手段】半導体発光デバイスは、基体上の発光素子を封止する封止層と、前記封止層を覆う被覆層とを有する半導体発光デバイスであって、前記封止層及び被覆層が、シラノール基又はアルコキシシリル基を有するポリオルガノシロキサンと、アルキルシリケートとの硬化物からなり、前記封止層及び被覆層の触媒として、それぞれ異なる有機金属化合物を用い、前記封止層の平均厚みが、前記被覆層の平均厚みよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】透明性を有し、より低硬度の硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】１分子中に少なくとも１個の（メタ）アクリル基を有するポリシロキサンを重合して得られる架橋粒子（Ａ）と、シリコーンレジン（Ｂ）と、ジオルガノシロキサン骨格を有するポリシロキサン（Ｃ）とを含有する硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】注入性、接着性、硬化性、保存安定性等に優れ、かつ、ボイドが発生することがなく、さらに、封止した部位の耐湿性、耐サーマルサイクル性、耐リフロー、耐クラック性、耐反り等に優れた液状封止材、および、液状封止材を用いて封止部位を封止してなる電子部品の提供。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン硬化剤、（Ｃ）金属錯体、（Ｄ）カップリング剤、および（Ｅ）シリカフィラーを含む液状封止材であって、前記（Ｄ）成分のカップリング剤が少なくともビニルトリメトキシシランを含有し、前記（Ｅ）成分のシリカフィラーがシランカップリング剤にて予め表面処理されていることを特徴とする液状封止材。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製するステップを含む。該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボンも提供される。 （もっと読む）

【課題】電子部品と相手部材とをポーラス状の貴金属よりなる金属導体を介して機械的に接合してなる電子装置において、金属導体の強度を適切に向上できるようにする。
【解決手段】電子部品１０と、電子部品１０と機械的に接続される相手部材２０と、電子部品１０および相手部材２０の間に介在し当該両者１０、２０を機械的に接続するものであって空孔３３を有するポーラス状をなすＡｇなどの貴金属よりなる金属導体３０と、を備え、金属導体３０は、その端面３１が電子部品１０および相手部材２０の間隙の端部より露出しており、金属導体３０の端面３１側から内部に向かって、金属導体３０を機械的に補強するポリイミドなどの補強樹脂６０が、金属導体３０の空孔３３に含浸されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップ積層体を構成する複数の半導体チップ間、及びチップ積層体と配線基板と間の電気的接続信頼性を向上させることの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】配線基板１１の主面１１ａに積層され、貫通電極３７を有した複数の半導体チップ３１，３２よりなり、かつ貫通電極３７を介して、複数の半導体チップ３１，３２及び配線基板１１が電気的に接続されたチップ積層体１２と、少なくとも複数の半導体チップ３１，３２の間、及びチップ積層体１２と配線基板１１の主面１１ａとの間に設けられ、チップ積層体１２を封止する第１の封止体１４と、配線基板１１の主面１１ａに設けられ、第１の封止体１４を覆う第２の封止体１５と、を有し、第１の封止体１４の弾性力を第２の封止体１５の弾性力よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製するステップを含む。該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボンも提供される。 （もっと読む）

【課題】光素子を樹脂組成物で封止してなる光電子部品の、前記光素子から副次的に発せられる紫外線による、前記樹脂組成物の着色を抑制する。
【解決方法】基板上に搭載された光素子と、前記光素子を封止するための、波長４００ｎｍの光の透過率が１ｍｍ当たり８０％以上の硬化性樹脂組成物からなる封止剤と、前記封止剤の、少なくとも前記光素子と相対向する側の主面において、前記封止剤と接着するようにして形成されたガラス板と、を具えるようにして光電子部品を構成する。 （もっと読む）

【課題】フィレット形状を、凸形状にならないように制御し、信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着材料を提供する。
【解決手段】粘弾性測定装置で測定した２５℃せん断弾性率Ｇｒが１×１０^６Ｐａ以上、レオメーターで測定したハンダ融点までの最低複素粘度η＊ｍｉｎが５×１０^１Ｐａ・ｓ以下であり、温度１４０℃、歪量１ｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η＊（１Ｈｚ）が温度１４０℃、歪量１ｒａｄ、周波数１０Ｈｚで測定した複素粘度η＊（１０Ｈｚ）の０．５〜４．５倍である半導体チップ接合用接着材料３。 （もっと読む）

【課題】高感度で、低背化および小型化の可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】入力信号によって点灯・消灯する発光素子１００と、発光素子１００と光結合せしめられ、起電力を発生する受光素子としての光電変換素子２００と、受光素子で生起された電力によってスイッチングするスイッチング用半導体素子からなる出力素子３００とを具備した半導体リレーであって、発光素子１００と光電変換素子２００は、集光部を構成する絶縁性部材の対向する面に、配置される。 （もっと読む）

【課題】印刷グレードのグラブトップ材として用いられる、難燃性に優れた液状封止材、および、該液状封止材を用いて封止部位を封止してなる半導体装置の提供。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）難燃剤、および、（Ｄ）フィラーを含む液状封止材であって、前記（Ｃ）難燃剤として、（ＨＣＡ）若しくはその誘導体、または、（ＨＣＡ−ＨＱ）若しくはその誘導体を反応成分の一つとする有機リン系難燃剤を含有し、平均粒径が０．４〜５．０μｍのフィラー（Ｄ１）、および、平均粒径が７．０〜２５．０μｍのフィラー（Ｄ２）を含むことを特徴とする液状封止材。 （もっと読む）