【課題】組み立て時の手間を軽減しながら、一方の音道の音波を他方に対して遅延させて音を検知可能な範囲（指向性の範囲）を広げることが可能なマイクロホン装置を提供する。
【解決手段】このＭＥＭＳマイク１０（マイクロホン装置）は、音波により振動するダイアフラム１４１を含み、ダイアフラム１４１の振動に基づいて音波を電気信号に変換する振動部１４と、内部に振動部１４を収容するとともに、ダイアフラム１４１の下面に音波を導く第１音道１７１と、ダイアフラム１４１の上面に音波を導く第２音道１７２とを含むマイクロホン筐体１７とを備え、第１音道１７１には、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして第２音道１７２に対して音波を遅延させる音波遅延部１２１ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】測定精度が低下してしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、可動電極７と、可動電極７との共働で第１の静電容量発生部１３を形成する第１の固定電極８Ａと、可動電極７との共働で第２の静電容量発生部１４を形成する第２の固定電極８Ｂと、可動電極７を保持するばね部９と、を備えている。そして、第１の静電容量発生部１３と第２の静電容量発生部１４とが、可動電極７の重心Ｇを挟んで、可動電極７の移動方向の前後に配置されている。 （もっと読む）

【課題】複数種類の物理量を測定するセンサに好適な計測装置のインタフェース装置を提供する。
【解決手段】複数の容量型センサの各出力が供給されるべき入力部(10)と、供給される切替指令信号に応じて上記入力部に供給される複数の容量型センサのいずれかの出力を選択するセンサ選択部(21)と、選択された容量型センサの出力をデジタル値に変換する信号変換部(22)と、デジタル値を含む伝送可能な電気信号を形成する出力部(23)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】感度の高い静電容量トランスデューサの製造方法を提供する。
【解決手段】一連の可動フィンガおよび一連の固定フィンガのうちの一方の位置を画定するために、基体上の層に第１エッチングマスクを適用する。一連の可動フィンガ、一連の固定フィンガ、本体及びばねを画定するために、第２エッチングマスクを適用する。本体は一連の可動フィンガ及びばねに接続され、一連の可動フィンガは一連の固定フィンガと相互に入り込む。第２エッチングマスクを使用して、層および第１エッチングマスクをエッチングする。第１エッチングマスクを使用して、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガとのうちの一方が、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガのもう一方より短くなるように、エッチングされた層をエッチングする。力が本体に加わったときに、本体が基体に対して平行に動くように、本体、ばね及び一連の可動フィンガをエッチングを用いて分離する。 （もっと読む）

【課題】間隙底面の絶縁層の平坦性のバラツキにより生じるセル間及びセルを含むエレメント間の絶縁破壊強度のバラツキを低減した電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置の製造方法において、第一の基板１の上に第一の絶縁層２を形成し、第一の絶縁層２の一部を第一の基板１まで除去して隔壁３を形成し、第一の絶縁層２の一部が除去された第一の基板１の領域上に第二の絶縁層１０を形成する。次に、第二の基板１８を隔壁３の上に接合して間隙２４を形成し、第二の基板１８から、間隙２４を介して第二の絶縁層１０と対向する振動膜２３を形成する。隔壁３を形成する工程では、第一の基板１に垂直な方向において間隙２４側の高さが中央部の高さよりも低くなるように隔壁３を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路素子を縦積みにした半導体装置において、半導体素子と回路素子を結ぶ接続用配線の寄生抵抗を小さくし、さらに接続用配線どうしの短絡が起きにくくする。
【解決手段】基板４５の上面にバンプ接合パッド６１を設け、回路素子４３のバンプ７０をバンプ接合パッド６１に接続する。バンプ接合パッド６１は、パターン配線６４によってカバー４４との対向面に設けられた基板側接合部６９に接続されている。カバー４４の下面にはマイクチップ４２が実装される。カバー４４の、基板４５と対向する面には第１の接合用パッド（ボンディング用パッド４８、カバー側接合部４９）が設けられ、マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によって第１の接合用パッドに接続される。カバー４４の第１の接合用パッドと基板４５の基板側接合部６９は導電性材料６５によって接合されており、その結果マイクチップ４２と回路素子４３が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの小さい電気機械変換装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】電気機械変換装置１は、第１電極４と、間隙５を隔てて第１電極４と対向して設けられた第２電極６を備える振動膜７と、振動膜７を支持する支持部８と、で構成されるセルを複数有する。間隙５の外周部に、間隙５との間で支持部８の一部を介在させて、振動膜７と支持部８との間の段差を小さくするための構造物１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】セルを配置した基板を支持する支持部材に進入する弾性波を低減して、支持部材内で反射する弾性波による送受信特性の劣化を抑制することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、第２の電極１０５と間隙１０４を介して対向して設けられた第１の電極１０２を含む振動膜１０１を夫々有する複数のセル２００を基板１０６上に備え、送信動作及び受信動作の少なくとも一方を行う。基板１０６は、支持部材１１０との間にスペーサー間隙１１２が形成されるように、スペーサー手段１１１を介して支持部材１１１により支持される。セルを備えた基板１０６の面とは逆側の基板１０６の裏面と、この裏面に対向した支持部材１１０の面と、の間にスペーサー間隙１１２が形成され、スペーサー間隙内は、均一の気体または液体で満たされた状態に保たれている。 （もっと読む）

