【課題】センシング部を露出させるようにセンサチップの一端側をモールド樹脂で封止して、センサチップを基板に片持ち支持させたときに、モールド樹脂によってセンサチップに加わる応力を低減しつつ、センシング部における樹脂バリの発生を防止する。
【解決手段】センサチップ２０の一端側を基板１０の一面１１に支持させ、これをモールド樹脂３０によって封止し、センシング部２１が位置する他端側をモールド樹脂３０より露出させるとともに、センサチップ２０の一端側は、モールド樹脂３０による応力を緩和する応力緩和樹脂７０を介してモールド樹脂３０で封止されており、さらに、応力緩和樹脂７０のうちモールド樹脂３０の外側のはみ出し部７０ａは、樹脂成形時に金型２００に密着し金型２００から荷重を受けることで、応力緩和樹脂７０のうちモールド樹脂３０の内部に位置する部位よりも薄いものとなっている。 （もっと読む）

配合物中の成分としてジビニルベンゼンジオキシドを含む、低粘度強化エポキシ樹脂配合物。この配合物は熱硬化性ポリマーの製造に有用である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワーチップで発生した熱およびスイッチングノイズによるＩＣへの影響を低減することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体装置は、スイッチング動作を行うパワーチップ１と、パワーチップ１を制御するＩＣ２と、パワーチップ１とＩＣ２とをモールド樹脂で封止したパッケージ３と、パッケージ３のパワーチップ１とＩＣ２との間に形成された貫通穴４とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半田を介して半導体チップをダイパッドの上面に接合した状態で封止樹脂により封止した半導体パッケージにおいて、ダイパッドと半導体チップとの剥離を防止する。
【解決手段】ダイパッド３に、その厚さ方向に貫通すると共に前記ダイパッド３の側面３ｄに開口する凹部１３と、前記ダイパッド３の上面３ａから前記ダイパッド３の厚さ方向に窪むと共に前記凹部１３に対して前記上面３ａの周縁よりも内側に間隔をあけて配される有底の係合穴１５とが形成され、前記凹部１３及び前記係合穴１５が、それぞれ前記上面３ａの周縁に沿って複数配列されている半導体パッケージを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板にフリップチップ接続する際に、接着強度を良好にしつつ、アンダーフィル樹脂のフィレット形状が安定的に均等になるようにする。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２上にフリップチップ接続された半導体チップ１３０と、基板１０２と半導体チップ１３０との間に形成され、フィレット１２０ａを含むアンダーフィル樹脂１２０とを含む。アンダーフィル樹脂１２０は、半導体チップ１３０と平面視で重なる領域の少なくとも一部において第１の樹脂層１２２と第２の樹脂層１２４とが積層された構成を有し、第１の樹脂層１２２と第２の樹脂層１２４の少なくとも一方は、半導体チップ１３０と平面視で重なる領域とフィレット１２０ａとにわたって形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラウンド層と電気的に接続された柱状部材とシールドケースとの間の電気的接続信頼性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】配線基板１１に設けられたパッド２８と対向する第１の端面６１Ａ、第１の端面６１Ａを構成する第１の端部１５Ａ、シールドケース１９と対向する第２の端面６１Ｂ、第２の端面６１Ｂを構成する第２の端部１５Ｂ、及び第１及び第２の端面６１Ａ，６１Ｂを貫通する貫通孔６２を備え、金属材料により構成された柱状部材１５と、柱状部材１５の第１の端部１５Ａとパッド２８とを接合する第１の導電性ペースト１３と、柱状部材１５の第２の端部１５Ｂとシールドケース１９とを接合する第２の導電性ペースト１８と、を設けた。 （もっと読む）

【課題】 耐マイグレーション性が良好であり、その他の成形性、信頼性にも優れる電子部品用液状樹脂組成物及びこれにより封止された電子部品装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）常温液体の環状酸無水物、（Ｃ）カップリング剤、（Ｄ）酸化防止剤を含有する電子部品用液状樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】基板剛性の確保と、リペアの容易性の両立を図る。
【解決手段】電子部品２・３・４・５が実装された基板１の製造方法であって、基板１の電子部品２・３・４・５が実装された面を覆うフィルム６を接着材により貼付するフィルム貼付ステップと、そのフィルム貼付ステップによって貼付されたフィルム６の上に補強用の樹脂７を形成する補強材形成ステップと、を含む。具体的には、基板１及び電子部品２・３・４・５にフィルム６を接着する接着材は、基板１に対する剥離強度において、樹脂７より低いものである。 （もっと読む）

