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Fターム[4M109EC05]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 材料特性 (3,974) | 耐熱性、耐ハンダ浴性、耐熱衝撃性 (589)

Fターム[4M109EC05]に分類される特許

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【課題】 アルミニウム材への初期密着強度に優れ、かつ冷熱サイクル負荷や150℃以上の高温下での環境負荷に対する耐久性に優れる電気電子部品封止用樹脂組成物、およびこれを用いた電気電子部品封止体を提供する。
【解決手段】 ポリカーボネート成分が共重合されている結晶性ポリエステル樹脂(A)、 エポキシ樹脂(B)、 フッ素樹脂(C)、 を含有し、 水分率0.1%以下に乾燥して220℃に加熱し圧力1MPaを付与し、孔径1.0mm、厚み10mmのダイより押し出したときの溶融粘度が5dPa・s以上3000dPa・s以下である、電気電子部品封止用樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】 成形性と耐半田性に優れ、耐湿信頼性にも優れた封止用エポキシ樹脂組成物、及びこの封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で素子が封止されている電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)無機充填材、及び、(D)一般式(1)で示されるシラン化合物、を含有する封止用エポキシ樹脂組成物であって、前記(D)成分が、純度が98.5〜99.5質量%であり、炭素数1〜5の一価のアルコールの含有量が1000〜2500ppmであり、分子内にメルカプト基を有しないシラン化合物の含有量が8000ppm未満であることを特徴とする、封止用エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】高い光反射性を有し、耐熱性及び耐光性に優れ、なおかつ強靭であり、光反射性が経時で低下しにくい硬化物を与える硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】脂環式エポキシ化合物(A)と、アルミナ(B)と、25℃における粘度が8000mPa・s以上の脂肪族ポリグリシジルエーテル(C)と、白色顔料(D)とを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。上記硬化性エポキシ樹脂組成物は、さらに、硬化剤(E)及び硬化促進剤(F)、又は硬化触媒(G)を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体を用いたFETを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたFETが形成されたチップ30と、前記チップがAgペースト22を用い搭載されたベース12と、前記チップ30を封止するガラス転移温度が190℃以上の樹脂20と、を具備する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】透明性および耐熱性に優れながら、熱可塑性および熱硬化性を併有し、かつ、熱硬化温度を低下させることができ、さらに、柔軟性にも優れるシリコーン樹脂組成物、そのシリコーン樹脂組成物からなる封止層、シリコーン樹脂組成物を含有するリフレクタ、および、それらを備える光半導体装置を提供すること。
【解決手段】式(1)で表される基を有するかご型オクタシルセスキオキサンと、かご型オクタシルセスキオキサンのヒドロシリル基のモル数より多いモル数のアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒と、オルガノハイドロジェンポリシロキサンとを含有するシリコーン樹脂組成物から形成される封止層7を、光半導体装置11に設ける。
【化1】 (もっと読む)


【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れ、また、高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる硬化物を形成でき、更には物理的、化学的安定性にも優れる含フッ素ポリマー、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物を提供する。
【解決手段】本発明は、下記式(L):
[化1]


(式中、X及びXは、同一又は異なり、H又はFである。Xは、H、F、CH又はCFである。X及びXは、夫々同一又は異なり、H、F又はCFである。Rfは、炭素数4〜40の含フッ素炭化水素基、又は、炭素数5〜100のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基である。aは0〜3の整数である。b及びcは同一又は異なり、0又は1である。)で表される構造単位を有する含フッ素ポリマーである。 (もっと読む)


【課題】電子材料分野や光半導体封止に適したエポキシシリコーン樹脂の提供。
【解決手段】一般式(1)で表され、エポキシ当量が200〜2000g/eq.であるエポキシシシリコーン樹脂。


(式中、E1はエポキシ基を有する1価の有機残基であり、Zはノルボルネン構造を有する2価の基である。) (もっと読む)


