【課題】基板上に発光素子および電極パッドを備えた半導体発光装置において、光取り出し効率の向上と光取り出し面内における輝度むらの低減を図ることができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１は、素子搭載面に設けられた凹部１２１と凹部の底面に設けられた電極パッド３２ｎ，３２ｐとを有する基板１０と、基板の素子搭載面に設けられて電極パッドに電気的に接続された少なくとも１つの発光素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆと、電極パッドを覆うように凹部に充填された光反射性樹脂５０と、を有する。光反射性樹脂は、発光素子の表面よりも投光方向前方に頂部を有し且つ頂部から凹部の側壁に至る表面が凹状面を有する。 （もっと読む）

【課題】透明で耐光性及び耐熱黄変性に優れたＬＥＤ封止材用エポキシ樹脂組成物、その組成物で封止されたＬＥＤ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、（Ａ）グリシジルエーテル化合物と（Ｂ）酸無水物硬化剤又はカチオン重合開始剤とを含み、かつ分子内に炭素−塩素結合を含む化合物を実質的に含まないことを特徴とするＬＥＤ封止材用エポキシ樹脂組成物、当該エポキシ樹脂組成物で封止されたＬＥＤ装置、及び当該エポキシ樹脂組成物を用いてＬＥＤチップを封止する工程を有するＬＥＤ装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】十分に高い光透過性と、低応力性とを両立する硬化物を形成できるウレタン樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の２液型ウレタン樹脂組成物は、ポリオール成分及び無機酸化物粒子を含むＡ液と、ポリイソシアネート成分を含むＢ液と、からなる２液型ウレタン樹脂組成物であって、ポリオール成分は、水酸基価が５５０〜９００ｍｇＫＯＨ／ｇである３官能以上のポリオールを含有し、ポリイソシアネート成分は、脂環基及び２個又は３個のイソシアネート基を有し、少なくとも１個のイソシアネート基が脂環基を構成する第二級炭素に結合している脂環式ポリイソシアネート化合物を含有し、波長５８９．３ｎｍにおけるＡ液から無機酸化物粒子を除いた液及びＢ液を混合することによって硬化して得られる硬化物の屈折率と、無機酸化物粒子の屈折率との差が、０．０２以下である。 （もっと読む）

【課題】 ５０℃における低い粘度と低吸湿性を発揮し、エポキシ樹脂と反応硬化させた場合に良好な機械特性を発揮するフェノール系化合物を提供すること。
【解決手段】 フェノール類と、芳香族アルデヒド化合物と、ホルムアルデヒドとを反応させて得られるフェノール系化合物であって、前記ホルムアルデヒドのモル数に対して前記芳香族アルデヒド化合物を０．１〜４．０倍モル用い、かつ、前記フェノール系化合物は、５０℃における粘度が０．０１〜１００Ｐａ・ｓであるフェノール系化合物とする。 （もっと読む）

【課題】 硬化後の液状エポキシ樹脂組成物のマイグレーションを防止し、かつ液状エポキシ樹脂組成物の保存時の増粘を抑制することを課題とする。したがって、保存特性に優れ、硬化後には耐マイグレーション性に優れた高信頼性の液状エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 （Ａ）アミノフェノール型エポキシ樹脂を含有する液状エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物硬化剤、および（Ｃ）イミダゾール化合物を含有し、（Ａ）成分が、エポキシ樹脂：１００重量部に対して、アミノフェノール型エポキシ樹脂を５〜９０重量部を含有することを特徴とする、液状エポキシ樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】 硬化後の液状樹脂組成物のマイグレーションを防止し、かつ液状樹脂組成物の保存時の増粘を抑制することを課題とする。したがって、保存特性に優れ、硬化後には耐マイグレーション性に優れた高信頼性の液状樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）特定構造のキサンチン類を含有することを特徴とする、液状樹脂組成物であり、好ましくは、（Ｃ）成分が、カフェイン、テオフィリン、テオブロミンおよびパラキサンチンからなる群より選択される少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】
フィラーを高充填しても低粘度で、かつ、ガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さい硬化物を得ることができるエポキシ樹脂組成物、この組成物からなる半導体封止材料、及び、この半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】
分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂、１分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物、エポキシ樹脂硬化剤及び硬化促進剤を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物、前記エポキシ樹脂組成物を用いた半導体封止材料、並びに、前記半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】封止材の充填不良（ボイド）が抑制され、封止材の注入速度を速めることを可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ１０に形成された電極をなす複数の外部端子１１と、パッケージ基材２０に形成された複数の引出配線２１とが接合され、複数の外部端子１１及び複数の引出配線２１が封止材により封止されたものである。半導体チップ１０においては、複数の外部端子１１からなる外部端子列１２が、外部端子列１２の延びる方向に対して交差する方向に複数配列しており、かつ、複数の外部端子列１２において、複数の外部端子１１のうち２以上がチップ辺１０Ｅに対して交差する方向に同軸配列している。 （もっと読む）

