【課題】 導電性樹脂により形成されたシールド層を一部くり抜き、このくり抜き部を特性良化と方向識別用マークに利用することができる回路モジュールを提供すること。
【解決手段】 基板上に実装した電子部品をモールドするモールド樹脂を２層化し、２層目の樹脂を導電性樹脂として、これをグランドに接続した回路モジュールにおいて、実装された電子部品の直上にこの導電性樹脂層のくり抜き部を形成する。これにより、導電性樹脂層と電子部品の間に入り込む寄生容量を低減することができ、またインダクタなどの受動素子では電磁ループが導電性樹脂層によって妨げられ素子特性の劣化を来たすが、この劣化を低減することが可能となる。また、導電性樹脂のくり抜き部を回路モジュールの方向識別用マークと利用することで、このマークを印字するための工程を無くすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 デバイスを破壊するおそれなしにアンダーフィル材の充填を容易にする。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１の基体１１と第２の基体１２の間に充填される充填材１６に対して親和性を示す被覆層１５を、第１の基体及び第２の基体の互いに対向する面の少なくとも一方の面上に形成し、その後、第１の基体と第２の基体との間に充填材を充填する。 （もっと読む）

【課題】発光面積が小さく、かつ、光の取り出し効率の高い発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】未硬化の透明材料１３’を、発光素子１１および板状光学層１４のいずれかまたは両方の面上に表面張力が保たれる量だけ滴下し、未硬化の透明材料１３’の表面張力を保ちながら、未硬化の透明材料１３’を介して発光素子１１と板状光学層１４を重ね合わせることにより、傾斜した側面１３０を有する未硬化の透明材料層１３’を形成した後、透明材料層１３を硬化させる。透明材料層１３の周りに、非導電性の反射材料１５を充填し、硬化させることにより、透明材料層の傾斜した側面に沿う傾斜した側面を有する反射材料層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】
湿式粗化工程において絶縁層表面の粗度が小さく、その上に十分なピール強度を有するめっき導体層を形成することができる樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
特定のシロキサンイミド樹脂とエポキシ樹脂を含有する樹脂組成物を使用すること。 （もっと読む）

【課題】耐光着色性、耐熱着色性、耐腐食ガス性に優れた硬化物を与える新規な硬化性樹脂組成物の提供。
【解決手段】オルガノポリシロキサン（Ａ）と多価カルボン酸（Ｂ）、有機金属塩および／または有機金属錯体（Ｃ）、光安定剤（Ｄ）を含有する硬化性樹脂組成物、ただし、オルガノポリシロキサン（Ａ）と多価カルボン酸（Ｂ）、光安定剤（Ｄ）は以下の条件を満たす。オルガノポリシロキサン（Ａ）：少なくとも、その分子中にグリシジル基および／またはエポキシシクロヘキシル基を有するオルガノポリシロキサン多価カルボン酸（Ｂ）：少なくとも２つのカルボキシル基を有し、脂肪族炭化水素基を主骨格とする光安定剤（Ｄ）：構造式（１）で示される化合物。
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【課題】 半導体パッケージ下部への浸透性に優れ、リペア可能な、耐衝撃補強効果を高めることのできる新しい液状エポキシ樹脂組成物と、これを用いた硬化物により接着補強された半導体装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）常温で液状のエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、並びに（Ｃ）充填材を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、（Ｃ）充填材として組成物全体量に対して０．１〜１０質量％の範囲内の、圧縮破壊強度が５ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の軟質充填材を含有する。 （もっと読む）

【課題】 ＡｇやＡｕのような貴金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性、流動性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）下記一般式（ＩＩＩ）で示されるシリコーン化合物を含有し、（Ａ）エポキシ樹脂が、（Ａ１）一般式（Ｉ）で示されるアラルキルノボラック型エポキシ樹脂と（Ａ２）一般式（ＩＩ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂を含有し、エポキシ樹脂（Ａ２）の含有量がエポキシ樹脂（Ａ１）とエポキシ樹脂（Ａ２）の総和に対して、５〜７０質量％である封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
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【課題】 ＡｇやＡｕのような貴金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性、流動性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）リン酸エステルを含有し、（Ａ）エポキシ樹脂が、（Ａ１）一般式（Ｉ）で示されるアラルキルノボラック型エポキシ樹脂と（Ａ２）一般式（ＩＩ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂を含有し、エポキシ樹脂（Ａ２）の含有量がエポキシ樹脂（Ａ１）とエポキシ樹脂（Ａ２）の総和に対して、５〜７０質量％である封止用エポキシ樹脂組成物。（Ｃ）リン酸エステルを（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して５〜３０質量部含有すると好ましい。 （もっと読む）