【課題】金型にガラス材が付着したり、ガラス材の上面が所期形状に対し変形することのない発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】搭載部３上の発光素子２がガラス材６０により封止される発光装置の製造方法であって、ガラス材６０の上面にガラス材６０よりも融点が高い非ガラス材のコート膜７を形成するコート膜形成工程と、コート膜７を介してガラス材６０の上面に金型９２の成型面９２ａを接触させるとともにガラス材６０の下面を搭載部３に接触させてガラス材６０を加熱により軟化させて搭載部３上の発光素子２を封止する封止工程と、を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】基板に実装された電子デバイスに欠陥があることが判明した場合、欠陥のある電子デバイスの除去が容易で、簡単に交換可能な電子デバイスを提供する。
【解決手段】低温除去性層２６及び接着剤層１６を電子デバイス１８又はベース絶縁層１０に塗布し、この接着剤層１６を使用して電子デバイス１８をベース絶縁層１０に固定しておく。この低温除去性層２６を有する電子デバイス１８を実装基板に実装することにより、欠陥を発見した電子デバイス１８は剥離し、新しい電子デバイス１８に交換することが出来る。 （もっと読む）

【課題】エポキシ樹脂、及び無機充填材を含有する樹脂組成物において、従来より低粘度で流動性を有する樹脂組成物、半導体封止用液状樹脂組成物、アンダーフィル用液状樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材およびポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤を必須成分とし、前記ポリオキシエチレンを構造中に含む界面活性剤は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする樹脂組成物である。
【化１】


（式中、Ｒ_１はＣ_ｍＨ_２ｍ＋１−０であり、ｍは１〜３０の整数、ｎは、１〜６０の整数、Ｒ_２はＨを表す。） （もっと読む）

【課題】剥離の進行を抑制可能な回路装置を提供する。
【解決手段】本発明では、半導体素子２４付近の導電パターン１６の上面に、半田ダム２２から成る剥離抑制手段を設けている。具体的には、回路基板１２の上面を被覆する絶縁層２６の上面に導電パターン２６を設け、この導電パターン１６はソルダーレジスト３２により被覆されている。そして、ソルダーレジスト３２に設けた開口部から露出する導電パターン１６に半導体素子２４が固着されている。そして、この半導体素子２４の近傍に帯状に半田ダム２２が形成されている。従って、半導体素子２４の周辺部にて導電パターン１６とソルダーレジスト３２との剥離が発生しても、半田ダム２２によりこの剥離の進行が抑制される。 （もっと読む）

【課題】封止材形成により発生する半導体装置の反りを低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、基板１、基板５、半導体チップ２、半導体チップ３、ダミーチップ４、封止材６、シート１１、シート１２、フィルム１３、フィルム１４、絶縁層１５、接続端子１６ａ乃至ｇ、ボール端子１７ａ乃至ｇ、リード端子１８ａ乃至ｄ、ボンディング端子１９ａ乃至ｄ、及びボンディングワイヤ２０ａ乃至ｄが設けられる。基板１上には、シート１１、半導体チップ２、シート１２、半導体チップ３、フィルム１３、ダミーチップ４、フィルム１４が積層形成される。シート１１、半導体チップ２、シート１２、半導体チップ３、フィルム１３、及びダミーチップ４は、封止材６で気密封止される。封止材６とフィルム１４上には、基板１と同じ形状で同じ熱膨張係数を有する基板５が設けられる。 （もっと読む）

