【課題】優れた検出感度を有する物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、基部３１と、基部３１からＹ軸方向に延出し、Ｚ軸方向を法線とする板面を有する梁部３４と、梁部３４の先端部に設けられた質量部３５と、梁部３４の板面上に第１電極層４２１、圧電体層４２２および第２電極層４２３がこの順で積層され、梁部３４のＺ軸方向での曲げ変形を検出する検出素子４２とを有し、梁部３４は、Ｚ軸方向からみたときに、基端側から先端側に向けて幅が漸減する形状をなす。 （もっと読む）

【課題】エアダンピング効果の影響を低減でき、さらに効率よく製造することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面２１および裏面２２を有し、振動膜７と、当該振動膜７を支持し、当該振動膜７の直下に空間６を区画するフレーム部８と、振動膜７に保持された錘９とを有するＳＯＩ基板２において、フレーム部８の底面（底壁）８３に、そのフレーム部８の内側面８２から外側面８１に至る溝１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体加速度センサに製造上の加工バラツキが生じたとしても他軸感度を抑制して加速度の検出精度を向上させる手段を提供する。
【解決手段】外枠部と、外枠部の中心部に配置された重錘部と、外枠部と重錘部とを接続する少なくとも一対の可撓部を有し、一対の可撓部は一の可撓部の外枠部と重錘部との延在方向に他の可撓部が配置される半導体加速度センサであって、Ｙ軸可撓部のＹ軸上に一直線状に、Ｙ軸可撓部の一方の外枠部側から重錘部側に向かって第１のＹ軸抵抗素子、第１のＺ軸抵抗素子、第２のＺ軸抵抗素子、第２のＹ軸抵抗素子の順にこれらを並べて配置し、Ｙ軸可撓部の他方の重錘部側から外枠部側に向かって第３のＹ軸抵抗素子、第３のＺ軸抵抗素子、第４のＺ軸抵抗素子、第４のＹ軸抵抗素子の順にこれらを並べて配置する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑制しながら、互いに絶縁すべき複数の配線を交差させることができ、しかも物理量検出を良好に維持することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】表面２１に一対のＸ−検出素子Ｄ_Ｘが設けられたＳＯＩ基板２上の第２層間膜２０上に、これらＸ−検出素子Ｄ_Ｘ間を接続する素子間配線４３を敷設する。一方、第２層間膜２０上において、素子間配線４３を横切る方向にＸ−ブリッジ配線３１の主配線３６およびＺ−検出上部電極配線３３の主配線３６が敷設されている。これらの主配線３６との接触を避けるために、Ｘ−検出素子Ｄ_Ｘの下部電極２５と同一層に中継配線４５を形成し、この中継配線４５を利用して素子間配線４３が構成する回路を第２層間膜２０内に迂回させる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの厚さのばらつきを抑制することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】異方性エッチングによって第１凹部１３が形成された一面１１を有する第１基板１０と、第１凹部１３が密閉空間となるように第１基板１０の一面１１に接合された一面２１を有する第２基板２０と、を備え、第１凹部１３を測定媒体の圧力に応じて変形可能な側面を有するものとする。そして、第１基板１０に、側面の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 特に、高さ方向（Ｚ軸方向）への検出レンジを広げることができ、さらに安定したセンサ感度を得ることが可能な薄型の物理量センサを提供することを目的としている。
【解決手段】 固定支持されるアンカ部と、高さ方向に変位する可動部２と、弾性変形可能な連結部を介して回動自在に連結された支持部３，４と、可動部２の変位を検知するための検知部３６とを有している。支持部には、可動部２が高さ方向に変位したときに可動部２の変位方向に対し逆方向に変位する脚部３ｂ，４ｂが設けられている。脚部３ｂ，４ｂが前記可動部と高さ方向にて対向する対向部３０の表面３０ａに当接した状態から撓んで、可動部２が対向部の表面から更に離れる方向に変位可能なように、脚部３ｂ，４ｂが弾性変形可能に形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて出力精度の向上を図ることのできる加速度センサ、及び該加速度センサを備えた加速度センサシステムを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ技術で形成される静電容量型の加速度センサであって、基板１と、基板に対向して配置された検出フレーム２１，２２と、基板に対向して配置された慣性質量体５と、検出フレームに対向し基板に配置される検出電極４１、４２とを備え、さらに、検出電極に隣接して基板上に設けられ検出電極の出力値を補正するための補正電極１０１，１０２を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ状態で同心円状に分布する寸法ばらつきが個片化後の半導体装置の性能に与える影響を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１を回転させながら半導体ウェハ１の主面にレジストを塗布する第１工程と、レジストを露光及び現像して半導体ウェハ１の主面にパターンニングされたレジスト膜を形成する第２工程と、レジスト膜を介して半導体ウェハ１の主面をエッチングする第３工程と、を含む工程により、半導体ウェハ１の主面に力学量を検出する構造体１２を含む半導体装置１０を複数個形成する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体装置１０に含まれる各々の構造体１２は、平面視において、各々の構造体１２の所定の領域Ｂ，Ｃが半導体ウェハ１の中心近傍Ｏを向くように配置される。 （もっと読む）

