【課題】 積層構造を有する可動質量体に固定された可動電極における反りの発生を抑制する技術を提供する。
【解決手段】 本明細書が開示するＭＥＭＳデバイスは、基板と、第１導電領域に第１絶縁領域を介して第２導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、可動質量体に固定されており、固定電極に対向して配置された可動電極と、第１導電補強領域に絶縁補強領域を介して第２導電補強領域が積層されて形成されており、可動質量体に固定されており、可動電極を少なくとも両側から支持する補強部材を備えている。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】測定精度の高い物理量センサーを提供する。
【解決手段】本発明の物理量センサーは、支持基板２０と、前記支持基板に固定された固定電極指３８、３９と、前記固定電極指と対向し、印加される物理量に応じて変位する可動電極指３６、３７とを含む静電容量検出型の物理量センサーであって、固定電極指３８、３９の一面が支持基板２０に固定されている。 （もっと読む）

【課題】センサの小型化を妨げることなくセンサのＳ／Ｎ比を向上させることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板４２にバックチャンバ４５を上下に開口する。当該基板４２の上面には、バックチャンバ４５を覆うようにして、可動電極板となる薄膜状のダイアフラム４３を形成する。基板４２の上面には、ダイアフラム４３を覆うようにしてバックプレート４８を固定し、バックプレート４８の下面に固定電極板４９を設ける。さらに、スリット４７によってダイアフラム４３を複数領域に分割し、複数に分割された各ダイアフラム４３ａ、４３ｂと固定電極板４９によって複数個の並列に接続されたキャパシタ（音響センシング部６０ａ、６０ｂ）を構成している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサにおいて、単純な方法で感度変動を保証する。
【解決手段】半導体チップ２の動作面３に４つの集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４を一体化して配置し、該集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４によりホートストンブリッジを形成し、該ホーイトストンブリッジにおいて、一方の対辺に配置された抵抗Ｒ_１及びＲ_４はｐ型抵抗であり、他方の対辺に配置された抵抗Ｒ_２及びＲ_３はｎ型抵抗であることを特徴とする応力センサを設ける。 （もっと読む）

【課題】支持部材の上に半導体素子を実装した半導体装置において、半導体素子の高さを小さくでき、ひいては半導体装置を低背化することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハの上に複数個の音響センサ５１を設ける。Ｓｉウエハ７４を用いて空洞７０や貫通電極６５、６６などを有する複数個のインターポーザ５２を一体に形成する。複数個の音響センサ５１の、Ｓｉウエハと反対側の面を複数個のインターポーザ５２に接合一体化する。この後、音響センサ５１とインターポーザ５２が接合一体化された状態において、音響センサ５１のＳｉウエハを研磨してＳｉウエハの厚みを薄くする。この後、接合されたままで１個１個に分割された単体の音響センサ５１及びＳｉウエハを、信号処理回路とともにパッケージ内に実装する。 （もっと読む）

【課題】上方から見た平面積を小さくすることができ、しかも、音響センサのバックチャンバの容積をより大きくすることのできるマイクロフォンを提供する。
【解決手段】回路基板４３の上面にインターポーザ５２を実装し、その上面に音響センサ５１を実装する。信号処理回路５３は、インターポーザ５２に設けられた空間７０に納められて回路基板４３に実装される。音響センサ５１は、インターポーザ５２に設けた配線構造を通じて回路基板４３に接続される。音響センサ５１やインターポーザ５２などは、回路基板４３の上面に被せたカバー４２によって覆われる。カバー４２には、音響センサ５１のフロントチャンバと対向する位置に音導入孔４８が開口されている。インターポーザ５２には、音響センサ５１のダイアフラム５６よりも下方の空間を、カバー４２内でインターポーザ５２よりも外の空間とを音響的に連通させるための通気用切欠７１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】直線加速度の影響及び検出軸以外の他軸の角速度の影響の少なくとも一方を受けることがない物理量センサーを提供する。
【解決手段】物理量センサー１０は、基板と、基板上の空間平面に配置され、回転軸２２，３２を有した第１変位部及び第２変位部２１，３１と、基板の第１変位部及び第２変位部２１，３１の各々に対向する位置に設けられた固定電極部と、第１変位部及び第２変位部の各々の回転軸を支持する支持部４０と、バネ部６０を介して支持部４０を支持する固定部５０と、支持部４０を振動方向に振動させる駆動部７０と、を備え、第１変位部及び第２変位部は、回転軸を軸として空間平面に対して垂直方向に変位可能であり、回転軸の各々は、第１変位部又は第２変位部の重心からずれて設けられ、第１変位部２１の回転軸２２と第２変位部３１の回転軸３２とは、重心からのずれの方向が互いに反対である。 （もっと読む）