半導体モジュールパッケージのための一体化された電磁干渉（ＥＭＩ）シールドである。一体化されたＥＭＩシールドは、パッケージの基板内の接地面とパッケージのモールド化合物の上端上にプリントされた導電層との間に電気的に接続された複数のワイヤボンドばねを含む。ワイヤボンドばねは、ワイヤボンドばねの上端と導電層との間の電気的接続によるコンタクトを与えるばね効果を生じさせる、定められた形状を有する。ワイヤボンドばねを、モジュールパッケージ内において、パッケージに含まれる装置すべてまたはその一部の周りのいずれかの場所に配置することにより、これらの装置の周りに完全なＥＭＩシールドを形成する。
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【課題】半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、ワイヤ流れにより隣接リード端子に接触することを、完全に防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１を載置する載置片１０及び基端部１１ａ〜１５ａを備えたリード端子１１〜１５で構成されるリードフレーム９において、半導体素子１の接続端子とリード端子１１〜１５の基端部１１ａ〜１５ａとの間にワイヤ２１〜２５が接続されると共に、封止樹脂によりモールドされて形成される半導体装置１ａを、封止樹脂によりモールドされる際に、注入された該封止樹脂の流動圧力により生じるワイヤ流れによりリード端子１２，１４と隣接する隣接リード端子１１，１５の基端部１１ａ，１５ａに接続されたワイヤ２１，２５が、リード端子１２，１４に接触することを防止するための接触防止手段３１ａ，３１ｂを、リード端子１２，１４の基端部１２ａ，１４ａに備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】ヒートサイクル時の応力を低減でき、アンダーフィルの密着性が高く、しかも流動性が良好でありブリードが発生することもないアンダーフィル用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】常温で液状のエポキシ樹脂、硬化剤、および硬化促進剤を必須成分とするアンダーフィル用エポキシ樹脂組成物であって、アミノシランカップリング剤とエポキシ基含有オルガノポリシロキサンとの反応生成物であるアミノ変性シロキサンをアンダーフィル用エポキシ樹脂組成物の全量に対して０．１〜１質量％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程によって製造することができ、従って製造コストの安価な小型高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】配線基板と、前記配線基板上に搭載された回路部品と、前記配線基板上に搭載され、前記配線基板によって前記回路部品に電気的に接続された導電性部材と、前記回路部品及び前記導電性部材の上側を覆う絶縁性部材と、前記絶縁性部材の上に形成され、前記導電性部材に交流的に結合した電極を含む導電膜を具備した高周波回路モジュール。 （もっと読む）

【課題】印刷法によって形成される配線層の下地として用いられたときに、良好なパターン形成性で配線層を形成することを可能にする絶縁層を提供すること。
【解決手段】配線層形成用インクを印刷する方法によって形成される配線層の下地用の絶縁層であって、絶縁性樹脂組成物及び溶媒を含有する絶縁体インクを加熱硬化することにより形成され、配線層形成用インク中の溶媒の表面自由エネルギーγ_ａ及び当該絶縁層の表面自由エネルギーγ_ｂがγ_ｂ−γ_ａ＝−１０〜１５ｍＪ／ｍ^２を満たす、絶縁層。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおけるＣＭＯＳイメージセンサー用途として好適な、厚膜、低収縮、低応力の封止を維持しつつ基材及び透明ガラスとの密着性が改善された、シロキサン構造を有する感光性樹脂組成物、及び該感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂層付き基材を得ることを目的とする。
【解決手段】エポキシ基が比較的高濃度に存在する部位とエポキシ基が比較的低濃度又は存在しない部位とが存在する特定構造のオルガノポリシロキサンを、オキセタン化合物、エポキシシリコーン化合物及び光開始剤とともに含有させてなる感光性樹脂組成物、及びこれを用いて形成される樹脂層を有する樹脂層付き基材の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子搭載用基板に必要とされる光学特性及び耐熱着色性等の各種特性に優れるとともに、トランスファー成形法等による成形加工性に優れる熱硬化性光反射用樹脂組成物、及びそのような樹脂組成物を使用して、信頼性の高い光半導体導体素子搭載用基板及び光半導体装置、並びにそれらを効率良く製造する方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料、（Ｆ）添加剤及び（Ｇ）離型剤を含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、 樹脂組成物をトランスファー成形して成形金型から離型することで得られる成形品の離型面における表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ^２以下であり、樹脂組成物の硬化後の光波長４００ｎｍにおける光拡散反射率が８０％以上である熱硬化性光反射用樹脂組成物を調製し、使用する。 （もっと読む）