【課題】大きな加速度が加わった場合にも、上層支持部と下層支持部との境界部分が損傷を受けることがなく、信頼性の高い静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上に固定された固定電極１２１、１２２と、固定電極１２１、１２２の上面に対向するように配置された可動電極１０５と、可動電極１０５を基板１０１上面に直交する方向に変位可能に基板１０１上に弾性支持する弾性支持部１８０と、を備え、弾性支持部１８０は、基板１０１上に固定された絶縁体からなる下層支持部１２１、１２２と、下層支持部１２１、１２２上に固定された上層支持部１１７と、基板１０１上面に沿って長い形状を有し、且つ一端部が上層支持部１０７に結合され他端部が可動電極１０５に結合された梁部１０６と、を有し、下層支持部１２１、１２２は、梁部１０６と上層支持部１０７との結合部分の直下に位置する部分に空隙部１３０を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、固定部の内側に位置する可動部、固定部と可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極、及び可動部及び可撓部を覆い、且つ、金属電極を露出するセンサキャップを備えるセンサを基板上に配置し、センサの複数の金属電極及び基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、複数の金属電極と複数の端子の間にあるボンディングワイヤの一部が露出するように、センサキャップ上を除き、センサの複数の金属電極のボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】犠牲層領域１７に対応する支持基板１１にレーザ光の焦点５４ａを合わせ、半導体層１３側からレーザ光を照射する。これにより、レーザ光の焦点５４ａからレーザ光の入射側に伝達する熱応力によって犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成する。この後、半導体層１３の開口部１５からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック１２ａが形成された犠牲層１２をエッチングして除去することにより、支持基板１１に対して構造体２２〜２４を浮遊させる。このように、犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成して改質度を向上させているので、犠牲層１２の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層１２のエッチングレートがさらに向上する。 （もっと読む）

【課題】センサの小型化を妨げることなくセンサのＳ／Ｎ比を向上させることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板４２にバックチャンバ４５を上下に開口する。当該基板４２の上面には、バックチャンバ４５を覆うようにして、可動電極板となる薄膜状のダイアフラム４３を形成する。基板４２の上面には、ダイアフラム４３を覆うようにしてバックプレート４８を固定し、バックプレート４８の下面に固定電極板４９を設ける。さらに、スリット４７によってダイアフラム４３を複数領域に分割し、複数に分割された各ダイアフラム４３ａ、４３ｂと固定電極板４９によって複数個の並列に接続されたキャパシタ（音響センシング部６０ａ、６０ｂ）を構成している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサにおいて、単純な方法で感度変動を保証する。
【解決手段】半導体チップ２の動作面３に４つの集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４を一体化して配置し、該集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４によりホートストンブリッジを形成し、該ホーイトストンブリッジにおいて、一方の対辺に配置された抵抗Ｒ_１及びＲ_４はｐ型抵抗であり、他方の対辺に配置された抵抗Ｒ_２及びＲ_３はｎ型抵抗であることを特徴とする応力センサを設ける。 （もっと読む）