【課題】寄生容量や入力容量の影響が低減された高感度なセンサを提供する。
【解決手段】センサは、可動部分を含む第１の電極１０１と、第１の電極１０１に対向して配置された第２の電極１０２とを有し、容量変化により物理量を検知する第１の容量変化検出部１００と、反転入力端子１２１を有する増幅器１２０と、第１の容量素子２０とを備えている。第１の容量変化検出部１００と第１の容量素子２０とは、増幅器１２０の反転入力端子１２１と出力端子１２３との間で互いに直列に接続されて増幅器１２０の帰還容量を構成する。 （もっと読む）

【課題】フォースセンサの小型化に伴い、外部からの荷重により支持部に機械的強度を越える応力が発生し、支持部が破壊する問題が発生した。
【解決手段】センサ基板とベース基板との間にストッパを設け、センサ基板の撓みを制限し、支持部に機械的強度を越える応力が発生することを防止した。よって、前記ストッパを設けることで、支持部が破壊することなく荷重を計測できる小型なフォースセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、簡易な構造で、製造を容易にすることのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記基板から離隔して配置された可動部を含む複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部にそれぞれ隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記可動電極に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備え、前記複数の可動電極は、それぞれ内部応力を有する薄膜を含み、前記複数の可動電極の前記他端部は、それぞれ対向する前記固定電極と電気的に接触し、前記複数の可動電極の前記他端部は、印加される外力に応じて変位し、前記固定電極と電気的に非接触となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、浮動構造体の支持基板への当接を他の当接を生じさせることなく実現させて、浮動構造体と支持基板との電気的接続を確保することにある。
【解決手段】半導体からなる支持基板と、支持基板上に設けられる絶縁層と、絶縁層上に設けられる活性層と、を備える半導体装置において、絶縁層の一部がエッチング除去されることにより活性層の一部に浮動構造体を形成し、その後、導電性部材を少なくとも浮動構造体を含む活性層に押し付けることで、その浮動構造体を支持基板に当接させて、浮動構造体と支持基板とを導通させる。 （もっと読む）

【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ（１）は、溝（１００ａ）と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部（１０１）と厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極（１０４）とが形成されたシリコンからなる基板（１００）と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極（１０３）と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層（１０２）と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】板上に慣性センサを取り付けるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは基板層３２、３４、センサ層２４、およびセンサ層２４と基板層３２、３４との間に配置される絶縁層２６、２８を有し、基板層３２、３４の１つにＶ溝が非等方性エッチングにより形成される。基板層３２、３４は１００結晶面方位にある。センサパッケージは、その後、ウェハから分離され、エッチングにより形成された基板層３２または３４の表面は、板に取り付けられる。一例において、検出軸が互いに垂直になるように３つのセンサパッケージが板に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】モールド成形時に押型からセンサチップに加わるモーメントを低減できる半導体センサの製造方法を提供する。
【解決手段】２個分のセンサチップがそれらの一端同士でつながり、それらの他端が両端に位置する状態の仮の半導体チップ１００の両端部を樹脂流入用の型２１０、２２０の内部に位置させ、仮の半導体チップ１００の中央部を押型２３０、２４０で上下方向から挟んだ状態として、仮の半導体チップ１００の両端部に対してモールド成形する。その後、仮の半導体チップ１００を２個のセンサチップに分割する。これによると、仮の半導体チップ１００が両持ち状態でマウント部３ｂに支持されているので、センサチップが片持ち状態でマウント部３ｂに支持される場合と比較して、センサチップにかかるモーメントを低減できる。 （もっと読む）

【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳトランスデューサの製造工程において、アニール処理によって生じる絶縁層の内部応力による基板の反りや破損を、新たに工程を増やすことなく防止する。
【解決手段】第一絶縁層と第一導電層と第二絶縁層と第二導電層とが形成された後に、第一導電層に到達するコンタクトホールを形成するとともに溝部Ｈ３を形成するために、第一絶縁層と第二絶縁層とをエッチングした後、第一導電層または第二導電層の応力を緩和するためのアニール処理を施す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第１基板と、前記第１基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第２基板と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第１封止部材と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１封止部材の外周部において前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第２封止部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】耐荷重性をより一層向上させることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、絶縁基板２、３と、この絶縁基板２，３に接合されたシリコン基板と、を備えている。このシリコン基板には、絶縁基板２，３に接合されるフレーム部４０と、一面に可動電極５ａ，６ａが形成された錘部５，６と、当該錘部５，６を回動自在に支持する１対のビーム部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂと、が形成されている。そして、１対のビーム部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂのうちいずれか一方のビーム部７ｂ，８ｂが他方のビーム部７ａ，８ａよりも太さが太く長さが長くなるように形成されている。 （もっと読む）