【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】撓み部に発生する浅いクラックを感知する感知基板およびそれを用いた加速度センサを提供する。
【解決手段】フレーム部１１と、フレーム部１１の内側に設けられた錘部１２と、フレーム部１１と錘部１２との間をつなぎ錘部１２が変位することで撓む撓み部１３と、撓み部１３に形成され錘部１２の揺動に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗１４と、フレーム部１１に配置されピエゾ抵抗１４からの信号を取り出すピエゾ抵抗用電極パッド１５ａと、ピエゾ抵抗１４とピエゾ抵抗用電極パッド１５ａとの間をつなぐ拡散配線による拡散配線部１６と、を備える感知基板２０である。撓み部１３の表面には、金属でなる金属配線部１７を備え、金属配線部１７は、フレーム部１１に配置され金属配線部１７からの信号を取り出す金属配線部用電極パッドにつながっている。 （もっと読む）

【課題】固定電極に備えたシリコン接触部と可動電極とが、それらの接触する部分において、固着を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】シリコン接触部１４は、Ｒを有する凸状に形成され、可動電極５は、シリコン接触部１４との対向面にＲ形状を有する凸部１３を備える。これら、可動電極５と絶縁基板２０は、シリコン接触部１４および凸部１３を介して接触し、シリコン接触部１４と凸部１３とは、それらが接触する点における法線の向きと点における離れる力の向きとが異なる。 （もっと読む）

【課題】差圧測定器を効率的に校正可能な差圧測定器の校正システムを提供する。
【解決手段】差圧測定器３の校正システム４０であって、圧力発生装置４によって複数の設定値の圧力を加えられた第１の圧力測定器１が検出した圧力の複数の検出値、及び圧力発生装置４によって複数の設定値の圧力を加えられた第２の圧力測定器２が検出した圧力の複数の検出値を収集する収集回路４１と、複数の設定値と、第１の圧力測定器１が検出した複数の検出値と、の差に基づき、第１の圧力測定器１が検出する圧力の検出値の第１の補正式を決定する第１の補正式決定部４５ａと、複数の設定値と、第２の圧力測定器２が検出した複数の検出値と、の差に基づき、第２の圧力測定器２が検出する圧力の検出値の第２の補正式を決定する第２の補正式決定部４５ｂと、を備える、差圧測定器の校正システム。 （もっと読む）

【課題】温度変化率の増大を抑制することができる圧力検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力検出素子の製造方法は、以下の工程を備えている。主表面１ａ側に凹部４を有する第１の基板１に、第１の基板１の凹部４を覆うように主表面１ａ側に積層された第２の基板２が接合される。積層方向から見て第２の基板２の凹部４と重なる部分に、第２の基板２の歪みを検出するための歪検出素子５が形成される。歪検出素子５に接するように電気配線７が形成される。電気配線７が形成された後に、歪検出素子５の電気配線７と接する箇所が還元されるように水素雰囲気で熱処理される。熱処理の終了時における水素分圧は０．４気圧以下である。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さいばかりでなく効果的に大量生産することができる高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁層１５０によって第２のデバイス層２００から分離された第１のデバイス層１００を備えるデバイスウェーハを備える、環境的影響力を測定するためのデバイスおよび同デバイスを製作する方法が開示される。エッチングされた基板ウェーハ６００に第１のデバイスウェーハが接合されて、懸垂されたダイアフラム５００および突起５５０が作製され、その撓みが、内蔵された検出素子８５０によって測定される。 （もっと読む）

【課題】検出範囲によらず、適切な自己診断を行うことのできる容量式物理量検出装置を提供する。
【解決手段】可動部２０と、可動部２０の変位方向に対向して配置され、可動部２０と共に第１容量部１６ａ、１６ｂを構成する第１固定部３０、４０と、可動部２０の変位方向と垂直方向に対向して配置され、可動部２０と共に第２容量部１７を構成する第２固定部１７とを備える。そして、自己診断時に、第１容量部１６ａ、１６ｂに第１変位信号を印加して第１容量部１６ａ、１６ｂで発生する静電気力によって可動部２０を当該可動部２０の変位方向に変位させ、第２容量部１７に第２変位信号を印加して第２容量部１７で発生する静電気力によって可動部２０を垂直方向に変位させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性のより高い力学量センサーを提供する。
【解決手段】基板に固定されたアンカーおよび固定電極と、前記アンカーと前記固定電極との間において、前記基板から離れて形成され、前記固定電極と接触すると前記固定電極と導通する可動電極と、前記アンカーに一端が接続され、前記可動電極に他端が接続され、かつ前記基板から離れて形成され、複数の直線ビームを含むビームとを有し、前記アンカーと前記固定電極と前記可動電極と前記ビームとは、せん断弾性率が異方性を有する結晶面方位を主面とするシリコン単結晶により構成され、前記複数の直線ビームの長手方向は、せん断弾性率が最小値となる方向と異なっていることを特徴とする力学量センサーを提供する。 （もっと読む）