【課題】マイクチップと回路素子を縦積みにした半導体装置の耐ノイズ性を向上させる。
【解決手段】カバー４４と基板４５を上下に重ね合わせることによってパッケージを形成する。カバー４４に設けた凹部４６の天面にはマイクチップ４２が実装され、基板４５の上面には回路素子４３が実装される。マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によってカバー下面のパッド４８に接続され、回路素子４３はボンディングワイヤによって基板上面のパッドに接続される。カバー下面のパッド４８に導通したカバー側接合部４９と基板上面のパッドに導通した基板側接合部６９は、導電性材料８６によって接合される。ボンディング用パッド４８及びカバー側接合部４９の近傍において、カバー４４内には電磁シールド用の導電層５５が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面側からエッチングすることにより、基板裏面における開口面積が基板表面における開口面積よりも小さな空洞を基板に形成することができる音響センサを提供する。
【解決手段】基板４２には、その表面から裏面へ貫通するように空洞４４を設ける。空洞４４の上方において、基板４２の上方には音響振動を感知する薄膜のダイアフラム４３を設ける。空洞４４の少なくとも１つの壁面は、基板４２の表面とその厚み方向中間部との間において、基板４２の表面から前記中間部へ向かうにつれて次第に基板４２の外側へ向かって広がった第１の斜面４７ａと、前記中間部と基板４２の裏面との間において、前記中間部から基板４２の裏面へ向かうにつれて次第に基板４２の内側へ向かって狭まった第２の斜面４７ｂとで構成される。また、空洞４４の裏面開口幅が表面開口幅よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】複数のセンサー素子間での特性バラツキを抑制し、所望の歩留まりが得られる超音波アレイセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】超音波アレイセンサーにおいて、センサー素子２は、圧電体層８の平面パターンが下部電極５の平面パターンよりも外側にはみ出しておらず、上部電極３の平面パターンが圧電体層８の平面パターンよりも外側にはみ出していない。下部電極引き回し配線６は、コンタクトホール１３を介して下部電極５と電気的に接続され、コンタクトホール１３の箇所を除いて圧電体層８の一面上に配置されている。上部電極引き回し配線４は、下部電極引き回し配線６の延在方向と交差する方向に延在して上部電極３と一体に形成され、圧電体層８の一面上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 （もっと読む）