【課題】溶融接合により作製される静電容量型電気機械変換装置において、接合面積などの境界条件が異なる箇所で生じる振動膜の初期変位のバラツキを低減して性能を高めることができる構成を有する装置を提供する。
【解決手段】静電容量型電気機械変換装置は、シリコン基板１と、振動膜７と、シリコン基板１の一方の表面と振動膜７との間に間隙３が形成されるように振動膜７を支持する振動膜支持部１７と、で形成されるセル構造１０２を、少なくとも一つ以上含む素子１０１を有する。素子１０１の周囲に、振動膜支持部１７と共通の層２に形成された溝１０３が配されている。 （もっと読む）

【課題】電位差によって生じる静電力の影響を抑え、Ｓ／Ｎ比の低下やセンサ感度の変動を防止できる複合センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る複合センサは、第１可動部および第２可動部と、これらの周辺に配置されている第１ダミー部および第２ダミー部を、積層基板の層内に形成して備えている。第１ダミー部と第２ダミー部は電気的に分離されており、第１可動部と第１ダミー部には第１電位が印加され、第２可動部と第２ダミー部には第２電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに部分的に大きな電流が流れるのを抑制する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極５を有する半導体チップ１と、半導体チップ１の表面に設けられ、当該表面にかかる応力を検出する応力検出用素子７とを備える。そして、半導体装置は、応力検出用素子７で検出された応力に基づいて、ゲート電極５に印加される制御信号を制御する。また、平面視において半導体チップ１の中央部にかかる応力を検出する応力検出用素子７が、第１応力検出用素子７−１として設けられ、平面視において半導体チップ１の外周部にかかる応力を検出する応力検出用素子７が、第２応力検出用素子７−２として設けられることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて高精度での製作及び組み立てが不要である加速度センサを提供する。
【解決手段】基板１と、変位可能に基板に支持され可動電極１２を有する変位部材３，７と、可動電極との間に静電力を発生させる第１固定電極１１とを備えた加速度センサであって、上記第１固定電極は、基板の厚み方向に直交する方向において可動電極に対向して基板に支持され、加速度の作用により可動電極に対向する面積が変化する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な加速度センサーを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に位置する第１の電極層と、第１の電極層の第１の面と対向して位置する第２の電極層と、第２の電極層を基板に支持する支持部と、を含み、第２の電極層は、上記第１の面に沿った方向に動くことができ、支持部は、第２の電極層が上記第１の面に沿った方向に動くことができるように第２の電極層を基板に支持する。これにより、感度と精度を確保しつつ、基板の面に垂直な方向における加速度センサーの厚みを低減し、加速度センサーを小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】 積層方向の変位の影響を受けることなく、積層方向に直交する方向の変位量を正確に検出することが可能な変位センサを提供する。
【解決手段】 本発明の変位センサは、基板と、基板に対して２軸方向に変位可能に支持された可動質量体と、積層方向に直交する方向の変位量を検出する第１固定電極および第１可動電極と、積層方向の変位量を検出するための第２固定電極および第２可動電極を備えている。その変位センサは、第１固定電極および第１可動電極の一方の外側端部が、第１固定電極および第１可動電極の他方の外側端部よりも内側にあり、第１固定電極および第１可動電極の前記一方の内側端部が、第１固定電極および第１可動電極の前記他方の内側端部よりも外側にあるように、第１固定電極と第１可動電極が形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱により誘起された高ひずみおよび測定精度の低下を生じないＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサ２０は、基板２６と、基板２６の平坦面２８に形成されたサスペンションアンカー３４、３６とを備える。ＭＥＭＳセンサ２０は、基板２６上に吊らされる、第１可動素子および第２可動素子をさらに備える。可撓性部材４２、４４が第１可動素子３８をサスペンションアンカー３４に相互接続し、可撓性部材４６、４８が第２可動素子４０をサスペンションアンカー３６に相互接続する。可動素子３８、４０は同一の形状を有する。可動素子は矩形または入れ子構成におけるＬ形状可動素子１０８、１１０であってよい。可動素子３８、４０は、基板２６における点位置９４の周りに互いに回転対称に配向される。 （もっと読む）

