【課題】本発明は、封止枠と本体素子との間に生じる応力を分散させ、本体素子の変形を防止することができるマイクロパッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】構造体１４が形成された多角形の本体素子１０と、該本体素子を覆う封止部３０と、該本体素子と該封止部とを接合する封止枠２０を有するマイクロパッケージであって、
前記封止枠は、前記本体素子の外縁よりも内側に、前記構造体を囲むように枠状に設けられ、前記多角形の各辺に対向した各範囲において、前記各辺よりも短い短辺２０ａ、２０ｂ、２０ｃが連結された連続線で構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサを密封する、MEMSセンサ・パッケージを提供する。
【解決手段】MEMSセンサ・パッケージは、MEMSセンサと、第1のリーク・レートでガスリークに浸透するセンサボディと、埋め戻し圧力までセンサボディに加圧する埋め戻しガスと、を有し、埋め戻し圧力は、MEMSセンサの減衰を提供し、埋め戻し圧力は、ガスリークのためのセンサボディ内の圧力の増加が、MEMSセンサ・パッケージに関する少なくとも特定の設計サービス寿命に関する所定の範囲を越えて、MEMSセンサのQ値の偏差に生じさせないようにセットされる。 （もっと読む）

【課題】集積回路自体の構成を変更することなく、回路動作を容易に変更することができる集積回路を提供する。
【解決手段】本発明の集積回路は、外部センサ２００からの信号を処理する集積回路であって、互いに異なる入力端子部１０１，１０３に入力された信号を処理して互いに異なる出力端子部１０２，１０４に出力する複数の処理回路１１０，１２０を有し、前記集積回路に選択的に接続される外部センサ２００の種類に応じて前記入力端子部と前記出力端子部との間の外部接続状況を変更することによって、前記複数の処理回路のうちで、前記外部センサからの信号を初めに受信する初段の処理回路と次段以降の処理回路との順番を切り替える。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーパッケージと、このようなセンサーパッケージを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーパッケージを、センサーと、このセンサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に所定の高さをもつ封止部材により固着された保護材と、センサーの表面および裏面にそれぞれ配設された配線と、センサーを貫通し両面の所望の上記配線に接続した複数の表裏導通ビアと、を有し、裏面の配線が外部端子を有し、この外部端子に外部端子凸部材を備えるとともに、センサーのアクティブ面と保護材との間の空隙部は、封止部材により設定され、アクティブ面に対して封止部材は表裏導通ビアよりも外側の領域に位置しているものとする。 （もっと読む）

【課題】集積化センサ装置を提供すること。
【解決手段】集積化センサ装置は、表面部分を含む第１の基板および積層構成で第１の基板の表面部分に結合される第２の基板を備え、そこでは空洞が、第１の基板と第２の基板との間に規定される。集積化センサ装置はまた、第１の基板内に少なくとも部分的に設置される１つまたは複数の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサを備え、そこではＭＥＭＳセンサは空洞と連通する。集積化センサ装置はさらに、１つまたは複数のセンサを備える。 （もっと読む）

【課題】力学量の検出を行う感知部を有するセンサチップを、基板に搭載したものを、封止部材により封止してなるセンサ装置において、封止部材によってセンサチップに発生する応力を極力低減する。
【解決手段】感知部１１を表面に有するセンサチップ１０を、基板２０の一面側に搭載した後、センサチップ１０および基板２０を封止部材３０により被覆して封止するセンサ装置の製造方法であって、基板２０の一面側にセンサチップ１０を搭載するとともに、センサチップ１０の表面に揮発性を有する樹脂５０を配置して、当該表面を樹脂５０で被覆した後、これらセンサチップ１０および基板２０を封止部材３０によって封止し、その後、封止部材３０を硬化するとともに、樹脂５０を加熱して揮発させてセンサチップ１０の表面のうち封止部材３０で被覆されている部位と封止部材３０との間に空隙４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】一体化されたＭＥＭＳおよび半導体電気回路センサを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサであって、第一の層と、基層と、該第一の層と該基層との間に配置された第一の絶縁層と、該第一の層と該基層と該第一の絶縁層のうちの任意の層に形成された空洞であって、該第一の層は半導体電気回路の基板であり、アクティブなＭＥＭＳ要素として存在する、空洞とを備えている、ＭＥＭＳセンサ。本発明の一実施形態において、上記第一の層内にインプラントエリアがさらに備えられ得る。 （もっと読む）

