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Fターム[4M112EA03]の内容

圧力センサ (26,807) | 材料 (5,833) | 素子本体の構成材料 (5,244) | Si (3,147) | Si単結晶 (933)

Fターム[4M112EA03]に分類される特許

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【課題】 可動電極の貼り付きを防止し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 矩形平板状の可動電極4と、可動電極4が揺動可能なように、可動電極4の対向する2辺をそれぞれ支持する一対のビーム部41,42と、ビーム部41,42を互いに結ぶ直線を境界線とした可動電極4の表面の一方側及び他方側とそれぞれ対向して離間する面に、互いに離間して配置された固定電極21,22と、固定電極21,22の表面にそれぞれ形成され、アルミニウムより硬度の大きい硬質膜81,82とを備える。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置において、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部(R5)を有するデバイス基板10上に、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)素子(16a,16b,17a,17b,DF)を有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ、及びセンサを製造する方法が開示され、この方法は一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ(300)を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされた第一のデバイス・ウェーハに接着し、次いでこの接着体をシリコン積載絶縁体型ウェーハを含む第二のデバイス・ウェーハに接着して通気孔付き懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子(140)によって感知されて差圧を測定する。一実施形態では、センサに埋め込まれた相互接続路(400)によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 (もっと読む)


【課題】測定感度を低下させることなく、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制することにより、高感度及び高精度の圧力測定を実現できるピエゾ抵抗式圧力センサを提供すること。
【解決手段】ピエゾ抵抗部R1,R2,R3,R4はダイヤフラム31と支持部32との境界近傍のダイヤフラム31上に配置されている。これにより、圧力を高感度で測定できる。各ピエゾ抵抗部R1,R2,R3,R4のピエゾ抵抗素子群配置領域の面積はすべて同じであるとともに前記領域の外形形状は同形状とされている。これにより、ピエゾ抵抗部R1,R2,R3,R4間での温度分布を均一化できるので、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】マスク形状を変更しなくとも、梁のバネ定数を調整することが可能な力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と絶縁層と半導体層とが順次積層されて成る基板に形成されたセンサ部は、絶縁層と半導体層とから成るアンカ部と、半導体層から成る浮遊部とを有し、浮遊部は、錘部と、錘部に設けられた可動電極と、可動電極と検出軸方向で対向する固定電極と、錘部を検出軸方向に変位可能とする梁部とを有し、錘部が梁部を介してアンカ部に支持されており、センサ部を形作るマスクを形成する工程と、マスクから露出された半導体層を除去する工程と、絶縁層の一部を除去する工程とを有し、梁部とアンカ部とを構成する半導体層が、上記した2つの方向に交差する方向に延びた形状を成し、検出軸方向に沿う梁幅が錘部から離れるにしたがって長くなるように、マスクを形成する。 (もっと読む)


【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ及びセンサを製造する方法が開示され、このセンサは一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ(300)を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされたデバイス・ウェーハ(100)に接着して懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子(140)によって決定されて絶対圧を測定する。センサに埋め込まれた相互接続路(400)によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 (もっと読む)


【課題】広い範囲の慣性力を検出できる容量式慣性力センサを、可動電極の下面(又は上面)に沿う方向の体格増大を抑制しつつ、検出精度劣化を抑制して提供する。
【解決手段】可動電極に対向配置された固定電極として、可動電極の変位にともない可動電極との対向距離が変化するように、可動電極における変位方向に垂直な側面に対向配置された第1固定電極と、可動電極の変位にともない可動電極との対向面積が変化するように、第1固定電極と対向する可動電極の上面及び下面の少なくとも一方に対向配置された第2固定電極と、を備える。 (もっと読む)


【課題】力学量センサを小型化すること。
【解決手段】SOI基板20と、SOI基板に支持されており、加速度の印加に応じてSOI基板の基板面と平行に変位する可動部2と、可動部のうち変位方向に沿った両側面から櫛歯状に突出形成された複数の可動片4a〜4iと、隣接する可動片との間に空間が形成されるように各可動片間に固定して配置されており、相互に絶縁された複数の固定片6a〜6iと、相互に隣接する可動片および固定片の各組により、電源Eに並列接続された複数のスイッチS1〜S7が構成されており、加速度の印加に応じて可動部が変位したときに相互に接触する可動片および固定片の組数が加速度の大きさに応じて異なり、かつ、上記組数に応じて異なる電圧を発生するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、X軸、Y軸、Z軸からなる3軸方向の加速度を正確に検出できる3軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の3軸加速度センサは、基板21の略中央部に設けられた錘部23と、梁状可撓部25,25′,26,26′と、歪抵抗素子Rx21,Rx22等とを備え、前記歪抵抗素子Rx21,Rx22等を形成した梁状可撓部25,25′,26,26′と錘部23との連結端部の幅寸法よりも幅寸法の小さいくびれ部27,27′,28,28′を前記梁状可撓部25,25′,26,26′内に設けたものである。 (もっと読む)


【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1基板と、第1基板上に配置され、可動部を有するMEMS素子と、MEMS素子の可動部の周辺に非連続に配置された第1支持部と、第1支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第2基板と、第1支持部よりも外側に配置された第1端子と、第1端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第1配線と、を具備し、第1配線は、第1支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 (もっと読む)