【課題】上方から見た平面積を小さくすることができ、しかも、音響センサのバックチャンバの容積をより大きくすることのできるマイクロフォンを提供する。
【解決手段】回路基板４３の上面にインターポーザ５２を実装し、その上面に音響センサ５１を実装する。信号処理回路５３は、インターポーザ５２に設けられた空間７０に納められて回路基板４３に実装される。音響センサ５１は、インターポーザ５２に設けた配線構造を通じて回路基板４３に接続される。音響センサ５１やインターポーザ５２などは、回路基板４３の上面に被せたカバー４２によって覆われる。カバー４２には、音響センサ５１のフロントチャンバと対向する位置に音導入孔４８が開口されている。インターポーザ５２には、音響センサ５１のダイアフラム５６よりも下方の空間を、カバー４２内でインターポーザ５２よりも外の空間とを音響的に連通させるための通気用切欠７１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】支持部材の上に半導体素子を実装した半導体装置において、半導体素子の高さを小さくでき、ひいては半導体装置を低背化することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハの上に複数個の音響センサ５１を設ける。Ｓｉウエハ７４を用いて空洞７０や貫通電極６５、６６などを有する複数個のインターポーザ５２を一体に形成する。複数個の音響センサ５１の、Ｓｉウエハと反対側の面を複数個のインターポーザ５２に接合一体化する。この後、音響センサ５１とインターポーザ５２が接合一体化された状態において、音響センサ５１のＳｉウエハを研磨してＳｉウエハの厚みを薄くする。この後、接合されたままで１個１個に分割された単体の音響センサ５１及びＳｉウエハを、信号処理回路とともにパッケージ内に実装する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに部分的に大きな電流が流れるのを抑制する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極５を有する半導体チップ１と、半導体チップ１の表面に設けられ、当該表面にかかる応力を検出する応力検出用素子７とを備える。そして、半導体装置は、応力検出用素子７で検出された応力に基づいて、ゲート電極５に印加される制御信号を制御する。また、平面視において半導体チップ１の中央部にかかる応力を検出する応力検出用素子７が、第１応力検出用素子７−１として設けられ、平面視において半導体チップ１の外周部にかかる応力を検出する応力検出用素子７が、第２応力検出用素子７−２として設けられることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】溶融接合により作製される静電容量型電気機械変換装置において、接合面積などの境界条件が異なる箇所で生じる振動膜の初期変位のバラツキを低減して性能を高めることができる構成を有する装置を提供する。
【解決手段】静電容量型電気機械変換装置は、シリコン基板１と、振動膜７と、シリコン基板１の一方の表面と振動膜７との間に間隙３が形成されるように振動膜７を支持する振動膜支持部１７と、で形成されるセル構造１０２を、少なくとも一つ以上含む素子１０１を有する。素子１０１の周囲に、振動膜支持部１７と共通の層２に形成された溝１０３が配されている。 （もっと読む）

【課題】電位差によって生じる静電力の影響を抑え、Ｓ／Ｎ比の低下やセンサ感度の変動を防止できる複合センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る複合センサは、第１可動部および第２可動部と、これらの周辺に配置されている第１ダミー部および第２ダミー部を、積層基板の層内に形成して備えている。第１ダミー部と第２ダミー部は電気的に分離されており、第１可動部と第１ダミー部には第１電位が印加され、第２可動部と第２ダミー部には第２電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な加速度センサーを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に位置する第１の電極層と、第１の電極層の第１の面と対向して位置する第２の電極層と、第２の電極層を基板に支持する支持部と、を含み、第２の電極層は、上記第１の面に沿った方向に動くことができ、支持部は、第２の電極層が上記第１の面に沿った方向に動くことができるように第２の電極層を基板に支持する。これにより、感度と精度を確保しつつ、基板の面に垂直な方向における加速度センサーの厚みを低減し、加速度センサーを小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて高精度での製作及び組み立てが不要である加速度センサを提供する。
【解決手段】基板１と、変位可能に基板に支持され可動電極１２を有する変位部材３，７と、可動電極との間に静電力を発生させる第１固定電極１１とを備えた加速度センサであって、上記第１固定電極は、基板の厚み方向に直交する方向において可動電極に対向して基板に支持され、加速度の作用により可動電極に対向する面積が変化する。 （もっと読む）

【課題】可動部の特性異常をもたらす静電気の影響を緩和するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】本体部１と本体部１の一面に形成された第一の固定基板とその反対面に形成された第二の固定基板３からなる半導体素子と、半導体素子が収納された表面実装型のパッケージとを備え、半導体素子には可動電極４が設けられ、第一の固定基板３には固定電極５が可動電極４と対向するように設けられ、ねじれ変形する支持ばね１４を中心に揺動することで変形当該両電極間の電気信号を検出する静電容量型ＭＥＭＳデバイスであって、両電極上のそれぞれには両電極が近接した際に互いに接触する接触部６ａ、６ｂが対向して設けられており、接触部６ａ、６ｂの材料は帯電列における正負順序が可動電極４側と固定電極５側とで異なり、前記正負順序の正負の向きは検出電界の正負の向きと逆である。これにより、接触帯電を起こりにくくするという効果がある。 （もっと読む）