【課題】 特に、動作空間を囲む枠体と対向基板とを接合する金属接合部の腐食を防止しやすい構造のＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体と配線基板との間には、枠体の外周側面から内側に向けて延出する横方向溝部１８が形成される。また横方向溝部よりも内側では傾斜側面１４ｆを介して前記横方向溝部１８での間隔よりも近接する前記枠体と前記第２の部材との対向面間が動作領域の全周を囲む金属接合部３０ａを介して接合されている。傾斜側面１４ｆの傾き角度θ１は、鈍角である。そして横方向溝部１８内にて現れる金属接合部３０ａの外周表面が保護絶縁層４１により覆われている。 （もっと読む）

【課題】この発明は、段差などを設けて勘合部保護を行い、気密封止性能が得られるセンサー素子を提供するものである。
【解決手段】主面上にダイヤフラムが構成される第１の基材と、前記第１の基材の反ダイヤフラム面側に配設される第２の基材と、前記第１の基材の前記ダイヤフラム直下に設けられるキャビティと、前記キャビティを気密封止するため前記第１の基材と前記第２の基材との接合位置に設けられる勘合部と、前記勘合部に設けられ、前記第１の基材と前記第２の基材との勘合状態を保護する段差部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】圧力測定器を効率的に製造可能な圧力測定器の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔１１、２１が設けられた台座基板１０１、１０２を用意することと、貫通孔１１、２１を挟むようにして、少なくとも二つの切り込み溝１１１を、台座基板１０１、１０２の底面に、第１の刃を用いて形成することと、台座基板１０１、１０２の上面に、ダイアフラム３０を備えるセンサウェハ１０３を、ダイアフラム３０が貫通孔１１、２１を覆うように接合することと、接合されたセンサウェハ１０３及び台座基板１０１、１０２を、台座基板１０１、１０２の少なくとも二つの切り込み溝１１１の上方から、第１の刃より薄い第２の刃を用いて、切断することと、を含む、圧力測定器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ジャイロメータは、基板と、基板の上に懸架された慣性質量部（２）であって、励振部（６）および検出部（８）を含む慣性質量部（２）と、前記慣性質量部（２）の平面内に含まれる、励振部（６）を少なくとも１つの方向（Ｘ）に移動させる手段と、前記質量部の平面の外側での前記検出部（８）の移動を検出する静電容量検出手段とを含む。
【解決手段】前記静電容量検出手段は、前記検出部（８、１０８）と共に可変コンデンサを形成するように、基板に面して位置する検出部（８）の上に配置された、少なくとも１つの懸架電極（１６）を含み、前記電極（１６）は、慣性質量部（２）を貫通する少なくとも１つの柱状体（２２）によって、前記検出部（８）の上に保持される。 （もっと読む）

【課題】物理量の入力に対して、高い線形性をもって容量素子の構造体が変位する物理量検出装置を提供すること。
【解決手段】物理量検出装置は、物理量に応じて変位する構造体を有し、前記構造体の変位に応じて静電容量が変化する物理量検出素子と、前記物理量検出素子に一定の電荷を供給する電荷供給回路と、前記電荷供給回路により電荷が供給された後で、前記物理量検出素子の静電容量に応じた信号を出力する出力回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】 金属結合部の接合界面に作用する応力の均一性を向上させるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体１４と配線基板２間は、金属結合部３０ａを介して接合されている。金属結合部３０ａでは、配線基板２の表面に第１の金属層３１ａが形成され、枠体１４の表面に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが加熱され加圧されて互いに接合されている。第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃは、枠体１４の外周側面１４ａよりも前記動作領域の方向に後退している。第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 （もっと読む）