【課題】ガラス転移温度の高い成形品を得ることができ、成形時の流動性に優れ、保存安定性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、4級ホスホニウム化合物、および無機充填剤を含有し、フェノール樹脂硬化剤として結晶性フェノール化合物を含有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】無機充填剤を高充填しても低粘度で、かつ、ガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さい硬化物を比較的低温且つ短時間で得ることができるアンダーフィル材料、及び、このものを用いて実装されてなる半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】式(I)で表される脂環式エポキシ樹脂AとビスフェノールF型液状エポキシ樹脂、酸無水物硬化剤、マイクロカプセル型潜在性エポキシ樹脂硬化促進剤、及び、平均粒径5μm以下の球状シリカを含有し、(脂環式エポキシ樹脂Aの重量)/(エポキシ樹脂全体の重量)で0.2〜0.8であるアンダーフィル材料、並びに、該アンダーフィル材料を用いた半導体装置及びその製造方法。
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【課題】
DMA法により測定した0℃での貯蔵弾性率が0〜150MPaの範囲である硬化物を与える硬化性樹脂組成物は、特に光学特性、ヒートサイクル耐性が必要な材料、例えば、光半導体用(LED製品など)の封止材としてきわめて有用な樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
(1)
硬化物の、DMA法により測定したガラス転移温度(Tg)が−10〜10℃の範囲であり、DMA法により測定した0℃での貯蔵弾性率が0〜150MPaの範囲である光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
(2)
エポキシ樹脂(A)及びエポキシ樹脂硬化剤を含有する、(1)に記載の光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
(3)
エポキシ樹脂(A)が、シリコーン骨格エポキシ樹脂である、(2)に記載の光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
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【課題】 狭い隙間への含浸性が優れ、充填剤の沈降及びボイドの発生が少ない液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体等の素子の回路形成面が基板の回路形成面とバンプを介して対向するようにフリップチップ実装し、素子と基板の隙間に該樹脂組成物を充填した高成形性、高信頼性の電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤及び(C)無機充填剤を必須成分とし、必要に応じ(D)硬化促進剤を含む、無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、回転式粘度計の回転数n及びn(n/n<0.5)で測定した粘度比ηすなわちチキソトロピック指数が、0.8より小さい液状エポキシ樹脂組成物を用いる。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィー性を有し、光硬化と加熱硬化とを組み合わせて硬化させることができるシリコーン樹脂組成物を用いることにより所望の硬化薄膜を高精度で容易に形成することができる硬化薄膜の製造方法を提供する
【解決手段】(A)分子中に2つ以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(B)分子中にケイ素原子に結合した水素原子を2つ以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び(C)光活性型触媒を含有する光硬化型シリコーン樹脂組成物を硬化させて硬化薄膜を形成する方法であって、
(i)該組成物を基板上に塗布し、(ii)得られた塗膜に光を照射して半硬化状態の薄膜を得、及び(iii)該半硬化状態の薄膜を加熱して完全に硬化する工程を含み、
前記の工程(ii)で照射される光のスペクトルが、300nm〜400nmの波長領域に最大ピークを有し、かつ、300nmより短い波長領域におけるいずれの波長の光においても分光放射照度が前記最大ピーク波長の光の分光放射照度の5%以下である方法。 (もっと読む)


【課題】高い耐熱性、耐光性を有し、ガスバリア性および耐冷熱衝撃性に優れ、かつ、光半導体素子を封止する際のハンドリング性が良好なポリシロキサン系組成物を提供する。
【解決手段】(A)アルケニル基およびヒドロシリル基を含有する多面体構造ポリシロキサン系化合物(a)同士をヒドロシリル化して得られるポリシロキサン化合物(b)、1分子中にヒドロシリル基もしくはアルケニル基を2個以上有する化合物(c)、1分子中にヒドロシリル基もしくはアルケニル基を1個有する有機ケイ素化合物(d)とをヒドロシリル化反応させて得られる多面体構造ポリシロキサン変性体、(B)トリアジン系有機化合物からなることを特徴とするポリシロキサン系組成物。 (もっと読む)


【課題】エポキシ硬化剤として有用な新規なフェノール樹脂、該フェノール樹脂の製造方法、及び該フェノール樹脂の使用を提案すること。
【解決手段】一般式(1)で表されるフェノール樹脂、及び該フェノール樹脂をエポキシ樹脂硬化剤として含有するエポキシ樹脂組成物。


(式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アリール基又は水酸基のいずれかであり、n、qは、それぞれ独立して、0〜4の整数であり、pは、それぞれ独立して、0〜3の整数であり、Xは、置換基を有してよいアルキレン基であり、mは、0〜30の整数である) (もっと読む)


【課題】低粘度で取り扱いが容易であり、かつ硬化物が良好な長期耐熱性及び機械特性を有する樹脂組成物及びその半導体封止材料への利用方法を提供する。
【解決手段】(A)2以上12以下の−OCN基を有するシアン酸エステル化合物100重量部、(B)1以上11以下のフェノール性水酸基を有するフェノール化合物1〜200重量部、(C)無機充填剤1〜1000重量部を含有し、かつ無機充填剤を除いた樹脂成分にたいして(D)有機金属化合物の含有量が100ppm以下である、熱硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】エポキシ樹脂組成物にした際に溶解性が良好であり、かつ、エポキシ樹脂硬化物に高い耐熱性を付与できるエポキシ樹脂用硬化剤として用いることができる、新規なカリックスアレーン系化合物を提供する。
【解決手段】下記式(I−1)で示される特定構造を有するカリックスアレーン系化合物。
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【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ステージ及び圧着ヘッドを有する圧着装置によって半導体チップと基板との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、接着剤層をなす接着剤組成物は、350℃における溶融粘度が350Pa・s以下であり、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が300℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方を提供する。 (もっと読む)


【課題】低誘電率、低誘電正接、優れた耐熱性および難燃性を兼ね備え電子部品用途に好適な硬化物を与える活性エステル樹脂、熱硬化性樹脂組成物、及びそれからなる半導体封止材料、回路基板、ビルドアップフィルムを提供すること。
【解決手段】


(nは1以上の整数)と芳香族モノ及び/又はジカルボン酸のエステル樹脂(A)および、(A)を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物、該組成物の硬化物、該硬化物からなる半導体封止材料、回路基板、およびビルドアップフィルム。 (もっと読む)


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