【課題】表面保護膜として窒化膜を形成しつつ、モールド樹脂の剥離を抑制できる。半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板18と、該基板18上に形成された素子と、該基板18上に形成された窒化膜20と、該窒化膜20上に形成された剥離防止膜22と、該剥離防止膜22と該素子を覆うように形成されたモールド樹脂36と、を備える。そして、該剥離防止膜22は圧縮応力が残留した膜であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】気密性の高い貫通電極及びこれを用いた微小構造体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性を有する基板10の所定領域11を貫通トレンチ20で囲み、周囲から絶縁分離した貫通電極100において、
前記貫通トレンチ内の深さ方向における所定部分を塞ぐように充填された第1の成長膜40と、
前記貫通トレンチの両側面の間を横断する横断部55を含み、該横断部の底面部が前記第1の成長膜の内側に接触するように充填された第2の成長膜50と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板4と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜3により形成されるキャビティ9と、キャビティに面する表面が露出する電極8と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極1を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層6を形成し、犠牲層の上に振動膜3を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔10を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極8を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極12との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ9を形成する。エッチング孔10から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣17を低減する。 (もっと読む)


【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ25を有する基台20と、基台20の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜30と、を備える。センサ薄膜30は、キャビティ25に通ずるスリット36を有している。キャビティ25の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ25の表面Aは、原子層堆積法により形成された膜Xで被覆されている。 (もっと読む)


【課題】マイクチップの特性を維持しながらマイクロフォンを小型化し、特に実装面積の小面積化を図る。
【解決手段】カバー14と基板15によってパッケージが構成される。基板15の上面には回路素子13が実装され、回路素子13の上にマイクチップ12が設置されている。マイクチップ12に設けたマイク端子23と回路素子13に設けた入出力端子24はボンディングワイヤ27によって接続され、回路素子13に設けた入出力端子25a及びグランド端子25bと基板15のパッド部26a、26bはボンディングワイヤ28によって接続される。カバー14には、パッケージ内に音響振動を伝えるための音響孔16が開口されている。 (もっと読む)


【課題】 2以上のセンサー素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第1支持層100と、第1支持層100の上方に設けられる第1センサー素子SE1と、を有する第1基板BS1と、第2支持層200と、第2支持層200の上方に設けられる第2センサー素子SE2と、を有する第2基板BS2と、を含み、第2基板BS2は、第1センサー素子SE1と第2センサー素子SE2とが互いに対向した状態で、第1基板BS1上にスペーサー300を介して配置されている。 (もっと読む)


【課題】動作部位へのダストの混入を防止しつつ、アライメント等の問題点を少なくとも部分的に解消すること。
【解決手段】本発明は、MEMS素子を搭載した素子基板にキャップ基板が接合されたMEMSデバイスの製造方法であって、キャップ基板50の原料基板に素子基板の切断パターンに沿って非貫通のトレンチ300を形成する工程と、素子基板の原料基板に、トレンチが形成されたキャップ基板の原料基板を接合する接合工程と、少なくとも非貫通のトレンチが貫通するまで、接合されたキャップ基板の原料基板をエッチングするエッチング工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 容量素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第1支持層100と、該第1支持層の上方に一端部が支持され他端部の周囲に空隙部が形成された第1可動梁800aと、を有する第1基板BS1と、第2支持層200と、該第2支持層に形成された第1固定電極900aと、を有し、且つ、前記第1基板に対向して配置された第2基板BS2と、を含み、前記第1可動梁80aには、第1可動電極が形成され、前記第1固定電極と前記第1可動電極とが間隙を介して対向して配置されて構成される。 (もっと読む)


【課題】ストッパと相手側の対向壁部の接触面積を減少させて、スティッキングの発生をより抑制可能な半導体物理量センサを得る。
【解決手段】ストッパ64aと可動部5の対向壁部64b、5cを、間隙部δ5の深さ方向に沿う断面視で、互いに対向する仮想的な垂直面Sw、Twの各上端部Su、Tuおよび下端部Sd、Tdから、当該上端部Su、Tuおよび下端部Sd、Tdの範囲内で相手側に接近する位置に設けた頂点Sp、Tpをそれぞれ結ぶ線対称形状となるように形成する。 (もっと読む)


【課題】可動電極と固定電極の間隙部が形成される部位の加工精度を高めることのできるMEMS構造体を得る。
【解決手段】半導体基板3の一方の面を少なくとも一部が当接しない状態で支持基板3に接合するとともに、当該半導体基板3の支持基板2と当接しない部位にエッチングにより複数の異なる幅の間隙部δ1〜δ5を形成することで、物理量の入力により相対変位する可動部5と固定部6とを形成する。前記可動部5および固定部6は、第1の間隙部δ1、δ2をもって対向配置される可動電極(櫛歯状可動電極)51および固定電極(櫛歯状固定電極)61を備えており、半導体基板3の一方の面(図2中下面)に、第1の間隙部δ1、δ2が形成される通常面30よりも支持基板2側に突出する段差面10を設ける。 (もっと読む)


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