【課題】枠体に支持された錘部に作用する複数の変位を許容できるバネ構造体、物理量センサー、電子機器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明のバネ構造体１０は、接続部１２と、前記接続部１２を中心に直交する軸を第１軸および第２軸としたときに、前記接続部から第１軸の方向に延出し、第１折曲部２４で折り返され、端部に第１支持部２６を有する第１バネ２０と、前記接続部１２から前記第２軸の方向に延出し、第２折曲部３４で折り返され、端部に第２支持部３６を有する第２バネ３０と、前記第１軸および前記第２軸に平面視で交差する方向であり且つ前記第１及び第２バネ２０，３０から離間する斜め方向に、前記接続部１２からビームが延出し、前記ビームは前記斜め方向に交差する方向に分岐され、一方のビームは第３折曲部４４で折り曲げられ第３支持部４５を端部に有し、他方のビームは第４折曲部４６で折り曲げられ第４支持部４７を端部に有する第３バネ４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エアーダンピングを抑制することで慣性質量体が基板側に変位する場合と慣性質量体が基板と反対側に変位する場合との感度差を抑制することによって高精度の加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、基板１と、検出電極２と、ねじれ梁３と、検出プレート４と、リンク梁５と、一方面６ａと他方面６ｂとが対向する方向に変位可能にリンク梁５に支持された慣性質量体６とを備えている。慣性質量体６は、該方向に慣性質量体６を貫通するように設けられた複数の第１の貫通孔Ｈ１を含んでいる。検出プレート４は、該方向に検出プレート４を貫通するように設けられた複数の第２の貫通孔Ｈ２を含んでいる。第１の貫通孔Ｈ１は、第２の貫通孔Ｈ２より大きい開口面積を有している。 （もっと読む）

【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】主面１６を有する基板１２と、前記主面１２上に配置された溝部（第１の溝部２４、第２の溝部２６）と、前記基板１２上の前記溝部を跨いで配置された固定素子部（第１の固定電極指７８、第２の固定電極指８０）と、を有し、前記溝部の内部には、前記固定素子部に平面視で重複する位置に前記基板および前記固定素子部の少なくとも一方を用いて形成された凸部５４、５６が設けられ、前記凸部５４、５６は接合面（端面８２）を有し、該接合面側に配線（第１の配線３０、第２の配線３６）が配置され、前記配線を介して前記基板１２と前記固定素子部とが接続されたことを特徴とする機能素子。 （もっと読む）

【課題】 センサデバイスに関する装置及び関連する作成方法が提供される。
【解決手段】 センサデバイスは、第１部分に形成された検出装置を有する第１部分及び第２構造を含むセンサ構造を含む。封止構造は、前記センサ構造と前記第２構造との間に挿入され、ここで、封止構造は、センサ構造の第１部分を囲む。封止構造は、第１部分の第１側に固定基準圧力を設け、第１部分の対向側は周囲圧力にさらされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなる３軸方向の加速度を正確に検出でき、かつ、加速度検知素子の小型化および低背化を実施してもセンサ感度を維持できる３軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサは、基板２１の略中央部に設けられた第１の錘部２３と、支持枠部２４と、梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と、歪抵抗素子Ｒｘ２１，Ｒｘ２２等とを備え、前記支持枠部内に一対の梁状可撓部の中心軸に関して略対称で平行な一対の薄肉部２７，２７′，２８，２８′，２９，２９′，３０，３０′を設けることにより、第２、第３、第４、第５の錘部３１〜３４を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】加速度、角速度、を測定する、または駆動のためのマイクロ−電子機械システム（ＭＥＭＳ）が、少なくとも２つの基板（５，６）、およびＭＥＭＳ−層内の少なくとも１つの可動構造体（３．１，３．２）を備える。
【解決手段】前記可動構造体が、少なくとも２つの基板（５，６，７）の間に封止されたキャビティ（８．１，８．２）内に配置される。前記可動構造体（３．１，３．２）を囲む導電性フレーム（１）が、２つの基板（５，６）の接合面に配置される。フレーム（１）が、前記可動構造体（３．１，３．２）から電気的に分離され、少なくとも第一および第二導電性接続部（１３．１，１３．２，１３．３；１４）によって、前記第一基板（５）および第二基板（６）に、各々、電気的に接続される。フレーム（１）が、最大で１５０μｍ（マイクロメートル）、好ましくは、最大で５０μｍ（マイクロメートル）の幅（ｗ）を有してよい。 （もっと読む）