【課題】サポート部材を用いてマイクロフォンを形成するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】マイクロフォンを形成するための方法は、バックプレート、およびウェットエッチングの犠牲層の少なくとも一部分の上の可撓性の振動板を形成する。この方法は、ウェットエッチングのレジスト材料を追加し、ウェットエッチングのレジスト材料は、振動板を支持するように、振動板とバックプレートとの間に配置される。ウェットエッチングのレジスト材料の一部は、振動板とバックプレートとの間には配置されない。方法はその後、上述の追加の間に追加されたウェットエッチングのレジスト材料の一部を除去する前に、犠牲材料を除去する。その後、ウェットエッチングのレジスト材料は、犠牲材料の少なくとも一部が除去された後に、実質的にその全体が除去される。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの低減及びキャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行うと共に、素子自体のコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供する。
【解決手段】基板側電極２に対向するように、シリコン単結晶からなる上部板１を配置し、上部板１に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、ＩＣ回路の不純物領域である集積回路部５を設け、振動素子１０にて変換効率の向上及び生産性向上、実装システムのコンパクト化を実現する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの低減及びキャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行うと共に、素子自体のコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供する。
【解決手段】基板側電極２に対向するように、シリコン単結晶からなる上部板１を配置し、基板３と上部板１との間に、上部板１を保持する保持部３１を介在させる。保持部３１に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、ＩＣ回路の不純物領域である集積回路部５を設け、振動素子１０にて変換効率の向上及び生産性向上、実装システムのコンパクト化を実現する。 （もっと読む）

【課題】 テーパー面を備えた膜支持部を有する微小機械音響トランスデューサを提供する。
【解決手段】 微小機械音響トランスデューサの製造方法は、基板構成の第１主面上に、第１のエッチング速度およびこれより低い第２のエッチング速度をそれぞれ有する第１および第２の膜支持材料の連続的な層を堆積させるステップを含んでいる。次いで膜材料層が堆積される。キャビティが、膜支持材料および膜材料の反対側にある基板構成の側から、少なくとも当該キャビティが第１の膜支持材料層へ延長するまで、基板構成内に形成される。第１および第２の膜支持材料層は、同様に第１の領域を囲む第２の領域にあるキャビティの延長部分に位置する少なくとも１個の第１の領域のキャビティを通してエッチング剤を適用することによりエッチングされる。エッチングにより、第２の領域内の第２の膜支持材料層の上にテーパー面が形成される。エッチングは、少なくとも第２の膜支持材料層が第１の領域内で除去されて膜材料層が露出するまで続く。 （もっと読む）

【課題】主にＭＥＭＳ技術を利用してダイアフラムを形成したセンサーの機能を有する半導体チップ構造の小型化を行う。
【解決手段】半導体チップは、平面視形状が多角形状をし、外周部のスクライブライン領域の内側に存在する有効領域１７の中央にセンサー機能を有し、有効領域１７内の２つの頂角の内側に電極パッド２１，２３が設けられており、ボンディング可能な大きさの正方形状の仮想電極パッドを頂角に最も近づけて形成すると仮想し、頂角の頂点３１と、仮想電極パッドにおける頂点３１から最も離れた位置との距離をＬｓとし、頂角の角度を２θとするとき、電極パッド２１，２３は、半径Ｒの円形状をし、半径Ｒは、Ｒ＜Ｌｓ／（１＋（１／ｓｉｎθ））である。 （もっと読む）

【課題】射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるセンサパッケージを提供する。
【解決手段】本発明のセンサパッケージは、半導体センサチップ１と、半導体センサチップ１を搭載するための半導体センサチップ搭載領域２ａを有するパッケージ本体２とを備え、樹脂の射出成形により、半導体センサチップ１と反対側の裏面２ｂに半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲むように溝４が形成されている。そして、裏面２ｂには、溝４の内側の樹脂部分と溝４の外側の樹脂部分とを連結する架橋部５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板から半導体素子への応力を十分に吸収することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体装置１０は、基板１１と、基板１１の表面に形成された第１弾性体１４と、第１弾性体１４の表面に形成された第２弾性体１３であって、第１弾性体１４よりも弾性率が小さい第２弾性体１３と、第２弾性体１３により第１弾性体１４に固着された半導体素子１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】センサの小型化を妨げることなくセンサのＳ／Ｎ比を向上させることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板４２にバックチャンバ４５を上下に開口する。当該基板４２の上面には、バックチャンバ４５を覆うようにして、可動電極板となる薄膜状のダイアフラム４３を形成する。基板４２の上面には、ダイアフラム４３を覆うようにしてバックプレート４８を固定し、バックプレート４８の下面に固定電極板４９を設ける。さらに、スリット４７によってダイアフラム４３を複数領域に分割し、複数に分割された各ダイアフラム４３ａ、４３ｂと固定電極板４９によって複数個の並列に接続されたキャパシタ（音響センシング部６０ａ、６０ｂ）を構成している。 （もっと読む）