【課題】 積層方向の変位の影響を受けることなく、積層方向に直交する方向の変位量を正確に検出することが可能な変位センサを提供する。
【解決手段】 本発明の変位センサは、基板と、基板に対して２軸方向に変位可能に支持された可動質量体と、積層方向に直交する方向の変位量を検出する第１固定電極および第１可動電極と、積層方向の変位量を検出するための第２固定電極および第２可動電極を備えている。その変位センサは、第１固定電極および第１可動電極の一方の外側端部が、第１固定電極および第１可動電極の他方の外側端部よりも内側にあり、第１固定電極および第１可動電極の前記一方の内側端部が、第１固定電極および第１可動電極の前記他方の内側端部よりも外側にあるように、第１固定電極と第１可動電極が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板に沿った方向に相対的に移動可能な一対の対向電極を有するＭＥＭＳデバイスにおいて、他方の対向電極の下端部を削ることなく、一方の対向電極の下端部を短く削ることが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、半導体ウェハを準備する工程と、半導体ウェハの下側表面から第１導電体層と絶縁体層を貫通して第２導電体層に達する第１溝部を形成する工程と、前記第１溝部に導電体からなる保護部を形成する工程と、半導体ウェハの上側表面にレジストパターンを形成する工程と、反応性イオンエッチング法により第２導電体層に一対の対向電極を形成する工程と、反応性イオンエッチング法を継続して一方の対向電極の下端部を削る工程と、絶縁体層を選択的に除去する工程を備えている。その製造方法では、前記第１溝部は一対の対向電極が対向する方向に関して他方の対向電極の両側面の外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法でありながら狭間隔へもガラスが埋め込まれやすくなるガラス埋込シリコン基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、シリコン基板１０に凹部１１を形成する工程と、凹部１１に粉末状、ペースト状または前駆体溶液であるガラス材料２０ａを充填する工程と、ガラス材料２０ａを加熱して軟化させる工程と、軟化させたガラス材料２０ａを焼結させる工程と、凹部１１にガラス材料２０ａが充填されたシリコン基板１０の表裏面においてガラス材料２０ａとシリコン基板１０とを露出させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】第１収容空間に異物が導入されることを抑制することができる加速度角速度センサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
加速度検出部１および角速度検出部２が形成されたセンサ部１０と蓋部２０とを用意する準備工程と、センサ部１０と蓋部２０とを減圧空間で接合し、加速度検出部１および加熱されることによりガスを放出するガス放出材２４ａ、５０を第１収容空間３に収容すると共に、角速度検出部２を第２収容空間４に収容する接合工程と、ガス放出材２４ａ、５０からガスを放出させることにより、第１収容空間３の圧力を第２収容空間４の圧力より高くする内圧変動工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】低コスト化かつ小型化を実現できる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】圧力センサ１は、内部に基準圧室８が形成されたシリコン基板２と、シリコン基板２の一部からなり、基準圧室８を区画するようにシリコン基板２の表層部に形成されたダイヤフラム９と、ダイヤフラム９の周囲を取り囲んでダイヤフラム９をシリコン基板２の他の残余部分１１から分離する分離絶縁層１０とを含んでいる。ダイヤフラム９には、基準圧室８に連通した貫通孔１２が形成されていて、貫通孔１２内には、充填体１４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型ＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型ＭＥＭＳセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン１は、互いに対向する第１電極部Ｘおよび第２電極部Ｙを有している。静電容量型マイクロフォン１は、第１電極部Ｘとしての側壁１２を有する凹所９が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板２と、凹所９の深さ方向に沿う姿勢で第１電極部Ｘに対向するように凹所９内に配置され、凹所９の底面から離隔した底面２０Ｃを有し、半導体基板２の材料からなる第２電極部Ｙとしての膜２０と、膜２０を半導体基板２に結合する絶縁膜２１とを含む。 （もっと読む）