【課題】リペア時に基板及び半導体素子がダメージを受けない、実装信頼性及びクリーニング性に優れ、アンダーフィル材として好適なエポキシ硬化剤及びエポキシ樹脂組成物、並びに半導体装置及びそのリペア方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるエポキシ硬化剤、及び該エポキシ硬化剤及びエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物である。


一般式（１）中、Ｘは、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、直接結合、酸素原子及び硫黄原子のいずれかを表す。Ｙは、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、ＯＨ、ＮＨ_２、ＮＨＲ^２（Ｒ^２は炭素数１〜１０のアルキル基を示す）及び酸無水物基のいずれかを表す。Ｒ^１は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、アルキル基、フッ素化アルキル基、アリール基及びフッ素化アリール基のいずれかを表す。Ａｒは、芳香族環を表す。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐光性、耐熱性、耐リフロー性及び耐温度サイクル性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】固体Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルにおいて、ピークトップの位置がケミカルシフト−４０ｐｐｍ以上０ｐｐｍ以下の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上、３．０ｐｐｍ以下であるピーク、及び、ピークトップの位置がケミカルシフト−８０ｐｐｍ以上−４０ｐｐｍ未満の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上５．０ｐｐｍ以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも１つ有するとともに、ケイ素含有率が２０重量％以上であり、シラノール含有率が０．１重量％以上、１０重量％以下であり、デュロメータタイプＡによる硬度測定値（ショアＡ）が５以上９０以下である。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性と高耐電圧性を達成できると共に半導体素子の被覆部と半導体素子の支持体との密着性を向上でき、高温での使用を可能にできる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置では、銅製の支持体３の上面３Ａに載置されたＳｉＣ ＧＴＯサイリスタ素子１の表面を被覆する第１の被覆部１５の表面１５Ａを被覆する第２の被覆部１６の環状の端部２３が支持体３の環状の嵌合溝２１に嵌合する。支持体３の嵌合溝２１に嵌合した第２の被覆部１６の環状の端部２３が支持体３に対するアンカーとしての役割を果たすので、支持体３との線膨張係数の差がかなりある第２の被覆部１６が高温時(例えば２００℃以上)に支持体３から剥離するのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ及びＮｉのような金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性や耐湿性、高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）分子内にジスルフィド基（−Ｓ−Ｓ−）を有する化合物を含有し、（Ｃ）分子内にジスルフィド基を有する化合物として、このＳ−Ｓ結合が金属面に対する配位が可能な構造の化合物を含有する封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板の上に配置されたＬＥＤチップをガラス体で封止した構成の発光ダイオードユニットを、各部材の劣化や破損を抑制しながら、短時間で製造することができる発光ダイオードユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融ガラス滴を固化させることにより、パッケージ基板に載置されたＬＥＤチップの発光面をガラス体で封止する。パッケージ基板は、溶融ガラス滴とパッケージ基板との間に介在する空気を逃がすための空気抜き部を備える。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性に優れる加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物を提供する。
【解決手段】加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物は、（Ａ）成分：下記式（１）で表されるケイ素化合物１００質量部と、（Ｂ）成分：縮合触媒０．００１〜１０質量部と、を含有する。（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ａ（（Ｒ^２）_２ＳｉＯ_２／２）_ｂ（（Ｒ^３）_３ＳｉＯ_１／２）_ｃ（ＳｉＯ_４／２）_ｄ（ＸＯ_１／２）_ｅ・・・（１）（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^３は同一または異なる１価の有機基であり、Ｘは水素原子または１価の有機基であり、ａは正数であり、ｂは０または正数であり、ｃは０または正数であり、ｄは０または正数であり、ｅは０または正数である（ただし、ａ〜ｅは以下の条件を満たす：ｂ／ａは０〜１０の数であり、ｃ／ａは０〜０.５の数であり、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）は０〜０.３の数であり、ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）は０．０１〜１．５の数である。） （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体チップ接着用樹脂を提供する。
【解決手段】重合可能な主樹脂成分と、主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤と、主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤とを含有させ、接着剤１２を構成される。この接着剤１２を基板１３に塗布し、半導体チップ１１を貼付し、加熱すると、主樹脂成分の自己重合反応によって形成される三次元網目構造の主鎖に対し、副硬化剤が付加重合する。付加重合による部分がゴム状構造になる第１の温度は、主鎖がゴム状構造になる第２の温度よりも低温なので、第１の温度で弾性率の低下率が急激に大きくなり、半導体チップ１１と基板１３の間の応力が緩和される。 （もっと読む）