センサモジュールは、キャリア（１）と、少なくとも一つのセンサチップ（３）と、前記センサチップ（３）に接続された少なくとも一つの評価チップ（４）と、を備える。前記キャリア（１）は、カットアウト（２）を備え、このカットアウトには、前記センサチップ（３）が少なくとも部分的に配置されている。評価チップ（４）は前記キャリア（１）上に配置されており、少なくとも部分的にはカットアウト（２）を覆っている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、精度良く素子を立たせることができる電子デバイス及び電子モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】電子デバイス１は、相互に反対を向く第１及び第２の表面４４，４６と、第１及び第２の表面４４，４６に接続する搭載側面４８と、を含む外形形状を有する。電気素子３０は、多面体の外形形状を有して最も広い面が第１又は第２の基板１０，２６を向くように配置されている。第１及び第２の表面４４，４６は、それぞれ、第１及び第２の基板１０，２６の樹脂４０とは反対側の面である。搭載側面４８は、樹脂４０の第１及び第２の基板１０，２６の間での露出面４２と、第１及び第２の基板１０，２６の露出面４２に隣接する側面と、を含む。第１の電極１６は、第１の表面４４で搭載側面４８に隣接して配置されている。第２の電極２８は、第２の表面４６で搭載側面４８に隣接して配置されている。 （もっと読む）

【課題】コストを大幅に増加させることなく精度を向上したＣＭＯＳセンサを提供する。
【解決手段】一実施形態におけるＣＭＯＳセンサシステムにおいて向上した精度を提供する方法及びシステムは、相補型金属酸化膜半導体基板１１２上の第１の端子１１４及び第２の端子１１６を有する複数のセンサ素子と、第１の端子１１４を電源に選択的に接続すると共に、該第１の端子１１４を読出し回路１０８に選択的に接続するように構成される第１の複数のスイッチと、第２の端子１１６を電源に選択的に接続すると共に、該第２の端子１１６を読出し回路１０８に選択的に接続するように構成される第２の複数のスイッチとを含む。 （もっと読む）

ＭＥＭＳデバイスは、第１主表面とその反対面である第２主表面とを有する基板１０１と、前記基板１０１に形成された貫通孔１１０と、前記第１主表面の上側に前記貫通孔１１０を覆うように形成された振動膜１０５とを備えている。前記第１主表面及び前記第２主表面は共に（１１０）結晶面であり、前記第２主表面における前記貫通孔１１０の形状は実質的に菱形である。 （もっと読む）

【解決手段】キャリア（１）上に、接着層（４）、ＡＳＩＣチップ（２）及びセンサチップ（３）が上下方向に配設される。これらのチップを電気的に接続するためのチップ間接続部材（５）が設けられると共に、ＡＳＩＣチップ内の集積回路を外部と電気的に接続するためのＡＳＩＣ用接続部（６）が設けられる。 （もっと読む）

チップ（１，２）の製造のための方法において、まず、サブストレート（１０）の表面層に少なくとも１つのダイヤフラム（１１，１２）を形成し、ダイヤフラムは空洞（１３）上に張設される。次いで、チップ（１，２）の機能がダイヤフラム（１１，１２）内に組み込まれる。チップ（１，２）の分離のために、ダイヤフラム（１１，１２）はサブストレート結合部から離される。本発明により、チップ背面が、サブストレート結合部からのチップ（１，２）の分離の前に、金属めっきプロセスにより金属被覆される。
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本発明は、マイクロマシンコンポーネントの製造方法に関する。この際、基板には基板の厚さより浅い深さを有する少なくとも１つのトレンチ構造が形成されることになる。しかも基板の第１の面上には、絶縁層および基板への充填層が形成または取り付けられる。この充填層は、トレンチ構造を実質的に完全に充填する充填材料を有している。これに続く充填層または、絶縁層または、基板の平面における平坦化処理によって、基板の平らな第１の面が形成される。さらに引き続いて、基板の第２の面が平坦化処理される。本発明の別の目的は、本発明による方法にしたがって製造されるマイクロマシンコンポーネントでもある。
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