【課題】センサ部を片持ち支持してなる圧力センサにおいて、外部温度の変化によって、圧力の検出精度が低下することを抑制することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム２４を外形輪郭線が長手方向と垂直に交差する一辺２４ａを一端２１側に有する形状とし、複数のピエゾ抵抗素子２５ａ〜２５ｄをダイヤフラム２４のうち一辺２４ａの中点周りの領域外に形成する。このような圧力センサでは、ピエゾ抵抗素子２５ａ〜２５ｄはダイヤフラム２４のうち一辺２４ａの中点周りの領域外に形成されているため、ピエゾ抵抗素子２５ａ〜２５ｄに印加される熱応力の差分を低減することができ、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型ＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型ＭＥＭＳセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン１は、互いに対向する第１電極部Ｘおよび第２電極部Ｙを有している。静電容量型マイクロフォン１は、第１電極部Ｘとしての側壁１２を有する凹所９が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板２と、凹所９の深さ方向に沿う姿勢で第１電極部Ｘに対向するように凹所９内に配置され、凹所９の底面から離隔した底面２０Ｃを有し、半導体基板２の材料からなる第２電極部Ｙとしての膜２０と、膜２０を半導体基板２に結合する絶縁膜２１とを含む。 （もっと読む）

【課題】第１収容空間に異物が導入されることを抑制することができる加速度角速度センサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
加速度検出部１および角速度検出部２が形成されたセンサ部１０と蓋部２０とを用意する準備工程と、センサ部１０と蓋部２０とを減圧空間で接合し、加速度検出部１および加熱されることによりガスを放出するガス放出材２４ａ、５０を第１収容空間３に収容すると共に、角速度検出部２を第２収容空間４に収容する接合工程と、ガス放出材２４ａ、５０からガスを放出させることにより、第１収容空間３の圧力を第２収容空間４の圧力より高くする内圧変動工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】精度、小寸法、及びコスト効率的な製造を可能とするＭＥＭＳセンサ設計を提供する。
【解決手段】一態様では、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサは、複数のセグメントを有するジグザグ形のねじりばね（トーションばね）を備え、該ねじりばねは、可動要素すなわちプルーフマスを、その下にある基板の上に懸架している。さらなる一態様では、この複数のセグメントを有するジグザグ形のねじりばねは、熱によって誘起される応力による測定誤差を最小化するべく配向される。係るジグザグ形のねじりばねを有するＭＥＭＳセンサは、既存のＭＥＭＳ製法を用いて製造可能である。 （もっと読む）

【課題】 振動子の寄生抵抗や寄生容量による共振特性（Ｑ値やゲイン等）への影響を低減して、発振回路の安定した発振を実現し得ると共に、振動式センサの測定精度を向上させ得る発振回路およびそれを用いた振動式センサを提供する。
【解決手段】 静電駆動型振動子（固定電極１および振動子３）の出力電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路を、演算増幅器１４並びに抵抗１１，１２および１３を備えた負性インピーダンス変換回路１０で構成することを特徴とする。 （もっと読む）