【課題】 封止に好適な温度範囲で熱硬化させることが可能で、著しい高流動性を実現し、同時にガラス転移温度の高い耐熱性に優れた硬化物を与える硬化剤を提供し、さらに該硬化剤を含むエポキシ樹脂組成物、およびこれを硬化してなるエポキシ樹脂硬化物を提供すること。
【解決手段】 下記式（１）で表されるエポキシ樹脂硬化剤、該硬化剤を含むエポキシ樹脂組成物、およびこれを硬化してなるエポキシ樹脂硬化物。
【化１】


（Ｒ^１〜Ｒ^３は、Ｈ、炭素数１〜４の炭化水素基） （もっと読む）

【課題】可使時間を損なわずに、従来に比べ短時間に硬化が可能であり、且つ信頼性も優れた液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン化合物、および（Ｃ）２５℃で固体で１分子中にアルコール性水酸基を３個以上有する化合物を含むことを特徴とする液状封止樹脂組成物であり、好ましくは（Ｃ）化合物の含有量が０．１〜１０重量部であり、（Ｃ）化合物がペンタエリスリトール、キシリトール、又はＤ−マンニトールである液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】材料選択の自由度を向上させることが可能であると共に、高温加熱プロセスを必要とする半導体装置の作製においてボイドの発生を抑制することが可能な高分子化硬化剤及びその製造方法、樹脂組成物、半導体用接着剤並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の高分子化硬化剤は、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の反応により得られ、本発明の高分子化硬化剤の熱重量減少量は、（Ａ）エポキシ樹脂又は（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方の熱重量減少量が１０％より大きくなる温度において１０％以下である。本発明の高分子化硬化剤の製造方法は、高分子化硬化剤の熱重量減少量が、（Ａ）エポキシ樹脂又は（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方の熱重量減少量が１０％より大きくなる温度において１０％以下となるように、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を反応させる。 （もっと読む）

【課題】ウエハーレベルパッケージにおいて生産性の低下を招く擬似ウエハーの反りを抑制した液状封止樹脂組成物、およびこれを用いて作製した半導体パッケージを提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、および（Ｅ）低応力材を含有する液状樹脂組成物であって、固形成分が全液状樹脂組成物に対して８０重量％以上９５重量％以下含まれ、シリコンウェハーと液状樹脂組成物の硬化物の２層状態において式（１）により得られる内部応力値（σ）が２０ＭＰａ以下である液状樹脂組成物。


（但し、σは内部応力、Ｅｒｅｓｉｎ（Ｔ）は温度Ｔ℃における液状樹脂組成物の硬化物の弾性率、αｒｅｓｉｎ（Ｔ）は温度Ｔ℃における液状樹脂組成物の硬化物の線膨張係数、αｓｉ（Ｔ）は温度Ｔ℃におけるシリコンの線膨張係数。） （もっと読む）

【課題】ゲルタイムを速くすることでボイド発生がなく、硬化温度を下げることが可能な電子部品用液状樹脂組成物、及びこれにより封止された信頼性（耐湿性、耐温度サイクル性）の高い電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）液状芳香族アミン、（Ｃ）硬化促進剤として下記一般式（Ｉ）で表される構造を分子内に有する化合物を含有する電子部品用液状樹脂組成物。Ｒ^１及びＲ^５はそれぞれ独立に、炭素数１〜１８の二価の炭化水素基であり、Ｒ^２〜Ｒ^４はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の炭化水素基である。
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