【課題】トランスファー成型性などの成型加工性が良好であり、高い耐光性および耐熱性を有する半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒および（Ｄ）無機フィラーを必須成分として含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物からなるパッケージを与える発光ダイオードのパッケージ用硬化性樹脂組成物であって、無機フィラーの添加量が全組成物中の７５〜９５重量％であり、パッケージが発光ダイオード素子を搭載するための平板状の形状を有し、発光ダイオードの発光出力が２０ｍＡで５ｍＷ以上である硬化性樹脂組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を実装する基板自体の反りを低減させると共に、効果的にシールド機能を実現させることができる安価なモジュール部品を提供する。
【解決手段】本発明に係るモジュール部品１００は、ランド・配線パターン３が形成された基板２に半導体部品１が実装され、基板２の表面に半導体部品１を被覆して設けられた樹脂５と、樹脂５の表面に積層された金属プレート７と、基板２のランド・配線パターン３と金属プレート７とを電気的に接続する導電性ペースト８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】硬化物の硬度が高く、耐熱着色性、耐ＵＶ着色性、強度、たわみに優れ、リフロー、ヒートサイクル下でもパッケージの損傷が少ない、電子材料分野や光半導体封止に適した熱硬化性樹脂組成物とそれに使用されるエポキシシシリコーン樹脂を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される、エポキシ当量が２００〜２０００ｇ／ｅｑ．であるエポキシシシリコーン樹脂、及びこれを含む熱硬化性樹脂組成物。
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【課題】電極間の位置ずれを抑制できる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、ディスペンサーを移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を、除去装置により除去する工程と、異方性導電ペースト層上に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。除去装置により除去する前の異方性導電ペースト層３Ａにおいて、第１の領域を除去装置１４により除去するか、又は塗布量が多い第２の領域を除去装置により除去する。 （もっと読む）

【課題】
低粘度化による液状性と反応性を保持しつつ硬化物の低弾性率化と高靭性化をはかることができる、液状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
常温で液状であるエポキシ樹脂組成物であって、組成成分として、
ａ）常温で液状であるエポキシ樹脂、
ｂ）ポリビニルアセタール系改質材、
ｃ）硬化剤及び硬化促進剤、
ｄ）フィラー
を含有し、前記したポリビニルアセタール系改質材の配合割合は、常温で液状であるエポキシ樹脂１００質量部に対して、０．５〜２０質量部の範囲内であり、かつ、液状エポキシ樹脂組成物の全体量に対して、０．５〜７質量％の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】良好なゴム性能及び優れた電気絶縁性を有しながら、高い熱伝導率を有する付加反応硬化型シリコーンゴム組成物を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）〜（Ｄ）成分を含む付加反応硬化型シリコーンゴム組成物。
（Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を含有するジオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｃ）白金族金属系触媒、及び
（Ｄ）黒鉛化処理後に結晶構造に欠陥を生じさせた炭素繊維。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィルにより樹脂封止された半導体チップを、樹脂残渣少なく且つ基板表面を傷つけることなく配線基板から取り外すことができるようにする。
【解決手段】 配線基板10上にはんだバンプ8を介して半導体チップ1が搭載され、封止樹脂9により封止されている半導体装置において、封止樹脂9にはシロキサン骨格を有する多層構造の粒子が添加されている。半導体チップ1をリペアする際には、加熱して封止樹脂9の密着強度を低下させた状態で剥離用プレート12を、配線基板10と半導体チップ1との隙間に挿入して〔（ｂ）図〕、封止樹脂９を配線基板10から剥離し、半導体チップ1を取り除く〔（ｃ）図〕。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率と低誘電率、高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が球状アルミナと球状シリカとの混合物を含み、且つ（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物であり、好ましくはｐＨ値が７以上である液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】注入性に優れ、フィレットクラックおよびボイドの発生が抑制され、ガラス転移温度の低下が抑制された半導体樹脂封止材の提供。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）アミン系硬化剤、（Ｃ）フィラー、（Ｄ）コアシェルゴム、および、（Ｅ）反応性希釈剤よりなり、前記（Ｅ）反応性希釈剤が、１分子中に２以上のグリシジル基を含む化合物からなり、前記（Ｂ）アミン系硬化剤の含有量が、前記（Ａ）エポキシ樹脂および前記（Ｅ）反応性希釈剤のエポキシ当量に対して、０．５〜１．５当量であることを特徴とする半導体樹脂封止材。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂の表面がシールド層で被覆された電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際に、リフロー工程において前記電子回路モジュール部品に発生する不具合を低減すること。
【解決手段】電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、電子部品２が実装された基板３と、空隙を有し、電子部品２の少なくとも一部と接する第１樹脂４と、第１樹脂４を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率の低い第２樹脂９と、少なくとも第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続された金属層５と、金属層５に設けられ、かつ少なくとも第１樹脂４の一部を金属層５の外部に露出させる開口部５Ｈと、電子部品２の側面２Ｓと接する第１樹脂４と、電子部品２の側面２Ｓと対向する位置に設けられる金属層５との間に、第２樹脂９を介在させた封止部１０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】シールド構造を具備したモジュール部品において、小型・薄型化を低コストに実現する。
【解決手段】モジュール部品１０では、シールド構造として上面を比較的安い金属材料からなる金属薄膜７で構成し、側面のみ高価な導電性樹脂層８で形成することによって、導電性樹脂の使用量を減らしコスト低減を図る。
また、第１の絶縁性樹脂層５、第２の絶縁性樹脂層６を形成した後に、モジュール部品単位に個片化を行う。その後、比較的剛性のあるキャリア１４上に再配置し導電性樹脂層８を形成することで、導電性樹脂層８の硬化収縮による反りをキャリア１４によって抑制する。従って、高い精度で導電性樹脂層８をダイシングできることから、安定したシールド特性を得る。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２で作製された表面保護膜とポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂で作製されている被覆部との間に不均一な電荷分布が発生するのを回避して耐電圧性の低下を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。また、ＳｉＯ_２表面保護膜１６と被覆部２３との境界面を高電界がかかる表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６とワイドギャップ半導体(ＳｉＣ等)との界面から離すことにより、表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６と被覆部２３との境界面の電界を低減できる。これにより、表面保護膜１６と被覆部２３との境界面での絶縁破壊を防止できる。 （もっと読む）